双极型晶体管知识公开课

双极型晶体管知识公开课引言半导体三极管（亦称为晶体管）一般有三个电极（即三个引出脚），按工作性质亦分为高、低频晶体三极管；大功率、中功率和小功率晶体三极管；用作信号放大用的三极管和用做开关的三极管。按材料分有锗半导体三极管和硅半导体三极管，由于硅三极管工作稳定性较好，所以现在大部分三极管都是用硅材料做的。下面是一些三极管的外型。大功率低频三极管中功率低频三极管小功率高频三极管返回学习要点本节学习要点和要求双极型晶体管半导体三极管的结构晶体三极管常用参数的意义晶体三极管的放大原理共射电路输入特性曲线的意义共射电路输出特性曲线的意义返回半导体三极管特性主页使用说明：要学习哪部分内容，只需把鼠标移到相应的目录上单击鼠标左键即可，按空格键或鼠标左键将按目录顺序学习。一、晶体管结构简介二、晶体管的电流分配和放大作用三、晶体管的特性曲线结束四、(BJT)的主要参数黄山·百步云梯双极型晶体管主页返回晶体管的特性

一、晶体管结构简介

1.晶体管的两种结构一、晶体管结构简介1.晶体管一般由NPN和PNP两种结构组成双极型晶体管(BJT)继续2.晶体管的三个区一、晶体管结构简介继续2.晶体管有三个区:N集电区NP基区e发射极b基极c集电极发射区管芯结构剖面图基区(P):很薄,空穴浓度较小——引出基极b.

发射区(N):与基区的接触面较小——引出发射极e.

集电区(N):与基区的接触面较大——引出集电极c.1.晶体管一般由NPN和PNP两种结构组成以NPN型晶体管为例。双极型晶体管(BJT)发射极的电路符号继续一、晶体管结构简介基区(P):很薄,空穴浓度较小——引出基极b.

发射区(N):与基区的接触面较小——引出发射极e.

集电区(N):与基区的接触面较大——引出集电极c.1.晶体管一般由NPN和PNP两种结构组成注意：发射极的符号带箭头。PNP型ECBECBNPN型半导体三极管电路符号2.晶体管有三个区:双极型晶体管(BJT)双极型晶体管(BJT)3.晶体管的两个PN结一、晶体管结构简介1.晶体管一般由NPN和PNP两种结构组成继续本页完PNP型ECBECBNPN型半导体三极管电路符号NPN与PNP管具有几乎等同的特性，只不过各电极端的电压极性和电流流向不同而已。2.晶体管有三个区:很显然，三极管有两个PN结，发射区与基区间的称为发射结，集电区与基区间的叫集电结。单击返回,返回学习主页，单击继续,继续往下学习。继续返回双极型晶体管(BJT)二、晶体管的电流分配和放大作用

1.晶体管正常工作时各极电压的连接及作用NNP空穴电子ecbIBIEICICBOIENIEPIBN电流方向1.晶体管各PN结电压连接的一般特性继续顾名思义：发射区的作用是发射电子,集电区的作用是收集电子,下面以NPN型三极管为例分析载流子(即电子和空穴)在晶体管内部的传输情况。二、晶体管的电流分配与放大作用发射结集电结发射极集电极基极发射结必须处于正向偏置——目的削弱发射结集电结必须处于反向偏置——目的增强集电结VEEVCC+－+－ICN连接BJT各极间电压的一般特性晶体管的电流分配晶体管的放大作用双极型晶体管(BJT)动画演示NNP空穴电子ecbIBIEICICBOIENIEPIBN电流方向继续VEEVCCVCC+－+ICN发射结必须处于正向偏置——目的削弱发射结集电结必须处于反向偏置——目的增强集电结二、晶体管的电流分配与放大作用分析集射结电场方向知,反向偏置有利于收集在基区的电子单击此框运行三极管载流子分配动画演示1.晶体管各PN结电压连接的一般特性发射结变薄有利于发射区的电子向基区扩散连接BJT各极间电压的一般特性晶体管的电流分配晶体管的放大作用双极型晶体管(BJT)二、晶体管的电流分配与放大作用2.晶体管的电流分配

