大学电材微电子物理与器件课程设计

课程设计课程名称微电子器件工艺课程设计题目名称PNP双极型晶体管的设计学生学院___材料与能源学院____专业班级08电子材料1班学号3108007452学生姓名____123___指导教师____魏爱香、何玉定____2023年6月17日踢广东好工业档大学牺课程恒设计华任务杂书背一、胞课程亩设计糟的内便容序设计涨一个萍均匀猛掺杂赚的抢pn范p圆型硅击双极坡晶体蚊管，鉴满足原T=绘30鹅0K潮时，刑基区危掺杂究浓度削为慢N站B爪=1垒0观16拢cm社-3绍,`昆共发疾射极财电流踪增益叉β屠=5绪0辣。强BV族CE桥O孔=6烫0V腰，设腥计时愚应尽糕量减率小基趣区宽晌度调岸制效谢应的绸影响滚，假顺设经肾验参迫数为化年础n=恢3)钢二、地课程烦设计恨的要茄求与候数据越1污．了横解晶串体管羡设计居的一洲般步脆骤和附设计鼻原则关2灯．根标据设叮计指浊标设傲计材奴料参狠数，茧包括曲发射流区、傲基区顺和集齐电区林掺杂僵浓度利N锦E骂,蹲N阁B寇,死和抽N咏C胀,酬根据尝各区饱的掺旧杂浓立度确惧定少捆子的算扩散昆系数因，迁血移率如，扩扫散长跪度和倾寿命泽等。岔3脱．根历据主户要参淹数的挺设计喝指标匪确定飘器件楼的纵应向结摆构参勿数，固包括锡集电航区厚瞎度用W弹c姓，基冲本宽策度妈W凳b时，发店射区徒宽度像W尸e月和扩胶散结傻深赵X勇jc击,束发射芹结结然深族X眉je衔等。守4勤．根本据扩善散结版深娇X客jc哄,暮发射汗结结涝深产X四je拼等确句定基塔区和铃发射哥区预胜扩散野和再旺扩散晕的扩督散温竞度和晴扩散证时间千；由侍扩散告时间死确定快氧化详层的卸氧化息温度玻、氧犯化厚扎度和魄氧化订时间倦。葵护头5博．根驱据设洲计指燥标确亏定器兵件的抽图形鸦结构加，设统计器侄件的妹图形汗尺寸市，绘烦制出盆基区绕、发荷射区缺和金师属接耗触孔翁的光输刻版兵图。乒6.残元根据罪现有游工艺句条件泽，制么定详捏细的膝工艺弊实施荒方案就。昼7浇．撰莫写设毁计报将告群三、赴课程糖设计鸟应完钥成的露工作停1.防塘材料筐参数脉设计宿2.童晶体酸管纵树向结蓝构设骆计孝3.欺晶体踢管的汇横向罚结构饥设计搏（设拴计光极刻基脸区、状发射尸区和负金属炸化的堆掩膜核版图礼形）婶4枯．工弓艺参凡数设隔计和掩工艺廊操作汉步骤祝5.统总结王工艺卵流程侨和工批艺参乔数缎6.警敬写设绵计报抬告财四、番课程哄设计馋进程井安排绞序号招设计惩各阶肝段内衡容体地点诉起止眨日期获1市教师笨布置陆设计朵任务前，讲屡解设呢计要馋求和适方法班教社1-邀40塌1吹20飞11压.6放.6愈2产学生跪熟悉碗设计海任务片，进嚷行资洗料查肠阅和贿整体俘设计悦方案备的制俊定证图书僵馆，肌教瓶1-脖40伍1芹20增11号.6郊.7烤3刮设计北晶体喉管的夹各区耻材料躁参数寻和结里构参响数设纹计谨图书懂馆，仙教抛1-鞭40颗1隙2烟01再1炸.6纸.8把4.宇教师及集中血辅导姨，分锈析材摸料参疏数和贴结构屑设计油中存工在的之主要陵问题于教或1-厅40扩7蛛20打11饼.6研.9稀5孤晶体庸管工丽艺参周数设警计，另实验甲室蛛教壶1-集40险2配21许00劳.6智.1四0-络20扭11影.6涉.1辟1学6页绘制调光刻总基区薪、发示射区印和金幅属化墙的版盖图承实验棋室创教积1-丰40献2告20塔11堪.6以.1熄2武20市11抚.6索.1章3喇8膏教师拌集中烛辅导耽，分听析工挽艺设永计中想存在架的主波要问因题卫实验苦室挡教屿1-扎32边2耽20违11播.6容.1刃4衫9验总结劲设计相结果字，写破设计额报告袭实验肉室脾教坐1-辜32辅2登20屑11狂.6奴.1纠5秤10大写课属程设僵计报赴告惜图书猫馆，涉宿室持20农11吐.6索.1劳6垂11磁教师肠组织样验收翻，提振问答索辩嫩实验式室退20杠11航.6顺．滔17惠五、斑应收用集的佳资料崇及主润要参威考文戒献幕1伶．《况半导收体器箩件基篇础》垃Ro衔be煮rt努F错.扰Pi荡er滚re喝t女著，揭黄如花译，盐电子匆工业殿出版团社，灯20味04离.吼2健．《居半导捷体物塘理与问器件岸》形赵毅舍强等钢译，牺电子丝工业棍出版公社，蛛20娃05喉年殊.降也3启．《纺硅集汽成电蜘路工业艺基赵础》墓，关喘旭东喜编著烦，北慢京大软学出获版社耀，蛙20愿05屑年锐.演发出栗任务临书日趣期：附恨20竞11感年配6缩弱月道6膝日宋指导排教师极签名假：逝计划炮完成尽日期法：朋语20粮11型年再6滴月脆短17斩日夸基层礼教学草单位颠责任销人签掌章：向主管滑院长脆签章糟：目录犯一、秘课程赠设计反目的钩与任迹务轰……枝……铁……便……姨……你……芝……椅……肯……炉……叠2唐二、墨课程纵设计晒时间新……宜……记……而……我……拖……营……逃……宪……触……板……响…茅2润三、贵课程暮设计投的基咏本内漠容支……诵……半……闻……挡……龙……神……坟……虏……屠……分…末2召3.渔1蒜微电貌子器辨件与嫂工艺绒课程见设计鹿――银np目n挑双极朽型晶睬体管研的设涨计煤……图……角……保…曲2遥3.务2吗课程戚设计牧的主咸要内自容：凳……房……皇……愈……搁……国……启……吓……炕……马……荐…你歉2垄四、禽课程豆设计运原理宫……凑……尺……宋……金……丹……轻……狡……知……智……帖……脂……衫…转3度五、堪工艺携参数随设计葱……辛……品……处……睬……紫……识……耻……娇……果……哀……会……狱…科3衔5.速1浮晶体虏管设语计的把一般题步骤券：掏……拴……紧……狗……妙……就……恋……水……抚……四……留3跟5查.2夸鹿材料哭参数萄计算欺……跪……尿……狱……务……赶……乖……疼……逝……贸……棍……布……刊…道4副5.忌2.绑1胡各区竭掺杂在浓度企及相扫关参貌数的旗计算愚……遭……鱼……乘……页……踩……篇……坛……画4溜5.烟2.矛2饥集电倡区厚斧度唯Wc阳的选赤择智……健……你……航……锐……当……叨……牢……庸……柱……颤…咸8臂5.督2.剥3畏基区锣宽度键WB躁……型……终……爪……励……窝……渠……再……胀……肌……浆……复……停…灯8聋5.吉2.包4躺晶体条管的系横向喇设计消……赵……尚……武……惧……柳……僚……圈……耳……吼……润……斑1幅1柿5.柿2.胞4县.1打该晶体处管横悦向结呀构参参数的光选择信……痛……好……敬……货……挨……扎……棍……示…亡11惧5.陶3胶工艺辩参数率设计邀……肌……屋……货……歌……铅…售……资……朝……晕……辞……迷……攀……剧12顿5.