大功率LED封装技术与发展趋势

1翠大功遣率L笨ED求封装喉技术绑与发旨展趋小势阵大功阿率L粪ED遍封装吵技术言与发荐展趋茶势伏一、炉前言宜大功库率L球ED额封装杠由于学结构扮和工钓艺复被杂，定并直聪接影陪响到撞LE升D的喷使用描性能秒和寿摧命，滚一直有是近诸年来冶的研闯究热嫩点，卵特别莫是大炊功率商白光押LE掉D封玉装更蜡是研吓究热严点中脖的热学点。秤LE垫D封室装的冲功能跃主要矛包括锐：1舞.机抱械保哪护，浩以提东高可牛靠性壁；2狱.加蠢强散楼热，见以降瘦低芯当片结械温，宏提高学LE搁D性础能；算3.咬光学昨控制刺，提条高出伏光效晌率，发优化渣光束朗分布大；4撇.供搭电管众理，紧包括降交流路/直杨流转著变，肾以及蹲电源案控制幅等。脸LE撞D封蛮装方纱法、建材料品、结湾构和挥工艺垒的选岁择主捷要由犁芯片忍结构瑞、光控电/警机械艇特性洋、具达体应呆用和饼本钱泛等因淡素决隙定。跪经过长40歇多年醒的发沾展，口LE河D封者装先圾后经聚历了沉支架涂式(奉La茄mp适L家ED愧)、式贴片殿式(鸽SM授D葵LE唯D)等、功沈率型毅LE该D(刷Po够we害r梁LE卫D)晕等发至展阶竞段。摔随着此芯片陷功率顽的增砍大，歇特别钓是固竿态照也明技请术发默展的黎需求盯，对靠LE酬D封誉装的位光学陈、热斩学、穗电学疮和机醉械结己构等益提出餐了新省的、序更高掘的要俱求。裹为了醉有效胸地降岛低封逝装热荒阻，送提高兽出光斧效率扶，必石须采弱用全尾新的请技术阔思路精来进察行封腹装设眯计。责二、绕大功怕率L也ED沾封装济关键温技术琴大功肤率L俯ED菊封装区主要仿涉及味光、颗热、锤电、镰结构区与工盼艺等档方面乖，如寻图1焰所示赴。这隆些因僵素彼恶此既胡相互肚独立焦，又急相互喜影响年。其毒中，塑光是边LE胆D封兄装的最目的眠，热燕是关姜键，顿电、毁结构汉与工玻艺是掌手段简，而蜻性能丑是封齐装水傅平的枪具体文表达客。从庄工艺晕兼容膛性及绩降低越生产共本钱花而言怀，L糖ED盆封装遇设计耐应与踏芯片旱设计谣同时寨进行杂，即属芯片毯设计席时就境应该侍考虑驻到封油装结疮构和猎工艺略。否域那么，结等芯跑片制丰造完盏成后倾，可变能由成于封嘱装的挥需要秀对芯效片结注构进钳行调挂整，颜从而抽延长狠了产影品研阁发周顾期和唤工艺倾本钱膨，有愤时甚谨至不恳可能漂。陆具体顽而言滤，大写功率这LE钞D封柏装的能关键薪技术迷包括利：粪〔一陈〕低背热阻硬封装咏工艺冶对于魄现有沸的L缸ED期光效湖水平率而言证，由港于输株入电约能的刻80碗％左钳右转戴变成素为热匹量，非且L范ED乌芯片荣面积乎小，狸因此鸽，芯群片散堆热是低LE摔D封奋装必避须解田决的翼关键忆问题阴。主剑要包织括芯触片布业置、扫封装卵材料室选择讽〔基航板材仔料、越热界芒面材股料〕传与工郑艺、斗热沉容设计验等。林LE早D封份装热进阻主台要包折括材配料〔蕉散热婶基板冰和热寿沉结脂构〕筑内部列热阻尽和界碍面热壁阻。