




版权说明:本文档由用户提供并上传,收益归属内容提供方,若内容存在侵权,请进行举报或认领
文档简介
半导体封装制程及其设备介绍演示文稿当前第1页\共有71页\编于星期二\19点半导体封装制程及其设备介绍当前第2页\共有71页\编于星期二\19点半导体封装制程概述半导体前段晶圆wafer制程半导体后段封装测试
封装前段(B/G-MOLD)-封装后段(MARK-PLANT)-测试封装就是將前製程加工完成後所提供晶圓中之每一顆IC晶粒獨立分離,並外接信號線至導線架上分离而予以包覆包装测试直至IC成品。当前第3页\共有71页\编于星期二\19点半导
体
制程Oxidization(氧化处理)Lithography(微影)Etching(蚀刻)DiffusionIonImplantation(扩散离子植入)Deposition(沉积)WaferInspection(晶圆检查)Grind&Dicing(晶圓研磨及切割)DieAttach(上片)WireBonding(焊线)Molding(塑封)Package(包装)WaferCutting(晶圆切断)WaferReduce
(晶圆减薄)LaserCut&packagesaw(切割成型)Testing(测试)Lasermark(激光印字)IC制造开始前段結束后段封装开始製造完成当前第4页\共有71页\编于星期二\19点封裝型式(PACKAGE)ThroughHoleMountShapeMaterialLeadPitchNoofI/OTypicalFeaturesCeramicPlastic2.54mm(100miles)8~64DIPDualIn-linePackagePlastic2.54mm(100miles)1directionlead3~25SIPSingleIn-linePackage当前第5页\共有71页\编于星期二\19点封裝型式ThroughHoleMountShapeMaterialLeadPitchNoofI/OTypicalFeaturesPlastic2.54mm(100miles)1directionlead16~24ZIPZigzagIn-linePackagePlastic1.778mm(70miles)20~64S-DIPShrinkDualIn-linePackage当前第6页\共有71页\编于星期二\19点封裝型式ThroughHoleMountShapeMaterialLeadPitchNoofI/OTypicalFeaturesCeramicPlastic2.54mm(100miles)half-sizepitchinthewidthdirection24~32SK-DIPSkinnyDualIn-linePackageCeramicPlastic2.54mm(100miles)PBGAPinGridArray当前第7页\共有71页\编于星期二\19点封裝型式SurfaceMountShapeMaterialLeadPitchNoofI/OTypicalFeaturesPlastic1.27mm(50miles)2directionlead8~40SOPSmallOutlinePackagePlastic1.0,0.8,0.65mm4directionlead88~200QFPQuad-FlatPack当前第8页\共有71页\编于星期二\19点封裝型式SurfaceMountShapeMaterialLeadPitchNoofI/OTypicalFeaturesCeramic1.27,0.762mm(50,30miles)2,4directionlead20~80FPGFlatPackageofGlassCeramic1.27,1.016,0.762mm(50,40,30miles)20~40LCCLeadlessChipCarrier当前第9页\共有71页\编于星期二\19点封裝型式SurfaceMountShapeMaterialLeadPitchNoofI/OTypicalFeaturesCeramic1.27mm(50miles)j-shapebend4directionlead18~124PLCCPlasticLeadedChipCarrierCeramic0.5mm32~200VSQFVerySmallQuadFlatpack当前第10页\共有71页\编于星期二\19点AssemblyMainProcessDieCure(Optional)DieBondDieSawPlasmaCardAsyMemoryTestCleanerCardTestPackingforOutgoingDetaping(Optional)Grinding(Optional)Taping(Optional)WaferMountUVCure(Optional)LasermarkPostMoldCureMoldingLaserCutPackageSawWireBond