镜3.至1每晶体节管工刺艺概连述宾……破……您……进……搬……副……翻……异……蜘……创……听……胶…脖1膏2法5.靠3.昆2渠工艺片参数减计算类思路蛋……载……贯……挎……咐……捷……灭……罪……趋……桂……孝……蚂1成3爪5.炒3.袍3泼基区男相关暑参数竹的计桶算过拜程：衔……调……席……裹……像……棍……阳……闸……赖……熊1厨3避5.肤3.傍4透发射迅区相锐关参起数的产计算滚过程拌……尾……胆……匠……湿……回……搂……宝……杰……纸1扣5横5.分3.爹5甚氧化罢时间昨的计判算模……醉……业……脂……峡……馆……恩……鄙……慧……做……萝……从…劣1翼7状5.童3.副6兼外延彻层的衡参数文计算诞……序……烈……留……晓……妻……耳……纳……循……卖……柜……屈1宿9高5.煎3.转7患设计偶参数励总结瓦……述……军……似……辱……范……沙……皂……增……吵……恳……无……炊2苏0令六、诸工艺郑流程非图您……博……跑……惨……踪……运……努……槐……洗……喇……贝……肆……压…秀2淡1龟七、餐生产洁工艺讽流程喝……即……娇……估……筒……肢……嫩……单……轻……勺……义……寒…介睡21时7.障1唇硅片扎清洗针……从……拣……傻……驴……捕……狗……怕……逢……老……辨……郑……学……茶…高2创1蓬7.旅2栋竞氧化历工艺克……归……液……还……贿……横……悄……浮……仓……氏……吊……塌……皱……念2托2虎7.谷3监第一工次氧惠化工屿艺步馅骤（徐基区蚊氧化散）父……勉……漏……箩……布……侄……久……方……迫…腹23品7.射4苹采用混比色齿法测凶量氧撑化层盏厚度乘……卫……失……智……蚕……苦……棕……厚……嘴……皆…裹23把7.辱5炒第一刷次光貌刻工宏艺（守基区反光刻厅）拾……膊……尸……秘……大……负……积……吐……议……老…布24怀7.呢6拥硼扩禽散工劳艺那……母……爬……胡……炎……径……壶……浮……远……绍……秒……魂……纠……盆2仅5刘7.涉6.私1万原理蚕……毒……废……断……雨……鼻……幼……润……征……蚕……燥……旅……罪……眉…笼葵25侵7.形6.医2瞎工艺坡步骤括……尾……仆……饥……它……双……颤……箩……益……糟……叛……浆……见……到2艘5旺7.榴7继第二细次光垃刻工问艺（剥发射班区光声刻）爱……堵……燃……银……双……荒……栏……霸……尊…碰26问7.恐8非磷扩而散工纸艺（岁发射勿区扩超散）造……永……题……城……迟……就……丸……殊……乳……效…码2涂6按7.法8.挖1芹工艺伏原理姥……锯……升……烘……丸……默……蓝……参……恨……愤……知……吨……扇……言2砌6缩7.探8.只2翼工艺竿步骤筹(捏扩散威的过嫩程同耐时要赴进行郊发射是区的敢氧化子)饲……绣……迫……腰……痕……立……叮……安……鉴……姿……哀……柄……卫……起……厅……犹…绪2舱7咽八、冲版图蹦……附……祝……鲜……棚……螺……缠……元……舍……非……能……疼……大……堂……怠2过8冲九、薄心得列体会俊……厨……炮……王……盐……指……讯……只……锅……坦……芹……赠……烛…线温30秀十、吩参考狮文献担……解……余……蔽……么……理……胡……钩……某……侨……袖……敏……升……版3忙1弃好爬工毯福蚕PN姻P阵双极乳型晶苦体管丢的设补计政一、帽课程黑设计朴目的哲与任赏务略《微才电子膛器件踩与工拿艺课露程设忘计》弹是继樱《微冈电子案器件呼物理尿》、协《微领电子供器件哈工艺世》和疮《半础导体爹物理王》理适论课存之后甘开出将的有禾关微成电子丧器件孝和工郊艺知钉识的记综合挤应用班的课续程，回使我炭们系冲统的黑掌握粥半导集体器遍件，足集成浑电路叉，半雀导体验材料刘及工那艺的丙有关芝知识概的必望不可迷少的卵重要琴环节台。互目的酱是使软我们佣在熟侍悉晶超体管依基本牢理论旅和制胜造工佛艺的更基础愉上，词掌握泉晶体州管的犹设计格方法垂。要叉求我置们根辣据给条定的遵晶体池管电瞎学参疯数的犁设计犬指标蚕，完臣成晶序体管作的纵注向结召构参宣数设掠计亭→胳晶体枕管的缠图形箭结构祝设计驴→缸材料杀参数出的选躲取和禾设计搬→框制定坐实施岩工艺夏方案惭晶体曲管各经参数中的检葡测方亏法等礼设计弟过程告的训安练，循为从谋事微炊电子横器件江设计辱、集片成电携路设摸计打猎下必牺要的脂基础甲，列二、叮课程茂设计或时间两周糕三、乔课程刮设计侄的就基本已内容蜡3.臭1已微电艺子器起件与筝工艺长课程俘设计园――介pn薪p微双极由型晶秤体管气的设亲计每设计暴一个瑞均匀类掺杂腹的年pn犹p揪型硅鼠双极鼠晶体截管，尖满足繁T=柴30掏0K好时，窃基区患掺杂悄浓度滨为订N捏B倚=1贝0仔16瓜cm饼-3击,`妖共发博射极赤电流搏增益登β子=5招0喇。钟BV远CE屯O点=6淋0V钉，设堆计时貌应尽芝量减易小基秃区宽挥度调沙制效职应的恨影响滨，假所设经倘验参稳数为株年惨n=杰3)鹿。抗3.采2喜课程掏设计迷的主喜要内静容：汽（袜1拍）了稍解晶窝体管阴设计出的一纷般步仔骤和彻设计仿原则遮。遇（烘2嫁）根盛据设稼计指盐标选姐取材嫂料，像确定国材料桃参数示，如锣发射首区掺谣杂浓耗度蒙N载E雨,组，基埋区掺欺杂浓挽度街N路B猴，请集电面区掺集杂浓搁度扎N西C厌，根曲据各环区的容掺杂米浓度珠确定戏少子岸的扩辉散系派数，锤迁移其率，蜜扩散野长度犬和寿猎命等民。删（宰3衔）根疯据主磨要参鼻数的誓设计冰指标榆确定斥器件水的纵懂向结愁构参调数，神如集扔电区皂厚度逼W傍c候，基睁区宽狸度马W呢b箭，发它射极宿宽度托W善e观和扩巧散结粉深点X触jc诉，发球射结蛇结深文等。特（俭4千）根颂据结在深确唐定氧硬化层久的厚羡度，沃氧化爆温度取和氧陡化时扑间；简杂质植预扩哭散和厘再扩更散的球扩散歪温度收和扩甩散时潜间。外（舱5决）根洗据设室计指懂标确史定器闪件的打图形史结构渣，设格计器垃件的倍图形美尺寸盗，绘典制出畅基区疼、发挡射区芒和金猾属接运触孔涉的光述刻版融图。葛（帐6桂）根画据现钩有工哥艺条毙件，黎制定羞详细烂的工电艺实馅施方潜案。那四、姐课程挺设计润原理召晶体漫管的穴设计始是有碎关晶勉体管牛物理计知识衬的综吵合应世用。仗晶体由管的斑基本爱理论开只能逗反映垦晶体健管内找部的趣基本给规律灾，而颠且这嫂些规炎律往毙往是锋基于你很多做假设赶，并绍忽略甜了很匹多次珍要因陈素的磨情况谊下得缠到的鞋，如医工艺仰因素邪的影累响，葱半导另体材惭料的您影响胶及杂欧质浓忘度的闯具体照分布慌形式假等。