运散热扭基板妖的作其用就仙是吸慎收芯透片产吵生的悟热量冲，并旋传导蒙到热详沉上穿，实避现与垫外界畜的热脊交换雄。常必用的吊散热安基板挎材料械包括摇硅、声金属壤〔如氏铝，精铜〕狱、陶哪瓷〔期如秆，A兽lN抢，S援iC申〕和须复合薄材料辣等。肚如N味ic努hi涌a公闷司的链第三戴代L旬ED乱采用珠Cu拉W做倍衬底劈，将束1m欲m姓芯片爆倒装胀在C滑uW书衬底惰上，签降低唤了封德装热渴阻，开提高袍了发沫光功笼率和歼效率及；L懂am估in绪a码Ce鄙ra倒mi帮cs叮公司萌那么研沃制了温低温辣共烧恨陶瓷趴金属拣基板遇，如内图2吊〔a辣〕，夕并开仔发了映相应克的L梢ED称封装苍技术舞。该丛技术贩首先段制备龟出适巾于共字晶焊穴的大喂功率演LE趋D芯龟片和睬相应帖的陶巾瓷基思板，纳然后穷将L测ED俭芯片焰与基遥板直魄接焊胀接在华一起难。由盘于该驾基板台上集插成了收共晶总焊层透、静渔电保糕护电括路、绘驱动露电路莲及控知制补驼偿电供路，钓不仅足结构并简单阴，而腊且由烫于材城料热戒导率围高，姐热界扭面少严，大餐大提障高了津散热稳性能段，为瑞大功侧率L徒ED贵阵列会封装汗提出樱了解临决方梳案。马德国挥Cu掘rm姻il售k公屠司研够制的销高导喇热性牵覆铜驴陶瓷悄板，首由陶册瓷基六板〔殊Al漫N或乳〕虽和导兄电层赴〔C干u〕腹在高串温高姻压下尿烧结扩而成仰，没庆有使仿用黏铜结剂俩，因塘此导齿热性谋能好种、强喉度高关、绝稀缘性匙强，奉如图宗2〔叠b〕始所示名。其匀中氮刚化铝保〔A惑lN流〕的茂热导满率为挪16幸0W乏/m握k，察热膨看胀系着数为浇〔树与硅币的热坊膨胀眯系数韵相当钟〕，累从而继降低顿了封慨装热串应力岔。按研究涝说明辟，封胁装界赛面对记热阻般影响太也很口大，缩如果伏不能伙正确辽处理中界面室，就勒难以孝获得哈良好购的散邮热效惕果。悲例如证，室兼温下哗接触邻良好颈的界于面在把高温屈下可瑞能存封在界裳面间运隙，测基板壤的翘法曲也墨可能撞会影钢响键冈合和弃局部大的散暗热。龄改善剥LE毒D封愁装的侵关键挣在于棒减少袋界面引和界征面接茄触热糕阻，兼增强纺散热转。因像此，桌芯片宵和散纳热基及板间奥的热匹界面渴材料退〔T磁IM爪〕选夺择十三分重她要。刷LE般D封央装常裁用的察TI镇M为羡导电休胶和明导热宾胶，派由于奏热导谊率较背低，谜一般婚为0茫.5仁-2室.5镇W/吗mK嘉，致宵使界图面热惹阻很傅高。尊而采俘用低较温或时共晶伪焊料糖、焊赤膏或肥者内类掺纳而米颗斥粒的驼导电据胶作搏为热劲界面午材料胞，可者大大通降低确界面高热阻蒙。泉〔二坑〕高易取光碎率封俱装结栋构与圾工艺杠在L兄ED杀使用终过程挽中，宰辐射添复合堤产生侧的光子子在吼向外艳发射宽时产乘生的挪损失摸，主皮要包熟括三非个方地面：备芯片货内部奶结构鹿缺陷抬以及毁材料继的吸汉收；树光子胡在出胃射界只面由戏于折袋射率门差引立起的好反射男损失畅；以酬及由驼于入墙射角燃大于演全反努射临行界角嘉而引就起的命全反点射损榆失。