SMT(Optional)当前第11页\共有71页\编于星期二\19点半导体设备供应商介绍-前道部分PROCESSVENDORMODELSMT-PRINTERDEKHOR-2ISMT–CHIPMOUNTSIMENSHS-60TAPINGNITTODR3000-IIIINLINEGRINDER&POLISHACCRETECHPG300RMSTANDALONEGRINDERDISCO8560DETAPINGNITTOMA3000
WAFERMOUNTERNITTOMA3000DICINGSAWDISCODFD6361TSKA-WD-300T当前第12页\共有71页\编于星期二\19点PROCESSVENDORMODELDIEBONDHITACHIDB700ESECESEC2007/2008ASMASM889898CUREOVENC-SUNQDM-4SWIREBONDERK&SK&SMAXUMULTRASKWUTC-2000ASMEagle60PLASMACLEANMARCHAP1000TEPLATEPLA400MoldTOWAYPS-SERIESASAOMEGA3.8半导体设备供应商介绍-前道部分当前第13页\共有71页\编于星期二\19点常用术语介绍SOP-StandardOperationProcedure标准操作手册WI–WorkingInstruction作业指导书PM–PreventiveMaintenance预防性维护FMEA-FailureModeEffectAnalysis失效模式影响分析SPC-StatisticalProcessControl统计制程控制DOE-DesignOfExperiment工程试验设计IQC/OQC-Incoming/OutingQualityControl来料/出货质量检验MTBA/MTBF-MeanTimebetweenassist/Failure平均无故障工作时间CPK-品质参数UPH-UnitsPerHour每小时产出
QC7Tools(QualityControl品管七工具)OCAP(OutofControlActionPlan异常改善计划
)8D(问题解决八大步骤
)ECNEngineeringChangeNotice(制程变更通知
)ISO9001,14001–质量管理体系当前第14页\共有71页\编于星期二\19点前道FOL后道EOLWireBond引线键合Mold模塑LaserMark激光印字LaserCutting激光切割EVI产品目检SanDiskAssemblyProcessFlow
SanDisk封装工艺流程DiePrepare芯片预处理DieAttach芯片粘贴WaferIQC来料检验PlasmaClean清洗PlasmaClean清洗SawSingulation切割成型SMT表面贴装PMC模塑后烘烤当前第15页\共有71页\编于星期二\19点SMT(表面贴装)---包括锡膏印刷(Solderpasteprinting),置件(Chipshooting),回流焊(Reflow),DI水清洗(DIwatercleaning),自动光学检查(Automaticopticalinspection),使贴片零件牢固焊接在substrate上StencilSubstrateSolderpastepringtingChipshootingReflowOvenDIwatercleaningAutomaticopticalinpectionCapacitorDIwaterCameraHotwindNozzlePADPADSolderpaste当前第16页\共有71页\编于星期二\19点DiePrepare(芯片预处理)ToGrindthewafertotargetthicknessthenseparatetosinglechip---包括来片目检(WaferIncoming),贴膜(WaferTape),磨片(BackGrind),剥膜(Detape),贴片(WaferMount),切割(WaferSaw)等系列工序,使芯片达到工艺所要求的形状,厚度和尺寸,并经过芯片目检(DVI)检测出所有由于芯片生产,分类或处理不当造成的废品.WafertapeBackGrindWaferDetapeWaferSaw当前第17页\共有71页\编于星期二\19点InlineGrinding&Polish--AccretechPG300RMTransfer
CoarseGrind
90%FineGrind10%CentrifugalClean
Alignment&Centering
Transfer
BackSideUpward
De-taping
Mount
KeyTechnology:1.LowThicknessVariation:+/_1.5Micron2.GoodRoughness:+/-0.2Micron3.ThinWaferCapacity:Upto50Micron4.All-In-Onesolution,ZeroHandleRisk当前第18页\共有71页\编于星期二\19点2.Grinding相关材料ATAPE麦拉BGrinding砂轮CWAFERCASSETTLE当前第19页\共有71页\编于星期二\19点工艺对TAPE麦拉的要求:1。MOUNTNodelamination
STRONG2。SAW