发射极电流的组成NNP空穴电子ecbIBIEICICBOIENIEPIBN电流方向2.晶体管的电流分配发射极电流IE:主要由发射区的电子扩散(IEN)而成,亦有极少数的由基区向发射区扩散的空穴电流(IEP)。继续IE=IEN+IEPIENVEEVCCVCC+－+ICN注意电流方向：电流方向与电子移动方向相反,与空穴移动方向相同。单击此框运行三极管载流子分配动画演示1.晶体管各PN结电压连接的一般特性晶体管的电流分配晶体管的放大作用双极型晶体管(BJT)二、晶体管的电流分配与放大作用基极电流的形成NNP空穴电子ecbIBIEICICBOIENIEPIBN电流方向继续本页完基极电流IB:基极电流主要由基区的空穴与从发射区扩散过来的电子复合而成。同时电源VEE又不断地从基区中把电子拉走,维持基区有一定数量的空穴。VEEVCCVCC+－+ICN单击此框运行三极管载流子分配动画演示2.晶体管的电流分配1.晶体管各PN结电压连接的一般特性由于基区有少量空穴,所以从发射区扩散过来的电子在基区会被复合掉一些,形成基极电流。晶体管的电流分配晶体管的放大作用双极型晶体管(BJT)集极电流的形成二、晶体管的电流分配与放大作用NNP空穴电子ecbIBIEICICBOIENIEPIBN电流方向继续本页完集电极电流IC:集电极电流主要由集电结收集从发射区扩散至基区的电子而成(ICN)。亦有由于基区和集电区的少子漂移作用而产生的很小的反向饱和电流ICBO。VEEVCCIC=ICN+ICBOICNVCC+－+ICN由于基区空穴的复合作用,集电区收集的电子数会比发射区扩散的电子数要小一些,即集电极电流IC比发射极电流IE要小一些。单击此框运行三极管载流子分配动画演示2.晶体管的电流分配1.晶体管各PN结电压连接的一般特性晶体管的电流分配晶体管的放大作用双极型晶体管(BJT)二、晶体管的电流分配与放大作用IE=IB+ICNNP空穴电子ecbIBIEICICBOIENIEPIBN电流方向继续本页完由电路分析的内容可知,三个电极之间的电流关系为：VEEVCCIE=IB+ICRbVEEVCCRLIB发射极与基极之间为正向偏置+－+－IE=IB+IC集电极与基极之间为反向偏置ICVCC+－+2.晶体管的电流分配1.晶体管各PN结电压连接的一般特性三极管的三个极不管如何连接,这个关系是不会改变的。以后画电路时三极管就不再使用结构图而用电路符号图了。晶体管的电流分配晶体管的放大作用双极型晶体管(BJT)二、晶体管的电流分配与放大作用①系数的意义NNP空穴电子ecbIBIEICICBOIENIEPIBN电流方向继续本页完①为了表示集电极收集发射区发射电子的能力,通常使用一个常数hfb()表示VEEVCChfb==iC／iERbVEEVCCRLIB+－+－IE=IB+ICICVCC+－+2.晶体管的电流分配1.晶体管各PN结电压连接的一般特性iC和iE是表示通过三极管集电极和发射极电流的瞬时值.晶体管的电流分配晶体管的放大作用双极型晶体管(BJT)②系数的意义NNP空穴电子ecbIBIEICICBOIENIEPIBN电流方向继续本页完②为了表示集电极电流是基极电流的倍数,通常使用一个常数hfe()表示VEEVCCRbVEEVCCRLIB+－+－IE=IB+ICICVCC+－+hfe==iC／iBhfe()称为共发射极交流电流放大系数

二、晶体管的电流分配与放大作用2.晶体管的电流分配1.晶体管各PN结电压连接的一般特性晶体管的电流分配晶体管的放大作用双极型晶体管(BJT)③与之间的关系NNP空穴电子ecbIBIEICICBOIENIEPIBN电流方向继续本页完③hfb()与hfe()之间的关系VEEVCCRbVEEVCCRLIB+－+－IE=IB+ICIC=

