半导体物理第四章载流子的输运现象_第1页
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半导体物理第四章载流子的输运现象第一页，共二十四页，编辑于2023年，星期日在半导体中电子和空穴的净流动产生电流，把载流子的这种运动称为输运。本章介绍半导体晶体中两种基本输运机制：

1、漂移运动：由电场引起的载流子运动。

2、扩散运动：由浓度梯度引起的载流子运动。

此外半导体的温度梯度也引起载流子的运动，但是由于半导体器件尺寸越来越小，这一效应可以忽略。学习的目的：最终确定半导体器件I-V特性的基础。本章所作的假设：虽然输运过程中电子和空穴净流动，但是热平衡状态不受到干扰。第二页，共二十四页，编辑于2023年，星期日4.1载流子的漂移运动一、电导微观理论（刘恩科书p106）单位:西门子/米1S=1A/V=1/Ω第三页，共二十四页，编辑于2023年，星期日第四页，共二十四页，编辑于2023年，星期日二、半导体的电导率和迁移率第五页，共二十四页，编辑于2023年，星期日一、4.2载流子的散射第六页，共二十四页，编辑于2023年，星期日1、第七页，共二十四页，编辑于2023年，星期日第八页，共二十四页，编辑于2023年，星期日第九页，共二十四页，编辑于2023年，星期日二、第十页，共二十四页，编辑于2023年，星期日第十一页，共二十四页，编辑于2023年，星期日第十二页，共二十四页，编辑于2023年，星期日第十三页，共二十四页，编辑于2023年，星期日小结：第十四页，共二十四页，编辑于2023年，星期日4.3迁移率与杂质浓度和温度的关系一、第十五页，共二十四页，编辑于2023年，星期日第十六页，共二十四页，编辑于2023年，星期日第十七页，共二十四页，编辑于2023年，星期日二、第十八页，共二十四页，编辑于2023年，星期日第十九页，共二十四页，编辑于2023年，星期日4.4强电场下的输运一、欧姆定律的偏离和热载流子第二十页，共二十四页，编辑于2023年，星期日第二十一页，共二十四页，编辑于2023年，星期日第二十二页，共二十四页，编辑于2023年，星期日第

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