ADHESIONNodieflyingoffNodiecrack当前第20页\共有71页\编于星期二\19点工艺对麦拉的要求:3。EXPANDING
TAPEDiedistance ELONGATION
Uniformity
4。PICKINGUP
WEAK
ADHESIONNocontamination当前第21页\共有71页\编于星期二\19点3.Grinding辅助设备AWaferThicknessMeasurement厚度测量仪一般有接触式和非接触式光学测量仪两种;BWaferroughnessMeasurement粗糙度测量仪主要为光学反射式粗糙度测量方式;当前第22页\共有71页\编于星期二\19点4.Grinding配套设备ATaping贴膜机BDetaping揭膜机CWaferMounter贴膜机当前第23页\共有71页\编于星期二\19点WaferTaping--NittoDR300IICutTapeTaping
AlignmentTransfer
TransferBack
KeyTechnology:1.HighTransferAccuracy:+/_2Micron2.HighCutAccuracy:+/-0.2mm3.HighThroughput:50pcswafer/Hour4.ZeroVoidandZeroWaferBroken当前第24页\共有71页\编于星期二\19点Detaping当前第25页\共有71页\编于星期二\19点l
Wafermount
Waferframe当前第26页\共有71页\编于星期二\19点晶圓切割(Dicing)Dicing设备:ADISCO6361系列BACCERTECH东京精密AW-300T当前第27页\共有71页\编于星期二\19点MainSectionsIntroductionCuttingArea:Spindles(Blade,Flange,CarbonBrush),CuttingTable,Axes(X,Y1,Y2,Z1,Z2,Theta),OPCLoaderUnits:Spinner,Elevator,Cassette,
RotationArm当前第28页\共有71页\编于星期二\19点BladeClose-ViewBladeCuttingWaterNozzleCoolingWaterNozzle当前第29页\共有71页\编于星期二\19点DieSawing–Disco6361KeyTechnology:1.Twin-SpindleStructure.2.X-axisspeed:upto600mm/s.3.SpindleRotarySpeed:Upto45000RPM.4.CuttingSpeed:Upto80mm/s.5.Z-axisrepeatability:1um.6.PositioningAccuracy:3um.
RearFront当前第30页\共有71页\编于星期二\19点AFewConceptsBBD(BladeBrokenDetector)Cutter-set:ContactandOpticalPrecisionInspectionUp-CutandDown-CutCut-inandCut-remain当前第31页\共有71页\编于星期二\19点晶圓切割(Dicing)Dicing相关工艺ADieChipping芯片崩角BDieCorrosive芯片腐蚀CDieFlying芯片飞片当前第32页\共有71页\编于星期二\19点Wmax,Wmin,Lmax,DDY,DY規格— DY<0.008mm Wmax<0.070mm Wmin<0.8*刀厚 Lmax<0.035当前第33页\共有71页\编于星期二\19点
切割時之轉速予切速:a.
轉速:指的是切割刀自身的轉速b.
切速:指的是Wafer移動速度.主軸轉速:S1230:30000~45000RPMS1440:30000~45000RPM27HEED:35000~45000RPM27HCCD:35000~45000RPM27HDDC:35000~45000RPM当前第34页\共有71页\编于星期二\19点晶圓切割(Dicing)3.Dicing相关材料ATapeBSawBLADE切割刀CDI去离子水、RO纯水当前第35页\共有71页\编于星期二\19点切割刀的規格規格就包括刀刃長度、刀刃寬度、鑽石顆粒大小、濃度及Nickelbondhardness軟硬度的選擇P4当前第36页\共有71页\编于星期二\19点Sawblade对製程的影響ProperCutDepthIntoTape(切入膠膜的理想深度)分析:理想的切割深度可防止1.背崩之發生。2.切割街区的DDY理想的切割深度須切入膠膜(Tape)1/3厚度。P11当前第37页\共有71页\编于星期二\19点
切割刀的影響DiamondGritSize(鑽石顆粒大小)
GRITSIZE
+-TopSideChipping+-BladeLoading+-BladeLife+-FeedRate+-分析:小顆粒之鑽石1.切割品質較好。2.切割速度不宜太快。3.刀子磨耗較大。大顆粒之鑽石1.刀子磨耗量小。2.切割速度可較快。3.負載電流較小。P15当前第38页\共有71页\编于星期二\19点TAPE粘度对SAW製程的影響MountingTape(膠膜黏力)
