光电子器件笔记

10光电子器件第一章1、光电探测器输出信号电压或电流与单位入射光功率之比，即单位入射光功率作用下探测器输出信号电压或电流称为响应率.Rλλ辐射diR功率作用下产生的信号电压或信号电流。diRduR su dP

R i dP

R( ) Rm——其中RmR(λ)1.0R(λ)1.0R iRmRm1.24 光谱响应率及量子效率仅由器件的响应特性所打算，而与光源无关。器件的光谱响应与光源辐射功率谱密度严密相关，它们之间的匹配系统α—称为器件与光源的光谱匹配系数，它反映了器件响应的波长范围同光源光谱的吻合程度。在光源固定的状况下,A1是不变的,假设与曲线重合得愈多,A2愈大,α愈大，也就是光谱匹配愈好;反之,假设两曲线没有重合之处,α=0,即二者完全失配,则该光电器件对光源辐射没有探测力量。光谱匹配是选择光电子器件,如像管、光电倍增管、红外成像器件的材料的重要依据。R()1

R() P()A1

P()1 A 2A1A2 为噪声。噪声是物理过程所固有的，人为不行能消退。它的计算是在足够长时间内求其平方平均或均方根。光电探测器的噪声来源主要有热噪声、散粒噪声、温度噪声、放大器噪声、频率噪声、复合噪声等。

P P unminn

u u Rs n u当输出信号电压等于输出噪声电压均方根值时的探测器的入射辐射功率叫做最小可探测辐NEP。Pmin越小，器件的探测力量越强。对Pmin探测率。争论指出:探测率与器件的面积和工作带宽成反比。光吸取厚度：设入射光的强度为I0x处的光强度为I，则：IIe0

α为线吸取系数，单位为〔1/cm〕α大时，光吸取主要发生在材料的表层；αd=1/α时，称为吸取64%的光被吸取。本征吸取：价带中的电子吸取了能量足够大的光子后，受到激发，越过禁带，跃入导带，本征吸取条件：光子的能量必需大于或等于禁带的宽度Eg。内光电效应: 材料在吸取光子能量后，消灭光生电子－空穴，由此引起电导率变化或电压、电流的现象，称之为内光电效应。使电导率增加，这个现象称为光电导效应。在外电场作用下就能得到电流的变化。光电导效应分为本征型和非本征型。本征半导体没有光照时电导率为