掌因此注，很款多光惩线无园法从污芯片乖中出堵射到腐外部总。通冲过在理芯片国外表瞎涂覆垒一层猛折射盐率相封对较粪高的者透明衡胶层颈(灌婚封胶腰)，扰由于倍该胶灵层处头于芯个片和街空气麦之间辛，从迈而有稍效减织少了剖光子膏在界怀面的茶损失敲，提施高了报取光纠效率舰。此抱外，执灌封哨胶的否作用沸还包色括对馅芯片中进行宰机械铅保护娱，应芽力释乌放，票并作记为一桶种光丝导结腹构。殿因此丹，要年求其皇透光幅率高嘱，折寻射率懂高，障热稳忌定性显好，香流动疑性好涉，易瞧于喷稍涂。栗为提顶高L拔ED房封装瓣的可暮靠性督，还呼要求植灌封嫩胶具博有低途吸湿敌性、慨低应破力、稳耐老承化等荡特性遣。目汇前常春用的摘灌封指胶包需括环流氧树河脂和仪硅胶晕。硅店胶由垫于具陡有透拴光率摸高，案折射津率大辆，热射稳定穿性好奔，应椒力小舌，吸逗湿性怪低等男特点嗓，明缓显优佩于环嚷氧树塞脂，雷在大漫功率咱LE句D封割装中哑得到共广泛元应用赛，但稻本钱或较高爽。研木究表聪明，阵提高字硅胶烦折射昨率可螺有效愤减少段折射晴率物帜理屏端障带嘴来的凳光子璃损失仁，提战高外蒸量子笑效率液，但雄硅胶爹性能厕受环竞境温断度影斥响较择大。涛随着侨温度收升高房，硅障胶内应部的蛋热应外力加促大，胡导致笛硅胶粘的折耐射率托降低硬，从洪而影拒响L获ED扭光效守和光杀强分地布。虫荧光颗粉的他作用障在于汗光色狠复合课，形的成白愧光。萍其特勾性主掩要包创括粒窃度、踪形状拨、发梢光效添率、揭转换重效率畅、稳悠定性勇〔热鲁和化倘学〕碧等，为其中液，发柱光效已率和悬转换碌效率酱是关动键。冷研究盒说明述，随傍着温重度上票升，捐荧光片粉量伙子效池率降肃低,赴出光茂减少打，辐妥射波烛长也明会发巡生变守化，倾从而舰引起陕白光拳LE组D色欲温、堵色度扶的变盯化，衬较高工的温罩度还显会加圾速荧泉光粉缺的老却化。邀原因文在于鞋荧光墨粉涂奴层是澡由环吐氧或买硅胶利与荧奔光粉辱调配佛而成螺，散路热性刃能较核差，枣当受卫到紫倦光或愈紫外蕉光的表辐射龄时，拴易发涌生温接度猝天灭和纯老化鱼，使绢发光惑效率弊降低苦。此利外，类高温货下灌辉封胶洪和荧浆光粉呀的热现稳定毙性也婆存在柴问题扫。由碗于常鼻用荧城光粉纵尺寸肠在1刚um璃以上居，折演射率哗大于待或等姓于1剪.8矩5，婆而硅苍胶折要射率跑一般寸在1察.5犁左右在。由暮于两拢者间抬折射塘率的种不匹箩配，爪以及善荧光细粉颗惩粒尺层寸远州大于因光散驼射极呜限〔堤30宅nm描〕，脸因而衰在荧砖光粉肌颗粒谢外表眼存在烧光散扎射，给降低快了出吐光效太率。盏通过数在硅驳胶中已掺入岸纳米菌荧光目粉，要可使焰折射脊率提引高到卷1.浩8以转上，百降低兔光散饼射，纱提高迹LE圆D出装光效起率〔愤10扎％-吸20状％〕川，并泡能有抹效改拉善光耕色质闪量。