1－

VCC+－+二、晶体管的电流分配与放大作用联立下面三式可求出此关系式：iC=iBiC=iEiE=iC+iB

请同学们自己推导2.晶体管的电流分配1.晶体管各PN结电压连接的一般特性晶体管的电流分配晶体管的放大作用双极型晶体管(BJT)3.放大作用继续本页完二、晶体管的电流分配与放大作用3.放大作用共射基本放大电路的组成演示三极管的放大作用实际上是使微小的信号(如微小变化的电压、微小变化的电流）转换成较大变化的信号。要使三极管有放大作用,必须与一些阻容元件按一定的方式连接成电路,称为放大电路。最基本的放大电路是共射极放大电路。2.晶体管的电流分配1.晶体管各PN结电压连接的一般特性晶体管的放大作用双极型晶体管(BJT)(1)共射电路的组成继续本页完viVBBVCCRL1K+－+－ceb输入与输出回路共用发射极，所以称为共发射极放大电路。二、晶体管的电流分配与放大作用=49共射基本放大电路的组成演示基极与发射极间组成输入回路3.放大作用(1)共射极放大电路集电极与发射极间组成输出回路晶体管共射极放大电路的组成共射极电路的电压放大原理三极管的放大作用实际上是使微小的信号(如微小变化的电压、微小变化的电流）转换成较大变化的信号。要使三极管有放大作用,必须与一些阻容元件按一定的方式连接成电路,称为放大电路。最基本的放大电路是共射极放大电路。双极型晶体管(BJT)二、晶体管的电流分配与放大作用三个交变电流3.放大作用继续本页完(1)共射极放大电路viVBBVCCiB=IB+iB

iC=IC+iC

vOiE=IE+iE

+－+－+－cebRL1K=49共射极电路的电压放大原理(2)共射电路的电压放大输出电路同时产生一个变化的电流。输入信号电压在输入回路上产生一个变化的电流。三极管的放大作用实际上是使微小的信号(如微小变化的电压、微小变化的电流）转换成较大变化的信号。要使三极管有放大作用,必须与一些阻容元件按一定的方式连接成电路,称为放大电路。最基本的放大电路是共射极放大电路。变化的电流在负载电阻上产生一个变化电压。三极管的放大作用实际上是使微小的信号(如微小变化的电压、微小变化的电流）转换成较大变化的信号。要使三极管有放大作用,必须与一些阻容元件按一定的方式连接成电路,称为放大电路。最基本的放大电路是共射极放大电路。双极型晶体管(BJT)二、晶体管的电流分配与放大作用3.放大作用(1)共射极放大电路(2)放大作用继续本页完这个放大电路的电压放大倍数为viVBBVCCiB=IB+iB

iC=IC+iC

vOiE=IE+iE

+－+－+－ceb(2)共射电路的电压放大=49RL1K设输入信号电压变化vi=20mV,产生基极电流的变化量为iB=20A输出电流变化量为iC=iB=49×20A=980A=0.98mA变化的电流在负载电阻上产生的电压变化量为vO=-iCRL

=-0.98mA×1k=-0.98V单击返回,返回学习主页，单击继续,继续往下学习。继续返回共射极电路的电压放大原理AV=vo/vi=-0.98V/20mV=-49三、晶体管的特性曲线

