半导体光电导器件

半导体光电导器件第1页，课件共37页，创作于2023年2月光敏电阻与其它半导体光电器件相比有以下特点：①光谱响应范围相当宽，根据光电导材料的不同，光谱响应范围可从紫外、可见光、近红外扩展到远红外。②工作电流大，可达数毫安。③所测的光强范围宽，既可测强光。也可测弱光。④灵敏度高，光电导增益大于一。⑤偏置电压低，无极性之分。第2页，课件共37页，创作于2023年2月光敏电阻的不足之处是：在强光照射下光电转换线性较差；光电弛豫过程较长；频率响应很低。因此它的使用受到一定限制。光敏电阻的主要用途是：用于照相机、光度计、光电自动控制、辐射测量、能量辐射物搜索和跟踪、红外热成像和红外通信方面作辐射接收元件。

第3页，课件共37页，创作于2023年2月3.1光敏电阻1、光敏电阻的工作原理最简单的光敏电阻原理回及其符号如图所示。它是在均质的光电导体两端加上电极后构成为光敏电阻，两电极加上一定电压后，当光照射到光电导体上，由光照产少的光生载流子在外加电场作用下沿一定方向运动，在电路中产生电流，达到了光电转换的目的。第4页，课件共37页，创作于2023年2月第5页，课件共37页，创作于2023年2月第6页，课件共37页，创作于2023年2月2、根据半导体材料的分类，光敏电阻有两种类型—本征型半导体光敏电阻和掺杂型半导体光敏电阻。（1）本征型半导体光敏电阻只有当入射光子能量等于或大于半导体材料的禁带宽度时才能激发一个电子—空穴对。第7页，课件共37页，创作于2023年2月（2）掺杂型半导体光敏电阻n型半导体，光子的能量加只要等于或大于杂质电离能时，就能把施主能级上的电子激发别导带而形成导电电子，在外加电场作用下形成电流。从原理上说p型小型半导体均可制成光敏电阻，但由于电子的迁移率比空穴大，而且用n型半导体材料制成的光敏电阻性能第8页，课件共37页，创作于2023年2月对长波限的比较第9页，课件共37页，创作于2023年2月第10页，课件共37页，创作于2023年2月第11页，课件共37页，创作于2023年2月3、光敏电阻的基本结构为了提高光敏电阻的光电导灵敏度，要尽可能的缩短光敏电阻两电极间的距离，这就是光敏电阻结构设计的基本原则。图中光敏面为梳形结构，两个梳形电极之间为光敏电阻材料，由于两个梳形电极靠的很近，电极间距很小，光敏电阻灵敏度很高。第12页，课件共37页，创作于2023年2月图中为光敏面为蛇形的光敏电阻，光电导材料做成蛇形，光电导材料的两侧为金属导电材料，并在上面设置电极，显然这种光敏电阻的电极间距也很小，提高了光敏电阻的灵敏度。第13页，课件共37页，创作于2023年2月图中为刻线式结构的光敏电阻侧向图，在备置好的光敏电阻衬基上刻出狭窄的光敏材料条，然后再蒸涂金属电极构成刻线式结构的光敏电阻。第14页，课件共37页，创作于2023年2月4、典型光敏电阻（1）对紫外光灵敏的光敏电阻：硫化镉（CdS）和硒化镉（CdSe）（2）对可见光灵敏的光敏电阻：硫化铊（TiS）和硫化镉（CdS）和硒化镉（CdSe）（3）对红外光灵敏的光敏电阻：硫化铅（PbS），硒化铅（PbSe），碲化铟（InSd）等第15页，课件共37页，创作于2023年2月4、典型光敏电阻（1）硫化镉（CdS）光敏电阻它是最常见的光敏电阻，它的光谱相应最接近人眼光谱光视效率，它在可见光波段范围内的灵敏度最高。其光敏面常为蛇形光敏面结构。广泛应用于灯光的自动控制，以及照相机的自动测光等。第16页，课件共37页，创作于2023年2月（2）硫化铅（PbS）光敏电阻PbS光敏电阻是近红外波段最灵敏的光电导器件，PbS光敏电阻常用真空蒸发或化学沉积的方法制备。由于PbS光敏电阻在2微米附近的红外辐射的探测灵敏度很高，因此常用于火灾等领域的探测。第17页，课件共37页，创作于2023年2月（3）锑化铟（InSd）光敏电阻InSd光敏电阻为3-5微米光谱范围内的主要探测器件之一，InSd光敏电阻由单晶材料制备，制造工艺成熟，经过切片，磨片，抛光后的单晶材料，再采用腐蚀的方法减薄到所需要的厚度，制成单晶InSd光敏电阻，这种材料不仅适用于制造单元探测器件，也适宜制造阵列红外探测器件。第18页，课件共37页，创作于2023年2月例题：1、CdS光敏电阻控制继电器，外加电源12V，CdS在照度为200lx的亮电阻为2K欧姆，继电器的线圈电阻R为1K欧姆，继电器的吸合电流为2mA，问需要多少照度时才能使继电器吸合？光照指数，电压指数为1.第19页，课件共37页，创作于2023年2月2.若CdS的暗电阻为10M欧姆，在照度100lx时亮电阻为5K欧姆，用它控制继电器，如果继电器的线圈电阻为4K欧姆，吸合电流为2mA，需要多少照度才能使继电器吸合？第20页，课件共37页，创作于2023年2月光敏电阻的主要特性参数1、光电特性当入射照度为E时，光敏电阻有光电流Ip产生，光电流与光照度的关系称为光电特性。光电特性为：Ip=SgEγUα

