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文档简介
GZ-2022**成电路开发及应用赛项赛题8集成电路开发及应用赛项来源于集成电路行务由“集成电路设计与仿真“集成电路工艺仿真成电路测试”及“集成电路应用”四部分组成。第一部分集成电路设计与仿真使用集成电路版图设计软件根据表1-1所示的集成电路真值表(输出值Y0~Y15随机抽取),使用指定工艺PDK,设计集成电路原理图和版图,并进行功能仿真。设计要求如下:1.芯片引脚4端1个信号输出端Y1个电源端VCC;1个接地端GND。2.表1的集成电路真值表,D入不同的逻辑电平,Y输出对应逻辑电平上述逻辑电平“正“0“Y的值Y0~Y5由比赛现场抽取的任务参数确定。3.仿真设置VCC为+5A为1kHB为2kHzC为4kH,D为8kHz。4.通过DRC检查和S。5.使用MOS管数量应尽量少。6.所设计版图面积应尽量小。现场评判要求:1.DRC检查和S证结果、及尺寸。12.不能进行增加、删除、修改、作。表1-1集成电路真值表输入 输出A B C D Y0 0 0 0 Y00 0 0 1 Y10 0 1 0 Y20 0 1 1 Y30 1 0 0 Y40 1 0 1 Y50 1 1 0 Y60 1 1 1 Y71 0 0 0 Y81 0 0 1 Y91 0 1 0Y101 0 1 111 1 0 0Y121 1 0 1Y131 1 1 0Y141 1 1 1Y152第二部分集成电路工艺仿真选择题应根据工艺问题或视频片断选择适合的答案、错选均不得分仿真操作题应根据题目要按照集成电工艺规范,在交互仿真平台进行仿真操作。1.(单选)在视频中,①标个环节的内容?A.软烘B.曝光后烘焙C.坚膜D.墨点烘烤2.(单选)视频中正在进行塑封作业,若①部件闭合压力不足,可能会造成()。A.塑封料填充不足B.开模失败C.溢料D.塑封体变色3.(单选)视频中是某台正在作业的设备,当该区域的液体供应不足时,可能会列选项中的哪种现象?()A.切割崩边B.晶粒脱离蓝膜C.划片位置偏移D.蓝膜开裂34.(单选)在显影后检查的视频中,发现有异常现象,其中造成①标注现象的原因可能是什么?A.选错对位标记B.对准偏差C.颗粒沾污D.前道涂胶异常5.(单选)视频结尾处为某工艺设备的操作界面,若此时需要打开该设备载片台的统,应点击()号位置的按键。A.①B.②C.③D.④6.(多选)在视频中,没有被粘接而留在蓝膜上的晶粒可能存在的不良现象是什么?A.崩边B.缺角C.针印过深D.针印偏出PAD点7.(多选)涂胶,哪些是造成图现象的可能原因?4A.不适合的匀胶加速度B.光刻胶内存在颗粒或气泡C.不适合的托盘D.给胶量不足8.(多选)频中,造成①处不良现因可能有()。A.贴膜机未理干净B.贴膜温度过低C.贴膜机漏油D.横切刀磨损9.(多选)视频展示的是编带抽真空过程中出现真空不足的现象,造成视频所述现象的原因可能有()。A.设备故障B.铝箔袋破损C.封口温度设置过低D.封口时间设置太短10.(多选)晶圆划片后对其外观进行检查,观察到视频中的不良现象,出现该异常的原因可能有。A.载片台步进过大B.划片刀磨损C.划片刀转速过大D.冷却水流量过小511.(仿真操作)单晶硅生长—拉晶与检测:集成电路制造晶圆制造工艺单晶硅生的拉单晶和单晶硅质量检测12.(仿真操作)物理气相淀积—参数设置与淀积:集成电路制造流片工艺金属化部分的物理气相淀积设备操作环节的参数设置和淀积设备运行13.(仿真操作)氧化扩散—领料与清洗:集成电路制造流片工艺薄膜制备部分的物料领取确认和氧化前清洗614.(仿真操作)编带外观检查—外观检查:集成电路制造芯片测试工艺编带外观检查环节批次移外观检查虚拟仿真交互。15.(仿真操作)晶圆烘烤—参数设置:集成电路制造晶圆测试工艺晶圆烘烤环节烘箱参数设置7第三部分集成电路测试参赛选手从现场下发的元器件中选取待测试芯片及工装所需元件和材料,参考现场下发的技术资料(芯片手册、元器件清单等),调成测试任务。集成电路测试共分为数字集成电路测试和模拟集成电路测试两项子任务。子任务一:数字集成电路测试待测芯片:移位寄存器(例如:XD74LS166)参数测试(1)开短路测试(2)VOL输出低电平电压测试(3)IOH输出高电平电流测试(4)IIH输入高电平电流测试功能测试芯值并标注单位。子任务二:模拟集成电路测试待测芯片:LM358LM358是双运算部频率补偿的运算放大器适合于电压范围很宽的单电源使用也适用于双电源工作模式在推荐的工作条件下电流与电源电压8无关使用范围包括传放大器直流和其他所有可用单电源的使用运算放大场合。参数测试(1)输入失调电压(2)输入失调电流(3)电源供电电流(4)输出短路电流(5)输出电压范围(6)共模抑制比(7)电源抑制比(8)开环增益应用电路测试利用比场提供的LM358体管器件等,搭建一个300mA的恒流源。测试并以下数据;(1)恒流源输出电流稳定性。(2)负载两端的电压以及纹波系数。(3)恒流源的效率。9第四部分集成电路应用集成电路应用任务要利用红外对管(RAD50C)、电压比较器(LM3(2或stm32f03c8实现车辆区间测速功能。参赛选手利用LM324S122或st2f1038t6AMS1117等集成电路芯片及12864配红外射传感器搭建车辆区辆续5车通过分别显示5辆车速度并具备设置限速阈值功能,记录过往车辆数量等功能。1.测速区间示意图本系统测速区间示意图如图4-1示。点外 点外发传感器射感器车点外 点外接传感器接传感器图41测区示图2.区间测速系统显示1264显示界面如图4-2、4-3、4-4、4-5和4-6所示。使间速统图4-2初始显示界面101. 设界面2. 辆式3. 辆式图4-3选择功能界面超预值XXXkm/h测区间x.xxkm图4-4设置界面速:XXXkm/h数XXX个图4-5单车模式显界面1:XXXkm/h2:XXXkm/h3:XXXkm/h4:XXXkm/h5:XXXkm/h图4-6多车模式显界面113.实现过程(1)系统开机初始化相关使用资源(I、定时器、时钟等,并进入如图4-1界面始化完成后进入图4-2界面进行选择功能界面,上、下按键选择对应功击确认按键进入对应界面;(2)在设置界面中如图43所示通过上、下对应的设置栏,数字按入想设置的参数,输入通过删除按键删除当前输入即可重新输入新参数,设置完成后点击确认按钮或者返回按键回到图42;(3)在单车模式下实时显示过往车辆速
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