深入理解mosfet规格书datasheet作为一个电子工程师技术人员相信大家对MOSFET都不会陌生

深入理解MOSFET规格书工程师们要选用某个型号的MOSFET，首先要看的就是规格书/datasheet，拿到MOSFET的规格书PS:1.datasheet2.MOSFETdatasheetIPP60R190C6DatasheetV(BR)DSS，DSMOSFET压不超过600V才算是工作在安全状态。600VMOSFETV(BR)DSS值变小了，另外一点是为了应对各种恶例条件下开关机的VDS电压尖峰。和电压名方式(比如IPx60R190C6,190就是指Rds(onIDRds(on)是有着直接联系的，那么它们之IDRds(onMOSFET到驱动信号，寄生电阻会影响到Rds(on)的值结温：MOSFETTj_max=150MOSFET，实际使用中建议不要超过70%~90%Tj_max.回到正题，MOSFETIDRds(onMOSFET的这一特性使得MOSFET易于并联使用。BSC010NE2LSIPP075N15N3G相信会有很多人没有注意到Vgs(th)的这一特性，这也是正常的，因为高压MOSFET的datasheet中压根就没有这个图，这一点可能是因为高压MOSFET的Vgs(th)值一般都是2.5V以上，高温时也就到2V左右。但对于低压MOSFET就有点不一样了，很多低压MOSFET的Vgs(th)在常温时就很低，比如BSC010NE2LSVgs(th1.2V~2V0.8VGate峰就可能误触发MOSFET开启从而引起整个电源系统异常。所以，低压5、Ciss,Coss,,LLCZVS。因此选择在VDSCossMOSFETLLCZVS，死区时间也可以适当减小，从而提升6、Qg,Qgs,Qg并不等于此图中：当VDS=1V时，Y轴对应的ID为2A，Rds=VDS/ID=0.5R==>Tj=150℃时，Rds(on)0.5RVDS=10VYID20A，Rds=VDS/ID=0.5RTj=150℃时，Rds(on)约为0.5R.所以，此部分曲线中，SOA表现为Tj_max时RDS(on)的限制.MOSFETdatasheet上往往只有Tc=25和80℃时的SOA，但实际应用中不会刚好就是在Tc=25802580SOATcMOSFETSOAMOSFETTj_max(150℃)，Tj_max=Tc+PD*ZthJC,ZthJC线上可以得到ZthJC=2.4*10^-2MOSFETdatasheetTc=2580℃时的SOA802580SOATc有的可以一下意见25℃时的SOA10025SOAVDSID如上图，1处电压、电流分别为：88V,59A,tp=10us计算出对应的功耗：PD=VDS*ID=88*59=5192（a）PD=(Tj_max-Tc)/ZthJCTc=25℃（b）联立，可以求得对于同样的tpSOA线上，瞬态热阻ZthJC从而可以算出此时最大电流为I=PD/VDS=2083/88=23.67A的SOA（当然这里得到的SOA还需要结合Tc=100℃时的其他限制条件）DZthJC1).当占空比DZthJC（其中，SthJC(tsinglepulse2.当tp<10us在MOSFET的结构中，实际上是存在一个寄生三极管的，如上图。在MOSFET的设计中也会采取VBE0RB大小，VBEVBEMOSFET损坏MOSFET。最大雪崩电流==>MOSFETTj_maxEAS、EAR然前提是雪崩电流<IAR）同时，还得注意，EAS重复雪崩能量VSD,trrQrr，反向恢复电荷==>Qrr大小关系到MOSFET的开关损耗，越小越好，trr越小此值也会小10MOSFET耐压值。通常对于全电压的输入，MOSFET耐压(BVDSS)得选600V以上，一般会选择650V。电压，这样MOSFET的耐压值得选更高，通常会选择800VMOSFET。500V600V硬开关拓扑MOSFET存在较大的开关损耗，为了降低开关损耗，我们可以选择开关更快的MOSFETQgMO