纳传统焰的荧睡光粉蹲涂敷概方式尼是将副荧光点粉与拴灌封必胶混伪合，钥然后很点涂急在芯贺片上泡。由迁于无电法对椅荧光绍粉的桐涂敷逗厚度菠和形饲状进玉行精药确控蓝制，惭导致浊出射奏光色死彩不贤一致呈，出某现偏揭蓝光肆或者捉偏黄衰光。减而L圈um船il宪ed帅s公电司开庄发的么保形傲涂层技〔C增on竟fo塔rm凡al圾c惯oa魄ti且ng推〕技指术可胳实现柴荧光释粉的肃均匀及涂覆施，保安障了刺光色信的均拖匀性悉，如须图3购〔b细〕。合但研捕究表劫明，拉当荧税光粉姨直接依涂覆素在芯旅片表除面时见，由纳于光智散射走的存蜓在，甩出光漂效率嘱较低浪。有政鉴于模此，购美国鼓Re扶ns前se位la罩er喜研唉究所吊提出此了一或种光谢子散晋射萃逮取工染艺〔方Sc洲at蛇te蚀re扯d妄Ph泊ot狮on瞒E偷xt径ra恰ct光io伤n明me级th脾od远，S广PE赚)，头通过疗在芯献片表亲面布甘置一唇个聚渗焦透凤镜，玉并将翼含荧友光粉守的玻密璃片骡置于秃距芯初片一伙定位虽置，递不仅膜提高怀了器蝴件可缸靠性服，而棵且大聪大提咏高了虏光效奸〔6纤0％苹〕，鄙如图喜3(勉c)思。直总体辨而言庭，为啦提高映LE决D的曾出光害效率爹和可渴靠性谷，封脚装胶双层有梳逐渐啊被高迟折射晃率透数明玻穷璃或纠微晶萄玻璃怒等取妹代的恒趋势脱，通意过将杂荧光卡粉内炭掺或阵外涂灿于玻缴璃表羽面，带不仅拦提高饲了荧手光粉盾的均逗匀度际，而活且提煮高了室封装廊效率蝴。此紧外，悼减少鹊LE裁D出彻光方仍向的浸光学渠界面农数，纠也是悔提高版出光盈效率运的有刊效措咳施。梯〔三葵〕阵强列封佳装与颈系统燥集成袖技术带经过笛40星多年服的发胸展，殖LE竟D封粱装技菊术和久结构宜先后目经历藏了四劲个阶询段，输如图摆4所培示。钩1、乘引脚梁式〔疮La私mp励〕L扮ED病封装

循普引脚呆式封魄装就蜘是常碌用的倒3充－倘5m锤m折封装因结构杀。一界般用快于电火流较绵小〔蓬20育－3登0m经A〕梦，功茧率较踢低〔系小于需0.爪1W弯〕的亩LE匙D封安装。棒主要赌用于棋仪表伞显示怪或指莫示，站大规迷模集嫂成时搞也可麦作为久显示嫁屏。疫其缺谎点在美于封浊装热共阻较五大〔护一般挖高于马10开0K该/W翼〕，园寿命鲁较短载。海2、正外表维组装挽〔贴餐片〕弦式〔作SM修T－怪LE设D〕匠封装

李驶外表蒸组装原技术喉〔S恰MT影〕是难一种德可以涂直接毯将封浴装好卸的器扔件贴煮、焊渔到P模CB警外表灵指定盖位置祸上的弟一种据封装葵技术锦。具撇体而霜言，丹就是匙用特指定的坟工具桨或设刊备将弟芯片的引脚赞对准赴预先温涂覆魂了粘再接剂钻和焊纽膏的犁焊盘涝图形经上，增然后陵直接绝贴装云到未朽钻安悬装孔袋的P勿CB私表该面上造，经沿过波陆峰焊陕或再海流焊谅后，耕使器赢件和继电路妖之间里建立恩可靠华的机胶械和晶电气暖连接健。S崇MT转技术耀具有色可靠煎性高句、高央频特纯性好艳、易润于实称现自菊动化扩等优类点，蜂是电被子行挥业最千流行裁的一现种封标装技统术和虾工艺唉。颠3、从板上经芯片仍直装胞式〔侦CO遗B〕广LE习D封麦装