屋因此时，在兄进行冬晶体期管设柱计时岛必须抢从生盈产实蝶践中缎总结色出经湖验数炭据与估基本牧的理鉴论结馆合起贷来，匀经过谁多次出反复济，才心能得播到切次实可忆行的田设计咽方案岛。同总时，闲对有微志从想事半弊导体骆器件妻以及室集成唐电路拼有关沟工作尊的工吹程技园术人滋员来瓦说，膜要系斯统的银掌握装半导盈体器崭件，伏集成脖电路桃，半削导体铸材料细及工唐艺的宗有关群知识绝，晶勿体管锅设计欢也是掏必不戒可少绳的重伸要环薯节。蝴晶体君管设葛计过币程，奇实际荒上就执是根潜据现抗有的淡工艺葛水平百，材补料水狭平，铺设计喝水平餐和手脱段以洋及所泡掌握周的晶朴体管忧的有史关基中本理且论，跟将用唯户提揪出的拆或预止期要膊得到蚊的技寄术指允标或隐功能拳要求汉，变翅成一脉个可口实施瓜的具偿体方丙案的车过程谨。因弹此，知设计栏者必缸须对兰当前煮所能远获取互的半睛导体叉材料尺的有刷关参同数和辣工艺箱参数过有充劝分的慢了解傍，并锐弄清手晶体勾管的路性能佛指标完参数卡与材俗料参混数，政工艺佣参数因和器顷件几食何结妄构参门数之慨间的寒相互港关系你，才肆可能族得到效设计铸所提漂出的专要求歉。但产是晶仗体管告的种挥类繁果多，碎性能话指标浓要求叨也就插千差寿万别尿，因顶此要败将各徒类晶撑体管屑的设预计都踪要讲叮清楚咐是很披难的专，所攻以我壶们只定能简锅单介励绍一态下晶扫体管释设计史的一泰般步租骤和挠基本圾原则菜。望五、疗工艺艰参数刑设计棒5.撑1雹晶体绣管设缸计的惭一般悠步骤落：费晶体霉管设谦计过协程大献致按醒下列虑步骤匙进行辱：哈第一思，根叛据预佛期指胶标要膝求选尊定主伴要电借学参王数计β田、访V糟CB秀O雕、肚V伞CE翼O妖、覆I廊CM承，确索定主喉要电市学参汽数的则设计背指标查。津第二省，根者据设拖计指约标的富要求烂，了煤解同绳类产熔品的睡现有符水平倒和工驻艺条询件，雄结合凉设计遣指标凳和生末产经份验进模行初继步设茧计，芝设计稼内容宾包括油以下奇几个遮方面摧：肺（陵1踢）根痰据主行要电饼学参津数计机算出卫各区铃的浓绵度：料Nc使、叶Ne吧、撒Nb劝。捐（大2顿）纵隶向设茅计：哥根据晕主要鲁参数涨的设光计指含标确喊定器菊件的式纵向包结构征参数形，如过基区锄宽度屠W循b跟，扩拼散结肌深蹄X造j维和集嫌电区曾厚度坛W多c宅等。糖（慌3掌）横硬向设忍计：油根据顶设计作指标厨确定筹器件妇的图妈形结它构，唐设计闯器件舌的图野形尺伸寸，同绘制协出光储刻版会图。旗（撒4屑）根撤据设壁计指能标选漂取材海料，陈确定挡材料捡参数孩，如言电阻多率妙，位口错，姥寿命屯，晶需向等逗。抚（锈5圣）根箩据现彻有工刺艺条牛件，煮制定熊实施功工艺菌方案勾。絮（圣6典）根承据晶粉体管顶的类百型进晋行热随学设般计，娃选择岭分装千形式缓，选聋用合悬适的孕管壳扶和散克热方江式等盗。鼻第三乐，根颠据初时步设碗计方耍案，距对晶轻体管匪的电杜学验超算，珍并在非此基碧础上僻对设潮计方棋案进失行综填合调慈整和貌修改滚。签第四猫，根蝇据初太步设明计方直案进估行小渴批测帖量试菜制，屠暴露鬼问题倘，解叉决矛誉盾，安修改汗和完赴善设死计方掘案。叛5.蒜2纠材料义参数处计算步5.餐2.惯1劣各区对掺杂盈浓度决及相秘关参袍数的亡计算苗由设地计题趟目可捆知，女晶体蓄管的牺设计垦指标唐是：慧30挂0K沫时，辰基区庄掺杂宽浓度桥为丰N陷B羡=1抚0时16担cm富-3训,凭共发戒射极麻电流雾增益卡β捧=5絮0快，缩BV未CE破O滨=6沸0V颈。动对上湿表参茧数进笛行仔世细分烤析后裙可发严现，贩上述向参数葱中，塑只有下击穿帽电压档主要胆由集开电区岔电阻热率决瞧定。笨因此价，集喂电区讲电阻睬率的体最小首值由升击穿粱电压摄决定恨，在就满足怜击穿呈电压装要求着的前素提下早，尽宣量降滔低电遇阻率笛，并右适当来调整查其他冷参量浪，以棒满足玻其他后电学锋参数赛的要扇求。饱对于逐击穿景电压拘较高瓦的器芬件，荡在接脖近雪怨崩击拜穿时贿，集退电结灯空间呆电荷巧区已碌扩展率至均古匀掺港杂的化外延遵层。着因此传，当守集电罪结上导的偏陷置电钟压接侧近击公穿电亮压励V专时，伟集电丑结可执用突免变结势近似鹅，对干于摧Si挂器件余击穿泪电压郊为针，废由此伴可得瞎集电郑区杂惰质浓榨度为锯：羽根据配公式皆,不可算雄出集育电区羞杂质乐浓度桑：太一般狸的晶冒体管燕各区筛的浓认度要炊满足格N粗E兆>>雹N览B首>N吹C进，故侦，流图监1窝室温增下载谅流子汤迁移撕率与完掺杂垄浓度统的函忽数关架系华（器挤件物少理兼55洽页）私查图藏1歼得到净少子多迁移壁率：望根据穷公式孔可知桐：傅图焦2长掺杂尖浓度绍与电爬阻率乱的函例数关门系健（器啦件物恭理洲59京页）即根据穗图伏2柱，可络得到座不同可杂质糕浓度赚对应交的电决阻率探：胀（即巷衬底鱼选用退的电硬阻率杏）畅图熊3狠少子伪寿命研与掺萍杂浓识度的各函数拘关系桥（半趁导体不物理躁17堡7雹页）朝根据拆图袋3该，可业得到港E立、坑B旧、悦C旧三区黑的少孩子寿恶命妻注明鞋：这自里的笼少子烦寿命纳偏大雅，故驴取器混件物两理浙28谱7反页的粉经验评值，务为了凳方便揉得到锅较合晃理的较基区怕准中家性宽街度，于所以爷这里逮的少缴子寿辫命取野值如桥下：饲根据干公式碍有：腾5.绳2.昌2搂集电敢区厚衣度哄Wc瞧的选圈择休(1挤)肚集电巴区厚哈度兔Wc难根据稿公式斩求出权集电径区厚陷度的搅最小植值为毫：丙W别C纲的最蹈大值遇受串五联电帜阻皂r俯cs农的限捉制。舟增大细集电怠区厚羽度会气使串减联电普阻具r奔cs躲增加校，饱龟和压遥降发V拿CE踏S幻增大怕，因眠此够W扑C崖的最流大值灶受串亲联电拼阻限讽制。下综合步考虑暑这两单方面辞的因祥素，它故选妈择受W塘C柱=密1拘4产μ让m脖5.坦2.油3要基区粥宽度钱WB聋（帆1雕）基洲区宽科度的客最大志值恨对于系低频肝管，掀与基啄区宽品度有折关的羡主要座电学矮参数奇是遮，因滚此低迷频器横件的视基区咐宽度专最大馋值由裂确定基。当侮发射拌效率昌1傍时，妄电流删放大东系数巨，因伪此基棋区宽饶度的习最大荷值可芝按下普式估馒计：页为了映使器辉件进蓝入大妈电流迷状态煌时，企电流另放大继系数晌仍能嗓满足贸要求或，因场而设网计过深程中铺取介4慈。委根据俘公式劫,池求得喜低频换管的寒基区柳宽度这的最乳大值陆为：谈由公惩式可骄看出钱，电卧流放诞大系叼数絮要求闷愈高图，则惊基区享宽度摧愈窄侧。为纽提高骄二次出击穿译耐量舰，在滴满足底要求弹的前奔提下晋，可拨以将竖基区云宽度原选的霞宽一嘴些，织使电能流在丧传输衣过程裕中逐疯渐分珠散开袄,泄以提肺高二镇次击欠穿耐叹性。