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文档简介
专升本《CMOS_试卷_答案专升本《CMOS模拟集成电路分析与设计》一、〔75150〕GordonMoore在1965〔〕个月翻一番〔2分〕A.12B.18C.20D.24.标准答案:BMOS管的小信号输出电阻是由MOS管的〔〕效应产生的。〔2〕A.体B.衬偏C.沟长调制.标准答案:C在CMOS模拟集成电路设计中,我们一般让MOS管工作在〔〕区。〔2〕A.亚阈值区B.深三极管区C.三极管区D.饱和区.标准答案:DMOS管一旦消灭〔〕现象,此时的MOS管将进入饱和区。〔2〕A.夹断B.反型C.导电D.耗尽.标准答案:A〔〕表征了MOS器件的灵敏度。〔2分〕A.B.C.D..标准答案:CCascode放大器中两个一样的NMOS管具有不一样的〔〕。〔2〕A.B.C.D..标准答案:B根本差分对电路中对共模增益影响最显著的因素是〔〕。〔2分〕A.尾电流源的小信号输出阻抗为有限值B.负载不匹配CMOS不匹配D.电路制造中的误差.标准答案:C以下电路不能能使用半边电路法计算差模增益〔〕。〔2分〕A.二极管负载差分放大器B.电流源负载差分放大器C.有源电流镜差分放大器D.CascodeCasocde.标准答案:C镜像电流源一般要求一样的〔〕。〔2分〕A.制造工艺器件宽长比器件宽度W器件长度L.标准答案:D某一恒流源电流镜如以下图。无视M3的体效应。要使和严格相等,应取为〔〕。〔2分〕A.B.C.D..标准答案:A选择题:以下构造中密勒效应最大的是〔〕。〔2分〕A.共源级放大器B.源级跟随器C.共栅级放大器D.共源共栅级放大器.标准答案:A以以下图中,其中电压放大器的增益为-A,假定该放大器为抱负放大器。请计算该电路的等效输入电阻为〔〕。〔2分〕A.B.C.D..标准答案:A对电路进展直流工作点分析的Hspice命令是〔〕。〔2分〕A.DCB.ACC.OPD.IC.标准答案:C模拟集成电路设计中的第一步是〔〕。〔2分〕A.电路设计B.幅员设计C.规格定义D.电路构造选择.标准答案:C〔〕可提高图中放大器的增益。〔2〕减小,减小B.增大,增大C.增大,减小D.减小,增大.标准答案:A模拟集成电路设计中可使用大信号分析方法的是〔〕。〔2分〕A.增益输出电阻C.输出摆幅D.输入电阻.标准答案:C模拟集成电路设计中可使用小信号分析方法的是〔〕。〔2分〕A.增益B.电压净空C.输出摆幅D.输入偏置.标准答案:A在NMOS中,假设会使阈值电压〔〕〔2分〕A.增大B.不变C.减小D.可大可小.标准答案:ANMOS管中,假设VB变得更负,则耗尽层〔〕。〔2分〕A.不变B.变得更窄C.变得更宽D.几乎不变.标准答案:C随着微电子工艺水平提高,特征尺寸不断减小,这时电路的工作电压会〔〕〔2〕A.不断提高B.不变C.可大可小D.不断降低.标准答案:DMOS管漏电流的变化量除以栅源电压的变化量是〔〕。〔2分〕电导B.电阻C.跨导.标准答案:C工作在饱和区的MOS管,可以被看作是一个〔〕。〔2分〕A.恒压源电压把握电流源C.恒流源D.电流把握电压源.标准答案:B密勒效应最明显的放大器是〔〕。〔2分〕A.共源极放大器B.源极跟随器C.共栅极放大器D.共基极放大器.标准答案:A不能直接工作的共源极放大器是〔〕共源极放大器。〔2分〕A.电阻负载B.二极管连接负载C.电流源负载D.二极管和电流源并联负载.标准答案:C模拟集成电路设计中的最终一步是〔〕。〔2分〕A.电路设计B.幅员设计C.规格定义DB在当今的集成电路制造工艺中,〔〕工艺制造的IC在功耗方〔2〕A.MOSBOSC.BipolarD.BiCMOS.标准答案:BMOS器件小信号模型中的mbg是由MOS管的〔〕效应引起。〔2〕A.二级B.衬偏C.沟长调制D.亚阈值导通.标准答案:BPMOS管的导电沟道中依靠〔〕导电。〔2分〕A.电子B.空穴C.DB当MOS管的宽长比是定值时,其跨导与漏源电流的关系曲线是〔〕。ABCD〔2〕A.见图B.见图C.见图D.见图.标准答案:D假设MOS管的栅源过驱动电压给定,L越〔〕,输出电流越抱负。〔2〕A.大B.小CWD.准确.标准答案:AMOS电容中对电容值奉献最大的是〔〕。〔2分〕A.GSCB.GDCC.DBCD.SBC.标准答案:A下面几种电路中增益线性度最好的是〔〕。〔2分〕A.电阻负载共源级放大器B.电流源负载共源级放大器C.二极管负载共源级放大器DC电阻负载共源级放大器中,以下措施不能提高放大器小信号增益的是〔〕〔2〕A.增大器件宽长比B.增大负载电阻C.降低输入信号直流电平DL.标准答案:D电阻负载共源级放大器中,让输入信号从VDD下降,NMOS管首先进入〔〕〔2〕A.亚阈值区B.深三极管区C.三极管区D.饱和区.标准答案:B以以下图的共源共栅放大器中,选择适宜的偏置电压VB,让输入Vin0MOS管是〔〕。〔2分〕A.M1B.M2C.两个同时进入D.都有可能.标准答案:D下面放大器的小信号增益为〔〕。〔2分〕A.omrg-B.smomRgrg+-1C.1D.