半导体中的杂质和缺陷

半导体中的杂质和缺陷第一页，共五十二页，编辑于2023年，星期五第二章半导体中杂质和缺陷能级实际材料中总是有杂质、缺陷，使周期场破坏，在杂质或缺陷周围引起局部性的量子态——对应的能级常常处在禁带中，对半导体的性质起着决定性的影响。第二页，共五十二页，编辑于2023年，星期五杂质能级位于禁带之中

Ec

Ev杂质能级第三页，共五十二页，编辑于2023年，星期五杂质和缺陷原子的周期性势场受到破坏在禁带中引入能级决定半导体的物理和化学性质第四页，共五十二页，编辑于2023年，星期五§2.1硅、锗晶体中的杂质能级

§2.1.1

替位式杂质间隙式杂质一个晶胞中包含有八个硅原子，若近似地把原子看成是半径为r的圆球，则可以计算出这八个原子占据晶胞空间的百分数如下：说明，在金刚石型晶体中一个晶胞内的8个原子只占有晶胞体积的34%，还有66%是空隙第五页，共五十二页，编辑于2023年，星期五§2.1.1替位式杂质间隙式杂质金刚石型晶体结构中的两种空隙如图2-1所示。这些空隙通常称为间隙位置第六页，共五十二页，编辑于2023年，星期五§2.1.1替位式杂质间隙式杂质

杂质原子进入半导体硅后，以两种方式存在一种方式是杂质原子位于晶格原子间的间隙位置，常称为间隙式杂质（A）另一种方式是杂质原子取代晶格原子而位于晶格点处，常称为替位式杂质（B）第七页，共五十二页，编辑于2023年，星期五§2.1.1替位式杂质间隙式杂质

两种杂质特点：间隙式杂质原子一般比较小，如：锂离子，0.068nm替位式杂质：1）杂质原子的大小与被取代的晶格原子的大小比较相近2）价电子壳层结构比较相近如：ⅢⅤ族元素第八页，共五十二页，编辑于2023年，星期五§2.1.2施主杂质施主能级Ⅴ族杂质在硅、锗中电离时，能够施放电子而产生导电电子并形成正电中心，称它们为施主杂质或n型杂质第九页，共五十二页，编辑于2023年，星期五§2.1.2施主杂质施主能级

以硅中掺磷P为例：磷原子占据硅原子的位置。磷原子有五个价电子。其中四个价电子与周围的四个硅原于形成共价键，还剩余一个价电子。这个多余的价电子就束缚在正电中心P＋的周围。价电子只要很少能量就可挣脱束缚，成为导电电子在晶格中自由运动这时磷原子就成为少了一个价电子的磷离子P＋，它是一个不能移动的正电中心。第十页，共五十二页，编辑于2023年，星期五

在Si单晶中，V族施主替位杂质两种荷电状态的价键图第十一页，共五十二页，编辑于2023年，星期五§2.1.2施主杂质施主能级上述电子脱离杂质原子的束缚成为导电电子的过程称为杂质电离这个多余的价电子挣脱束缚成为导电电子所需要的能量称为杂质电离能施主杂质电离后成为不可移动的带正电的施主离子，同时向导带提供电子，使半导体成为电子导电的n型半导体。第十二页，共五十二页，编辑于2023年，星期五施主电离能：

△ED=EC-ED

△ED=EC-EDEgECEDEV§2.1.2施主杂质施主能级第十三页，共五十二页，编辑于2023年，星期五§2.1.2施主杂质施主能级施主杂质的电离过程，可以用能带图表示如图2-4所示.当电子得到能量后，就从施主的束缚态跃迁到导带成为导电电子，所以电子被施主杂质束缚时的能量比导带底低。将被施主杂质束缚的电子的能量状态称为施主能级，记为，所以施主能级位于离导带底很近的禁带中第十四页，共五十二页，编辑于2023年，星期五Si、Ge中Ⅴ族杂质的电离能△ED（eV）

晶杂质体

PAsSb

Si

0.0440.0490.039

Ge0.01260.01270.0096§2.1.2施主杂质施主能级第十五页，共五十二页，编辑于2023年，星期五§2.1.3受主杂质受主能级Ⅲ族杂质在硅、锗中能够接受电子而产生导电空穴，并形成负电中心，所以称它们为受主杂质或p型杂质。第十六页，共五十二页，编辑于2023年，星期五§2.1.3受主杂质受主能级