竭（摧2尽）基浩区宽才度的佣最小爽值线为了戏保证秧器件怒正常旬工作杏，在悄正常未工作迅电压题下基换区绝蒜对不膀能穿阁通。阳因此欣，对烦于高模耐压羞器件健，基桑区宽副度的生最小养值由丰基区偏穿通权电压罢决定食,轨此处黄，扑对于锹均匀慧基区妥晶体背管，寿当集丈电结绍电压训接近绪雪崩丰击穿消时，其基区雄一侧酱的耗面尽层肥宽度冰为：题在高盯频器役件中睬，基淋区宽体度的埋最小姐值往搁往还须受工核艺的帅限制规。度则由厘上述轨可知矿：怎（扑3尸）基混区宽肠度的童具体国设计掏与馒PN棚结二如极管浮的分揭析类疯似，偏在平连衡和银标准驳工作擦条件江下，佛BJ舱T蔬可以照看成沸是由巴两个窃独立鸣的坐PN简结构撇成，面它在垦平衡煎时的趣结构赵图如凳下所庸示：昆图果4泊迅平衡岩条件航下的霜PN善P揭三极甩管的夕示意改图祖具体态来说骑，由侵于澡，所刚以朗E-却B很耗尽游区宽壶度（粉）可聚近视绍看作耍全部挠位于刊基区蜘内，穴又由闹，得芦到大尖多数迟C-更B奸耗尽近区宽扬度（梁）位蔽于集膀电区显内。纪因为弟C-障B偶结轻说掺杂购一侧赚的掺率杂浓除度比易E-暴B热结轻覆掺杂粱一侧蠢的浓僻度低凶，所凉以僵＞洒。另孔外注真意到暴是基场区宽近度，痰是基芒区中降准中售性基晨区宽夫度；决也就电是说童，对虽于瓶PN蛾P品晶体写管，炉有：顿（懒10探）职其中承和脊分别爱是位疼于蹦N灿型区号内的赚E-蓄B筋和挖C-踏B彩耗尽绍区宽萝度。祥在遗BJ戚T弊分析酱中氏指的蚊就是格准中的性基谅区宽孝度。暴E-显B桶结的间内建餐电势史为：歪C-杰B够结的馅内建久电势桌为：怨根据埋公式狗有：舟E-晨B啄结在俗基区术一边吐的耗璃尽层隔厚度坝为惜∵车可以芽当成伯单边位突变愤结处站理鹿C-访B兰结在宝基区播一边毯的耗呼尽层冰厚度撞为却根据笨公式溉有：∵∴胃求解悠得到紫由上惹述可援得基狭区总浊宽度盲：符满足渠条件蛙：班，维这个屯宽度灶是允鱼许的凝，但辅是为棵了与板标准菜工艺准相对订应，矛这里肝的货，方宇便以旺后的适计算敏。藏（哗3棍）扩李散结注深赔在晶朴体管恩的电呀学参踩数中填，击麻穿电购压与伐结深桶关系泉最为像密切抬，它幕随结歪深变竭浅，撞曲率厘半径林减小嫂而降滴低，苗因而筐为了限提高灶击穿廉电压炎，要寺求扩由散结干深一公些。篮但另寿一方梁面，信结深边却又叹受条着宽限美制，裹由于俘基区斤积累盈电荷乏增加君，基绢区渡驼越时朵间增释长，标有效屯特征否频率甚就下钥降，宿因此阻，通吴常选勒取：安反射是结弃结深万为趋集电雀结使结深巨为宁（报4求）芯睛片厚饱度和恼质量陶本设按计选捷用的虫是电国阻率碗为响的鲁P苹型硅厕，晶通向是揪<1绕11嗽>川。硅阳片厚弃度主樱要由回集电毕结深踪、集秩电区桐厚度献、衬获底讨反扩施散层瓣厚度丘决定辰。同嘉时扩真散结至深并汤不完照全一挑致，嫁在测象量硅终片厚碍度时恩也存妻在一购定误麦差。使因此档在选仇取硅启片厚妨度时相必须嫌留有像一定强的的禽余量脂。衬退底厚触度要翅选择暖适当殖，若痕太薄叫，则肌易碎桶，且陡不易公加工具；若蚊太厚赤，则青芯片浮热阻守过大割。因耀此，僵在工样艺操仰作过趴程中草，一南般硅意片的秀厚度申都在作30辣0u研m胸以上竿，但裂最后仔要减婶薄到骆15榨0犹～想20蚕0u腐m逆。硅推片的脾质量毛指标熔主要费是要朋求厚做度均窗匀，叔电阻昨率符拣合要视求，资以及涉材料则结构辈完整双、缺柴陷少涉等。纷5.物2.谈4篮晶体身管的排横向政设计挤5.哗2.笼4厘.1周惯晶体息管横独向结土构参精数的煮选择爹(1醉)帮横向患设计辆进行投晶体扫管横麦向设盗计的暗任务侵，是种根据善晶体拌管主隔要电兽学参晃数指才标的帽要求望，选锡取合滑适的胆几何阔图形与，确愚定图稀形尺钟寸，苹绘制盏光刻汗版图纠。晶践体管头的图琴形结泻构种明类繁驴多：筛从电您极配夕置上薪区分爽，有歇延伸肉电极叉和非奏延伸莲电极您之分自；从提图形徐形状岁看，救有圆阔形、敌梳状嘴、网舅格、柏覆盖将、菱慢形等夺不同交的几贯何图悼形。浮众多怨的图皂形结殿构各盏有其辟特色秆。蓬此次朵设计破的晶罗体管扩只是曾普通纷的晶秘体管阻，对迎图形型结构绞没有笔特别圈的要程求，榨所以角只是们采用概普通知的单抵条形之结构络。三超极管杏剖面渣图如妈图挂5切，三源极管鸽俯视絮图如耗图炸6吓。喜图慨5传：三瞧极管熊剖面即图坐图柔6称：三缠极管刻俯视艳图干(聚2终)遥基区忌、魂发射矛区与鉴集电胜区面交积的思计算累基区和面积亚无特衫别要轿求，荐取有泻效的猴根据山设计罪要求聪，涉啦及到纺集电足极电同流驼受基瘦区电跟导调刷制效专应的舌限制昏。有冲公式雹：热由最嫩大饱肤和压限降辛V沉CE狡S巾≤靠2V帽可得奏到：问攀央迁垃跟命渠如匹毒虎呆（啦8）乎其中腔、膛为临悠界饱冷和时信的结过压降修，通约常食V忘，毯可以最到《守半导芹体物尾理学骂》第疾七版脸，电必子工鼠业出典版社虚一书泻的1抱24懒页，堤图4赵-1烂5进勾行查麦得吉，由旁（8乔）式衬得：倡另外奴，为秆满足昨散热皂要求分，取遥A庆C妨要大病一些百。芳故最暴终决营定的恩三个哀区的桌面积堤分别科为肤，顺，隔5.雪3惰工艺温参数咏设计跟5.拾3.圆1雀晶体谷管工纺艺概比述声在集钻成电戚路工冰艺中疮，最耽早得醒到广胞泛应筝用的填一种莲双极炊型工缎艺技也术就伐是所帐谓的蜜三重箩扩散属方法孔，由腾于其缴成本顾低、启工艺猛简单弓以及跃成品滩率高讯等优蒸点，骑这种倡技术眠直到项今天挠在某绪些应奔用领丹域中感仍然浸在继症续使彼用。吼这个正工艺胆流程敢只需浸七块板光刻劈掩模唯版，附首先犬在长N愧－灯衬底袜上生乖长一仍层初芹始氧念化层更，并造光刻傻出扒P磁＋四保护延环扩须散区旺窗口过；保僵护环足扩散瞒推进稠完成煤后，占去掉烛初始篇氧化松层，蝴重新育生长熊第二饶次氧嚼化层貌，并掩光刻啄出集婚电区缩注入最窗口腥；集劲电区诊注入惩推进觉完成染后，柄把二溪次氧友化层属去掉移，再户生长应第三炭次氧距化层李，并累光刻淡出基监区注过入窗要口；但完成非基区美注入级后，欺去掉曲三次奇氧化潜层，鞋并对豪基区歇杂质给进行饿退火称激活恳，然品后生案长第脑四次竿氧化弄层，司并光护刻出探发射哈区注唉入窗偿口；宽发射枣区注慈入完胶成后疲，再恋把四剑次氧始化层很去掉膨，并葬生长咳最后杂一次巨氧化案层，夕在这吼层氧浇化层阶上光家刻出蠢基极早欧姆欠接触协区窗或口；肢然后材进行席基极愈欧姆斑接触择区的忌N掘+撞注入冰，并乞对基辩极欧妈姆接砍触区右和发抖射区留注入隐层进售行最乘后一寸次退也火激脸活；裤接下三来沉瞧积欧己姆接棕触区穷保护被层、愤开接非触孔跟、形焰成金汇属化啄导电象层并双对其伴进行爽光刻胁和刻钞蚀。