1.共射极电路的特性曲线输入特性曲线就是研究三极管be之间输入电流IB随输入电压VBE的变化规律。三、晶体管的特性曲线1.共射电路的特性曲线继续(1)输入特性VBBVCCIBICIE+－+－ceb三极管由于有三个极，放大电路由两个回路组成,所以其特性曲线有两组，一组为输入特性曲线，另一组为输出特性曲线。VCEVBE共射电路输入特性曲线共射电路输出特性曲线双极型晶体管(BJT)(1)输入特性曲线:输入特性的意义输入特性曲线就是研究三极管be之间输入电流IB随输入电压VBE的变化规律。三、晶体管的特性曲线(1)输入特性VBBVCC+－+－ceb输入特性曲线的作法VCE=常数继续VBE/VIB/AIB=f(VBE)|此式的意义是：令三极管ce间电压VCE保持不变，研究be间电流IBE随电压VBE的变化规律.1.共射电路的特性曲线共射电路输入特性曲线共射电路输出特性曲线双极型晶体管(BJT)IBICIEVCEVBE0三、晶体管的特性曲线(1)输入特性(1)输入特性曲线：vCE=0V时先令VCC=0即VCE=0VBBVCC+－+－ceb继续令VBB从0开始增加即VBE从0开始增加。VCE=0V1.共射电路的特性曲线共射电路输入特性曲线共射电路输出特性曲线双极型晶体管(BJT)IBICIEVBE/VIB/A0VCEVBE输入特性曲线的作法VCE=常数IB=f(VBE)|此式的意义是：令三极管ce间电压VCE保持不变，研究be间电流IBE随电压VBE的变化规律.VCE=0V时的输入特性曲线。三、晶体管的特性曲线(1)输入特性(1)输入特性曲线：vCE=0.5V时然后增大VCC使VCE0.5VVBBVCC+－+－ceb继续再令VBB从0开始增加即VBE从0开始增加。VCE=0V0.5VVCE=0.5V1.共射电路的特性曲线共射电路输入特性曲线共射电路输出特性曲线双极型晶体管(BJT)IBICIEVBE/VIB/A0VCEVBE输入特性曲线的作法VCE=常数IB=f(VBE)|此式的意义是：令三极管ce间电压VCE保持不变，研究be间电流IBE随电压VBE的变化规律.VCE=0V时的输入特性曲线。VCE=0.5V时的输入特性曲线。三、晶体管的特性曲线(1)输入特性(1)输入特性曲线:vCE=1V时继续增大VCC使VCE1VVBBVCC+－+－ceb继续再令VBB从0开始增加即VBE从0开始增加。VCE=0V1VVCE=0.5VVCE=1V1.共射电路的特性曲线共射电路输入特性曲线共射电路输出特性曲线双极型晶体管(BJT)IBICIEVBE/VIB/A0VCEVBE输入特性曲线的作法VCE=常数IB=f(VBE)|此式的意义是：令三极管ce间电压VCE保持不变，研究be间电流IBE随电压VBE的变化规律.VCE=1V时的输入特性曲线。三、晶体管的特性曲线(1)输入特性(1)输入特性曲线:vCE>1V时VBBVCC+－+－ceb继续本页完VCE=0V>1VVCE=0.5VVCE=1V1.共射电路的特性曲线共射电路输入特性曲线共射电路输出特性曲线双极型晶体管(BJT)IBICIEVBE/VIB/A0VCEVBE输入特性曲线的作法VCE=常数IB=f(VBE)|此式的意义是：令三极管ce间电压VCE保持不变，研究be间电流IBE随电压VBE的变化规律.当VCE超过1V后输入特性曲线基本与VCE=1V的曲线重合。三、晶体管的特性曲线(1)输入特性(1)输入特性曲线综述VBBVCC+－+－ceb继续本页完>1VVCE=1V1.共射电路的特性曲线共射电路输入特性曲线共射电路输出特性曲线双极型晶体管(BJT)IBICIEVBE/VIB/A0VCEVBE输入特性曲线的作法VCE=常数IB=f(VBE)|此式的意义是：令三极管ce间电压VCE保持不变，研究be间电流IBE随电压VBE的变化规律.三极管正常使用时VCE一般都超过1V，所以三极管的输入特性曲线一般只画出这一根曲线。三、晶体管的特性曲线(1)输入特性(2)输出特性曲线

输出特性曲线的意义、画法动画显示(2)输出特性VBBVCC+－+－ceb输出特性曲线的作法IB=常数继续本页完输出特性曲线就是研究三极管ce之间集电极电流IC随ce间电压VCE的变化规律。此式的意义是：令三极管be间电流IB保持不变，研究ce间电流IC

