功放模块系统设计基本技术

功放模块系统设计基本技术第一页，共五十八页，编辑于2023年，星期五目录功放在无线移动通信行业应用1功放的关键器件3功放基本构成32功放的关键指标34功放研发具备的基本技能5第二页，共五十八页，编辑于2023年，星期五无线通信领域一、功放在无线移动通信行业应用直放站制式分类：第三页，共五十八页，编辑于2023年，星期五无线通信领域一、功放在无线移动通信行业应用直放站应用解决方案分类：第四页，共五十八页，编辑于2023年，星期五无线通信领域一、功放在无线移动通信行业应用直放站技术特点分类：模拟直放站数字直放站按照应用场景分类：MDAS小功率多路分布系统DAS大功率多路分布系统FRU/BBU微基站无线通信行业的发展方向：数字化、集成化、宽带化、互联互通IP化、高效绿色环保、小型化……..第五页，共五十八页，编辑于2023年，星期五无线通信领域一、功放在无线移动通信行业应用功放在无线通信产品中的应用：第六页，共五十八页，编辑于2023年，星期五无线通信领域一、功放在无线移动通信行业应用功放产品分类：产品类型丰富，制式覆盖TDD、FDD；频段覆盖700MHz～3.5GHz；瞬时带宽≥40MHz，平均功率从1W～300W，峰值功率达到2000W。◆HPA普通高功放◆HEPA高效率功放◆SMPA高效率功放◆MCPA多载波线性功放（DPD、FF、RFAP等）◆TBS系统产品◆TMS系统产品第七页，共五十八页，编辑于2023年，星期五涉及专业分类二、功放基本构成

技术专业RF系统设计RFPowermodel设计MCU、DSP监控软硬件设计FPGA数字单元软硬件设计PCB设计结构设计第八页，共五十八页，编辑于2023年，星期五模块内部构造二、功放基本构成

射频技术匹配问题（包括功放管匹配）：功放管输入输出匹配、级间匹配、端口匹配；功率的分配与合成；射频隔离：前后级隔离、单元电路之间的隔离；取样检测：耦合取样、输入输出功率检测、反射功率检测；信号的控制：栅压、AGC、ALC、EQ、调幅、调相、调时延、ATT、TDD切换等。第九页，共五十八页，编辑于2023年，星期五模块内部构造二、功放基本构成

功放标准电路（见标准电路设计规范）第十页，共五十八页，编辑于2023年，星期五模块内部构造三、功放的关键器件

板材及微带电路设计

要求：熟练掌握ADS、ansoft、HFSS、Waveoffice等软件至少1种；第十一页，共五十八页，编辑于2023年，星期五模块内部构造三、功放的关键器件

RF信号传输1）同轴线2）平行双线3）微带线4）带状线5）波导6）槽线7）共面波导第十二页，共五十八页，编辑于2023年，星期五模块内部构造三、功放的关键器件

系统增益分配及NF等仿真计算

要求：熟练掌握APPCAD等软件至少1种；第十三页，共五十八页，编辑于2023年，星期五模块内部构造三、功放的关键器件

关键器件选型---隔离器1、铁氧体隔离器为什么具有单向导通特性（或旋磁特性）？2、铁氧体隔离器关键材料是什么？3、铁氧体属于磁性材料，具有磁性吗？4、永磁体属于磁性材料，原材料具有磁性吗？5、隔离器在功放产品应用中，有哪些常见问题，在设计中如何考虑？第十四页，共五十八页，编辑于2023年，星期五关键器件选型---隔离器三、功放的关键器件

■手工装配类■双隔离器类■大功率SMT贴片类■同轴隔离器类隔离器环形器■SMT贴片类第十五页，共五十八页，编辑于2023年，星期五关键器件选型---隔离器三、功放的关键器件

序号隔离器结构件材质或厂家表面处理作用1腔体壳铁、A3钢镀镍或镀银接地、散热2铁氧体钇铁石榴石单面镀银提供旋磁3负载（衰减片）ALN（ANNAREN、KDI、KMC）一面镀银一面涂漆吸收反射功率4中心导体铍铜和黄铜镀银镀银信号载体5永磁体（磁钢）钕铁硼、钐钴、锶钙镀镍或镀锌提供外加偏置场6匀磁片铁镀镍或镀银均匀磁场7温度补偿片无温度补偿8盖板不锈铁无紧固零件9屏蔽片不锈铁镀镍或镀银屏蔽和均匀磁场10垫片紫铜镀银11胶水“聚乙烯”橡胶固定引脚12标签13（其它）铁氧体带戒指环固定第十六页，共五十八页，编辑于2023年，星期五关键器件选型---隔离器三、功放的关键器件