守在基隆本的逃三重夕扩散还工艺说技术避基础震上所袖做的燃改进育之一乞就是杂增加拜一个演集电凯区埋樱层，区即位太于集菜电区争下面列的一旗个重饺掺杂鞭的扩垮散区丸，它户可以色使集灵电区粘的串寺联电倡阻大色大减盆小。被引入麦集电橡区埋尸层后仅意味贵着集皆电区黑本身裁必须赖通过雾外延狂技术圣在衬绸底上誉生长鸣出来下，这奥项技亿术称宰为梯“孟标准甜埋层僵集电针区工夏艺（要SB肃C竖）密”近。很不同脆的制霜造工芳艺会成产生哭不同建的发滔射结普寄生睁电容把、发裁射结款击穿便电压全及基栋区接改触电舍阻等准。从球历史什发展意来看渗，双殿极型玉晶体躲管的题性能涛在很务大程陆度上凶受其惹寄生臂参数嘱的限糖制，辫在这贱些参模数中岸最主洽要的莲是与贷欧姆首接触陪区或焦器件爸非本贝征区脉有关垮的结造电容况。三肢重扩隆散工枣艺或胜标准罚埋层值集电是区工吐艺具俭有较死大的干非本废征电明容。往较为仅先进迁的双蜓极型上器件钳工艺扔则利莫用自趁对准享多晶王硅结诵构形舍成器图件发质射区形和基肥区的仔欧姆涝接触修，而宵金属孟和多惩晶硅曲的接婶触可瞧以在毙较厚娃的场便氧化机层上膀制备鸭形成从，这缝样就什使器异件的唇结面屈积大晕大缩仪小。讯此外滴，利稀用多耻晶硅钢形成坐发射盼区欧批姆接五触，资还可脆以使扒器件晌的本括征电役流增诞益有歼所增淘大。殖5.狡3.器2或工艺燃参数肯计算退思路动计算磁思路渴：发惊射区些扩散芦时间防氧化显层厚枣度孩在发扮射区访扩散哪时基艇区扩尤散结称深糖基区煌扩散滔时间栋基区狼掩蔽稳层厚誓度押氧化同时间姻。盯由于锁二次蹦氧化罚，必庙须在欢考虑结基区纺扩散泉深度籍时须驾对发有射区味掩蔽丰层消锈耗的踩硅进称行补乒偿（睁在前姿面计括算收已将葡它计驴算在茫内了倾）。蜜下表欣是计撒算扩招散系仆数过流程中拨要用怎到的兔：殊表兼1蛇：硅祸中磷饮和硼绞的来与替（微逝电子突工艺挺基础史11泛9漏页表助5-捉1熟）快杂质惜元素伞磷（见P嫁）筛3.垄85趋3.杯66膝硼（捆B笔）挠0.献76业3.铸46界表踢2薄：二抽氧化糊硅中护磷和望硼的傍与皱（微猴电子仅工艺却基础迅10夺6季页表纺4-篇6投）巾杂质仪元素性磷（你P胆）告1.捧75干硼（类B圾）猪3.寇50牧5.落3.界3凯基区暖相关招参数抓的计咸算过撞程：缘（盈1却）预贯扩散宅时间详PN问P遵基北区的眠磷预铁扩散内的温蛮度昆取触80撞0丘℃解，即依10污73续K亩（规坦范取夏值到磁11遇20肾℃黑，但舰是这荐样得歪不到煎合理女的预质扩散普时间鉴，所科以降匹低温近度来喘处理怒）快由公堂式其中孤图刮7仗疗杂质障在硅谣中的肝溶解起度（妹实用陶集成盖电路屈工艺酬手册拖10括7赶页图烤6-叼7虹）若由瓣图筑7蛾可喊得，萍在琴80堪0秃℃貌时磷均在硅进中的读固溶犬度为订，清但是讲这里胳的数杨据比奴较大脂，为令了计敲算的倦方便涨故这版里的禁表面没浓度燃取费（预哑扩时雕间在神合理赛范围供）故研（马2负）氧讨化层裹厚度软：芝氧化充层厚冷度的绿最小熄值由锐预扩董散换（兆10养73坝K启）袄的时婶间杰t饮=1厕84和8拿s满来决烛定的弱，且馅服从唐余误趴差分复布，凤并根田据假丹设可才求切。丰考虑切到生扬产实落际情驼况，会基区扬氧化秘层厚扎度无取这为肌60枯00逐(C布)霞基区舱再扩江散的辨时间吃：践本来姐应该吸取牲11仙20饺℃出，但破是为拒了能宴够得坦到较妻快的欧主扩脸时间设，所语以主既扩温鸣度取铜到了柔12县50阻℃冒（温15胜2足3K悉）翁，这妻时的饺由于少预扩挤散的痛结深辜很浅速，可巡将它葬忽略纸，故倦，功由再照扩散赚结深循公式迈：讲，而且昨故可咬整理斑为：即富经过岗化简题得，舌利用端MA足TL健AB剑软件凶求解掠方程卫，得伟t=扶24哀96谎7s所=6泽.祥93况h狗5.音3.朴4港发射纺区相辛关参购数的琴计算稿过程乞（拌1挖）预两扩散课时间张PN武P乎发射很区的修磷预跟扩散豆的温纸度五这里形取晴95永0瓦℃辜，即祖12显23弱K厌由公翁式其中窜由上靠面的捉图广7乞可粪得，绵在冷95叹0繁℃腥时恢硼挣在硅总中的燕固溶栗度为崇，帝即此特处的故为（旋2窑）氧鸣化层猾厚度批：劲氧化学层厚咸度的具最小姿值由选预扩缸散分（眨12牙23滴K抛）滩的时捎间索t岗=哲21稠01稿s贴来决笼定的武，且钻服从图余误业差分姐布，徒并根茅据假贯设可父求边考虑挪到生屑产实停际情嘉况，厘发射慕区氧辽化层瓜厚度稳取洽为醒7提00听0财(C途)速基区肤再扩职散的凤时间施：山主扩讽温度谨取盘12嫌00压℃谦（股14埋73无K跑）活，此相时有纯由于垮预扩涨散的星结深伐很浅烧，可软将它螺忽略做，故残，挎由再毅扩散豪结深扎公式典：扮，而且鄙故可懂整理焰为：即紫经过为化简雁得，示利用黑MA烤TL城AB蚂软件傲求解忙方程怒，得森t=希75悬15贤s=狠2.名08杨h却5.也3.致5岂氧化始时间盗的计枕算进表荣3社11愤00筑℃咳的干陪氧和醉湿氧炕的氧比化速密率常轧数（菌半导路体制药造基说础朗41晋页）宣A(谅)孝B(耍)露B/决A(搁)岸干氧昼0.拆09强4.蹄56倍湿氧询(9霉5街℃比水汽舱)蚁0.泡11环0吩表链4絮逐1川2揉00查℃病的干拴氧和杏湿氧香的氧货化速仿率常灶数（桐半导嗓体制券造基寺础稠41盟页）智A(酬)丝B(矩)世B/夺A(潮)内干氧狮0.椒04殊1.企62农湿氧旺(9帆5芽℃袖水汽兄)政0.描05挡0东（棵1绍）基品区氧仪化时昏间培由前炕面算森出基焦区氧红化层看厚度糟是投60映00源，如竿果氧堪化温速度是姿11真0责0梨℃创，要僻得到棚60交00穴的氧有化层得，嫩可以器采用挎干氧鬼－湿呜氧－拖干氧餐工艺钟,敞因为翼所以地可以裕根据纵所需乐厚度帽来算值时间鉴可以蓄先后碗干氧澡各络5话00猜，然漏后湿扫氧搜5蕉0狠00牙，根强据平11覆00驳℃异的相摔关系煌数代欺入上能述式旦子，窝则可幻以得怕到：慎11站00庸℃梅干氧战，肃11裁00叙℃口湿氧尘，将扩上面烧的厚管度对销应代捎入，每可以颈得到节干氧刑时间脱和湿夏氧时安间：卵即干牌氧杜11连mi占n州（忍5格00黑）均--餐湿氧甲36肆mi哪n(境5喷0起00桶)—裤干氧蚁11丛mi躁n(两5头00秒)膏(2激)兼发射迟区氧格化时把间想由前逗面算欠出基宪区氧酱化层零厚度衔是话7睡00岗0奔，如根果氧阴化温肃度是构12福0通0粥℃霉，要生得到奇7德00侮0录的氧愁化层奶，句可以歇采用徐干氧绿－湿缸氧－毕干氧料工艺扭,础同样崇根据愤来算著时间市可以撇先后使干氧卖各孝10芹00则，然约后湿腹氧丽50喷00办，根艺据狡12阅00兽℃般的相率关系肠数代江入上盼述式坐子，粗则可浮以得迟到：迅12卸00膀℃较干氧运，丢12监00洋℃趟湿氧唉，将狱上面勒的厚沙度对下应代豪入，泊可以驳得到耍干氧我时间时和湿吩氧时流间：耽即干两氧细17延mi咳n历（熄10堡00后）普--冶湿氧蝶22默mi佣n(葛5昏0担00具)—蔑干氧葬17诸mi些n(骡10鸡00榜)估5.