膝纤CO框B是辩Ch来ip脚O硬n新Bo足ar川d〔躁板上南芯片钢直装茶〕的肢英文践缩写海，是绑一种流通过吹粘胶捧剂或磨焊料延将L缸ED周芯片鄙直接卸粘贴湿到P订CB需板上僵，再邻通过训引线循键合殖实现泼芯片真与P婚CB塔板间妄电互休连的燃封装隶技术税。P右CB岩板可酿以是蝇低成跳本的耕FR启－4维材料弃〔玻共璃纤区维增谎强的笋环氧自树脂盖〕，小也可缝以是撒高热跳导的冤金属循基或古陶瓷堡基复河合材佩料〔你如铝岩基板撞或覆者铜陶熔瓷基迫板等略〕。痒而引欺线键涂合可权采用置高温剂下的敬热超裹声键配合〔棵金丝述球焊锻〕和芹常温血下的陷超声骡波键啄合〔失铝劈式刀焊染接〕黄。C乔OB速技术脚主要选用于践大功拖率多润芯片竿阵列辞的L神ED候封装凤，同利SM磁T相快比，议不仅挖大大令提高太了封咽装功素率密猾度，注而且晶降低纱了封级装热梯阻〔遭一般勤为6曾-1碗2W怠/m始.K僻〕。凳4、吉系统苗封装件式〔宿Si蛛P〕欠LE林D封享装

派苦Si粘P〔爷Sy微st孝em极i怨n华Pa梁ck被ag马e〕谈是近笑几年旧来为冷适应赔整机骨的便女携式旷开展镇和系帽统小竿型化漂的要扣求，别在系献统芯默片S析ys眉te男m活on澡C剩hi劳p〔爪SO磁C〕盏根底尤上发稍展起民来的湖一种落新型尊封装邮集成锤方式导。对懒Si鸡P－俩LE阻D而仓言，桐不仅表可以约在一斑个封侦装内害组装族多个酷发光友芯片奔，还欧可以谱将各耽种不蔽同类滚型的酬器件党〔如肤电源散、控议制电派路、晕光学络微结自构、匪传感雹器等监〕集蓝成在伞一起腹，构拐建成捷一个秋更为馋复杂挪的、辞完整通的系阔统。参同其梯他封能装结耕构相泽比，弱Si嚼P具顷有工雪艺兼属容性粗好〔钓可利盟用已颂有的齐电子跌封装歇材料比和工好艺〕错，集逐成度赔高，昌本钱性低，咱可提赴供更也多新矿功能忧，易疗于分婶块测竞试，杠开发眨周期门短等瞎优点嫌。按泡照技皱术类绳型不父同，任Si陶P可瞒分为狂四种消：芯茄片层枪叠型木，模椒组型它，M形CM类型和嫌三维局(3挺D)涉封装档型。果目前踪，高商亮度全LE偷D器衰件要挥代替锁白炽阿灯以后及高庸压汞博灯，举必须召提高黄总的苹光通们量，喂或者常说可胡以利滚用的疏光通恭量。陶而光羊通量叙的增忆加可毅以通亲过提铁高集潮成度屯、加本大电基流密奇度、考使用讨大尺俘寸芯层片等箩措施诱来实类现。策而这累些都俩会增怜加L仁ED旁的功吼率密灵度，贯如散秆热不注良，学将导载致L袭ED旦芯片谢的结祥温升叉高，络从而爆直接范影响母LE暗D器杜件的并性能莫〔如弹发光谱效率脏降低送、出肌射光奴发生雾红移尝，寿神命降悄低等亮〕。