随电压VCE的变化规律.IC=f(VCE)|共射电路输出特性曲线作法演示1.共射电路的特性曲线共射电路输出特性曲线双极型晶体管(BJT)IBICIEVCEVBE三、晶体管的特性曲线(1)输入特性(2)输出特性绘输出特性曲线的过程继续本页完VCE/VIC/mAO先把IB调至某一固定值并保持不变。然后再调节电源电压使VCE改变，观察IC的变化，记录下来。VBBVCCIBICIE+－+－cebVCEVBE某一固定IB时的输出曲线共射电路输出特性曲线作法演示1.共射电路的特性曲线共射电路输出特性曲线双极型晶体管(BJT)输出特性曲线的作法IB=常数此式的意义是：令三极管be间电流IB保持不变，研究ce间电流IC

随电压VCE的变化规律.IC=f(VCE)|根据记录可绘出IC随VE变化的伏安特性曲线,此曲线称为输出特性曲线。三、晶体管的特性曲线(1)输入特性(2)输出特性绘输出特性曲线的过程继续本页完VCE/VIC/mAO再把IB调至稍小的另一固定值IB1并保持不变。仍旧调节电源电压使VCE改变，观察IC的变化,记录下来。IB1IB2共射电路输出特性曲线作法演示重复此过程可绘出一组输出特性曲线1.共射电路的特性曲线共射电路输出特性曲线双极型晶体管(BJT)VBBVCCIBICIE+－+－cebVCEVBE输出特性曲线的作法IB=常数此式的意义是：令三极管be间电流IB保持不变，研究ce间电流IC

随电压VCE的变化规律.IC=f(VCE)|根据记录可绘出IC随VCE变化的另一根输出特性曲线。某一固定IB时的输出曲线三、晶体管的特性曲线(1)输入特性(2)输出特性输出特性曲线的特点某一固定IB时的输出曲线IB1继续本页完VCE/VIC/mAOIB2共射电路输出特性曲线作法演示VCEQQICQIBQ1.共射电路的特性曲线共射电路输出特性曲线双极型晶体管(BJT)VBBVCCIBICIE+－+－cebVCEVBE刚开始时,每一根输出特性曲线都很陡,表明IC随VCE的增大而急剧增大。输出特性曲线的作法IB=常数此式的意义是：令三极管be间电流IB保持不变，研究ce间电流IC

随电压VCE的变化规律.IC=f(VCE)|当VCE增至一定数值时(一般小于1V)输出特性曲线变得较为平坦段,表明IC基本不随VCE而变化。输出特性曲线是由一簇间隔基本均匀,比较平坦的平行直线组成的，每一根曲线上的一点都对应一组IBE、VCE和IC。双极型晶体管(BJT)三、晶体管的特性曲线(1)输入特性(2)输出特性利用输出特性曲线求电流放大倍数IB1VCE/VIC/mAOIB2继续本页完取任意两条曲线的平坦段，读出其基极电流之差。hfe==ICIB=iCiBIB=IB1-IB2ICIC1IC2共射电路输出特性曲线作法演示从输出特性曲线可以求出三极管的交流电流放大系数hfe()(即输出电流的变化IC量是输入电流变化量IB的多少倍)。下面介绍求的方法。1.共射电路的特性曲线共射电路输出特性曲线单击返回,返回学习主页，单击继续,继续往下学习。继续返回VBBVCCIBICIE+－+－cebVCEVBE再读出这两条曲线对应的集电极电流之差。四、半导体三极管(BJT)的主要参数

1.与NNP空穴电子ecbIBIEICICBOIENIEPIBN电流方向四、半导体三极管的主要参数1.电流放大系数hfe()和hfb()继续本页完VEEVCCRbVEEVCCRLIB+－+－IE=IB+ICICVCC+－+

①直流和交流

②直流和交流电流放大系数(hfe)与极间反向电流ICBO、ICEO频率参数fhfe、fhfb、fT双极型晶体管(BJT)极限参数ICM、VBR、PCM极间反向电流ICBO、ICEO频率参数fhfe、fhfb、fT极限参数ICM、VBR、PCM四、半导体三极管的主要参数2.极间反向电流

