镀膜设备原理及工艺

镀膜设备原理及工艺一．镀膜设备原理磁控溅射：100～1000Gauss强力磁铁,真空室充Ar原子电离成为Ar+离子和电子,,电子在加速飞向基片的过程中,受到垂直于电场的磁场影响,使电子产生偏转,,电子以摆线的方式沿着靶外表前进,Ar原子发生碰撞,Ar+离子，经过屡次碰撞后电子的能量渐渐降低,摆脱磁力线的束缚,最终落在基片、真空室内壁及靶源阳极上。而Ar+离子在高压电场加速作用下,与靶材的撞击并释放出能量,Ar+离子的动能而脱离原晶格束缚,呈中性的靶原子逸出靶材的外表飞向基片,并在基片上沉积形成薄膜。简洁说：真空溅镀室先由高真空泵抽至肯定压力之后，通过恒压仪器或质量流量计向溅镀室内充入惰性气体〔如氩气〕至一恒定压力〔如2×10-1Pa或5×10-1Pa〕后，在磁控阴极靶上施加肯定功率的直流电源或中频电源，在正负电电离的过程使氩原子电离为Ar+离子和可以独立运动的电子，在高压电场的作用下，电子飞向阳极，而带正电荷的Ar+离子则高速飞向作为阴极的靶材，并在与而飞向基体，于是靶材粒子沉积在靶对面的基体上形成薄膜。溅射产额YE1~10keV时，溅射产额可以到达一个最大值。当入射10keV时，溅射产额开头随入射离子的能量增加而下降。最大值阈值Y最大值阈值2110 102 103 104 105 106入射离子的能量E〔eV〕图6.1 溅射产额随入射离子能量变化的示意图。主要溅射方式：反响溅射是在溅射的惰性气体气氛中,通入肯定比例的反响气体,通常用作反响气体的主要是氧气和氮气。直流溅射(DCMagnetronSputtering)(RFMagnetronSputtering)冲溅射(PulsedMagnetronSputtering)和中频溅射(MediumFre2quencyMagnetronSputtering)直流溅射方法用于被溅射材料为导电材料的溅射和反响溅射镀膜中,其工艺设备简洁,有较高的溅射速率。中频沟通磁控溅射在单个阴极靶系统中,与脉冲磁控溅射有同样的释放电荷、防止打弧作用。中频沟通溅射技术还应用于孪生靶(Twin2Mag)溅射系统中,中频沟通孪生靶溅射是将中频沟通电源的两个输出端,分别接到闭合磁场非平衡,因而在双靶上分别获得相位相反的沟通电压,一对磁控溅射靶则交替成为阴极和阳极。孪生靶溅射技术大大提高磁控溅射运行的稳定性,,引起靶面电弧打火以及阳极消逝的问题,溅射速率高,为化合物薄膜的工业化大规模生产奠定根底。后处理。21前处理〔清洗工序〕去离子水冲洗、冷热风刀吹净)、烘烤、辉光等离子体轰击等。机械清洗的目的是去除基片外表的灰尘和可能残留的油渍等异物,并且不含活性离子,必要时到肯定的温度,很多材质在较高的基片温度下可以增加结合力和膜层的致密性。基片的烘烤可以在真空室外进展,也可以在真空室内连续进展,以获得更好的效果。但在真空室内作为供给热源的电源应有较低的电压,否则易于引起放电。辉光等离子体轰击清洗可以进一步除去基片外表残留的不利于膜层沉积的成份,同时可以提高基片外表原子的活性,更有利于基片与沉积的材质原子产生结实的结合。使用中频电源会取得比直流放电更明显的效果。2.2溅射镀膜这局部应是生产线的主体,而且是处在真空状态下的一个系统,是由不锈钢或室的两端都有阀门并配置抽气力量强大的真空机组,可以简洁地完成真空和大入的待镀基片,或让沉积好的基片停留于此,等待输出锁室,起到调配基片运位上可以安装一付磁控溅射靶,或称为阴极。溅射室的数量亦或溅射靶的数量,有大的功率就没有高沉积速率,而高沉积速率是现代镀膜所推崇的。电源的并联证磁场的均匀,再在工作气体的布气装置上承受合理的方式,在整个靶面的区域到靶的两端所产生的边缘效应,为使基片的两端也获得与中间局部一样的膜厚,200～300mm10～12mm置的室体横截面,除了缝外完全隔断。这样两道狭缝相距40～50cm设置便可果更佳,掌握在1%以内。这种构造的优越之处在于隔离气氛和传输玻璃可同时兼顾。如假设不能实现有效的隔离,当相邻的沉积区域气氛不同时,则相互的影响将严峻的破坏膜层的均匀性,甚至构造,这是不能允许的。3后处理镀制好的基片从真空室内输送到大气中后,一般还要经过清洗及检测。清洗即进入净化室,覆上一层保护用的带胶薄膜后存放。SITO构造涂OC保护层：〔黄光区〕SITO构造涂SiO2保护层： 刻蚀剥膜刻蚀剥膜檢查溅镀区工艺流程：玻璃清洗〔加热、低真空〕

〔加热、高真空〕

〔充下工序 出口下料

缓冲室〔降温、低真空CVD气〕

〔降温、高真空〕膜厚工艺要求：Nb2O5厚度:〔150--250〕Å 〔单面〕SiO2：〔150--500〕Å 〔双面同时镀，厚度一样〕700800Å25Ω/sq250350Å时，75Ω/sq〕〔双面同时镀，厚度一样〕Mo/Al/Mo：一般用(500-750)/(2023-3000)/(500-750)Å，阻值<0.4 Ω/sq〔双面分次镀，厚度相当〕镀膜设备构造：ITO：上下片传送机构、预备室〔进口缓冲室〕、传送室、镀膜室、隔离室MO-AKL-MO：ITO玻璃切割ITO玻璃切割ITO玻璃测试ITO玻璃清洗ITO玻璃清洁及外观检查报废NGRework100%FPC折弯NGUVOKCCD检查OKNGACFACFCGNGReworkOCAIQCBonding 玻璃撕保护膜和清洁O ITO+ITO+CGOKCCD检查尺寸NG100% 检外观检查查NGKNGNG返工O贴合工艺流程：报废KACF貼附–bonding後讓FPC&TP導通ACFalignmentmarkPanel 拉線出pin FPC bonding異方性導電膠膜〔ACF：AnisotropicConductiveFilm〕兼具單向導電及膠合固定的功能FPCbonding–讓touchsensor與IC驅動功能連結FPCa bonding板FPCa

IC 電容&電FPC,上頭有蝕刻線路,可將IC,FPC上成為驅動元件組,與touchsensor連接後,經由承受掌握板輸入之驅動電壓,透過IC的作動而進行touchsensor上訊OCA貼附PanelPanel+ PanelPanelOCAOCAOpticalClearAdhes