瑞多芯姜片阵债列封篇装是搏目前欲获得谣高光伴通量钉的一邻个最立可行示的方竟案，支但是削LE升D阵宜列封嚷装的呼密度牧受限义于价近格、泰可用作的空址间、网电气任连接扯，特陵别是冤散热慨等问喂题。劣由于荷发光菠芯片矩的高晃密度泽集成假设，散界热基吴板上呀的温甚度很吓高，也必须传采用椅有效接的热肤沉结棕构和恢适宜纵的封转装工喘艺。犯常用语的热己沉结抓构分凭为被关动和买主动四散热勉。被常动散怪热一式般选坟用具疫有高铲肋化搞系数鲁的翅暴片，纯通过跃翅片众和空出气间鹅的自获然对界流将配热量板耗散岭到环迟境中问。该使方案针结构需简单岭，可包靠性河高，妻但由孤于自垂然对疲流换汗热系治数较明低，何只适彩合于复功率淘密度动较低丹，集培成度遵不高撇的情艳况。妥对于似大功阶率L槽ED帖封装部，那么清必须腊采用胁主动俭散热碎，如箱翅片至＋风称扇、熟热管效、液绿体强突迫对敞流、感微通愚道致赞冷、杯相变纳致冷绪等。饶在系使统集壶成方蒙面，迷台湾五新强势光电估公司畅采用效系统拜封装剪技术赌(S里iP正),沉并牧通过甩翅片嘴＋热体管的耗方式乞搭配伙高效测能散遵热模趋块，乳研制维出了尘72野W、支80坊W的吓高亮册度白煤光L壁ED唤光源昨，如胖图5毁〔a址〕。渗由于合封装堪热阻玉较低施〔虑4.叮38斤℃凑/W圾〕,送当环箭境温随度为坊25泼℃味时，充LE板D结贝温控誓制在恢60小℃姜以下浅，从院而确身保了闹LE拉D的永使用王寿命选和良倦好的歉发光子性能惠。而询华中疮科技移大学阻那么采帽用C识OB迟封装吗和微杠喷主细动散斯热技注术，修封装志出了斥22舰0W毅和1臣50禽0W杆的超活大功速率L灶ED葛白光装光源闹，如质图5奔〔b错〕。诚〔四俗〕封粗装大租生产扫技术度晶片捡键合编〔W夺af支er顶b嘱on辨di汗ng迅〕技侮术是惯指芯俊片结益构和蝇电路尼的制爷作、冬封装熟都在第晶片瞧〔W拾af犯er键〕上及进行介，封敢装完湖成后毯再进丸行切蚂割，健形成考单个肢的芯星片〔端Ch滚ip宇〕；倍与之迎相对析应的南芯片睬键合夸〔D屯ie星b锦on乎di威ng印〕是援指芯意片结模构和替电路辰在晶镰片上独完成惨后，抱即进兼行切柴割形补成芯经片〔丑Di苦e〕洁，然花后对肤单个粗芯片念进行巡封装嫩〔类攀似现锤在的咱LE块D封毒装工铅艺〕桨，如杯图6菊所示贤。很芝明显呆，晶节片键鹅合封网装的轮效率搜和质贡量更抽高。训由于协封装笔费用乒在L焦ED继器件纲制造渠本钱袜中占稍了很哲大比挖例，栗因此或，改裕变现眼有的去LE召D封亿装形远式〔尊从芯幕片键标合到位晶片窑键合加〕，召将大物大降龙低封孙装制牛造成靠本。汤此外餐，晶祖片键棚合封聋装还横可以顿提高极LE粉D器垮件生科产的辈洁净瞎度，让防止坚键合易前的挂划片稠、分软片工肢艺对馆器件炕结构良的破涂坏，榴提高武封装礼成品性率和誓可靠影性，并因而件是一蚊种降烂低封姥装成普本的副有效序手段配。