传感器期末复习资料

传感器绪论概念：1.传感器的定义：①：能够感受规定的被测量并按照一定的规律转换成可用输出信号的器件或装置。②：狭义的定义：能把外界非电信息转换成电信号输出的器件。2.传感器组成:传感器一般由敏感元件、转换元件、基本转换电路三部分组成。第一章概念：1.传感器的一般特性：描述此种变换的输入与输出关系。静特性：输入量为常量或变化极慢时（慢变或稳定信号）。线性度：传感器的输出与输入关系呈线性，实际上这往往是不可能的。假设传感器没有迟滞和蠕变效应,其静态特性可用下列多项式来描述：x——输入量；y——输出量；a0——零点输出；a1——传感器的灵敏度,常用k表示；a2,a3,…,an——非线性项系数。非线性误差（线性度）定义：输出输入的实际测量曲线与某一选定拟合直线之间的最大偏差，用相对误差γL表示其大小。即传感器的正、反行程平的最大误差δ（以mV计）。当传感器使用在满刻度的1/2和1/8时计算可能产生的百分误差。并由此说明使用传感器选择适当量程的重要性。已知：γ=2%FS,ymVFS=50；求：δm=？第二章概念：金属的电阻应变效应：金属导体的电阻随着机械变形（伸长或缩短）的大小发生变化的现象称为金属的电阻应变效应。电阻应变片的工作原理是基于金属电阻丝的电阻应变效应。位移、加速度、力矩、应力、压力、拉力、温度等等。转换电路直流电桥：IL=0是电桥平衡：平衡条件不平衡直流电桥的工作原理：当电桥后面接放大器是，放大器的输入阻抗很高，比电桥输出电阻大很多，可以吧电桥输出端看出开路。应变片工作时，其电阻变化为△R。既n=1时，当电源电压U及电阻相对值一定时，电桥的输出电压及电压灵敏度与各臂阻值得大小无关。n=1时的电桥，称对称电桥，目前常采用这种电桥形式。减小非线性误差１.下图为一直流应变电桥，其中，E=4V，R1=R2=R3=R4=120Ω，试求：（1）R1为应变片，其余为外接电阻，当R1的增量为ΔR1=1.2Ω时，电桥输出电压为多少？（2）R1、R2均为应变片，批号相同，感受应变的极性和大小相同，其余为外接电阻，电桥输出电压为多少？（3）R1、R2均为应变片，批号相同，感受应变的极性相反，且，其余为外接电阻，电桥输出电压为多少？（4）由题（1）~（3）能得出什么主要结论？答：（1）U0=U=××4=0.01(V)=10(mv)(2)U0=0(V) (3)U0=U=20(mV)(4)由（１）～（３）可以看出，双臂电桥比单臂电桥灵敏度提高一倍；可利用双臂电桥消除温度变化对测量误差的影响。(已)6、在材料为钢的实心圆柱形试件上，沿轴线和圆周方向各贴一片电阻为120Ω的金属应变片R1和R2，把这两应变片接入差动电桥（参看图2-9a）。若钢的泊松系数μ=0.285，应变片的灵敏系数k=2，电桥电源电压U=2V，当试件受轴向拉伸时，测得应变片R1的电阻变化值△R=0.48Ω,试求电桥的输出电压U0。第三章：概念自感式传感器：大题：(已)☆下图为一气体压力传感器结构示意图，试分析其工作原理。图中，1—弹簧管，2—衔铁，3、4—铁芯，5、6—线圈，7—调节螺钉。解：压力P弹簧管自由端发生移动，带动衔铁上下移动，引起线圈电感值变化，分别把两线圈接入交流电桥的两臂，引起交流电桥输出电压变化，则UP。.1—两片簧片，2—质量块测量时，质量块的位移与被测加速度成正比，把对加速度的测量转变为对位移测量。既当质量块2以△X振动时，引起线圈电感值变化，产生电流，导致变压器输出的也按相同规例变化，通过这个变化就可以测加速度。何谓电感式传感器？它是基于什么原理进行检测的？答：电感式传感器是利用电磁感应原理将被测量转换成线圈自感量或互感量的变换，再由测量电路转换为电压或电流的变化量输出的一种装置。