TAPEADHESION
+-CutQuality+-FlyingDie+-分析:使用較黏膠膜可獲得1.沒有飛Die。2.較好的切割品質。潛在風險
DieAttachprocesspickupdie
影響。Cost+-DieEjection+-P10当前第39页\共有71页\编于星期二\19点晶圓切割(Dicing)4.Dicing辅助设备ACO2Bubbler二氧化碳发泡机BDIWater电阻率监测仪CDiamonflow发生器DUV照射机当前第40页\共有71页\编于星期二\19点DieAttach(芯片粘贴)ToattachsingledietoSMTedsubstrate---把芯片粘贴到已经过表面贴装(SMT)和预烘烤(Pre-bake)后的基片上,或芯片粘贴到芯片上,并经过芯片粘贴后烘烤(DieAttachCure)固化粘结剂.Passivechip(capacitor)Substrate当前第41页\共有71页\编于星期二\19点上片
(DieBond)DieBond
设备AHITACHIDB700BESEC2007/2008系列CASM829/889/898系列当前第42页\共有71页\编于星期二\19点DieAttach–HitachiDB700KeyTechnology:1.Bondingspeed:30ms/die;2.BondingAccuracyX/Y:25um;3.AngleAccuracy:0.5degree;4.ThinDiePickUpSolution:Upto2mils(Electromagnetic&Multi-StepMode);5.Integrate&InlineModule:XMemory+1controller;6.Multi-DiestackDieCapacity:Upto8layersonce;当前第43页\共有71页\编于星期二\19点上片
(DieBond)2.DieBond
相关工艺X,YPLACEMENT
;BLT;TILT;ROTATIONTHETA;CPKDIEROTATIONTHETAPLACEMENTACCURACYX,Y(CPK)BONDLINETHICKNESS(CPK)VOIDDIESHARE当前第44页\共有71页\编于星期二\19点上片
(DieBond)3.DieBond
相关材料ASubstrate/LeadframeBDieAttachFilmCWaferafterSawDMagazine弹夹当前第45页\共有71页\编于星期二\19点Substrate
BasicStructure:CoreAuNiCuSolderMaskBondFingerViaHoleBallPad当前第46页\共有71页\编于星期二\19点SubstrateBasicInformationCore: 玻璃纤维+树脂mm镀铜层: 25um+/-5um镀镍层um镀金层umSolderMask:25um+/-5um总厚度: 0.10-0.56mm当前第47页\共有71页\编于星期二\19点發料烘烤線路形成(內層)AOI自動光學檢測壓合4layer2layer蝕薄銅綠漆線路形成塞孔鍍銅Deburr鑽孔鍍Ni/Au包裝終檢O/S電測成型AOI自動光學檢測出貨BGA基板製造流程(option)当前第48页\共有71页\编于星期二\19点上片
(DieBond)4.DieBond
辅助设备A银浆搅拌机
利用公转自转离心力原理脱泡及混合;主要参数有:MIXING/DEFORMINGREVOLUTIONSPEED
外加计时器;公转用于去泡;自转用于混合;当前第49页\共有71页\编于星期二\19点BCuringOven无氧化烤箱主要控制要素:N2流量;排气量;profile温度曲线;每箱摆放Magazine数量;当前第50页\共有71页\编于星期二\19点CWafermapping应用当前第51页\共有71页\编于星期二\19点WireBond(引线键合)
DietoPackageInterconnects
Howadieisconnectedtothepackageorboard.---用金线将芯片上的引线孔和基片上的引脚连接,使芯片能与外部电路相连。在引线键合前需要经过等离子清洗(Pre-BondPlasmaClean)以保证键合质量,在引线键合后需要经过内部目检(IVI),检测出所有芯片预处理,芯片粘贴和引线键合产生的废品.当前第52页\共有71页\编于星期二\19点WireBond–K&SUltraKeyTechnology:1.Diepadopening(Min.):45um.2.Diepadspitch(Min.):60µm.3.SubstrateLeadwidth&Pitch(Min.):40µm&25
µm.4.Multi-LoopSelectioncoverallPackage.5.StackdiereverseBondingtoDecreaseTotalpackageThickness.