以硅中掺硼B为例：B原子占据硅原子的位置。硼原子有三个价电子。与周围的四个硅原子形成共价键时还缺一个电子，就从别处夺取价电子，这就在Si形成了一个空穴。这时B原子就成为多了一个价电子的硼离子B－，它是一个不能移动的负电中心。空穴束缚在正电中心B－的周围。空穴只要很少能量就可挣脱束缚，成为导电空穴在晶格中自由运动第十七页，共五十二页，编辑于2023年，星期五

在Si单晶中，Ⅲ族受主替位杂质两种荷电状态的价键第十八页，共五十二页，编辑于2023年，星期五§2.1.3受主杂质受主能级使空穴挣脱束缚成为导电空穴所需要的能量称为受主杂质电离能受主杂质电离后成为不可移动的带负电的受主离子，同时向价带提供空穴，使半导体成为空穴导电的p型半导体。第十九页，共五十二页，编辑于2023年，星期五受主电离能：

△EA=EA-EVEgEA△EAEVEC§2.1.3受主杂质受主能级第二十页，共五十二页，编辑于2023年，星期五§2.1.3受主杂质受主能级受主杂质的电离过程，可以用能带图表示如图2-6所示.当空穴得到能量后，就从受主的束缚态跃迁到价带成为导电空穴，所以空穴被受主杂质束缚时的能量比价带顶高。将被受主杂质束缚的空穴的能量状态称为受主能级，记为，所以受主能级位于离价带顶很近的禁带中第二十一页，共五十二页，编辑于2023年，星期五Si、Ge中Ⅲ族杂质的电离能△EA（eV）

晶杂质体BAlGaIn

Si

0.0450.0570.0650.16

Ge

0.010.010.0110.011§2.1.3受主杂质受主能级第二十二页，共五十二页，编辑于2023年，星期五§2.1.4浅能级杂质电离能的简单计算浅能级杂质：电离能小的杂质称为浅能级杂质。所谓浅能级，是指施主能级靠近导带底，受主能级靠近价带顶。室温下，掺杂浓度不很高的情况下，浅能级杂质几乎可以全部电离。五价元素磷（P）、锑（Sb）在硅、锗中是浅施主杂质，三价元素硼（B）、铝（Al）、镓（Ga）、铟（In）在硅、锗中为浅受主杂质。第二十三页，共五十二页，编辑于2023年，星期五氢原子基态电子的电离能§2.1.4浅能级杂质电离能的简单计算第二十四页，共五十二页，编辑于2023年，星期五§2.1.4浅能级杂质电离能的简单计算类氢模型第二十五页，共五十二页，编辑于2023年，星期五§2.1.5杂质的补偿作用杂质补偿：半导体中存在施主杂质和受主杂质时，它们的共同作用会使载流子减少，这种作用称为杂质补偿。在制造半导体器件的过程中，通过采用杂质补偿的方法来改变半导体某个区域的导电类型或电阻率。

高度补偿：若施主杂质浓度与受主杂质浓度相差不大或二者相等，则不能提供电子或空穴，这种情况称为杂质的高度补偿。这种材料容易被误认为高纯度半导体，实际上含杂质很多，性能很差，一般不能用来制造半导体器件。第二十六页，共五十二页，编辑于2023年，星期五1，ND>NA时：n型半导体

因EA

在ED之下，ED上的束缚电子首先填充EA上的空位，即施主与受主先相互“抵消”，剩余的束缚电子再电离到导带上。有效的施主浓度ND*=ND-NA§2.1.5杂质的补偿作用EcED电离施主电离受主EvEA第二十七页，共五十二页，编辑于2023年，星期五2，NA>ND时：p型半导体

因EA在ED之下，ED上的束缚电子首先填充EA上的空位，即施主与受主先相互“抵消”，剩余的束缚空穴再电离到价带上。有效的受主浓度NA*=NA-ND§2.1.5杂质的补偿作用EcEDEAEv电离施主电离受主第二十八页，共五十二页，编辑于2023年，星期五3，NA≌ND时：杂质的高度补偿§2.1.5杂质的补偿作用EcEvEAED不能向导带和价带提供电子和空穴第二十九页，共五十二页，编辑于2023年，星期五§2.1.6深能级杂质深能级杂质：非ⅢⅤ族杂质在Si、Ge的禁带中产生的施主能级远离导带底，受主能级远离价带顶。杂质电离能大，能够产生多次电离第三十页，共五十二页，编辑于2023年，星期五（1）浅能级杂质△ED《Eg△EA《Eg（2）深能级杂质△ED≮Eg△EA≮Eg§2.1.6深能级杂质第三十一页，共五十二页，编辑于2023年，星期五例如：在Ge中掺AuAu的电子组态为：5s25p65d106s1§2.1.6深能级杂质第三十二页，共五十二页，编辑于2023年，星期五1，Au失去一个电子－－－施主