铁氧体---特性及应用：

利用这种材料在直流磁场和微波场共同作用下呈现出的旋磁效应制成的微波铁氧体器件如环行器、隔离器等，铁氧体隔离器：是一种单向传输电磁波，微波信号功率沿正向方向传输，将功率几乎全部传输给负载；而负载反射功波则不可逆。铁氧体环形器：是多端口传输电磁波的微波器件，常用的是三端口。

永磁体作用：为铁氧体工作提供偏置磁场，永磁体的极性决定了隔离器的信号时顺时针方向传输还是逆时针方向传输。

铁氧体和永磁体的区别：微波铁氧体可以吸收微波能量，并在磁场作用下有旋磁特性，永磁体不可以吸收微波能量，能充磁能，为铁氧体提供偏置磁场。第十七页，共五十八页，编辑于2023年，星期五关键器件选型---隔离器三、功放的关键器件

第十八页，共五十八页，编辑于2023年，星期五关键器件选型---隔离器三、功放的关键器件

第十九页，共五十八页，编辑于2023年，星期五关键器件选型---隔离器三、功放的关键器件

第二十页，共五十八页，编辑于2023年，星期五关键器件选型---隔离器三、功放的关键器件

第二十一页，共五十八页，编辑于2023年，星期五关键器件选型---隔离器三、功放的关键器件

第二十二页，共五十八页，编辑于2023年，星期五关键器件选型---隔离器三、功放的关键器件

隔离器应用质量问题：1、铁氧体隔离器负载烧毁。（Antone项目）2、铁氧体隔离器内导体连接片烧毁。3、铁氧体隔离器谐波抑制不够。(PA-4145FWB0中试）4、铁氧体隔离器IMD指标不够。5、铁氧体隔离器平面度不够，导致接触不良，散热效果不好。（玻利维亚订单）6、铁氧体隔离器密封不好，能量辐射。第二十三页，共五十八页，编辑于2023年，星期五关键器件选型---耦合器三、功放的关键器件

第二十四页，共五十八页，编辑于2023年，星期五关键器件选型---耦合器三、功放的关键器件

第二十五页，共五十八页，编辑于2023年，星期五关键器件选型---3dB电桥三、功放的关键器件

第二十六页，共五十八页，编辑于2023年，星期五关键器件选型---延时线三、功放的关键器件

线性互易元件

常用的线性互易元件包括：匹配负载、衰减器、移相器、短路活塞、功分器、微波电桥、定向耦合器、阻抗变换器、滤波器和延时线等。贴片延时线同轴线腔体延时滤波器可调延时器第二十七页，共五十八页，编辑于2023年，星期五关键器件选型---延时线三、功放的关键器件

时延的定义第二十八页，共五十八页，编辑于2023年，星期五关键器件选型---延时线三、功放的关键器件

时延的计算方法

第二十九页，共五十八页，编辑于2023年，星期五关键器件选型---延时线三、功放的关键器件

贴片延时线的材料工艺1、材料工艺：PTFE和LTCC。2、电路设计：射频带状线；3、多层PCB基片压合叠成。

XDL09-8-080的参数：带状线形式，抗外部干扰能力强S型弯曲走线，感抗小介质材料韧性好，不容易压折3层信号面，4层地平面第三十页，共五十八页，编辑于2023年，星期五关键器件选型---延时线三、功放的关键器件

可调延时线主要参数：1910MHz~2010MHz时延可调节量0.5ns相位波动1°以内插损2.3dB以内回波-19dBOIP3为28dBm控制电压（0V~9V）工作温度-40°~85°1900MHz可调延时线第三十一页，共五十八页，编辑于2023年，星期五关键器件选型---延时线三、功放的关键器件

腔体延时滤波器FD-G8514-IS01延时滤波器项目名称电气指标频率范围（MHz）890～910910～975带宽（MHz）2065回波损耗（dB）≥20（常温）；≥17（高低温）插入损耗（dB）≤0.60（常温）；≤0.70（高低温）≤0.40（常温）；≤0.45（高低温）带内波动（dB）≤0.15（常温）；≤0.20（高低温）≤0.10（常温）；≤0.13（高低温）相位波动（deg）≤1.5（常温）；≤2.0（高低温）≤1.0（常温）；≤1.3（高低温）中心频率群时延（ns）/13.9±0.2@942.5MHz功率容量（W）常温、常压下，100（平均功率）；800（峰值功率）第三十二页，共五十八页，编辑于2023年，星期五关键器件选型---延时线三、功放的关键器件