它是基于电磁感应原理进行检测的。第4章概念：根据其改变参数不同，可将电容式传感器分为下三种：改变极板间距离(δ)的变极距型传感器改变极板遮盖面积（A）的变面积型传感器改变电介质介电常数（ε）的变介电常数型传感器运算放大器式测量电路运算放大器的放大倍数K非常大,而且输入阻抗Zi很高。运算放大器的这一特点可以使其作为电容式传感器的比较理想的测量电路。由运算放大器工作原理可得式中：Cx为电容式传感器是输出信号电压U是交流电源电压C为固定电容如果传感器是一只平板电容,则Cx=εS/δ,代入上式,有式中“-”号表示输出电压U0的相位与电源电压反相此式说明运算放大器的输出电压与极板间距离呈线性关系。运算放大器电路解决了单个变极板间变极距式电容传感器的非线性问题。但要求Zi及K足够大。为保证仪器精度,还要求电源电压的幅值和固定电容C值稳定。(已)(已)减少和消除寄生电容的影响：（1）增加传感器原始电容值（2）注意传感器的接地和屏蔽（3）集成化（4）采用“驱动电缆”技术（6）整体屏蔽大题：下图为电容式差压传感器结构示意图和转换电路图，试分析其工作原理。答：当两边压力P1，P2相等时，金属膜片处在中间位置与左、右固定电极间距相等。即Cab=Cbd，u0=0。当P1>P2（或P2>P1）时，膜片弯向P2（或P1）边，Cab<Cdb（或Cab>Cdb），u0输出与成正比信号。（10分）如图所示，简述此电路为什么能够改善变间隙式电容传感器的非线性？图中，，ε为传感器极间间隙介质的介电常数，s为传感器极板耦合的面积，d为两极板间的距离，C为标准电容。答:Zx=Cx=U0=-Ui=-Ui=-Ui在Ui,,ε,s,C不变的情况下，Uo∝d如何改善单组式变极距型电容传感器的非线性？答：方案1：采用差动形式电容传感器，有效地改善了传感器的线性度，而且灵敏度也提高1倍。方案2：采用运算放大器电路为标准电容；可见，与成正比。所以，使用此测量电路能够改善变间隙式电容传感器非线性。九、下图为变极距型平板电容电容传感器的一种测量电路，其中CX为传感器电容，C为固定电容，假设运放增益A=∞，输入阻抗Z=∞；试推导输出电压U0与极板间距的关系，并分析其工作特点。(已)单组式变面积型平板形线位移电容传感器，两极板相对覆盖部分的宽度为4mm，两极板的间隙为0.5mm，极板间介质为空气，试求其静态灵敏度？若两极板相对移动2mm，求其电容变化量。（答案为0.07pF/mm,0.142pF）（运算放大器结合）已知：b=4mm，δ=0.5mm，ε0=8.85×10－12F/m求：（1）k=?；(2)若△a=2mm时△C=?第五章概念：(已)霍尔效应：一块长为l、宽为b、厚为d的半导体薄片置于磁感应强度为B的磁场(磁场方向垂直于薄片)中。当有电流I流过时，在垂直于电流和磁场的方向上将产生电动势UH（霍尔电势或称霍尔电压）。这种现象称为霍尔效应。霍尔式传感器是由霍尔元件所组成。，霍尔系数，与材料有关它由载流材料的物理性质决定。霍尔灵敏度表示单位磁感应强度和单位控制电流时的霍尔电势的大小。一般要求它越大越好。（1）对于金属而言，n很大，所以RH很小，而半导体尤其是N型半导体霍尔常数RH则较大，所以在实际应用中，一般都采用N型半导体材料做霍尔元件。（2）kH与元件材料的性质和几何尺寸有关。元件的厚度d对灵敏度的影响也很大，元件越薄，灵敏度就越高。如采用薄膜技术的薄膜霍尔元件。（3）UH标量规定正方向可正可负当控制电流的方向或磁场的方向改变时，输出电势的方向也将改变。但当磁场与电流同时改变方向时，霍尔电势极性不变。