其中γ为光照指数，与材料和入射光强弱有关系，弱光下γ=1，强光下为1/2。

α为电压指数，与光电导体和电极材料之间的接触有关。第21页，课件共37页，创作于2023年2月Ip=SgErUaIp——光电流，即光敏电阻两端加上一定电压后亮电流I与暗电流Id之差。E——光照度。R——光照指数，它与材料和入射光强弱有关。U——光敏电阻两端所加电压。a——电压指数，它与光电导体和电极材料之间的接触有关。Sg——光电导灵敏度。第22页，课件共37页，创作于2023年2月2.光谱响应特性光敏电阻的光谱特性第23页，课件共37页，创作于2023年2月光谱响应率

是指在某一特定波长下，输出光电流（或电压）与入射辐射能量之比。若将光敏电阻电极间距减小，使光敏电阻集光面积太小而不实用，若延长载流子的寿命也可提高增益因数，但会减慢相应速度。因此增益与响应速度是相矛盾的第24页，课件共37页，创作于2023年2月3.频率特性曲线1和曲线2分别表示硫化镉和硫化铅光敏电阻的频率特性光敏电阻的频率特性较差。

当光敏电阻受到脉冲光照时，光电流要经过一段时间才能达到稳态值，光照突然消失时，光电流也不立刻为零。这说明光敏电阻有时延特性。由于不同材料的光敏电阻时延特性不同，所以它们的频率特性也不相同，可以看出硫化铅的使用频率比硫化镉高的多。第25页，课件共37页，创作于2023年2月4、伏安特性指在一定光照下，光敏电阻器上的外加电压与流过光敏电阻器的电流之间的关系曲线。从图可以看出两个明显的特点，一是在额定功率范围内（如50mW）光电流与所加电压成线性关系，即电流正比于所施加外电压。二是当光敏电阻器上承受的功率超过它本身的额定功率后，曲线开始变弯，趋向饱和，电流并未继续增大，即大部分光生载流子已参与为光电流。第26页，课件共37页，创作于2023年2月5.温度特性

光敏电阻的性能(灵敏度，暗电阻)受温度的影响较大。随着温度的升高，其暗电阻和灵敏度下降，光谱特性曲线的峰值向波长短的方向移动。硫化镉的光电流I和温度T的关系如图所示。有时为了提高灵敏度，或为了能够接收较长波段的辐射，将元件降温使用。第27页，课件共37页，创作于2023年2月1.光谱响应范围宽。根据材料不同，有的在可见光灵敏，有的灵敏域可达红外区、远红外区。2.工作电流大，可达数毫安。3.所测的光强范围宽，既可测弱光，也可测强光。4.灵敏度高，通过对材料、工艺和电极结构的适当选择和设计，光电增益可大于1。5.无极性之分，使用方便。缺点：在强光照下光电线性较差，光电弛豫时间长，频率特性较差，因此它的应用领域受到一定限制。光敏电阻和其他半导体光电器件相比有以下特点：第28页，课件共37页，创作于2023年2月光敏电阻的应用1.光敏电阻调光电路

光敏电阻的应用广泛，例如：照相机自动测光、光电控制、室内光线控制、报警器、工业控制、光控开关、光控灯、电子玩具、光控音乐IC、电子验钞机等各个领域。第29页，课件共37页，创作于2023年2月第30页，课件共37页，创作于2023年2月2.光控开关电路

图a是一种光控开关电路，这一光控开关电路可以用在一些楼道、路灯等公共场所。通过光敏电阻器，它在天黑时会自动开灯，天亮时自动熄灭。电路中，VS1是晶闸管，Rl是光敏电阻器。第31页，课件共37页，创作于2023年2月光敏电阻式光控开关的几种典型电路图b是一种简单的暗激发继电器开关电路。。

图b简单的暗激发光控开关第32页，课件共37页，创作于2023年2月其工作原理是：当照度下降到设置值时由于光敏电阻阻值上升激发VT1导通，VT2的激励电流使继电器工作，常开触点闭合，常闭触点断开，实现对外电路的控制第33页，课件共37页，创作于2023年2月

图c是一种精密的暗激发时滞继电器开关电路。图c精密的暗激发光控开关第34页，课件共37页，创作于2023年2月其工作原理是：当照度下降到设置值时由于光敏电阻阻值上升使运放IC的反相端电位升高，其输出激发VT导通，VT的激励电流使继电器工作，常开触点闭合，常闭触点断开，实现对外电路的控制。第35页，课件共37页，创作于2023年2月3.停电自动报警电路

图a所示是停电自动报警电路。电路中，