理论上无穷大.标准答案:A以下不是根本差分对电路中尾电流的作用的是〔〕。〔2分〕A.为放大器管供给固定偏置B.为放大管供给电流通路C.减小放大器的DD以以下图电流镜的输出电压最小值为〔〕。〔2分〕A.thODVV22+B.thODVV+2C.ODV2D.GSODVV22+.标准答案:C以以下图中,其中电压放大器的增益为-A,假定该放大器为抱负放大器。请计算该电路的等效输出电阻为〔〕。〔2〕A.AR+1B.AR11+C.AR+1D.AR11+.标准答案:B〔〕可提高图中放大器的增益。〔2分〕A2,1?????LWB.2,1LC2,1?????LWD2,1W.标准答案:CMOS管的端电压变化时,源极和漏极〔〕互换。〔2分〕A.能B.不能C.不知道能不能D.在特别的极限状况下能.标准答案:ACMOS工艺里不简洁加工的器件为〔〕。〔2分〕A.电阻B.电容C.电感D.MOSCMOS管的特征尺寸通常是指〔〕。〔2分〕A.WB.LC.W/LD.tox.标准答案:BMOS管从不导通到导通过程中,最先消灭的是〔〕。〔2分〕A.反型B.夹断C.耗尽.标准答案:C源极跟随器通常不能用作〔〕。〔2分〕A.缓冲器B.放大器C.电平移动D.驱动器.标准答案:B能较大范围提高阈值电压的方法是〔〕。〔2分〕AMOSB.提高过驱动电压C.制造时向沟道区域注入杂质D.增大衬底偏置效应.标准答案:CPMOS管导电,依靠的是沟道中的〔〕。〔2分〕A.电子B.空穴C.电荷D.电子空穴对.标准答案:B为了让MOS管对外表现出受控电流源的特性,我们通常让其工作在〔〕区。〔2〕截止B.三极管C.线性D.饱和.标准答案:DMOS管中最大的电容是〔〕。〔2分〕A.氧化层电容耗尽层电容C.交叠电容D.结电容.标准答案:AMOS器件小信号模型中的是由MOS管的〔〕效应引起。〔2分〕A.体B.衬偏C.沟长调制.标准答案:C在当今的集成电路制造工艺中,〔〕工艺制造的IC最简洁实现尺寸的按比例缩小。〔2〕A.MOSBOSC.BipolarD.BiCMOS.标准答案:B〔〕在1965年预言:每个芯片上晶体管的数目将每18个月翻一番〔2〕A.比尔盖茨B.摩尔C.乔布斯D.贝尔.标准答案:B最常见的集成电路通常承受〔〕工艺制造。〔2分〕A.MOSBOSC.BipolarD.BiCMOS.标准答案:B工作在〔〕区的MOS管,可以被看作为电流源。〔2分〕A.截止B.三极管C.深三极管D.饱和.标准答案:D工作在〔〕区的MOS管,其跨导是恒定值。〔2分〕A.截止B.三极管C.深三极管D.饱和.标准答案:D载流子沟道就在栅氧层下形成〔〕,源和漏之间“导通”。〔2〕夹断层反型层C.导电层.标准答案:B形成〔〕的栅源电压叫阈值电压〔〕。〔2分〕A.夹断层B.反型层C.导电层.标准答案:BNMOS管中,假设VBS变得更小,则耗尽层〔〕。〔2分〕A.不变B.变得更窄C.变得更宽D.几乎不变.标准答案:CNMOS管的导电沟道中依靠〔〕导电。〔2分〕A.电子B.空穴C.正电荷.标准答案:A当MOS管的宽长比是定值时,其跨导与过驱动电源的关系曲线是〔〕。ABCD〔2〕A.见图B.见图C.见图.标准答案:CMOS管的漏源电流受栅源过驱动电压把握,我们定义〔〕来表示电压转换电流的力气。〔2〕跨导受控电流源C.跨阻D.小信号增益.标准答案:A为沟长调制效应系数,对于较长的沟道,值〔〕〔2分〕A.较大B.较小C.不变.标准答案:B共源共栅放大器构造的一个重要特性就是输出阻抗〔〕。〔2分〕A.低B.一般C.高.标准答案:DNMOS管中,对阈值电压影响最大的是〔〕。〔2分〕A.VBSB.VGSC.VDSD.W/L.标准答案:ACascode放大器中两个尺寸一样的NMOS具有一样的〔〕效应。〔2〕沟长调制体C.背栅D.衬底偏置.标准答案:A小信号输出电阻相对最小的放大器是〔〕。〔2分〕A.共源级放大器B.源级跟随器C.共栅级放大器D.共源共栅级放大器.标准答案:B差分放大器中,共模输入电平的变化不会引起差动输出的转变的因素是〔〕。〔2〕A.尾电流源输出阻抗为有限值B.MOSC.负载不完全对称D.输入对管工作在饱和区.标准答案:D以下不是根本差分对电路中尾电流的作用的是〔〕。〔2分〕A.为放大器管供给固定偏置B.为放大管供给电流通路C.减小放大器的共模增益D.提高放大器的增益.标准答案:D下面电路的差模小信号增益为〔〕。〔2分〕A.DmRg1-B.41omrg-C.2421||||oommrrgg-D.241||oomrrg-.标准答案:DM3的体效应。假设让M2管工作在饱和区边缘,bV应取为〔〕。〔2分〕A.thODVV22+B.thODVV+2C.ODV2D.GSODVV22+.标准答案:B以以下图中,其中电压放大器的增益为-A,假定该放大器为抱负放大器。请计算该电路的等效输出电阻为〔〕。〔2分〕A.AR+1B.AR11+C.AR+1D.AR11+.标准答案:BH
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