电子技术基础与应用课件

电子技术基础与应用项目一认识常用的半导体器件知识目标:．了解半导体的基本知识．掌握半导体二极管和三极管的结构及性能．了解特殊二极管、三极管技能目标:．掌握常用二极管的管脚识别及检测方法．掌握三极管的管脚识别和检测方法．了解常用的电子焊接知识项目一认识常用的半导体器件

任务一半导体的基本知识任务二PN结及其单向导电性任务三半导体二极管任务四晶体三极管任务一半导体的基本知识任务目标:．了解导体、半导体、绝缘体导电性能的差异．掌握硅和锗本征半导体的原子结构及导电性．掌握杂质半导体（包括P型和N型）的原子结构及导电性任务一半导体的基本知识知识一导体、半导体、绝缘体知识二本征半导体知识三杂质半导体知识一导体、半导体、绝缘体

导体：导电性能良好

如：金、银、铜、铁、铝等

绝缘体：不导电

如：陶瓷、玻璃、橡胶、塑料等半导体：导电性能介于导体和绝缘体之间。如：硅、锗、氧化物、硫化物等半导体：光敏

光照导电能力显著增强。

热敏

加热导电能力显著增强。

搀杂掺入微量杂质，导电能力显著增强。半导体分为：本征半导体杂质半导体知识二本征半导体纯净的、结构完整的半导体称本征半导体。如：硅、锗单晶体。

硅和锗原子结构示意图a)原子结构示意图b)简化模型硅（si）原子锗（Ge）原子硅（si）原子锗（Ge）原子+14+32+14+32惯性核价电子惯性核价电子b)a)硅单晶体共价键结构示意图本征激发产生空穴—电子对+4+4+热（或光）=自由电子共价键空穴价电子电子和空穴的移动1、自由电子+2、空穴–

本征半导体中有两种载流子（由本征激发产生）自由电子数=空穴数本征半导体导电能力很差！知识三杂质半导体根据所掺杂质不同分为1.N型半导体（电子型）纯净的硅晶体中掺入五价元素磷P形成N型半导体2.P型半导体（空穴型）纯净的硅晶体中掺入三价元素硼Be形成P型半导体N型、P型半导体中的共价键结构硅+4+4+4+3硅硅硅硼空穴+4+4+4+5硅硅硅硅磷多余电子硅

N型硅半导体中的共价键结构P型硅半导体中的共价键结构N型半导体中两种载流子1.自由电子——多子（由掺磷和本征激发产生）

2.空穴————少子（由本征激发产生）1.自由电子——少子（本征激发产生）

2.空穴————多子（掺磷和本征激发产生）P型半导体中两种载流子N型半导体简化结构示意图P型半导体简化结构示意图少子电子杂质离子杂质离子少子空穴多子电子多子空穴a)b)通过以上讨论可知：⑴在本征半导体中，掺入微量杂质元素，可以使半导体的导电性能显著增强，由于掺入杂质不同，可以形成两种不同的杂质半导体,即N型和P型半导体。⑵在N型半导体中，自由电子是多子，空穴是少子，在P型半导体中，空穴是多子，自由电子是少子。⑶N型和P型半导体都是电中性的，对外都不显电性。这是由于本征半导体和掺入的杂质都是电中性的，而在掺杂过程中，既没有得到电荷也没有失去电荷。任务二PN结及其单向导电性任务目标:了解PN结的形成掌握PN结的单向导电性。任务二PN结及其单向导电性知识一PN结的形成知识二PN结的单向导电性电子空穴对（本征激发）电子空穴对空穴扩散方向电子扩散方向P型N型知识一PN结的形成载流子的扩散运动扩散运动：物质总是从浓度高的地方向浓度低的地方运动，这种由于浓度差而产生的运动称为扩散运动。漂移运动：在电场力作用下，少数载流子的运动称漂移运动。例如：当空间电荷区形成后，在内电场作用下，少子产生漂移运动，空穴从N区向P区运动，而自由电子从P区向N区运动。PN结示意图耗尽层空间电荷区内电场P型区N型区知识二PN结的单向导电性RVb)IL+-EIRL+-EL+-EIVL+-Ea)图1.10PN结单向导电性实验电路外加正向电压PN结导通外加反向电压PN结截止PN结的单向导电性任务三半导体二极管掌握二极管的结构、符号和类型。了解二极管的伏安特性。了解二极管的型号和主要参数。掌握二极管的识别和简易测试方法。认识整流二极管、稳压二极管、发光二极管等常用的二极管。任务目标:知识一二极管的结构和类型知识二二极管的伏安特性知识三二极管的型号和主要参数知识四小功率二极管的检测方法知识五认识常用二极管任务三半导体二极管Va)结构a)b)正极负极管壳PN正极电流方向a)b)负极PN结b)符号1.结构和符号知识一二极管的结构和类型