耕此外丑，对母于大待功率亡LE或D封狱装，随必须乓在芯肯片设沟计和袜封装驳设计评过程鲁中，泻尽可堆能采剧用工布艺较夸少的箩封装施形式瓦〔P暗ac刃ka经ge暖-l普es然s灿Pa老ck秆ag锯in童g〕丸，同辈时简刃化封施装结纱构，倘尽可背能减姐少热牛学和吸光学砍界面愤数，松以降翁低封汪装热绩阻，宝提高证出光旁效率魂。枯〔五竭〕封再装可肌靠性条测试遵与评勒估甜LE尽D器工件的碌失效崖模式激主要脏包括紫电失鄙效〔李如短幼路或肃断路良〕、除光失跟效〔税如高场温导骗致的唐灌封约胶黄誓化、身光学紫性能凉劣化溉等〕间和机失械失牲效〔愤如引杜线断姥裂，比脱焊辰等〕跌，而内这些大因素赵都与周封装鄙结构是和工铺艺有勒关。场LE御D的刻使用赴寿命将以平童均失羊效时勤间〔垂MT姜TF商〕来冈定义列，对惭于照奸明用拾途，兵一般桐指L胡ED春的输哗出光魔通量为衰减亮为初槐始的智70所％〔予对显谈示用种途一侨般定欣义为连初始勿值的亡50鞭％〕另的使令用时碎间。宪由于管LE坦D寿苏命长铃，通既常采主取加铁速环定境试击验的辽方法锯进行困可靠编性测父试与着评估邪。测税试内罚容主洲要包采括高季温储司存〔冰10紧0百℃汽，1灰00混0h似〕、佛低温贺储存至〔－焰55阻℃咽，1抗00成0h碑〕、才高温刻高湿论〔惕85朵℃疏/8白5％胖，1诸00依0h暑〕、齐上下秃温循剖环〔束85戚℃疏～－油55举℃乖〕、映热冲除击、俘耐腐蛛蚀性全、抗医溶性嘱、机蹄械冲弹击等饺。然肃而，洗加速拔环境扔试验芝只是煮问题叮的一折个方度面，第对L颜ED铃寿命慨的预座测机扁理和范方法泉的研饼究仍圣是有栗待研储究的滨难题谎。村三、粘固态萄照明丰对大夸功率燕LE眼D封景装的杰要求宽与传浆统照曾明灯器具相散比，涛LE辈D灯澡具不渣需要克使用去滤光供镜或唉滤光掘片来刚产生车有色尸光，凡不仅纪效率呼高、牌光色予纯，税而且州可以悲实现糠动态置或渐旗变的沾色彩都变化屋。在桌改变疲色温潮的同捉时保穴持具蒙有高父的显固色指拐数，摔满足傲不同须的应咳用需共要。胳但对身其封天装也道提出鸭了新惹的要禁求，区具体蛋表达罢在：组〔一式〕模高块化服通过垒多个亚LE洗D灯假设〔或扁模块利〕的溉相互稀连接戚可实握现良盯好的决流明闹输出冰叠加旺，满牌足高批亮度芳照明当的要孟求。断通过抽模块总化技希术，败可以稠将多霉个点粪光源巨或L斩ED发模块院按照蠢随意拾形状展进行赛组合愧，满条足不劣同领粮域的设照明欢要求纹。骡〔二姓〕系济统效否率最懒大化棚为提萍高L殿ED赵灯具虏的出续光效郑率，麻除了少需要丧适宜票的L警ED孝电源烛外，卧还必纹须采集用高仅效的重散热根结构开和工办艺，蔽以及惨优化超内/歪外光覆学设粱计，魂以提肠高整期个系描统效干率。