ne pe0 0 n 0

p)0电导率的增量称为光电导率： 0

0n

P增加载流子寿命：好处：增益提高，灵敏度提高，响应率提高。缺点：惰性增加，频率响应特性变差。所以增益和惰性不行兼得。影响光谱响应的两个主要因素吸取系数和截流子外表复合率。〔长波限约为峰值一半处所对应的波长。光敏电阻是利用光电导效应制成的最典型的光电导器件。光敏电阻器均制作在陶瓷基上面带有光窗的金属管帽或直〔主要是湿气等有害气体对光敏面及电极所造成的不良影响，使光敏电阻器性能保持稳定，工作牢靠。禁承受冷却光敏面的方法来提高灵敏度是很有效的。光敏电阻一般用于与人眼有关的仪器，在使用时，必需加滤光片修正光谱。第一章作业1、什么是光谱响应率？依据器件与光源的光谱曲线说明光谱匹配系数α的意义。2、某光电二极管，受波长为1.55um6x1012个光子的照耀，其间输出端产生2x1012个光子。试计算该光电子器件的量子效率和响应度。3、什么是器件的最小可探测辐射功率和探测率？探测率表达式的意义如何？4、半导体发生本征光吸取的条件是什么？其次章光生伏特效应：两种半导体材料或金属/半导体相接触形成势垒，当外界光照耀时，激发光生载流子，注入到势垒四周形成光生电压的现象。结型光电探测器与光电导探测器的区分:产生光电变换的部位不同。，不需外加电压也可把光信号变为电信号。光电导探测器为均质型探测器，载流子驰豫时间长，频率响应特性差。而结型探测器电流。外接电路开路〔断路〕时，光生载流子积存在PN结两侧，光生电压最大，此时的光生电Uoc称为开路电压。外接电路短路时，流过电路的电流Isc称为短路电流，就是光生电流。光电池在受光外表上涂保护膜，如镀SiO2、MgF2。目的是减小反射损失，增加对入射光电阻。通常在用单片光电池组装成电池组时，可以承受增加串联片数的方法来提高输出电压，用增加并联片数的方法来增大输出电流。光电二极管与光电池的主要区分：结面积大小不同，光电二极管的要小很多。结电容很小，频率特性好；PNPN结工作在零偏置状态下。而光电二极管工作于反。光电二极管分类：按工作根底分：有耗尽型及雪崩型。PN结、PIN结、异质结、肖特基势垒及点结触型等。按对光的响应分：紫外、可见光、红外型；按制造工艺：平面型、生长型、合金型、台面型。PN结型光电二极管：依据衬底材料不同分为2DU2CU型两种。2DU型易形成外表漏电流流到前极，它是暗电流〔噪声〕的大局部，应制止它流过负载。温度特性：光电二极管受温度影响最大的是暗电流。频率特性：有两打算因素：光生载流子在耗尽层的渡越时间；CjRLRLCj光电二极管等结型光电器件的噪声主要是电流散粒噪声和电阻的热噪声。PIN型光电二极管〔〕光生电流较大，灵敏度高。由于IPN结宽得多，光生载流子要多得多，光生载流子在内建电场和反向电场作用下的漂移移动会形成较大的光电流输出，灵敏度得以提高。响度速度快，频率特性好。一般说，集中运动的速度比漂移运动的速度低得多，PIN管由于集中运动被抑制，所以响应速度提高了。时间响应特性主要取决于结电容和载流子渡越耗尽层所需要的时间PIN耗尽层变宽，因此结电容变小了；同时由于I区电阻高，可承电压高，电场强，载流子渡越耗尽层时间缩短了，所以时间特性变好了〔频率带宽可达z。响应波段宽PIN1.1um1.06μm的激光。7.雪崩型光电二极管(APD)1、雪崩光电二极管原理PN结加上相当大的反向偏压〔略低于反向击穿电压〕—高电场—光生载流子加速—晶格原子-载流子—晶格原子-载流子—雪崩式载流子倍增。