延时器件在前馈功放中的应用FeedForward环路对消原理图第三十三页，共五十八页，编辑于2023年，星期五关键器件选型---延时线三、功放的关键器件

延时器件在RF_AP功放中的应用第三十四页，共五十八页，编辑于2023年，星期五关键器件选型---延时线三、功放的关键器件

延时器件的选用从功率大小和插损角度考虑，要求插损小而功率大的器件选用延时滤波器。考虑SMT工艺、一致性、布局空间大小，最好选用贴片延时线。考虑成本、可调可生产性，采用同轴线绕制。考虑成本、可调可生产性、而且时延调节范围比较小，采用可调延时电路。思考题：同轴线和贴片延时线延时（或相位）和频响的关系？1、同轴线的延时和频响是线性的，所以时延与频段无关；2、贴片延时线延时和频响是非线性的，不同的频段时延是不同的；但，在窄带范围内是线性。第三十五页，共五十八页，编辑于2023年，星期五关键器件选型---延时线三、功放的关键器件

贴片延时线的选用考虑耦合很关键，考虑耦合后时延随频率增加而增加，与指标相符插损随频率变化较大，与指标相符不考虑耦合时时延基本不随频率变化，与理论一致插损随频率变化较小，与经验一致进一步分析1.3GHz~2.5GHz内，考虑耦合时的时延大于不考虑耦合时的时延，即相同长度的带状线，如果绕成强耦合的形状，可以获得更大的时延；所以可以以更小的尺寸获得相同的时延量。第三十六页，共五十八页，编辑于2023年，星期五关键器件选型---巴伦三、功放的关键器件

巴仑的基本概念第三十七页，共五十八页，编辑于2023年，星期五关键器件选型---巴伦三、功放的关键器件

变压器巴伦传输线巴仑微带线宽带巴仑馈电平衡－－－磁耦合式、反向式、对称式、扼流式等平衡器类型。功放常用的种类带状线巴仑LC巴仑第三十八页，共五十八页，编辑于2023年，星期五关键器件选型---巴伦三、功放的关键器件

第三十九页，共五十八页，编辑于2023年，星期五关键器件选型---巴伦三、功放的关键器件

第四十页，共五十八页，编辑于2023年，星期五关键器件选型---巴伦三、功放的关键器件

平衡式输入输出的优点：抗干扰能力强抗电源噪声抗地噪声能力强具有偶数谐波抑制功能所以平衡式输入输出电路在功放电路中应用较多：如AD8362检波管，SC18**预失真芯片系列。微带线是单端非平衡端口，与平衡式端口相连时需要巴伦进行变换。第四十一页，共五十八页，编辑于2023年，星期五关键器件选型---A类IC微波放大管三、功放的关键器件

晶体管：泛指一切以半导体材料为基础的单一元件。晶体管有时多指晶体三极管，主要分为双极性晶体管（BJT）和场效应晶体管（FET）两大类。双极性晶体管（BJT）：根据不同的掺杂方式在同一硅片上制造出三个掺杂区域，并形成两个PN结，构成晶体管。放大作用表现为小的基极电流可以控制大的集电极电流，属流控器件，单电源供电。场效应晶体管（FET）：利用输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件，属压控器件。它仅靠半导体中的多数载流子导电，又称单极性晶体管，分为结型和绝缘栅型（MOS管）两种不同的结构。我们常用的大功率LDMOS管属于N沟道的增强型MOS管，双电源供电。第四十二页，共五十八页，编辑于2023年，星期五关键器件选型---LDO电源三、功放的关键器件

线性电源传统线性电源低压差线性电源（LDO)开关类电源

Chargepump(inductorlessDC-DC)DC-DC(inductor)LDO（LowDropoutLinearRegulator）俗称低压差线性稳压管，是一个功率很低的微型片上系统。它通常由具有低导通电阻的MOS调整元件、基准电压源、误差放大器和各种保护电路等功能模块集成在同一个芯片上而成。具有低压差、高效率、高性能、高PSRR、小体积、低成本等特点。压差静态电流待机电流瞬态响应线性调整率负载调整率电源抑制比精度功耗LDO关键参数第四十三页，共五十八页，编辑于2023年，星期五关键器件选型---电阻、电感、电容三、功放的关键器件

常用电阻分类普通贴片电阻、精密取样电阻、功率负载、热敏电阻等。电阻的射频特性：电阻射频模型理想电阻R；并联电容Ca,Cb；串联引线电感Ls；第四十四页，共五十八页，编辑于2023年，星期五关键器件选型---电阻、电感、电容三、功放的关键器件