段〔三贤〕低睬本钱状LE巾D灯救具要蒙走向坑市场绸，必蛇须在那本钱锹上具零备竞翠争优点势〔颗主要叠指初衬期安蠢装成李本〕吗，而迎封装坑在整强个L拦ED记灯具苏生产泉本钱丝中占医了很帮大部懒分，山因此悉，采葡用新迅型封算装结血构和态技术示，提觉高光狠效/肠本钱脏比，待是实甘现L非ED啦灯具鉴商品昏化的璃关键般。态〔四吃〕易小于替保换和凝维护宏由于伞LE裁D光赠源寿丰命长旦，维逢护成姥本低勤，因趁此对层LE洋D灯充具的脆封装鸦可靠冬性提递出了求较高严的要罚求。傻要求亏LE妥D灯盘具设碍计易仓于改闪进以测适应资未来塑效率显更高脸的L硬ED田芯片摇封装渡要求欲，并大且要私求L僚ED未芯片努的互罗换性爆要好泡，以悄便于淋灯具步厂商昨自己和选择免采用陵何种守芯片急。论LE秧D灯铃具光爽源可我由多端个分袖布式柴点光呢源组咏成，炸由于死芯片垫尺寸收小，洒从而炸使封口装出茎的灯鲜具重逢量轻脊，结显构精迅巧，菌并可辉满足就各种投形状艘和不撒同集披成度蝴的需微求。窃唯一凡的不荐足在李于没雨有现谣成的沸设计蜂标准遍，但储同时侨给设响计提脖供了寨充分宫的想痒象空泛间。身此外瓶，L初ED铸照明邻控制匹的首站要目隙标是槽供电穿。由袜于一策般市胜电电宝源是章高压谢交流秀电〔旧22蹈0V馒，A储C〕赏，而酒LE脂D需庸要恒溜流或祥限流孕电源仇，因竞此必杯须使种用转少换电哄路或呢嵌入末式控喉制电曲路〔倦〕嚷，以舍实现六先进夸的校段准和什闭环秩反应淹控制贴系统矩。此美外，和通过系数字冈照明趁控制绩技术舱，对唱固态犯光源横的使腰用和犬控制无主要滔依靠叹智能升控制野和管姑理软别件来溜实现芹，从物而在途用户尚、信天息与戚光源莲间建衫立了岸新的脖关联掠，并紫且可梢以充成分发嫩挥设猜计者侧和消奸费者威的想悉象力住。暮四、欲结束叉语进LE秒D封仆装是喜一个教涉及突到多慰学科吧〔如令光学迹、热译学、里机械著、电田学、祥力学休、材拦料、响半导助体等奶〕的忍研究忠课题稍。从脾某种显角度笼而言刻，L况ED见封装读不仅禽是一液门制疑造技决术〔日Te属ch坝no著lo粱gy倍〕，供而且视也是设一门银根底匆科学火〔S年ci魂en慨ce钓〕，觉良好辣的封辱装需标要对州热学吴、光枪学、秀材料柿和工索艺力伙学等枣物理谈本质沟的理杜解和店应用译。L裕ED辣封装逃设计养应与碑芯片房设计湿同时匪进行秒，并蚊且需吸要对甲光、遮热、际电、统结构候等性晚能统醋一考斗虑。此在封芳装过专程中潜，虽些然材盖料〔怒散热押基板胡、荧漏光粉嘉、灌量封胶献〕选庆择很瞧重要枯，但学封装栏结构石〔如种热学赢界面馆、光掀学界违面〕坛对L基ED耀光效弓和可障靠性倾影响弃也很晋大，由大功瓜率白捉光L灿ED灵封装软必须熟采用虑新材咐料，泄新工泰艺，别新思虚路。筑对于愤LE业D灯撤具而运言，充更是滚需要沟将光内源、因散热梨、供急电和拆灯具拔等集拔成考松虑。丈

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