2023年通信电子计算机技能考试-平板显示技术考试参考题库（含答案）

2023年通信电子计算机技能考试-平板显示技术考试参考题库（含答案）（图片大小可任意调节）第I卷一.全考点试题库(共20题)1.源漏电极很多工厂采用的复层材料Mo/Al/Mo，试分析上下层Mo的作用。

正确答案:1）下层Mo的作用：Al直接与a-Si接触很容易向a-Si扩散使漏电流增大，影响TFT的关态特性，所以在Al层下面要增加一层Mo。

2）上层Mo的作用：Al容易产生小丘，表面粗超度不好，且Al与上面层ITO直接接触，容易还原ITO材料，降低ITO的电阻率，引起接触不良，因此要在Al的上面增加一层Mo。2.简述FED和CRT的区别。

正确答案:1）FED是阵列型发生源，是一个面矩阵，有数十万个主动发光的尖锥阴极阵列。CRT只有一个电子束，或者彩色显示有3个电子束。

2）FED采用微尖型阵列平面电场作用下的冷阴极发射。CRT是利用电子枪的热电子发射。

3）FED的荧光点到阴极的距离小于3mm，是平板显示。CRT由于使用热电子抢，为了是电子束获得足够的偏离和扫描，必须有一定距离才能打到荧光屏上，体积又大又厚又重。3.简述PVA技术和MVA技术的主要不同。

正确答案:1）凸起物不同，MVA技术的上、下基板上间隔分布着三角棱状的凸起物，经垂直取向后，液晶分子在凸起物表面附近及上下基板表面上垂直取向。PVA技术直接改变了液晶显示器单元像素结构，采用透明的ITO层代替MVA中的凸起物，具有更好的开口率、高的显示亮度，最大限度减少背光源的浪费。

2）电极结构不同，MVA技术的下基板上形成像素电极，光刻出像素电极的形状，而上基板的ITO电极是一个整面的结构，不需要光刻出图形。PVA型液晶显示器上基板的ITO电极，不再是一个完整的ITO薄膜，而是光刻出一道道平行的缝隙。4.简述氧化物薄膜晶体管的特点。

正确答案:1）可见光的透过率较高，可以制备出完全透明的TFT器件，使得显示器的画面更加清晰明亮。

2）电学特性优越，器件的响应速度、载流子迁移率都非常高。

3）禁带宽度比较大，很好地避免了光照对器件性能的影响。

4）薄膜均匀，为大屏幕化的实现提供可靠的保证。

5）制备温度低，在接近室温的条件下也可以生长出高质量的氧化物TFT薄膜。

6）材料和工艺成本较低，可以在廉价的玻璃或柔性塑料上生长，节约了制作成本。

另外，氧化物材料既可以作为TFT的有源层，又可以作为栅极、源漏电极，还可以通过掺杂等手段控制载流子浓度，很好地控制电学特性。5.哪种模块工艺更适合制作精细线路？为什么？

正确答案:COF工艺更适合制作精细线路。COF工艺与传统的窄带驱动IC自动邦定的TAB工艺非常相似。由于TAB工艺要制作悬空引线，在目前线间距非常细、高引线密度的情况下，这种极细的悬空引线由于强度不够很容易变形甚至折断。COF工艺没有这方面的问题，可以将线宽及间距做到非常精细，可以做到35μm的线距。6.非晶硅半导体有什么特点？非晶硅是哪种半导体？

正确答案:非晶硅材料的特点：

1）非晶硅材料长程无序，短程有序；

2）配位数相同，非晶硅的键长和键角略有改变；

3）非晶硅中存在一些缺陷。

非晶硅是弱n型半导体。7.在一个演出的场合需要使用200英寸以上的显示器，你选择哪种显示器？为什么？选

正确答案:择发光二极管显示器。因为发光二极管显示器是采用无数个小发光二极管拼接组成的显示器。不受组装数量的限制，适合于大型、户外显。8.简述MOSFET的两个电场。

正确答案:MOSFET的中心是由栅极、绝缘膜、半导体构成了一个MIS结构。两边由源漏电极与半导体材料形成了pn结。在栅极与半导体衬底之间加电压，在Si/SiO2界面垂直方向上将形成垂直的电场。在源漏电极之间加电压，在p+/n/p+水平方向上将形成水平的电场。9.简述银点胶和边框胶的作用。

正确答案:边框胶是为了使TFT基板和CF基板紧密粘合。银点胶用于连接TFT基板和CF基板的共用电极（COM电极），使CF基板上的ITO电极导通。10.分析叠层存储电容带来的优点和工艺特点。

正确答案:优点：叠层存储电容由垂直堆叠的两个并联存储电容构成，电容量是具有同样面积的传统电容的两倍，且存储电容在薄膜晶体管的上面，不用单独占用像素区域，开口率明显增大。

