演示文稿宽带隙半导体材料

演示文稿宽带隙半导体材料当前第1页\共有59页\编于星期二\10点（优选）宽带隙半导体材料当前第2页\共有59页\编于星期二\10点宽带隙半导体材料的优势半导体材料的带隙宽度(Bandgap)是半导体材料自身固有的基本属性，半导体材料的带隙宽度决定了其制成器件的工作温度区域和工作光学窗口。第一、二代半导体像Ge、Si、GaAs、InP这些对信息技术发展起了关键推动作用的半导体材料的带隙都小于2eV，相应的工作温区不超过250度，工作光学窗口在近红外以内。随着信息技术的迅猛发展，发展高功率、高频、高温电子器件以及短波长光电器件已经成为迫切需求，研究发展宽带隙半导体，以突破现有半导体器件的工作高温限制和短波限制。3当前第3页\共有59页\编于星期二\10点什么是宽带隙半导体？从学术角度难以对其带隙宽度范围给予界定，通常是相对于目前主流半导体材料以及半导体技术应用发展前景来界定宽带隙半导体材料的带隙界限。早先人们把带隙宽度大于2.2eV的半导体材料称作“宽带隙半导体”，近来人们又把宽带隙半导体定义为超过2.5eV的半导体材料。4当前第4页\共有59页\编于星期二\10点最受重视的宽带隙半导体III族氮化物，包括GaN，InN，AlN，以及三元合金AlGaN,InGaN，四元合金InGaAlN，都是直接带隙半导体材料。IV-IV族氮化物，包括SiC(2.4~3.1eV)和金刚石薄膜(5.5eV)，都是间接带隙半导体材料。ZnO基氧化物，主要是ZnO(3.3~4.0eV)及其三元合金ZnMgO,ZnCdO,是直接带隙半导体材料。II-V族化合物，Zn基化合物，如ZnSe(2.67eV),ZnTe,ZnS(2.67eV)以及其三元、四元合金ZnMgSSe,是直接带隙半导体材料。5当前第5页\共有59页\编于星期二\10点制备蓝光LED的宽带隙半导体6当前第6页\共有59页\编于星期二\10点III族氮化物研究发展早期对GaN研究重要贡献的学者：IsamuAKASAKIHiroshiAMANOShujiNakamura7当前第7页\共有59页\编于星期二\10点氮化物研究的几个重大突破1986年，日本的科学家Amano和Akasasi利用MOCVD技术在AlN缓冲层上生长得到高质量的GaN薄膜。随后他们利用低能电子束辐照(LEEBI)技术得到了Mg掺杂的p型GaN样品，视为GaN研究发展的另一重大突破。1989年，他们研制出第一个p-n结构的LED。8当前第8页\共有59页\编于星期二\10点同一时期，日本日亚(Nichia)公司的中村修二(Nakamura)等人利用低温GaN缓冲层同样在蓝宝石衬底上得到高质量的GaN薄膜，并采用氮气(N2)或真空气氛下退火得到p型GaN。中村等人在随后短短三年多时间内在GaN基发光器件方面实现了三大跨越：1994年第一支GaN基高亮度蓝光LED，1995年第一支GaN基蓝光LD，1998年连续工作蓝光LD的寿命达到6000小时。日亚公司也在这个时期实现了GaN基蓝绿光LED和LD的商品化。由于中村在蓝光LED领域的出色工作，他被称为“蓝光之父”。9当前第9页\共有59页\编于星期二\10点部分化合物半导体的带隙宽度10当前第10页\共有59页\编于星期二\10点氮化物三元合金的X射线衍射谱11当前第11页\共有59页\编于星期二\10点宽带隙半导体材料的特点压电性与极化效应高热导率小介电常数极高临界击穿电场耐高温、抗辐射大激子束缚能巨大能带偏移12当前第12页\共有59页\编于星期二\10点宽带隙半导体材料的技术应用短波长发光器件

短波长发光二极管LED

短波长激光器LD高温、高功率、高频电子器件(HEMT)

