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单片机期末复习指导老师:东哥完成者:MZ硅片制造厂的分区胜片制造(前端Thinfilms抛光无图形的Diffusion扩散Test/Sort测试/拣选二氧化硅的制备方法■CVD(化学气相淀积)口PVD(物理气相淀积)口热氧化热氧化生成的二氧化硅掩蔽能力最强2、质量最好、重复性和稳定性最好降低表面悬挂键从而使表面状态密度减小,且能很好的控制界面陷阱和固定电荷热氧化法三种氧化法比较●千氧氧化:结构致密但氧化速度极低●湿氧氧化:氧化速度高但结构略粗糙,制备厚二氧化硅薄膜●水汽氧化:结构粗糙不可取实际生产:●千氧氧化+湿氧氧化+干氧氧化●常规三步热氧化模式既保证了二氧化硅表面和界面的的质量,又解决了生长速率的问题决定氧化速率的因素口氧化剂分压口氧化温度口硅表面晶向口硅中杂质硅一二氧化硅界面特性口硅一二氧化硅界面电荷类型●可动离子电荷●界面陷阱电荷●氧化层固定电荷●氧化层陷阱电荷杂质参杂口掺杂:将需要的杂质掺入特定的半导体区域中,以达到改变版胴体电学性质,形成PN结、电阻、欧姆接触口掺杂工艺:扩散、离子注入扩散机构替位式杂质和间隙式杂质间腺式杂质(杂质原子半径较小)替位式杂质杂质原子与本体原子电子壳层和价电子数接近,半径大小相当)扩散杂质的分布口扩散方式:●恒定表面源扩散●有限表面源扩散口实际方法●两步预扩散在低温下采用恒定表面源扩散方式主扩散将

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