频率特点：载流子运动速度快，渡越时间短s量级105MHz，是目前响应速度最快的一种光电二极管。8.光电三极管不仅能实现光－电转换，还能放大光电流。其次章作业1、结型光电探测器与光电导探测器的主要区分有哪些？2、用波长为0.83μm、强度为3mW的光照耀在硅光电池，无反射，其量子效率为0.85，并设全部光生载流子能到达电极。求：〔1〕〔2〕T=300K10-8A时，求光电池的开路电压。32CRUOC=0.54V，ISC=50mA0.5A，6V的蓄电池充电，需要多少个这样的电池？4、光电二极管与光电池的主要区分是什么？55pF10MHz，求允许的最大负载电阻是多少？6、PIN管的时间响应特性为什么比一般光电二极管好？7、说明雪崩型光电二极管的工作原理和频率特点。第三章真空光电器件的突出特点：易于在管内实现快速、高增益、低噪声的电子倍增。用于探测极微弱的光辐射和变化极快的光辐射。如光子计数器。易于制取大面积均匀的光敏面，像元密度大，可得到很高的区分率。用于较高要求的周密测量，如光谱，扫描电镜等。将半导体光电放射的物理过程归纳为三步：半导体中的电子吸取入射光子的能量而被激发到高能态〔导带〕上；这些被激发的电子在向外表运动的过程中因散射而损失掉一局部能量；到达外表的电子抑制外表电子亲和势EA而逸出。把电子从体内导带底逸出真空能级所需的最低能量称为有效电子亲和势EAeff，以区分EA。假设给半导体的外表作特别处理，使外表区域能带弯曲，真空能级降低到导带之下，从(NEA)。NEA电子传输特性：1〕参与放射的电子是导带的未热化的冷电子；2〕NEA阴极中导带的电子逸入真空几乎不需作功。真空光电管非成像型的光电器件。光电倍增管目前普遍承受而且最有效的探测微弱光辐射的器件是光电倍增管电子倍增器的结合。光电倍增管构造主要由四局部组成：光电阴极、电子光学输入系统(光电阴极至第一倍增极的区域)，倍增系统(或称打拿极系统)、阳极(或称收集极)。光电倍增管工作原理:射电子数目更多的二次电子，入射电子经N级倍增极倍增后，光电子就放大N次，最终由阳极收集形成光电流。光电阴极在构造形式上分为反射型侧窗式和透射型端窗式。二次电子放射系数： I 2I二次放射系数不仅与倍增极1二次放射材料有关，且与它VD有关。电子倍增系统构造分类：依据工作原理可分为两类：聚焦型、非聚焦型。光电倍增管的主要特性和参数光电倍增管的频率响应主要受到电子渡越时间散差限制宽的主要因素。暗电流定义：当光电倍增管完全与光照隔绝，在加上工作电压后，阳极仍有电流输出，输出电流的直流局部称为该管的暗电流，即由非光照因素引起的一切电流称为暗电流。引起暗电流有以下几方面的因素：热放射极间漏电光反响离子反响场致放射其他缘由作业：1、简述半导体光电放射的过程。2、用波长为589nm光照耀某光电阴极,0.05A/W,该材料的1.4eV,求该材料的光谱量子效率、长波阈值以及放射光电子最大动能。3、什么是负电子亲和势光电阴极？4、说明光电倍增管的构造组成和工作原理。510δ=4，阴极灵敏度为Rk=200μA/lm，阳极电流不得超过10mA，试估量入射阴极的光通量的上限。6、光电倍增管的暗电流是指什么？引起暗电流的因素主要有哪些？第四章光电成像器件按构造分类有：像管、真空摄像管、固体成像器件等。像管能把人眼不能观看到的物体转换成可见光图像，主要用于夜视条件下的光电成像。它包括变像管和像增加器。像管构造示意图如下，主要有三局部组成：光电阴极、电子光学系统、荧光屏。流〕;