汽3.鸽7它设计搅参数王总结捷采用泪外延拨硅片区，其恳衬底胳的电需阻率同为滔7幸的盼P臂型硅悼，选摩取末<1陕11末>胸晶向笑。跨表屠4剥：振设计眠参数权总结封列表觉相关谎参数座集电宾区切C蓄基区金B福发射晨区尾E学各区条杂质破浓度器少子凑迁移赔率赔13饥32疑43父7仁2恰0拌0别扩散铺系数赔34烈.图49觉88牛11象.3始18打3司5.鉴18查电阻含率栋7谋0.英5旦0.庸04戒5壶少子峰寿命谅扩散拐长度针结深名/W重(禁)矛面积狮(衰2肥)信6贡00泻10芬0句30槐扩散趴温度病(便℃希)弓和两时间菠预扩窃散厘/唇80假0完℃是,1旅84亮8待95龄0敲℃芬,2经10柿1胸再扩冬散税/克12趋50新℃谎,迷24瓜96什7政12歼00察℃着,束75分15合氧化耳层厚只度梨(机)屯/氧60烫00奇70榴00送氧化雁时间敢/丽先干柴氧氧沃化梅11跑分钟确，唱后湿喜氧氧春化馋36碎分钟合，再狡干氧报氧化虹11三分钟正。夹先干严氧氧族化渗17扩分钟羽，薄后湿扒氧氧杯化混22絮分钟急，再妖干氧飞氧化些17朝分钟陡。下六、旁工艺裁流程距图抓PN浇P嘉晶体狼管生华产总西的工比艺流胳程图毯：砍七、馋生产宗工艺槐流程狡7.亡1档硅片虚清洗垫1.镰清洗叠原理贿：赖a.主凯表面淋活性四剂的碗增溶匠作用陆：表天面活傍性剂宅浓度晶大于矛临界升胶束鸦浓度雁时会发在水肚溶液哀中形背成胶顷束，邀能使何不溶宇或微谅溶于变水的办有机子物的机溶解嫂度显仍著增票大。蚁b.封表面唉活性尤剂的想润湿亭作用捏：固曲－气土界面羊消失索，形出成固垒－液递界面时c.久起渗转透作笼用；言利用券表面堡活性歉剂的颜润湿胸性降葱低溶另液的葵表面拌张力拼后，级再由熄渗透扶剂的彼渗透佛作用冰将颗明粒托罗起，哭包裹静起来搅。具壤有极箭强渗站透力属的活搅性剂排分子邪可深鲁入硅桐片表扯面与任吸附腐物之眠间，轻起劈者开的惑作用裹，活堆性剂浅分子璃将颗救粒托奴起并休吸附鲁于硅稳片表忍面上农，降锡低表然面能然。颗块粒周胞围也烧吸附跳一层雷活性轨剂分衔子，满防止纽颗粒灯再沉壤积。周通过四对污认染物氧进行损化学拐腐蚀幅、物于理渗蝇透和台机械尽作用问，达申到清洞洗硅勉片的兽目的亏。开硅片搬清洗桑液是输指能闻够除色去硅孕片表虏面沾我污物设的化顺学试顾剂或吓几种悬化学遣试剂早配制滩的混六合液仅。常兵用硅趁片清踢洗液耀有：辅名称克配方勺使用捕条件苍作用搁备注萍Ⅰ笔号洗供液乞NH赏4理OH亡:H和2柜O秆2枪:H侧2凳O色=1品:1脏:5骨→绪1:望2:名7纹80徒±新5主℃结10薪mi夫n攀去油宵脂芽去光太刻胶心残膜凝去金山属离抵子载去金租属原炒子熟Ⅱ油号洗哄液寨HC刻l:为H猪2暴O拾2守:H蚊2馆O翼=1贵:1剧:6文→炮1:滴2:淹8葬80炒±裳5舍℃纽10刺mi蛇n览去金荡属离藏子杯去金迅属原干子乒Ⅲ榴号洗因液呈H扒2碰SO贯4究:H秆2违O厉2伶=3须:1肠12梯0丘±奉10火℃杠10波~1鬼5m杯in胳去油本、烦去腊沉去金昏属离每子峡去金臂属原红子篮7.叼2勤违氧化吧工艺舅7.武2.绩1招.饱氧化纳原理渣二氧抓化硅协能够记紧紧槐地依哑附在牺硅衬应底表念面，往具有峡极稳滑定的算化学糊性和灯电绝仓缘性将，因辣此，至二氧铜化硅赤可以活用来驼作为柳器件糊的保说护层锈和钝孤化层施，以风及电贵性能买的隔服离、钱绝缘著材料蝶和电戴容器助的介忽质膜偿。寄二氧呢化硅青的另昏一个钩重要屈性质震，对雪某些攻杂质披（如勤硼、教磷、茄砷等答）起吴到掩袜蔽作处用，袋从而娃可以描选择偏扩散搁；正精是利脖用这相一性挨质，名并结犯合光劫刻和解扩散辣工艺刺，才始发展亩起来驶平面控工艺她和超语大规涉模集没成电伴路。援制备有二氧昨化硅库的方毒法很往多，允但热胆氧化租制备会的二以氧化羊硅掩屯蔽能乡力最哲强，泼是集扒成电仗路工惧艺最早重要叛的工难艺之贿一。咬由于渠热生缩长制值造工拾艺设洽备简挣单，辣操作康方便桂，辽Si拾O迅2爸膜较法致密粮，所帮以采妄用热伍氧化贱二氧费化硅种制备贷工艺勒。肠热生徐长的身方法梯是将群硅片削放入工高温沟炉内否，在塑氧气测氛中寇使硅司片表厦面在之氧化薯物质胖作用转下生急长很Si寨O脑2萍薄层无，氧歇化气幅氛可志为水风汽，线湿氧沙或干愁氧。悟实验狸表明巩，水染汽氧劝化法搅：生歉长速塞率最哄快，千但生耐成的食Si否O受2太层结湿构疏塔松，娱表面放有斑叶点和屈缺陷倡，含劈水量述多，锁对杂掠质特牛别是留磷的毯掩蔽缩以力勺较差宿，所渔以在夸器件榜生产落上都骡不采姨用水基汽氧委化法栗。里（周1土）干移氧法锐:陡生长后速率欲最慢鸣，但甘生成婚的亦Si慈O惯2公膜结尖构致公密，穗干燥扫，均嗓匀性广和重梁复性分好，喉掩蔽妹能力贺强，靠钝化追效果养好，跨Si袄O呼2年膜表巨面与窃光刻舰胶接潜触良掌好，恼光刻箱时不枕易浮抄胶。学（愤2骑）彼湿氧浴法霞:凤生长属速率躬介于淋前两矩者之梦间，胶生长系速率绢可通鞠过炉阿温或打水浴桃温度费进行尤调整拼。使劝用灵慕活性简大，衣湿氧邻法生习长的磁Si宾O盈2晕膜，兰虽然华致密僻性略絮差于歇干氧捏法生舱长的趟Si荒O筐2冲膜，潮但其私掩蔽甜能力啦和钝阀化效慌果都牲能满词足一缠般器诵件生坚产的诵要求爬，较教突出准的弱樱点是应Si遮O待2烫表面蛙与光圈刻胶梁接触沿不良松，光跑刻时饼容易胃产生晌浮胶蹄。生有产中悲采用恐取长然补短液的方眉法，愤充分栏利用羽湿氧闻和干恐氧的歪优点邻，采软用干独氧俭—绸湿氧帖—齿干氧旬交替眠的方目法。嫌根据枣迪尔痛和格送罗夫针模型储，热捎氧化高过程虎须经趟历如夹下过肺程：酱（游1吸）氧碑化剂汉从气夫体内鹊部以性扩散课形式甜穿过疾滞流泽层运部动到屯Si声O朱2剑-叛气体闲界面颜，其灭流密气度用策F1民表示油，流洒密度掘定义爷为单愈位时妥间通绒过单呢位面溜积的椒粒子猎数。妹（袜2纹）氧畏化剂鸭以扩强散方盘式穿卸过毕Si票O掉2宇层（顶忽略于漂移燕的影肆响）俩，到桌过恢Si渡O猛2塌-脖Si被界面睡，其出流密用度用舰F2岁表示予。乌（小3榜）氧术化剂争在幅Si掩表面雁与阻Si勇反应辛生成享Si线O悟2牌，流门密度虫用邀F3箭表示宣。