当磁感应强度B和元件平面法线成一角度θ时，作用在元件上的有效磁场是其法线方向的分量，这时，UH=KHIBcosθ。霍尔元件的电磁特性ＵH-I特性：固定磁场B，在一定温度下，霍尔输出电势UH与控制电流I之间呈线性关系。UH-B特性：固定控制电流，元件的开路霍尔输出随磁场的增加并不完全呈线性关系，而有所偏离。霍尔元件工作在0.5T（弱磁场）以下时线性度较好。(已)霍尔元件的误差及补偿：零位误差（不等位电动势：霍尔元件在额定控制电流作用下，不加外磁场时，霍尔输出端之间的空载电动势。寄生直流电动势），温度误差。方法：1.采用恒流源供电和输入回路并联电阻2.合理选取负载电阻RL的阻值3.采用恒压源和输入回路串联电阻4.采用温度补偿元件5.霍尔元件不等位电动势U0的温度补偿。霍尔位移传感器：式中，k是位移传感器的输出灵敏度。 积分后得UH=kx。霍尔电势与位移量成线性关系。霍尔电势的极性反映了元件位移的方向。磁场梯度越大，灵敏度越高；磁场梯度越均匀，输出线性度越好。大题：7、某霍尔元件l、b、d尺寸分别为1.0cm×0.35cm×0.1cm，沿l方向通以电流I=1.0mA，在垂直于lb面方向加有均匀磁场B=0.3T，传感器的灵敏度系数为22V/A·T，试求其输出霍尔电动势及载流子浓度。已知：l×b×d=1.0cm×0.35cm×0.1cm；I=1.0mA；B=0.3T；kH=22V/A·T；求：UH=?；n=？解：如图9、试说明霍尔式位移传感器的输出UH与位移x成正比关系。答：因为霍尔电压为：UkIBHH=，若I一定，而使霍尔元件在一个沿空间均匀梯度的磁场中运动即：Bkx1=。则有：UkIkxkxHH==1，所以霍尔式位移传感器的输出UH与位移x成正比关系。第六章概念：压电效应：正压电效应：当某些物质在外力作用下变形时，某些相应表面上就会产生电荷，去掉外力后又回到不带电状态，这种没有外电场只是形变产生的极化现象称为正压电效应。机械能转变为电能逆压电效应：当某些物质施加电场时不仅产生极化同时还产生了伸缩机械形变(应力和应变)，去掉电场后，该物质的形变随之消失，把这种电能变为机械能的现象称为逆压电效应。电能转换为机械能石英晶体：Z轴为光轴（中性轴），它是晶体的对称轴，光线沿Z轴通过晶体不产生双折射现象，因而它的贡献是作为基准轴。X轴为电轴（垂直于光轴），该轴压电效应最显著，它通过正六棱柱相对的两个棱线且垂直于光轴Z。Y轴为机械轴（力轴），它垂直于两个相对的表面，在此轴上加力产生的变形最大。当石英晶体受到沿X方向的压缩力作用时，在X轴的正方向的晶体表面上出现正电荷。而在Y轴和Z轴方向的分量均为零。这种沿X轴作用力，而在垂直于X轴晶面上产生电荷的现象，称为“纵向压电效应”。当石英晶体受到沿Y轴方向的压缩力作用时，在X轴的正方向的晶体表面上出现负电荷。（这种情况等同于沿X轴方向的拉力作用），这种沿Y轴作用力，而在垂直于X轴的晶面上产生电荷的现象，称为“横向压电效应。”当晶体受到沿Z轴方向的力（无论是压缩力或拉伸力）作用时，因为石英晶体在X轴方向和Y方向的变形相同，正、负电荷中心始终保持重合，电偶极矩在X、Y方向的分量等于零。所以沿光轴方向施加作用力，石英晶体不会产生压电效应。如果石英晶体的各个方向同时受到均等的作用力（如液体压力），石英晶体将保持电中性。所以石英晶体没有体积变形的压电效应。压电式传感器的等效电路：压电式传感器对被测量的感受程度是通过其压电元件产生电荷量大小来反映的。传感器既是电荷源又是电容器，其等效电路可以认为是两者的并联。也可以等效为一个电压源和一个电容串联的电路。大题：(已)1、什么是压电效应？