半导体二极管外型a)大型金属封状b)塑料封装c)玻璃封装

2.二极管分类3)按用途不同分为普通二极管、整流二极管、稳压二极管、发光二极管、光电二极管、肖特基二极管等。1）二极管按所用的半导体材料不同分为硅管和锗管2）二极管按结构分有点接触型、面接触型和平面型三大类。a)点接触型b)面接触型c)平面型知识二二极管的伏安特性分为：正向特性反向特性（分为反向截止和反向击穿）图1.16二极管的伏安特性a)伏安特性示意图b)硅二极管的伏安特性c）锗二极管的伏安特性a)b)c)死区电压最大值叫门限电压，用表示。一般硅二极管的约0.5伏，锗二极管的约0.1伏。硅二极管的正向导通压降为0.7伏左右，锗管为0.3伏左右。0iD(mA)900C200C200C900CuD(V)温度对二极管特性的影响当温度升高时，正向特性曲线左移，反向特性曲线向下移。第一部分第二部分第三部分第四部分第五部分用数字表示器件的电极数目用拼音字母表示器件的材料和极性用汉语拼音字母表示器件的类型用数字表示序号用拼音字母表示规格号符号意义符号意义符号意义符号意义反映二极管参数的差异反映二极管承受反向击穿电压的高低，如A、B、C、D…其中A承受的反向击穿电压最低，B稍高2二极管ABCDEN型锗材料P型锗材料N型硅材料P型硅材料化合物PZWKL普通管整流管稳压管开关管整流堆CUNBT参量管光电器件阻尼管半导体特殊器件知识三二极管的型号和主要参数1.型号按照国家标准GB249-74的规定，国产二极管的型号由五部分组成2CZ54D规格号序号整流管N型硅材料二极管国家标准对二极管型号的命名举例如下：2.主要参数(1)最大整流电流指二极管长期连续工作时，允许通过二极管的最大正向平均电流。

(2)反向击穿电压和最大反向工作电压(3)反向电流硅二极管的反向电流一般在纳安(nA)级；锗二极管在微安()级。(4)正向压降硅二极管的正向压降约0.6～0.8V；锗二极管约0.2～0.3V。+—

观察外壳上的符号标记知识四小功率二极管的检测方法小功率二极管的检测方法+--+观察外壳上的色点观察玻璃壳内触丝。对于点接触二极管，如果标记已模糊不清，可以将外壳上的黑色或白色漆层轻轻刮起掉一点，透过玻璃观察二极管的内部结构，有金属触丝的一端就是正极。

小功率二极管的检测方法将万用表置于R×100或R×1K挡，先用红、黑表笔任意测量二极管两端子间的电阻值，然后交换表笔再测量一次，如果二极管是好的，两次测量结果必定出现一大一小。以阻值较小的一次测量为准，黑表笔所接的一端为正极，红表笔所接的一端则为负极。小功率二极管的检测方法用万用表测量判别黑表笔接二极管正极红表笔接二极管负极红表笔接二极管正极黑表笔接二极管负极小电阻大电阻小功率二极管的检测方法用万用表判别知识五认识常用二极管用在检波、限幅和其他小电流整流电路中。如2AP1～2AP9，2CP1～2CP20等。⑴普通二极管：⑵整流二极管：用在电源设备的整流电路中，将交流电变成脉动直流电。如2CZ11～2CZ27等。⑶稳压二极管：又称齐纳二极管。用在电源供给电路中，稳定电压值。如2CW1～2CW10等。