集基反向ICBO

穿透电流ICEONNP空穴电子ecbIBIEICICBOIENIEPIBN电流方向2.极间反向电流继续本页完VEEVCCRbVEEVCCRLIB+－+－IE=IB+ICICVCC+－+①集电极-基极反向饱和电流ICBO②集电极-发射极反向饱和电流ICEO(习惯称为穿透电流)双极型晶体管(BJT)1.电流放大系数hfe()和hfb()四、半导体三极管的主要参数3.频率参数(1)共发射极截止频率fhfe三极管的放大倍数hfe和hfb在一定的频率范围内是不变的，但当频率增加到一定大小后，由于PN结电容的存在，都将随着频率的升高而下降，频率参数就是表征电流放大倍数随频率变化而变化的参数。3.频率参数

(1)共发射极截止频率fhfe继续共发射极截止频率fhfe

:设三极管在低频时的共射电流放大倍数为hfe0

(此时为最大值),当工作频率升高至使三极管的hfe下降至0.707hfe0

时所对应的工作频率，称为共发射极截止频率fhfe

。本页完双极型晶体管(BJT)频率参数fhfe、fhfb、fT极限参数ICM、VBR、PCMfhfef0|hfe|0.707|hfe0|由曲线知，hfe在较低频率段是不变，数值为hfe0，但当频率高于某一数值后，hfe开始下降。|hfe0|这个频率fhfe

就称为共射极截止频率。在工程上一般认为此时三极管已经没有放大能力，所以三极管是不能在此频率的范围外工作的。···四、半导体三极管的主要参数3.频率参数(1)共发射极截止频率fhfe共射电流放大倍数与频率的关系为讨论曲线的来源继续本页完双极型晶体管(BJT)频率参数fhfe、fhfb、fT极限参数ICM、VBR、PCMf0fhfefhfe=·|hfe0|·1+j因为hfe是相量，所以必须写成复变量形式，其模(即电流放大倍数的数值)为(f/fhfe

)2|hfe

|

=·|hfe0|·1+由此可绘出如右图所示的共射电流放大倍数随频率变化的曲线。共发射极截止频率fhfe

:设三极管在低频时的共射电流放大倍数为hfe0

(此时为最大值),当工作频率升高至使三极管的hfe下降至0.707hfe0

时所对应的工作频率，称为共发射极截止频率fhfe

。fhfe|hfe|0.707|hfe0||hfe0|···四、半导体三极管的主要参数3.频率参数(2)共基极截止频率fhfb(2)共基极截止频率fhfb继续同理,共基极截止频率fhfb

:设三极管在低频时的共基电流放大倍数为hfb0(此时为最大值),当工作频率升高至使三极管的hfb下降至0.707hfb0

时所对应的工作频率，称为共基极截止频率fhfb

。本页完双极型晶体管(BJT)频率参数fhfe、fhfb、fT极限参数ICM、VBR、PCMfhfbf0|hfb|0.707|hfb0||hfb0|(1)共发射极截止频率fhfe共基极截止频率fhfb远大于共发射极截止频率fhfe，其关系式如下：fhfb

=(1+|hfe0|·)fhfe

在正常情形下hfeo>>1,所以有fhfb

>>fhfe

所以在高频段和宽频带的放大器中，多使用共基电路。

···如在电视机的第一级与天线相连的高频接收器（俗称高频头）中，基本上都使用共基极电路。因为电视信号的频率都比较高。

四、半导体三极管的主要参数3.频率参数(2)共基极截止频率fhfb(3)特征频率fT继续当共射极电流放大倍数hfe下降到等于1时所对应的频率，称为特征频率fT

。本页完双极型晶体管(BJT)频率参数fhfe、fhfb、fT极限参数ICM、VBR、PCMfTf0|hfe|1|hfe0|(1)共发射极截止频率fhfe(3)特征频率fT··四、半导体三极管的主要参数4.极限参数(1)集电极最大允许电流ICM所谓三极管的极限参数就是三极管工作时不允许超过的一些指标,使用中若超过这些参数三极管就不能正常工作甚至会损坏。4.极限参数

(1)集电极最大允许电流ICM继续ICM是指集电极电流增大使下降到额定值的2/3时,所达到的集电极电流值.