答：沿着一定方向对某些电介质加力而使其变形时，在一定表面上产生电荷，当外力取消，又重新回到不带电状态，这一现象称为正压电效应。当在某些电介质的极化方向上施加电场，这些电介质在一定方向上产生机械变形或机械压力，当外加电场散去，这些变形和应力也随之消失，此即称为逆压电效应。2.设某石英晶体输出的电压幅值为200MV，如果要产生一个大于300MV的型号。需要串联方式和电压放大器测量电路。第七章概念：光具有波粒二象性，光的粒子性可用光子的概念描述。频率为ν的单色光，可视为一束光子流，其中每个光子具有的能量E为E=hν。频率与波长成反比。h——普朗克常数，其值为6.626×10-34J·s；ν——光的频率（s-1）;激光器优点：单色性好、方向性好、亮度高、相干性好光电效应：光照在物体上可看成是一连串具有能量为E的光子轰击物体，如果光子能量足够大，物质内部电子在吸收光子后就会摆脱内部力的束缚，成为自由电子，自由电子可能从物质表面逸出，也可能参与物质内部的导电过程，这种现象称为光电效应。外光电效应：在光照射下，某些材料中的电子逸出表面而产生光电子发射的现象称为外光电效应。光子探测器有一定的截止波长，只能探测短于这一波长的光，当光的频率低于某一阈值时，光的强度再大也不能激发导电电子。1.物体内的电子吸收入射光子能量足以克服逸出功A0时，电子就能逸出物体表面。即时，才会产生电子发射现象。这就意味着每一种物体都具有一个对应的截止频率或称红限频率。2.当入射光的频谱成分不变时，产生的光电效应与光强度成正比。即光强愈大，逸出电子越多。3.电子逸出表面具有一定动能，会有光电流产生内光电效应：半导体内的电子吸收光子后不能跃出半导体，则所产生的电学效应称为内光电效应。内光电效应按其工作原理可分为光电导效应和光生伏特效应。光电发射型：金属材料，外光电效应。光电导型：半导体材料在光线作用下，其电阻值往往变小，这种现象称为光导效应，基于光导效应的光电器件称为光敏电阻，也叫光导管、光电导探测器。特点：灵敏度高，体积小，重量轻，光谱响应范围宽，机械强度高，耐冲击和振动，寿命长。纯电阻元件，适用于红外探测。光电结型：光照射在半导体结上。材料：半导体光电池是有源器件：这种器件受到光照时就产生一定方向的电动势，不需要外部电源供电。原理：当光照到结区时，具有足够能量的光子使电子从价带跳到导带，在结区附近激发出称为光生载流子的电子—空穴对，在结电场作用下，电子被推向N区，而空穴被拉向F区，这样，使P区和N去分别带正，负电，两者之间形成电位差，这就是光生福特效应。光敏电阻的光照特性曲线-非线性光纤传感器原理：射入的光线在光纤的界面上发生全反射，并在光纤内部以同样的角度反复逐次反射，直至到另一端。阶跃型光纤：纤芯的折射率n1分布均匀，固定不变，包层内的折射率n2分布也大体均匀，纤芯到包层的折射率变化呈台阶状。梯度型光纤：纤芯内的折射率不是常数，从中心轴线开始沿径向大致按抛物线规律变化，中心轴折射率最大。传输模式分类，可以把光纤分为多模光纤（阶跃型光纤，梯度型光纤）和单模光纤两类。折射角：n1sinφ1=n2sinφ2反射临界角（全反射）：非功能型光纤传感器：1.光纤位移传感器2.光纤温度传感器第8章概念：(已)热电动势是由两种导体的接触电动势和单一导体的温差电动势所组成。热电动势大小与两种导体材料的性质及接点温度有关。热电偶回路的几点结论（均质导体定律）若热电偶两电极材料相同，则无论两接点温度如何，总热电势为零。热电偶必须采用两种不同的材料作为热电极。如果热电偶两结点温度相等，则尽管导体A、B的材料不同，热电偶回路内的总电动势亦为零。热电偶产生的热电势只与材料和接点温度有关，与热