滚（宵4需）反迅应的朱副产镇物离语开界汇面。矮氧化充的致逮密性乔和氧斥化层横厚度脾与氧土化气壤氛（抵氧气称、水妙气）绑、温炮度和剥气压愿有密锈切关齿系。变应用扬于集嫁成电僚路掩载蔽的驴热氧冈化工哈艺一茧般采绘用干愚氧字→限湿氧予→果干氧府工艺独制备员。称7.膊2.选2岩.助氧化羽工艺愁步骤信（商1督）开访氧化汇炉，拼并将欠温度愤设定燃倒耻75燃0-搏-8振50蜓℃犬，开勾氧气值流量活2望升燕/驼分钟俱；阁（帆2晶）打横开净往化台雁，将照清洗茅好的扬硅片璃装入认石英臂舟，现然后赢，将回石英蝇舟推天倒恒斤温区肥。并贺开始置升温鱼；斑（熊3俭）达菌到氧需化温链度后旁，调营整氧吴气流电量辈3交升敲/女分钟猛，并旺开始插计时蹄，师确定棚干氧棋时间恐。碑在开肯始干赛氧的愿同时筒，将武湿氧盐水壶笨加热崇到可95帝-9燥8浓℃莫。干递氧完汉成后匹，立捐即开虫湿氧妄流量白计，斤立即式进入路湿氧巴化。君同时体关闭晶干氧网流量公计，滚确定恩湿氧揉时间张；应（雨4巴）湿疫氧完缓成，社开干茅氧流忆量计细，调鸣整氧育气流蚀量冰3趋升精/轨分钟咳，并凳开始把计时毒，析确定粪干氧申时间棵；忘（良5够）干谨氧完专成后县，开赏氮气洗流量逼计，权调整直氮气疾流量纸3晨升籍/等分钟蝇，并瑞开始员降温霸，降川温时展间跟30盼分钟胳；浸（券6辅）将针石英榜舟拉接出，划并在映净化犹台内顷将硅膝片取野出，费同时望，检欲测氧园化层丛表面红状况明和厚感度侦；彻（霜7书）关舟氧化干炉，宜关气扛体。浆7.服2.桐3淋测量悉氧化秃层厚冬度授测量金厚度维的方菜法很笛多，布有双屿光干宪涉法敌、电僚容说—贫压电皱法、哪椭圆忠偏振萝光法机、腐有蚀法弦和比邻色法暑等。上在精寒度不矮高时绿，可坊用比糕色法启来简效单判栏断厚体度。屯比色午法是国利用甚不同针厚度途的氧腿化膜太在白浙光垂让直照盈射下海会呈巴现出饺不同棋颜色垂的干豪涉条绩纹，膛从而角大致捞判断善氧化兼层的腿厚度百。够颜色蛮氧化辉膜厚末度（幕埃）棒灰裤10栋0忌黃褐贺30灯0饶蓝任80鼓0狂紫沟10挥00煎27霸50奸46敢50菊65扇00蜘深蓝谷15榴00挡30叹00凝49飘00杆68寸00跳绿急18框50孙33拳00贴56伶00连72忍00姑黃抹21切00做37携00碧56晴00智75易00立橙忍22怀50弟40求00舟60玉00毕红绒25跨00之43梢50拥62腥50曲7.槽5残第一拌次光等刻工纲艺（喊基区特光刻济）绳（烤1孝）、胶光刻飞原理趟光刻唐工艺斤是加拍工制芳造集艘成电雕路微玩图形蝶结构等的关偷键工钞艺技蛮术，膜起源舒于印隙刷技纹术中落的照躺相制略版。榜是在制一个钟平面洞（硅酱片）败上，表加工腊形成拿微图悔形。何光刻拍工艺柱包括扣涂胶丙、曝叙光、嫌显影吓、腐册蚀等嫂工序苹。集咳成电酒路对衔光刻艘的基廉本要旗求有绵如下廉几个芽方面慌：区（零1玩）高罚分辨牛率：家一个豪由筐10袭万元什件组男成的娱集成件电路酬，其服图形嫩最小姓条宽绍约为甩3u却m汽，而界由认50悉0确万元贡件组赌成的踩集成缴电路钢，其撇图形叶最小昆条宽淡为弱1.壶5-沟-2贴um秀，百咱万以惊上元男件组百成的冻集成座电路撤，其沾图形该最小隔条宽缸≤埋1u灰m些，因属此，纽集成雪度提挤高则晕要求薪条宽证越细尖，也推就要办求光渣刻技拢术的稠图形射分辨顽率越弟高。束条宽细是光于刻水起平的拼标志术，代晓表集刘成电俊路发招展的颈水平勉。亦（劣2扎）高肌灵敏硬度：输灵敏湖度是域指光样刻机锈的感宇光速奋度，引集成番电路胀要求姜产量黎要大浪，因投此，截曝光延时间军应短债，这愈就要须求光央刻胶报的灵龟敏度缸要高素。黄低缺叠陷：银如果秩一个绞集成雁电路步芯片寿上出比现一俘个缺搞陷，广则整哄个芯酬片将茅失效社，集果成电封路制锋造过凝程包抗含几捧十道潜工序姑，其抄中光条刻工沾序就肆有斤10御多次杯，因饺此，潮要求串光刻促工艺玻缺陷奔尽量戒少，脾否则章，就售无法甚制造忙集成波电路陆。站精密岸的套窄刻对糟准：以集成梨电路晌的图唯形结倾构需敌要多愤此光确刻完滑成，悄每次踢曝光期都需皱要相半互套仓准，搏因此肤集成魄电路粒对光芳刻套胜准要挡求非跨常高僵，其雹误差值允许押为最渠小条欠宽的贷10行%倚左右垒。鹊集成抢电路脸所用灰的光棋刻胶魂有正待胶和自负胶网两种球：正探性光格刻胶芒通常加由碱姿溶性拿酚醛呈树脂顿、光仓敏阻耀溶剂愁及溶粪剂等祸组成乘，光展敏剂符可使企光刻扰胶在痕显影都液中动溶解泽度减万小，通但曝储光将掘使光拾敏阻串溶剂努分解阅，使爪光刻疗胶溶存解度盛大大嗓增加遮而被乱显掉月，未窜曝光浊部分随由于奶溶解蓝度小佛而留惹下。绢负性辟光刻杂胶和肤正性丘光刻便胶相说反，拴负性沙光刻爬胶在素曝光迹前能爸溶于份显影岸液，伐曝光霸后，跃由于嫌光化伶反应窄交链胜成难宾溶大椅分子认而留铺下，扇未曝绩光部庆分溶蒙于显侮影液膨而去差掉。引由此糖完成欠图形唤复制困。本之次采孩用正妙光刻蜜胶。闯（镰2拼）工何艺步立骤恰1)置脆准备践：跃A)载录开前城烘，鸽坚膜该烘箱诵，前悬烘温全度设堡定巾95崭℃致，坚公膜温京度为陆12慧0坐℃佣。诞B)势速涂胶李前腾15阔分钟巴开启哨图胶晕净化商台，椅调整薄转速浑，以矮满足染生产辣要求拢。娃C)网匀光刻墙前权30术分钟乱，开枯启光揭刻机缎汞灯廊。贪D)领罢开启骆腐蚀需恒温芳槽，续温度除设定假40愉℃是E)饮繁清洗撤胶瓶议和吸颤管，纵并倒乘好光苹刻胶泊。劳F)奥贱清洗融掩膜法版（榆基区书光刻别掩膜蛙版）捉，并野在净妙化台句下吹稻干词2)风罪涂胶煌：彼光刻肝工艺促采用篮旋转蛛涂胶阻法，肥涂胶涛前设丑定好孕予匀泽转速命和时狱间，嗽甩干沸速度拐和时粒间。俭将氧调化完姓成或兴扩散粥完成定的硅清片放逐在涂描胶头期上，嗽滴上决光刻箭胶进作行涂虫胶，伏要求度胶面拌均匀贝、无虑缺陷避、无展未涂燕区域鸭。写3)资忆前烘状将涂时好光杂刻胶忌的硅朵片放讯入前纤烘烘厚箱，乔并计准时，轨前烘患完成匀后将把硅片溪取出喘，上4)炎徐对准县将掩笋膜版罩上在削光刻活机上烂，并誉进行吓图形麻套准惹。百5)残团曝光坊康翁士攻室鼓涝秃混版扰呼印寒副络厦氏6)默瓶显影裤此采仆用浸宇泡显蝇影，央分别矩在皇1#夫显影锣液，吼2#点显影拢液显繁3-欠5种分钟胃，然比后在逢定论皂充卷哑粗贪默族规截乡体歼亭梦躁浸版楼融7)裤闹坚膜焰在显定影检棵查合舍格后仁将硅范片放舌入坚佣膜烘焰箱进班行坚矛膜，枝设定奔坚膜鸽时间发。播8)仰数腐蚀训将坚买膜好旁的硅梦片准意备腐蛾蚀，究首先白确认谁氧化啦层厚寺度，澡计算垦腐蚀册时间形。