1〔电子、电子成像：由电子光学系统完成〔类似于光学透镜，其上加有高电压，能将光电像管的工作过程：阴极发出的电子流加速，并聚焦成像在荧光屏幕上；像管的工作过程：3、增加亮度：高速电子流轰击荧光屏后，屏幕发出的光要强于入射信号光，相当于增加了图像的亮度，对图像做了二次转换。电子光学系统电子透镜静电透镜磁透镜是靠静电场和磁场复合场来完成聚焦成像。1、非聚焦型静电透镜〔近贴〕在阳极面上的全色电子束的最大弥散圆半径为： R 2l m阴极与阳极之间的电位差Uu及极间距离l越l〔小于U，所以图像一般较清楚。光学纤维面板 级间耦合几乎全部承受纤维面板。像管一般入射于光电阴极的光是物体的反射光。对同一光源，阴极长波响应大者，供给的初始比照度高。对同一阴极，不同的光源状况(如星光和月光)，光源光谱偏向长波者，能供给较高的初始比照。由于光电阴极长波阈值总是大于眼睛，所以光电阴极所供给的初始比照度总是大于人眼。亮度增益：GL

LME E

像管输出亮度LEv之比的π倍：Mlm/m2像管的传像特性v到电子光学系统的影响。像管的时间响应特性主要由荧光屏所打算。限制人眼区分力量的因素有三个：物体的亮度、视角、亮度比照度。第一代微光像增加Sb-Cs、Sb-K-Na-Cs、NEA等阴极制成的像管称为像增加器，它能够在微弱的自然光条件下实施观看，所以又称为微光像增加器或微光管。第一代微光管由三个单管串联而成，成像质量明显提高。但仍工作于被动观看方式。主要缺点是有强光晕光现象。微通道板：是带有很多微通道孔的薄板，厚1~2mm，每个微通道内外表电阻很大，可106板像增加器，属于其次代微光夜视器件。其次代微光管倍增效果好，像管体积小。CEM的材料目前主要有两种：高铅玻璃、陶瓷半导体。MCP的增益:1MCP,U增加而上升。2、在电压确定时，G随α的变化有一最正确值。在某个长径比时，增益最大，即存在一个最正确长径比。α＝45四周时,增益最大。3、计算分析说明：U=22α时,G有极大值。由此,MCP1000V电压为佳。460％以上。其次代微光像增加器承受了微通道板作为电子倍增器。MCP像增加器：光电阴极、MCP不倒像，图像不放大。MCPMCP平面上，MCP与屏近贴，成倒像。三代微光管的特点：承受了双近贴构造，阴极、ＭＣＰ与荧光屏之间都为近贴构造。GaAs/InGaAsNEA光电阴极。承受了高增益、低噪声、长寿命的MCP。P电子输入端面镀了近m厚的离子阻挡膜损害。四代微光像增加器两个特征：MCPMCP间承受自动脉冲门控电源。1〕MCP2〕自动脉冲门控电源作业：1、说明像管的构造和工作原理。2、试说明在像管中，提高光电阴极长波响应对增加比照度的意义。3，P-2050lm/W12KV，各级电子光学系统透过系数和放大率均为1，不考虑极间耦合损失的状况下，试计算它对星光下绿色草木反射光的GL。第六章电荷耦合器件的根本原理MOS电容的电荷分布在肯定厚度的半导体外表层内，这个带电的层称为空间电荷区。1、UG<0，多数载流子积存状态2、UG>0〔反偏〕多数载流子耗尽。空间电荷区两端的电势差称为外表势，规定外表电势比内部高时，取正值。3、UG>0，连续增大。外表处能带进一步向下弯曲，这意味着外表处的电子浓度将超过空穴浓度而变得很高，即形成与原来半导体衬底导电类型相反的层，叫做反型层。4、UG>0，自由电荷进入势阱CCDMOS电容器的集成。CCD的势阱深度和存贮电荷力量都是由外表势所打算。外表势与栅压，氧化层电容，受主浓度以及势阱中的自由电子浓度有关。电荷耦合原理CCD荷通常称为电荷包。在提取信号时，需要将电荷包有规章地传送出去，这一过程叫做CCD的电荷转移，它MOS栅极在时钟电压作用下，以电荷耦合方式实现的。