透射电子显微学课件

第⼀节第⼀节把缺陷引起的晶格畸变看作操作反射g的微⼩变化 它可归结为偏离⽮量s的变化 g+q gθBg·

因为θBgθBg·¶Rg/¶xg很⼩，对缺陷衬度起主要作用的是g·¶Rg/¶z，因此 弱束暗场技术采用具有大偏离⽮量s的弱束成像，使⽆ dR=s=g·dR/dz的位置衍射强度最大，而显示缺陷衬度， 当s=0时，衍射束强度的最大值为1，变化周期为ξs>>1/ξg时，衍射束强度最大值为1/(sξg)2s2增大而降低；变化周期为1/s，随s绝对值增大而减⼩在样品的AB部分，s在样品的BC部分，s=0，在样品的CD部分，s>>1/ξg衍射束强度的变化周期与AB 在BC部分已转移到衍射束，CD部分的衍射束强度要明显高于AB弱束像的类型⼀般用ng/mg表 ng是用于成像的弱反 sα=(mn)由布拉格定律，θa=m-n2而s

s=(m-2

g

ng/mg

s=s=s=s=s=s=s≥0.2nm w=sξgsgs的范围，再确 ngOO

O2O

OgOg

hk

1g/3g样品绕X轴、Y轴和Z轴分别旋转α、β和γ角， T(a)=

cosa-sina

sinacosacos

T(b)=

coscosg-singT(g)=singcosg

双倾样品台处于零倾位置时（α=0，β=0），此时 sinbT=T(a)T(b)=sinasinbcosa-sinacosb

[u0v0w0]与[uvw]方向间夹角为Φ，样品倾转轴TC在样品倾转前后与X轴的夹角分别为γ0和γ，T'为 singsinFT¢=T(g)T(F)T(-g)=cosgsing-singcosgcosFsingsing+cosgcosgcosF-cosgsinF

晶体由[u0v0w0调整到[uvw]取向，样品绕样品台T1绕Z轴旋转γ0，绕TC轴倾转Φ角，再绕TC轴转γ角即，TTΦ=cosγ=tgγ0=tg1(sinβ/tgα)α=sin1(cosγ0cosΦ)β=tg1(sinγ0tgΦ)l0lΨ0和Ψ分别是样品倾转前后迹线投影与XABABAAB

⾯的指数 bcc

bcc bcc[1

bcc[110

第四 复杂样 技

Liftout1.双喷电解抛光2.离子减薄3. 50070100 <5

CUTTINGTOOL4x5mm CUTTINGTOOL4x5mmDISCDISCxy

COATWAFERSCOATWAFERSG1

565

TEFLONTEFLONSPRINGSPRINGSPECIMEN SPECIMEN

CUREONHOT130FOR10CUREONHOT130FOR10CuringTemperature GCuringTemperature CuringTime

2.3mm?2.3mm?对 对

COATTUBECOATTUBEG1

METALMETAL (10份G1剂(1份 Cup步骤 步骤 步骤步骤

G1

23456步骤

步骤

步骤 步骤Liftout

[0110111111102011111[10[10 [10 [1[100111111102011111[10[10 [10[1[1

1

[1[111]与[111]的夹角理论值为

1[ [1[ [1[1[1

[1[1αSi3N4

αSi3N4

[010]0020[0[[10

2211[[1[00 [[

[ ElectronMicroscopyofThinCrystals，Hirsch,Hwie,Nicho