然罚后进居行腐遮蚀，伏腐蚀在后冲劲水度10孝分钟肃，甩辜干后绒在显织微镜孩下检要查是腹否腐邮蚀干筋净，遥若未轨腐蚀口干净揭继续奸腐蚀野。疫9)故校去胶梨硅片间腐蚀之完成大后，绿在美3#满液中珠将光镇刻胶但去掉搁，并假冲洗累干净侍，工娱艺结雾束。梦7.缝6翅硼扩碧散工络艺但7.刮6.壳1觉原理叼扩散帽是微钩观粒屋子的妄一种旨极为讯普遍会的热荐运动工形式茧，各抬种分猾离器祖件和壤集成阶电路凉制造膊中的波固态锡扩散盟工艺炼简称顽扩散博，硼此扩散伤工艺衔是将欺一定侨数量保的硼皮杂质梁掺入刊到硅疼片晶继体中偏，以泻改变弓硅片葛原来另的电请学性姥质。捧硼扩猛散是喘属于荡替位放式扩洗散，州采用筛预扩派散和刊再扩晓散两济个扩横散完购成。社（康1策）预在扩散欲硼杂坏质浓侦度分嫂布方娱程为森：姨表示席恒定吊表面招浓度尸（杂钩质在来预扩贡散温眉度的飘固溶旧度）冻，色D茄1保为预幸扩散钢温度偿的扩妇散系籍数，膊x宋表示呼由表妄面算请起的挨垂直取距离照（鲜cm胞）拴,绿他为序扩散础时间凝。此退分布袍为余麦误差月分布出。跑（摸2肌）再沃扩散毛（主危扩散锋）画硼再偷扩散取为有嘉限表词面源铺扩散闻，杂援质浓窃度分说布方晶程为庭：梨其中踩Q牲为扩培散入大硅片宝杂质拳总量丹：彼D答2聋为主显扩散表（再细分布份）温然度的扣扩散竟系数斜。杂日质分板布为绞高斯窝分布席。泥7.尤6.次2派工艺够步骤钱1)掏恐工艺蜜准备炕A)煤惜开扩是散炉掀，并棕将温仓度设胖定到坛75杏0-绢-8仰50夹℃址，开量氮气虏流量杀3饰升缝/校分钟锅。毯B)涌象清洗阔源瓶夹，并芹倒好猎硼源跟（固身态源梦，由阿氧化鼻硼与纸其他刚稳定饮的氧贝化物道压制齿而成碑）。助C)压木开涂亮源净同化台死，并洲调整杯好涂立源转准速。性2)背滑硅片沙清洗哪：清她洗硅触片（明见清业洗工杨艺）寨，将买清洗厦好的痛硅片览甩干脚。改3)佣漏将清筛洗干瞎净、踩甩干碧的硅弃片涂骂上硼昆源。背4)乳诞从石注英管滚中取类出石像英舟润，将揪硅片汪装在抖石英淋舟上内，并辈将石斜英舟扔推到俘恒温筝区。肉调节铅温控款器，佳使温惊度达塞到预汽扩散类温度仗，并春开始声计时热，时教间是次14耳99蛋秒（躲约菠25筒分钟洪）。诱5)捕销预扩盲散完踪成后爸，拉假出石犯英舟额，取淡出硅巨片，贴漂去讯硼硅若玻璃氏，冲株洗干驰净后万，检瓣测暴R役□邀值，里采用兵四探晕针法阻进行平测量而：伶四探喇针法衬中探域针等愧间距亲配置幼，有苦恒流堂源供艰给外娘侧两茶根探欢针一妻个小萄电流治I委，在怜内部陵两个征探针宝之间诚可以怠测到钱电压池V目，对攻于厚渗度远申小于姜直径淡d腔的薄吴型半扯导体絮样品活来说胶，电滩阻率垂可以炭由下跟式给舰出统:释式中规CF屿为修暂正因及子，皇它与窗壁纸抢d/浇s震有关程，促s远为探虫针间糟距，箱当倘d/担s>断20恋时，资修正埋因子壳为蜻4.硬54狂。跌（军6惕）将辱预扩劣散硅伟片用续2#守液清叙洗，盯冲洗梅干净脏甩干惊。技（慢7偷）取锄出再绒扩散斗石英锤舟，氏将甩灶干的邀硅片套装入锦石英府舟，锁并将糟石英昌舟推国到恒藏温区夕。调胳节温役控器跳，使帮温度踪达到芒再扩粮散温椒度拼12痒00绳℃允，调缝整氧巧气流糟量芳3裁升加/占分钟今，并寸开始愈计时惭，前辟面已搁算出嚼再扩伶散时颈间题86奸05吗秒（筹14唱3倘分钟吉），盈同时挎根据铲工艺渣条件辞先进峰行干引氧氧煮化。励（抽8板）调猜节氧泰气调教整氧界气流由量为现3羊升烈/录分钟椅，并屠开始停计时以，干覆氧时伸间是咳65车分钟松。在仁开始存干氧楼同时创，将寄湿氧宝水壶执加热烧到唯95忆℃顽。猛（羞9班）干享氧完鉴成后餐，开殖氮气乒流量僵计，另按工促艺条书件调健节氮珠气氧告气比唐例，险然后渗，开浇通源高阀，医使通察源流极量达板到工迟艺要逝求，戚并开读始计便时。悉（照10枕）干岛氧完李成后惰，开袍湿氧翠流量刑计，志立即挡进入绵湿氧贯化。予同时惑关闭祖干氧筋流量钟计。斜根据萝工艺教条件棉进行贩湿氧窜，湿喘氧时策间是前13政分钟汤。著（揉11园）湿乘氧完录成后巩，开狼干氧珍流量誓计，才调整造氧气吃流量党3揉升侍/熔分钟辜，并微根据蛙工艺惊条件辣确定丈干氧寻时间勿，干扶氧时速间是插65辟分钟匙。衰（玉12补）干万氧完述成后茅，开竞氮气丸流量信计，户流量原3便升峰/源分钟醉，根棉据工燃艺条队件，拜确定泉氮气前时间莫。艇（样13影）氮停气完放成后君，再扭扩散具结束青，调话整温铸控器晒降温后，氮兼气流卵量不希变，筐时间睡30象分钟芒。值（竭14奔）降硬温完曲成后粒，拉旬出石菜英舟小，取麻出硅妖片，狮检测犁氧化足层厚倚度、搂均匀闸性，缩漂去途氧化蚂层，歼冲洗角干净失后，品检测候R旗□搞值，沸结深边，突β聋值。腊（泳15基）将漏扩散班后的拌硅片帅交光舟刻工涂艺，苹光刻踢完成威后，秩检测桥击穿精电压盯、略β欠值。朱（奥16艘）根鹿据实勾测极β耳值，捧与工浮艺要轨求进搞行比受较，快如果伟不满伐足工筝艺条乞件，贫重新揪计算宅再扩流散时朱间，灰并制焰定再裂扩散孕工艺励条件居，至洲到达熟到设将计要卡求。盯硼扩冒散工棒艺结姜束。窝7.志7讲第二仓次光慰刻工彩艺（逢发射锋区光劣刻）火此次幻除了丈光刻诉掩膜搞版外纷（这的次用抛发射鹊区光并刻掩舱膜版购），山步骤卷与第阿一次兆光刻货一样恳，这锻里就巨不再番列出室。毛7.悦8夹磷扩金散工狠艺（露发射规区扩碎散）窗7.甚8.膏1潜工艺趋原理是（想1静）扩偷散是环微观慢粒子误的一隙种极晋为普含遍的州热运子动形廊式，萄各种底分离来器件帜和集阅成电车路制颤造中优的固锻态扩甜散工瞎艺简钢称扩董散，孝磷扩廉散工许艺是悔将一轮定数治量的蕉磷杂镇质掺逆入到荣硅片踪晶体茎中，渗以改未变硅悼片原川来的猎电学训性质日。编磷扩铺散是京属于归替位旺式扩剥散，梨采用平预扩挽散和彼再扩驳散两欲步扩细散法除，芹（遮2把）预游扩散心磷杂袋质浓劈度分汇布方日程为祸：弄表示贯恒定脖表面材浓度张（杂克质在保预扩保散温披度的席固溶销度）军，惭D抚1群为预悲扩散嚷温度联的扩歇散系写数，容x刊表示膨由表拆面算案起的缴垂直茅距离阻（绞cm贿）荡,缘他为今扩散趋时间砌。此库分布轰为余厕误差业分布目。猎（论3县）再些扩散窃（主切扩散样）娇磷再垄扩散迟为有纪限表寺面源肚扩散价，杂蒜质浓康度分忆布方霞程为博：末其中库Q堡为扩介散入携硅片飞杂质帐总量侄：绸D政2色为主晓扩散密（再弦分布苹）温龙度的卡扩散塘系数窃。杂较质分练布为掩高斯汇分别锁。促7.庄8.捞2霉工艺予步骤杂(简扩散干的过艺程同质时要芬进行行发射董区的可氧化夺)偶（我1稀