CCD器件根本构造在实际的供电系统中，CCD依据转移电极构造〔外接脉冲相数〕的不同，分为二相、三相、四相构造；CCD依据转移信道构造〔电荷转移时所经过的道路〕的不同，又分为外表沟道和体内沟道构造。目前常用的横向限制方法有：沟阻集中〔或注入〕。电注入型输入方法有很多〔保证线性转移。主要有动态电流积分法、二极管截止法、电位平衡法等。其中，电位平衡法应用最广泛。引起电荷包不完全转移的缘由有：外表态对电子的浮获、时钟频率过高、体内缺陷对电荷包的作用，如自感应电场、热集中、边缘电场等。其中前二者是主要缘由。CCD电荷贮存容量越大，处理电荷的力量就越强，动态范围就越好。CCD成像器件构造包括光敏区、存贮电极、电荷转移电极、CCD移位存放器、输出机构和补偿机构。面阵CCD帧/场转移(FT)、行间转移(IT)、帧行间转移(FIT)。2. 光电门+FD方式：优点：噪声小。掩埋型光电二极管+FD方式：优点：较低的暗电流，且无电极材料吸取光的现象。作业：1CCD构造说明电荷耦合转换的原理。2、CCD器件的根本构造包括哪些？3BCCDSCCD之间的区分。4、说明帧/CCD的工作原理。5CCD的工作原理。6CCDCMOS传感器的特性。7、CCDCMOS图像传感器在储存同时性方面有什么区分？1－答：电荷的耦合转换过程分为四步如下：势阱的形成如图(a)，在三金属栅极上加三相电压V1、V2、V3，则在其外表下形成与电压大小成线性关系的耗尽层，即所谓势阱。电荷的存贮如图(b)，假设V2电压高于其他电压，则它下面的势阱比其他栅极下的势阱要深，电荷存贮在里面形成电荷包。电荷的传输如图(c)，假设在V3V2的电压，则在V3V2下更从而使电荷得以传输。形成的存贮状态如图(d)，此时V1=V2，V3>V1。电荷包向右移动了一个位置。第八章利用热效应探测和观看外来辐射而制成的器件称为热探测器。热探测器的根本原理：分类：1〕直接利用辐射所产生的热效应。依据温度的变化来探测辐射，以温度来度量热。2〕利用辐射产生热，热能再转换为电或磁效应，通过对电或磁微测辐射热计的工作原理：物体热辐射经过凸镜聚焦，成像在热敏探测器阵列上，热辐出，就可以探测外界的热辐射。微机械制成的微辐射计可以分为两种构造类型:单层构造和两层构造。(读出电路可以处在硅微桥下面)和更大的红外光吸取率(在腔体下方产生一个共振光学腔)，这种构造还可以削减热传导系数，起到微观隔热的效果。目前，微测辐射热计主要是“两层”构造类型作业：1、红外探测的两种主要形式是什么？2、对于热探测器，如何有效地提高温升？3、概述微测辐射热计的工作原理。4、简述“两层”微测辐射热计阵列的微桥构造的特点？第九章工作频率高，灵敏度高，尤其在高温、低温探测领域是其他探测器件无法取代的。体也称为极化晶体。极化强度和面束缚电荷发生变化，结果在垂直于极化方向的晶体两个外外表之间消灭电压，这种现象称为热释电效应。铁电体具有电滞回线现象，是目前热释电探测器的重要组成材料。作业：1、什么是热释电效应？为什么热释电探测器只能测量变化的或经过调制的热辐射？2、热释电探测器适合在什么样的温度区间工作，为什么？什么是光谱响应率？依据器件与光源的光谱曲线说明光谱匹配系数α的意义。答：光谱响应率：光电器件在单色(在波长λ四周一个很小的波长范围里)辐射功率作用下产生的信号电压或信号电流。光谱匹配系数反映了器件响应的波长范围同光源光谱的吻合程度，可用面积A1，A2表示，在光源固定的状况下,A1是不变的,假设与曲线重合得愈多,A2愈大,α愈大，也就是光谱匹配愈好;反之,假设两曲线没有重合之处,α=0,即二者完全失配,则该光电器件对光源辐射没有探测力量。什么是器件的最小可探测辐射功率和探测率？探测率表达式的意义如何？minNEPPmin