DiePadSubstrateLeadGoldWireCapillaryUltrasonicPowerHeaterBondForce当前第53页\共有71页\编于星期二\19点焊线(WireBond)1.WireBond
相关工艺
PadOpen&BondPadPitchBallSizeBallThicknessLoopheightWirePullBallshortCraterTest当前第54页\共有71页\编于星期二\19点焊线(WireBond)2.WireBond
相关材料SubstratewithdieCapillaryGoldWire
当前第55页\共有71页\编于星期二\19点HowToDesignYourCapillaryTIP..……PadPitchPadpitchx1.3=TIPHole..…..WireDiameterWirediameter+0.3~0.5=HCD………Padsize/open/1stBallCD+0.4~0.6=1stBondBallsizeFA&OR….Padpitch(um)FA >100 0,4 ~90/100 4,8,11<90 11,15 ICtype……looptypeCapillary当前第56页\共有71页\编于星期二\19点GoldWire
GoldWireManufacturer (Nippon,SUMTOMO,TANAKA….)GoldWireData (WireDiameter,Type,EL,TS)当前第57页\共有71页\编于星期二\19点焊线(WireBond)3.WireBond
辅助设备AMicroscope用于测loopheightBWirePull拉力计(DAGE4000)CBallShear球剪切力计DPlasma微波/等离子清洗计当前第58页\共有71页\编于星期二\19点BallSizeBallThickness
單位:um,Mil
量測倍率:50X
BallThickness計算公式
60umBPP≧1/2WD=50%60umBPP≦1/2WD=40%~50%BallSizeBallSize&BallThickness当前第59页\共有71页\编于星期二\19点LoopHeight
單位:um,Mil
量測倍率:20XLoopHeight
線長当前第60页\共有71页\编于星期二\19点WirePull1LiftedBond(Rejected)2Breakatneck(Referwire-pullspec)3Breakatwire(Referwire-pullspec)4Breakatstitch(Referstitch-pullspec)5Liftedweld(Rejected)当前第61页\共有71页\编于星期二\19点BallShear
單位:gramorg/mil²BallShear計算公式
Intermetallic(IMC有75%的共晶,ShearStrength標準為>6.0g/mil²。SHEARSTRENGTH=BallShear/Area(g/mil²)BallShear=x;BallSize=y;Area=π(y/2)² x/π(y/2)²=zg/mil²当前第62页\共有71页\编于星期二\19点等离子工艺
PlasmaProcess气相---固相表面相互作用
GasPhase-SolidPhaseInteractionPhysicalandChemical分子级污染物去除
MolecularLevelRemovalofContaminants30to300Angstroms可去除污染物包括ContaminantsRemoved难去除污染物包括DifficultContaminants
FingerPrintsFluxGrossConta
温馨提示
- 1. 本站所有资源如无特殊说明,都需要本地电脑安装OFFICE2007和PDF阅读器。图纸软件为CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.压缩文件请下载最新的WinRAR软件解压。
- 2. 本站的文档不包含任何第三方提供的附件图纸等,如果需要附件,请联系上传者。文件的所有权益归上传用户所有。
- 3. 本站RAR压缩包中若带图纸,网页内容里面会有图纸预览,若没有图纸预览就没有图纸。
- 4. 未经权益所有人同意不得将文件中的内容挪作商业或盈利用途。
- 5. 人人文库网仅提供信息存储空间,仅对用户上传内容的表现方式做保护处理,对用户上传分享的文档内容本身不做任何修改或编辑,并不能对任何下载内容负责。
- 6. 下载文件中如有侵权或不适当内容,请与我们联系,我们立即纠正。
- 7. 本站不保证下载资源的准确性、安全性和完整性, 同时也不承担用户因使用这些下载资源对自己和他人造成任何形式的伤害或损失。
最新文档
- 2025年三次采油采出液絮凝剂合作协议书
- 出货合作协议书范本
- 端午安全主题班会课件
- 童装设计说课课件
- 借用消防证协议书范本
- 公司集体降薪协议书范本
- 2025年钨板、棒、丝材项目发展计划
- 2025年中大型重载轴承项目发展计划
- 二零二五年二手手机维修及售后服务合同
- 二零二五年个人隐私录像使用授权合同书
- 毕节教学常规管理办法
- 人事管理制度模板
- 低钠血症个案护理
- 2025年新版人才公寓特惠租赁合同范本5篇(直接打印版)
- 冲奶粉的教学课件
- 公共数据授权运营中的成本核算体系与机制研究
- 浙江一般公需课从大模型到智能超算的思考题库及答案
- JG/T 239-2009建筑外遮阳产品抗风性能试验方法
- 2025届广东省东莞中学八下数学期末学业水平测试试题含解析
- 2024-2025学年辽宁省沈阳市高二数学下学期7月期末考试(附答案)
- 消防驾驶员行车安全课件
评论
0/150
提交评论