工艺流程为：首先在衬底基板上制作上一层衬底薄膜，如15nm左右的SiO2。在SiO2上面生长一层非晶硅薄膜，通过晶化形成多晶硅薄膜。接着形成栅极绝缘层和栅极，然后进行掺杂。对沟道两侧进行n型重掺杂后，与中间接近本征区形成了n沟道的p-SiTFT。像素结构中的薄膜晶体管一般也是n沟道的p-SiTFT。遮挡住n沟道的p-SiTFT，对驱动电路部分的另一个薄膜晶体管进行p型重掺杂，与中间的接近本征区形成了p沟道的p-SiTFT，形成CMOS驱动电路。11.简述ACF的作用。

正确答案:ACF是各向异性导电胶膜，将ACF粘贴在要导通的电极和电极之间，在适当的压力、温度、时间下聚合物树脂开始流动，导电粒子则夹在组件电极与电极之间起导通的作用，相邻的电极之间无法接触绝缘不导通。12.简述向列相液晶的特点

正确答案:向列相液晶由长径比很大的棒状分子组成。每一分子的位置虽无规则，但分子长轴基本保持平行，不能排列成层状，可以上下、左右、前后滑动。各个分子容易顺着长轴方向自由移动，粘度小，富于流动性。13.如何提高开口率？并举例说明。

正确答案:通过改变设计方案和工艺能力，缩小栅线、信号线宽度和TFT等大小可以提高开口率，但是提高程度有限。另外，通过改变线间距提高开口率的措施也是非常有效的，常用的有两种，一种是BMonArray设计，另一种是有机膜绝缘层设计。

以BMonArray设计为例。BMonArray设计中，阵列基板在制作薄膜晶体管阵列之前，先制作一层黑矩阵，光刻出黑矩阵图形正好可以遮挡住线间距，接着沉积一层隔离层。再按照正常工艺制作薄膜晶体管阵列。因为线间距被阵列基板上的黑矩阵遮挡住了，阵列基板和彩膜基板对盒时在像素电极上不用再交叠，开口率明显提高。14.请画出常白型TN液晶显示器的显示原理图，并简述显示原理。

正确答案:常白模式液晶显示器的上下两个偏振片透光的光轴垂直，内部液晶分子从上到下刚好扭曲90°。不外加电压时，液晶显示器为透光状态，为亮态；加上外界电场后，随电场的增加透过的光强逐渐减小，最后透光率趋近于零，为暗态，可以实现在白色背景上显示黑色图案。

15.不同种类的液晶材料是不是都能应用到显示中？在各种类型的显示中，液晶材料是不是可以互换？请举一个例子分析为什么？

正确答案:各种类型的液晶材料基本都用于开发液晶显示器。如向列相液晶显示器、聚合物分散液晶显示器、双（多）稳态液晶显示器、铁电液晶显示器和反铁电液晶显示器等。在多种液晶显示器中，开发最成功、市场占有量最大、发展最快的是向列相液晶显示器。

不可以互换。因为显示原理不一样，结构和参数设计都不一样，所以不可以互换。16.简述干法刻蚀的物理作用和化学作用。

正确答案:物理作用的刻蚀类似于溅射成膜的原理，利用惰性气体的辉光放电产生带正电的离子，在电场作用下加速吸引到下电极上面的基板上，轰击刻蚀薄膜的表面，将薄膜原子轰击出来的过程。常用的惰性气体有氦气（He）、氩气（Ar）等。作用过程完全利用物理上能量的转移进行的，具有很强的刻蚀方向性，可以获得高的各向异性刻蚀断面，线宽控制非常好。

化学作用的刻蚀是一种纯粹的化学反应，利用各种源如射频、微波等，将气体电离产生化学活性极强的原子团、分子团等，扩散到刻蚀薄膜的表面与薄膜发生化学反应，生产易挥发的反应生成物，由真空泵抽离真空反应室。由于只有化学反应发生称之为化学反应刻蚀，类似于湿法刻蚀。只是反应物和生成物都是气态的，且由反应物的等离子体决定刻蚀速率。17.简述有机材料和无机半导体材料的相同点和不同点。

正确答案:相同点：1）有机材料中没有类似于无机晶体中的能带结构，但有LUMO和HOMO轨道，类似无机半导体中的导带底和价带顶；

2）有机材料也有两种载流子—电子和空穴；

3）传输电子能力强的材料称为n型有机半导体材料，把传输空穴能力强的材料称为p型有机半导体材料。可以同时传输电子和空穴，称为双极型有机半导体材料。

不同点：1）有机半导体材料是短程有序的，不具有长程有序性；

2）分子间的作用力是范德华力；

3）在有机半导体材料中，载流子除了电子或空穴外，还有极化子；

4）有机材料的载流子迁移率低。18.简述LED背光源技术的发展趋势。

正确答案:1）减少LED背光源颗粒；

2）廉价直下式LED背光源。19.简述聚焦型FED的结构特点和性能优点。

正确答案:三极型FED中.发射电子的横向速度很大，几乎和纵向速度可以比拟。横向速度导致电子发散角大，到达阳极后的束斑很大，限制了显示器分辨率的提高。为了达到一定的分辨率，只有采用邻近聚焦的方法，即将阳极靠近发射极。普通的FED中阴极和阳极间距在200-300m之间。为了防止电击穿，阳极电压往往在500V以下，因此只能采用低压荧光粉。由于低压荧光粉性能远远低下高压荧光粉，低压FED的显示性能很不