常用电感分类实心电感、空心绕线电感、绕线电感、闭磁电感、磁珠等。电感的射频特性：电感射频模型：理想电感L，Z=jωL；串联电阻Rs；引线串联电感Ls；并联电容C1，C2第四十五页，共五十八页，编辑于2023年，星期五关键器件选型---电阻、电感、电容三、功放的关键器件

常用电容分类普通介质MLCC电容、钽电容、铝电解电容、高Q微波电容等。电容的射频特性：多层射频电容模型：理想电容C，Z=1/jωC；串联电阻Rs；引线串联电感Ls；并联电容Cp；并联电阻Rp。第四十六页，共五十八页，编辑于2023年，星期五关键器件选型---二极管、三极管、场效应管三、功放的关键器件

二极管分类

二极管按其实现的功能主要分为：限幅二极管、整流二极管、开关器件（PIN管）、检波二极管、变容二极管、快恢复二极管、肖特基二极管、光敏二极管、TVS二极管、以及发光二极管等等。三极管三极管一般称为双极性晶体管，是通过制作工艺将两个PN结结合在一起构成。两PN结作用，可使三极管成为一个具有控制电流作用的器件，可用作放大微弱信号和做无触点的开关。有PNP和NPN两种结构。主要是Si管和Ge管。第四十七页，共五十八页，编辑于2023年，星期五关键器件选型---二极管、三极管、场效应管三、功放的关键器件

场效应管定义场效应管是利用电场效应来控制半导体内载流子，使通过半导体内的电流大小随电场强度的改变而变化的由电压控制电流的放大器件。英文简写为：MOSFET1、按封装分：分为塑料封装和金属封装2、按功率分：分为大、中、小功率3、按频率分:分为高、中、低频4、按结构特点分：结型（JFET)和绝缘栅型（IGFET)5、按沟道分：分为N沟道和P沟道其中绝缘栅型又可以细分为N沟道增强型和耗尽型，P沟道增强型和耗尽型。场效应管分类第四十八页，共五十八页，编辑于2023年，星期五关键器件选型---二极管、三极管、场效应管三、功放的关键器件

场效应管的应用第四十九页，共五十八页，编辑于2023年，星期五关键技术指标四、功放关键技术指标

4.1信号的峰值功率、平均功率和峰均比PAR

解释：平均功率是系统输出的实际功率。在某个概率下峰值功率跟平均功率的比就称为在某个概率下的峰均比，如PAR=9.1@0.1%,各种概率下的峰均比就形成了CCDF曲线（互补累积分布函数）。 在概率为0.01%处的PAR，一般称为CREST因子。4.2噪声噪声是指在信号处理过程中遇到的无法确切预测的干扰信号（各类点频干扰不是算噪声）。常见的噪声有来自外部的天电噪声，汽车的点火噪声，来自系统内部的热噪声，晶体管等在工作时产生的散粒噪声，信号与噪声的互调产物。第五十页，共五十八页，编辑于2023年，星期五关键技术指标四、功放关键技术指标

4.3三阶交调三阶交调（双音三阶交调）是用来衡量非线性的一个重要指标，在这里仍以放大器为例来说明三阶交调指标。用两个相隔⊿f，且电平相等的单音信号同时输入一个射频放大器，则放大器的输出频谱大致如下：三阶交调常用dBc表示，即交调产物与主输出信号的比。第五十一页，共五十八页，编辑于2023年，星期五关键技术指标四、功放关键技术指标

4.4三阶截止点

任一微波单元电路，输入双音信号同时增加1dB，输出三阶交调产物将增加3dB，而主输出信号仅增加1dB（不考虑压缩），这样输入信号电平增加到一定值时，输出三阶交调产物与主输出信号相等，这一点称为三阶截止点，对应的输入信号电平称为输入三阶截止点，对应的输出信号电平称为输出三阶截止点。注意：三阶截止点信号电平是不可能达到的，因为在这时早已超过微波单元电路的承受能力。第五十二页，共五十八页，编辑于2023年，星期五关键技术指标四、功放关键技术指标

4.7回波损耗 回波损耗也是射频上用得比较多得一个名词，它和前面得反射系数、驻波比都是用来反映端口得匹配状况的。回波损耗表示端口的反射波的功率与入射波功率之比。回波损耗与反射系数的关系为：回波损耗＝20log（） 由公式可以计算：回波损耗为26dB时，对应的反射系数为0.05，驻波比为1.1。由此也可以估计一下，驻波为2时的回波损耗是多少（9.5dB），也就可以理解对于功放后级的驻波要求为何严格。第五十三页，共五十八页，编辑于2023年，星期五关键技术指标四、功放关键技术指标

4.8邻道泄漏（ACLR） 邻道泄漏指标是用来衡量发