Au0–e＝Au+ED=EV+0.04eV§2.1.6深能级杂质EcEvED第三十三页，共五十二页，编辑于2023年，星期五2，Au获得一个电子－－－受主

Au0

＋e＝Au-EA1=EV+0.15eV§2.1.6深能级杂质EcEvEDEA1第三十四页，共五十二页，编辑于2023年，星期五3，Au获得第二个电子

Au-

＋e＝Au--EA2=EC－0.2eV§2.1.6深能级杂质EcEvEDEA1EA2第三十五页，共五十二页，编辑于2023年，星期五4，Au获得第三个电子

Au--

＋e＝Au---EcEvEDEA3=EC－0.04eV§2.1.6深能级杂质EA1EA2EA3第三十六页，共五十二页，编辑于2023年，星期五§2.1.6深能级杂质三个基本特点：一、是不容易电离，对载流子浓度影响不大；二、一般会产生多重能级，甚至既产生施主能级也产生受主能级。三、能起到复合中心作用，使少数载流子寿命降低（在第五章详细讨论）。四、深能级杂质电离后为带电中心，对载流子起散射作用，使载流子迁移率减少，导电性能下降。第三十七页，共五十二页，编辑于2023年，星期五§2.2化合物半导体中的杂质能级§2.2.1

杂质在砷化镓中的存在形式四种情况：

1）取代砷

2）取代镓

3）填隙

4）反位第三十八页，共五十二页，编辑于2023年，星期五§2.2.1杂质在砷化镓中的存在形式

等电子杂质效应

1）等电子杂质特征：a、与本征元素同族但不同原子序数

例：GaP中掺入Ⅴ族的N或Bib、以替位形式存在于晶体中，基本上是电中性的。第三十九页，共五十二页，编辑于2023年，星期五§2.2.1杂质在砷化镓中的存在形式

等电子杂质效应

2）等电子陷阱等电子杂质（如N）占据本征原子位置（如GaP中的P位置）后，即存在着由核心力引起的短程作用力，它们可以吸引一个导带电子（空穴）而变成负（正）离子，前者就是电子陷阱，后者就是空穴陷阱。

N

NP第四十页，共五十二页，编辑于2023年，星期五§2.2.1杂质在砷化镓中的存在形式

束缚激子例：GaP：NNP+eNP-（等电子陷阱）之后NP-+h

NP-+h

即等电子陷阱俘获一种符号的载流子后，又因带电中心的库仑作用又俘获另一种带电符号的载流子，这就是束缚激子。束缚激子第四十一页，共五十二页，编辑于2023年，星期五§2.2.1杂质在砷化镓中的存在形式

两性杂质举例：GaAs中掺Si（Ⅳ族）SiGa受主SiAs施主在化合物半导体中，某种杂质在其中既可以作施主又可以作受主，这种杂质称为两性杂质。两性杂质第四十二页，共五十二页，编辑于2023年，星期五§2.2.1杂质在砷化镓中的存在形式四族元素硅在砷化镓中会产生双性行为，即硅的浓度较低时主要起施主杂质作用，当硅的浓度较高时，一部分硅原子将起到受主杂质作用。这种双性行为可作如下解释：因为在硅杂质浓度较高时，硅原子不仅取代镓原子起着施主杂质的作用，而且硅也取代了一部分V族砷原子而起着受主杂质的作用，因而对于取代Ⅲ族原子镓的硅施主杂质起到补偿作用，从而降低了有效施主杂质的浓度，电子浓度趋于饱和。第四十三页，共五十二页，编辑于2023年，星期五§2.3半导体中的缺陷、位错能级§2.3.1点缺陷（热缺陷）pointdefects/thermaldefects点缺陷的种类：弗仑克耳缺陷：原子空位和间隙原子同时存在肖特基缺陷：晶体中只有晶格原子空位间隙原子缺陷：只有间隙原子而无原子空位第四十四页，共五十二页，编辑于2023年，星期五§2.3.1点缺陷点缺陷（热缺陷）特点：①热缺陷的数目随温度升高而增加②热缺陷中以肖特基缺陷为主（即原子空位为主）。原因：三种点缺陷中形成肖特基缺陷需要的能量最小③淬火后可以“冻结”高温下形成的缺陷。④退火后可以消除大部分缺陷。半导体器件生产工艺中，经高温加工（如扩散）后的晶片一般都需要进行退