取倒数可作为衡量探测器探测力量的参数，称为探测率。意义：表示探测器接收面积1cm21Hz时的单位入射辐射功率所产生的信噪比。半导体发生本征光吸取的条件是什么？答：本征吸取条件：光子的能量必需大于或等于禁带的宽度Eg。什么是光电导效应？答：光电导效应：当半导体材料受光照时，吸取光子引起载流子浓度增大使电导率增加，这个现象称为光电导效应。在外电场作用下就能得到电流的变化。结型光电探测器与光电导探测器的主要区分有哪些？答：结型光电探测器与光电导探测器的区分: 〔1〕产生光电变换的部位不同。，不需外加电压也可把光信号变为电信号〔3〕时间长，频率响应特性差。而结型探测器频率特性好，灵敏度高。雪崩式光电二极管、光电三极管还有内增益作用，可以通过较大的电流。光电二极管与光电池的主要区分是什么？答：光电二极管与光电池的主要区分：结面积大小不同，光电二极管的要小很多。结电容很小，频率特性好；PNPN结工作在零偏置状态下。而光电二极管工作于反PIN管的时间响应特性为什么比一般光电二极管好？答：一般说，集中运动的速度比漂移运动的速度低得多，PIN管由于集中运动被抑制，所以响应速度提高了。时间响应特性主要取决于结电容和载流子渡越耗尽层所需要的时间。由于PIN耗尽层变宽，因此结电容变小了；同时由于I区电阻高，可承电压高，电场强，载流子渡越耗尽层时间缩短了，所以时间特性变好了〔频率带宽可达10GHz〕。说明雪崩型光电二极管的工作原理和频率特点。答：雪崩光电二极管原理：PN结加上相当大的反向偏压〔略低于反向击穿电压〕—高电场—光生载流子加速—晶格原子-载流子—晶格原子-载流子—雪崩式载流子倍增。频率特点：载流子运动速度快，渡越时间短〔s量级，所以时间特性格外好，响应频率可达105MHz，是目前响应速度最快的一种光电二极管。简述半导体光电放射的过程。答：将半导体光电放射的物理过程归纳为三步：半导体中的电子吸取入射光子的能量而被激发到高能态〔导带〕上；这些被激发的电子在向外表运动的过程中因散射而损失掉一局部能量；A到达外表的电子抑制外表电子亲和势E而逸出。A什么是负电子亲和势光电阴极？(NEA)。说明光电倍增管的构造组成和工作原理。答：光电倍增管构造主要由四局部组成：光电阴极、电子光学输入系统(光电阴极至第一倍增极的区域)，倍增系统(或称打拿极系统)、阳极(或称收集极)。工作原理:光子透过入射窗N级倍增极倍增后，光电子就放大N次，最终由阳极收集形成光电流。光电倍增管的暗电流是指什么？引起暗电流的因素主要有哪些？流局部称为该管的暗电流，即由非光照因素引起的一切电流称为暗电流。引起暗电流有以下几方面的因素：1)2)3)4)5)6)其他缘由。说明像管的构造和工作原理。答像管构造主要有三局部组成光电阴极电子光学系统荧光屏像管的工作过程：1、光电转换：由光电阴极完成。微弱或不行见辐射图像信号转换成电子信号〔电子流; 2电子成像：由电子光学系统完成〔类似于光学透镜，其上加有高电压，能将光电阴极发出的电子流加速，并聚焦成像在荧光屏幕上；3、增加亮度：高速电子流轰击荧光屏后，屏幕发出的光要强于入射信号光，相当于增加了图像的亮度，对图像做了二次转换。试说明在像管中，提高光电阴极长波响应对增加比照度的意义。答：对同一光源，阴极长波响应大者，供给的初始比照度高外延长的缘由。对同一阴极，不同的光源状况(如星光和月光)，光源光谱偏向长波者，能度总是大于人眼。何为光学传递函数和调制传递函数？调制传递函数和比照度度传递的关系如何？M(f)=1,像和物的调制度一样；M(f)=0,则不管物的调制度如何，像的调制度为0，即强度是均匀的一片，分M(f)<0,即经过系统后，像的调制度降低了M〔f〕倍。与第一代微光管相比，其次代像增加器的优点有哪些？答：(1)1/4~1/10。在军用方面应用具有重要意义。增益连续可调。由于它取决于MCP的长径比、δ以及两端所加电压。有多的调整因素，可在很宽的外界照度范围内来转变荧光屏的输出亮度。(3)自动防强光。MCP有电流饱和特性(每一个通道都有),这样，当有突然强光时,每个视场都不致于产生过大的电流灼伤荧光屏，这种特性可以掌握住视场范围内某些强度大的亮点。5、何为微通道板？试对影响微通道板增益的相关因素进展分析。答：微通道板：是带有很多微通道孔的薄板，厚1~2mm，每个微通道内外表电阻很大，可106的电子倍增。(1)、对于一个固定尺寸的MCP,增益随所加电压U增加而上升(2)、在电压确定时，G随α的变化有一最正确值。在某个长径比时，增益最大，即存在一个最正确长径比。α＝45四周时,增益最大。(3)、计算分析说明：U=22α时,G有极大值。由此,MCP1000V电压为佳。(4)、一般随着开口面积增大，增益随之增大。可使用扩口技术来提高开口面积。现在开口面积一般在60％以上。6与二代微光管比较，说明三代微光管的构造特征和性能。GaAs/InGaAsNEAMCP。MCP电子输入端面镀了近m厚的离子阻挡膜，以削减离子反响对阴极的损害。性能：(1)大大扩展了长波阈，响应格外均匀。如三元系材料InGaAs1.3μm，1.06μm波长激光的辐射。光谱灵敏度和积分灵敏度大大提高，量子效率η=30%，积分灵敏度达1500μA/lm。NEA阴极的光电子初能小，初能散布小，MTF60lp/mm。7四代微光像增加器的两个特征是什么？MCP，并使光电阴极与MCP间承受自动脉冲门控电源。1..CCD构造说明电荷耦合转换的原理？〔1〕势阱的形成如图)，在三金属栅极上加三相电压V1、V2、V3，则在其外表下形成与电压大小成线性关系的耗尽层，即所谓势阱〔2〕电荷的存贮如图(b)，假设V2电压高于其他电压，则它下面的势阱比其他栅极下的势阱要深，电荷存贮在里面形成电荷包〔3〕电荷的传输如图(c)V3V2的电压，则在V3V2下更深的势阱，由于电极间隔很小，相邻两势阱将合并一起，电荷〔4〕形成的存贮状态如图(d)，此V1=V2，V3>V1。电荷包向右移动了一个位置。CCD器件的根本构造包括哪些？答：转移电极构造、转移沟道构造、信号输入构造、信号输出构造。BCCDSCCD之间的区分。答：1)BCCD中传递信息的电子是NSCCD的是P层中少子。2)BCCD的信息电荷集中在半导体内ZSCCD中的信息电荷是集中在界面处的BCCD3)BCCDSCCD1~2个数量级。说明帧/CCD的工作原理。1〕光积分：在一场图像时间内，光生信号电荷被收集在整个光敏区势阱中，形成与光〔2〕帧转移：在帧转移脉冲作用下，光敏区的信号电荷平移到暂存区。〔帧脉冲过后，光敏区又处于其次场积分〕〔3〕行转移：在行转移脉冲驱动下，暂存区将全部信号自下而上一行一行地转