III族氮化物电子器件SiC电子器件

金刚石半导体电子器件探测器

紫外探测器、太阳盲紫外探测器、粒子探测器13当前第13页\共有59页\编于星期二\10点面临的几个科学技术问题从总体上来说，宽带隙半导体材料要达到第一代、第二代半导体技术的水平，还必须解决包括体材料、外延生长、掺杂和器件工艺的一系列基本科学问题，主要包括：缺乏实用性的体单晶材料晶体质量较差，缺陷密度高化学比的偏离与掺杂的不对称性14当前第14页\共有59页\编于星期二\10点III族氮化物的晶体结构III族氮化物有三种通常的晶体结构：纤锌矿结构，闪锌矿结构，岩盐结构。纤锌矿结构是III族氮化物的热力学稳定结构。密排原子面的堆垛顺序不同：纤锌矿结构沿着(0001)的堆垛顺序为ABABAB；闪锌矿结构沿着(111)的堆垛为ABCABC。15当前第15页\共有59页\编于星期二\10点SiC和ZnO的晶体结构ZnO晶体结构与GaN晶体结构类似，同样存在纤锌矿结构与闪锌矿结构，目前研究发现稳定结构为纤锌矿结构。SiC晶体的特征是存在多达200多种的同质异构体，区别仅在于Si-C双原子层的堆垛次序不同。常见的结构有3C、4H、6H-SiC。16当前第16页\共有59页\编于星期二\10点GaN的极性(polarity)17当前第17页\共有59页\编于星期二\10点自发极化和压电极化18当前第18页\共有59页\编于星期二\10点纤锌矿GaN中自发极化的来源19当前第19页\共有59页\编于星期二\10点极化诱导界面电荷积累20当前第20页\共有59页\编于星期二\10点AlGaN/GaN异质结中的二维电子气21当前第21页\共有59页\编于星期二\10点外延GaN的衬底材料222当前第22页\共有59页\编于星期二\10点GaN异质外延生长23当前第23页\共有59页\编于星期二\10点III族氮化物与蓝宝石衬底的失配24当前第24页\共有59页\编于星期二\10点异质外延GaN层的临界厚度25当前第25页\共有59页\编于星期二\10点GaN外延技术：MOCVD和MBE26Compact21当前第26页\共有59页\编于星期二\10点阴极荧光谱(CL)用于缺陷表征27当前第27页\共有59页\编于星期二\10点横向外延GaN—降低位错密度28当前第28页\共有59页\编于星期二\10点ELO-GaN制备长寿命激光器29当前第29页\共有59页\编于星期二\10点HVPE用于GaN厚膜外延30当前第30页\共有59页\编于星期二\10点GaN体材料在高亮LED应用中优势31当前第31页\共有59页\编于星期二\10点GaN的电学性质32当前第32页\共有59页\编于星期二\10点III族氮化物的N型掺杂33当前第33页\共有59页\编于星期二\10点III族氮化物的P型掺杂34当前第34页\共有59页\编于星期二\10点GaN在高电场下的输运性质35当前第35页\共有59页\编于星期二\10点GaN是制备微波功率器件的理想材料36当前第36页\共有59页\编于星期二\10点GaN的光学性质37当前第37页\共有59页\编于星期二\10点时间分辨PL谱表征GaN质量38当前第38页\共有59页\编于星期二\10点GaN基LED结构39当前第39页\共有59页\编于星期二\10点40当前第40页\共有59页\编于星期二\10点III族氮化物紫外探测器41当前第41页\共有59页\编于星期二\10点AlGaN光导型探测器42当前第42页\共有59页\编于星期二\10点氮化物PIN型探测器43当前第43页\共有59页\编于星期二\10点ZnO基宽带隙半导体材料1997年ZnO室温受激发射现象的报道引发了ZnO基短波长激子型光电器件应用的研究热潮；2001年蓝宝石基ZnO自组装纳米线阵列紫外受激发射的实现，引起了人们对ZnO纳米材料与器件研究的极大兴趣；2005年MBE制备的ZnO基p-i-n同质结LED和MOCVD制备的ZnO基p-n同质结LED的初步实现，让人们看到了ZnO固体照明和激光工程应用的曙光。44ZnO作为宽带隙半导体、是继GaN之后近年才引人注目的又一新型宽带隙半导体材料,也被列入第三代半导体的行列。当前第44页\共有59页\编于星期二\10点目前ZnO半导体研究热点

初步进展:通过N单掺或共掺方法可获得空穴浓度达1019cm-3；P、As和Sb的掺杂可获得1018cm-3的空穴浓度；初步实现ZnO同质LED。诸多挑战:p型ZnO重复性和稳定性较差，空穴迁移率较低;同质ZnOLED电致发光效率很低；制备技术主要为MBE、PLD和磁控溅射等方法，不宜制备大面积均匀薄膜45ZnOp型掺杂当前第45页\共有59页\编于星期二\10点ZnO合金及能带工程

46MgZnO合金纤锌矿结构Mg49%能带调节4.6eV-3.3eVZnMgO/ZnO量子阱2DEGCdZnO合金Cd70%能带调节3.3eV-1.85eVZnO/ZnCdO/ZnO单量子阱(MOCVD)BeZnO合金BeO直接带隙(10.6eV)Be68%能带调节ZnOSe/ZnOS

能隙弯曲因子大

和Si晶格匹配的ZnOSSe带隙覆盖红外至紫外波段当前第46页\共有59页\编于星期二\10点ZnO基纳米结构2001年蓝宝石衬底上实现ZnO自组装纳米线阵列紫外受激发射的实现，引起了人们对ZnO纳米材料与器件研究的极大兴趣。47当前第47页\共有59页\编于星期二\10点ZnO的能带结构48当前第48页\共有59页\编于星期二\10点ZnO的PL光谱49当前第49页\共有59页\编于星期二\10点ZnO的制备技术50当前第50页\共有59页\编于星期二\10点ZnO的器件应用51当前第51页\共有59页\编于星期二\10点ZnO基PIN发光二极管LED52当前第52页\共有59页\编于星期二\10点SiC单晶的能带结构53间接带隙，Eg=2.4~3.1eV与多形体结构有关当前第53页\共有59页\编于星期二\10点SiC晶体制备—升华法1995年，飞利浦实验室的Lely提出用升华法制备SiC单晶，随后通过改进Lely法，称为籽晶升华法或物理气相传输法(P