使用中若超过此值,晶体管的就会达不到要求,长时间工作还可能会损坏管子。本页完双极型晶体管(BJT)极限参数ICM、VBR、PCM(2)反向击穿电压

①V(BR)CEO(2)反向击穿电压V(BR)V(BR)CEO是指基极开路时集电极与发射极间的反向击穿电压.V(BR)CEO①集发间的反向击穿电压V(BR)CEO继续本页完四、半导体三极管的主要参数(1)集电极最大允许电流ICMc基极开路ebVCCV(BR)CEO使用中若超过此值,晶体管的集电结就会出现雪崩击穿。双极型晶体管(BJT)4.极限参数极限参数ICM、VBR、PCM(2)反向击穿电压V(BR)①集发间的反向击穿电压V(BR)CEO②V(BR)EBOV(BR)EBO是指集电极开路时发射极与基极间的反向击穿电压.

使用中若超过此值,晶体管的发电结就可能会击穿。V(BR)CEO②发基间的反向击穿电压V(BR)EBO继续本页完+－晶体管工作在放大状态时发基极一般是处于正向偏置+－但在某些场合(如作电子开关使用时),发基极会处于反向偏置,这时就要考虑V(BR)EBO四、半导体三极管的主要参数(1)集电极最大允许电流ICM双极型晶体管(BJT)4.极限参数极限参数ICM、VBR、PCM(2)反向击穿电压V(BR)①集发间的反向击穿电压V(BR)CEO②发基间的反向击穿电压V(BR)EBO③V(BR)CBOV(BR)CBO是指发射极开路时集电极与基极间的反向击穿电压,其数值较高.

使用中若超过此值,晶体管的集电结就可能会产生雪崩击穿。V(BR)CEO继续本页完+－晶体管工作在放大状态时发基极处于正向偏置(电压较小),③集基间的反向击穿电压V(BR)CBO+－+－集发处于反偏(电压较大),所以集基间是处于反偏状态的。四、半导体三极管的主要参数(1)集电极最大允许电流ICM双极型晶体管(BJT)4.极限参数极限参数ICM、VBR、PCM(2)反向击穿电压V(BR)(3)集电极最大允许功率损耗PCMPCM是指集电结上允许损耗功率的最大值.

集电结上有电流和电压,会产生一定的热功率,热功率达到一定的数值后产生的热量会损坏集电结,PCM就是规定了晶体管在使用中的热功率不能超过此值。V(BR)CEO继续(3)集电极最大允许功率损耗PCM确定了PCM后,晶体管在使用过程中流过集电结的电流iC和电压vCE的乘积不能超过此值。即PCM≥iCvCE晶体管在使用过程中集电结的功率PC<PCM=iCvCE,则晶体管是安全的,若超过此值晶体管就可能会损坏。根据PCM=iCvCE

,在输出特性曲线上作一曲线(属反比例曲线）,曲线外是不安全区,曲线内是安全区。不安全区四、半导体三极管的主要参数(1)集电极最大允许电流ICM双极型晶体管(BJT)4.极限参数极限参数ICM、VBR、PCM(2)反向击穿电压V(BR)(3)集电极最大允许功率损耗PCM确定了PCM后,晶体管在使用过程中流过集电结的电流iC和电压vCE的乘积不能超过此值。即PCM≥iCvCE晶体管在使用过程中集电结的功率PC<PCM=iCvCE,则晶体管是安全的,若超过此值晶体管就可能会损坏。根据PCM=iCvCE

,在输出特性曲线上作一曲线(属反比例曲线）,曲线外是不安全区,曲线内是安全区。晶体管工作安全区(结束页)很显然,由ICM、V(BR)CEO和PCM三条曲线所包围的区域才是晶体管工作的安全区.

在此区域内晶体管的三个参数都不超出其极限参数。V(BR)CEO继续本页完不安全区安全区