硅基光学非线件今晚写完

硅体。化学性质非常稳定。硅晶体有很好的对称性，属于m3m点群。有很大的折射率差Δn1.12eV，在（>1.1效应普通光纤的100倍以上，而增益系数是它的1000倍以上[2]。硅的晶体生长、提纯等技术非常成熟。目前已经能够商业化生产直径为 英寸（300mm，杂质浓度低至/cm数量级的硅片。45nm28（SPM（XPM（TA（THG受激散射（SRS）等。假设入射光场可以写成三个频率分量的组合，即，3E(r,t)=k=

33 kk=

iω +此处c.c.代表复共轭，将上式代入P(3)中，可以得到一系列表达式这里，c(c=2. ×108m/s)是真空中光速，λ是光波波长，n0是介质的线FCI，FCA变化响应较长，会影响半导1FOM 与α2与波长的关系，因为它们都随着光子能量的变化而变化[9]。将在原光场的边带产生新的频率成分[57-60]；即ω3=ω1-(ω2-ω1)=2ω1-ω2和ω3=ω2+(ω2-ω1)=2ω2-ω1，这就称为四波混频，如图1-4所示。当输入波长确定时，介质的折射率n和系数存在下列关系IpshiftR的光子产生，并激发能量为hΩSRS，必须同时入射强泵浦光斯，R非线件。SOI波导的强限制效应会引起非线性效应的增强（波导内功率密度至少是SiO21000倍1GHz，且对于双光子吸收引起的信γ=

1（TPA， timereversal,wavefrontreversalretroreflection。对四波混频技术,我们先定义四束光(j=1,2,3,4)：Ej电场振幅，Ξ1Ξ2Ξ3是信号波，Ξ4是产生的相位共轭波。如果泵波和信号波被叠加在χ(3)不为零的介质中，这将产生一个非线性极化场：ω3ω1,3ω2,3ω3ω±ω1±ω2±ω3而四波混频的相位匹配条件决定哪种频率的波占主导地位.ω=ω1+ω2ω3andkk1k2k3,极化场另外，它可以显示出具有折射率n和一个作用长度为l的介质，共轭光的电频率更高：ω3=ω+Δω，则共轭波的频率为ω4=ω—Δω。这就是频率的翻转。 光开关，相移型全光开关，光全光开关，非线性光纤环路镜（NOLM）光开IBMThomasJ.Watson在硅光子学方面取得了很多性的成果之一：2007年他们在把电信号转换为光脉冲；使硅上实现光开关网络逐渐变成现实。这个上光开关的集成度是2000/mm2，它成为当时世界上线性光脉冲开关的开关特性是有影响的。有对非线性光脉冲热稳定性进行了Nonlinearopticalphenomenainglass,EMVogel,MJWeber,DMKrol-Physicsandchemistryofglasses,1991-cat.inist.fr;SiliconPhotonics,BahramJalali,Fellow,IEEE,andSasanFathpour,Member,Nonlinearopticalphenomenainsiliconwaveguides:ModelingandQ.Lin,1,∗OskarJ.Painter,1 indP.optics; Silicon-on-insulator——SOItechnologyandecosystem——EmergingS