VZa)b)图1.22稳压二极管a)图形符号b)外形c)伏安特性曲线0IzmanUAUzUziz(mA)Izminuz(v)c)UBABIz稳压二极管是一个特殊的面接触型的半导体硅二极管，其V-A特性曲线与普通二极管相似，但反向击穿曲线比较陡，稳压二极管工作于反向击穿区。⑷发光二极管发光二极管简称为LED。由镓（Ga）与砷（AS）、磷（P）的化合物制成的二极管，当电子与空穴复合时能辐射出可见光，因而可以用来制成发光二极管，在电路及仪器中作为指示灯，或者组成文字或数字显示。磷砷化镓二极管发红光，磷化镓二极管发绿光，碳化硅二极管发黄光。发光二极管a)外形

b)符号c)发光二极管应用发光二极管发光二极管七段显示译码器的接法⑸光电二极管光电二极管是将光信号变成电信号的半导体器件。它的核心部分也是一个PN结，和普通二极管相比，在结构上不同的是，为了便于接受入射光照，PN结面积尽量做的大一些，电极面积尽量小些，而且PN结的结深很浅，一般小于1微米。光电二极管是在反向电压作用下工作的。没有光照时，反向电流很小（一般小于0.1微安），称为暗电流。当有光照时，携带能量的光子进入PN结后，把能量传给共价键上的束缚电子，使部分电子挣脱共价键，从而产生电子---空穴对，称为光生载流子。光电（敏）二极管光敏二极管⑹肖特基二极管肖特基二极管内部是一个金属半导体结。所谓金属半导体结，是在金属和低掺杂N型半导体的交界处所形成的类似于PN结的空间电荷区，其伏安特性与PN结类似，也具有单向导电性。肖特基二极管与普通二极管相比，有两大主要特点：一是肖特基二极管的导通电压低，约为0.4V；二是肖特基二极管只利用一种载流子（电子）导电，不存在普通二极管的少子，因此工作速度快，适用于高频高速电路。开关二极管任务四晶体三极管任务目标:1.掌握三极管的结构和分类。

2.了解三极管电流放大作用原理。

3.掌握三极管的型号了解其主要参数。

4.掌握晶体三极管外型识别方法5.掌握三极管简易检测方法。任务四晶体三极管知识1三极管的结构和分类知识2三极管的电流放大作用知识3三极管的型号和主要参数知识4三极管的伏安特性曲线知识5晶体三极管的工作状态知识6常用晶体三极管的外形识别知识7用指针式万用表判断晶体三极管好坏及辨别三极管的c、b、e电极知识1三极管的结构和类型一、结构和分类1.结构通过一定的制作工艺，在一块极薄的硅或锗基片上制作两个PN结就构成三层半导体，从三层半导体上引出三个电极，经过封装就成为三极管。a)大功率三极管b)金属封装c)塑料封装三极管的外形c集电极N集电区P基区N发射区发射极e集电结发射结b基极a)cbeb)c集电极P集电区N基区P发射区发射极e集电结发射结b基极c)cbed)

NPN型三极管a)结构示意图b)符号PNP型三极管c)结构示意图d)符号三极管制作时有以下工艺要求：⑴发射区掺杂浓度要很大，以利于向基区发射很多的载流子。⑵基区非常薄，其掺杂浓度比发射区要小很多很多，以利于载流子通过。⑶集电区掺杂浓度要小，体积比发射区大，便于收集载流子和散热。三极管分类①按内部结构分为：NPN型和PNP型②按设计结构分为:点接触型、面接触③按工作频率分为:高频管、低频管、开关管。④按功率大小分为:大功率、中功率、小功率。⑤按封装形式分为:金属封装、塑料封装。三极管的电流放大作用三极管的电流放大作用（1）发射区向基区注入电子（2）电子在基区的扩散与复合（3）集电区收集扩散过来的电子三极管内部载流子分配规律①发射极电流等于基极电流与集电极电流之和。即Ie=Ib+Ic②集电极电流与基极电流之比为一个常数，用表示（手册中常用表示）即③集电极电流的变化量与基极电流的变化量之比为一常数，用表示即三、三极管的型号和主要参数1.型号2、三极管的主要参数⑴晶体管的电流放大系数β，也可用hFE表示⑵极间反向饱和电流

①集电极-基极反向电流

ICBO②集电极－发射极反向电流ICEO⑶极限参数①集电极最大允许电流

②集电极最大允许耗散功率

③集电极-发射极反向击穿电压

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