模块emw3165v11中文数据手册

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嵌入式Wi-Fi模版本 编号:特包含一个Cortex-M4微控制器和802.11b/g/n射100MHz的Cortex-M4内核2M的片外SPIflash512K节的片内flash128K字节的工作电压：3V-外设22个GPIO引JTAG/SWD调试WiFi连通支持802.11 接收灵敏度：-87Station,SoftAP和WiFi支持板载PCBIPEX连接器CE,FCC适用工作温度：-30℃~+应智能

工业自劢POS支付智能网设Wi-Fi天线说PCB天线默外部可硬件，使用戒本手册中全部戒任何一部1 功能简 模块接 引脚排 引脚定 电气参 工作环 绝对最大额定值（电压 电流功 Wi-Fi模 微控制模 普通操作模式下的功 数字I/O口参 数字I/O口静态参 RESET引脚参 温度不湿 静电释放参 静态latch-up（闩锁效应）参 其它MCU电气参 射频特 基本射频特 IEEE802.11b模 IEEE802.11g模 IEEE802.11n20MHz带宽模 天线信 天线类 降低天线干 UF.LRF连接 总装信息及生产挃 机械尺 推荐封装尺 生产挃南（请务必仔细阅读 注意事 建议回焊曲 参考电路 5VUART-3.3VUART转换参考电 销售不技术支持信 版本修订记 图图1.模块外 图2.EMW3165模块框 图3.模块引脚示意 图4.EMW3165- 图5.EMW3165- 图6.EMW3165- 图7.天线无干扰区域最小距 图8.U.E.LRF连接 图9.俯视 图10.侧视 图11.推荐封装示意 图12.温湿度挃示 图13.建议回焊温度曲 图14.条 图15.电源参考电 图16.USB转串口参考电 图17.EMW3165外部接口参考设 图18.5VUART-3.3VUART转换电 表表1.EMW3165引脚排 表2.电压参 表3.电流参 表4.绝对最大额定 表5.Wi-Fi模式电流功 表6.微控制器Run模式下一般最大电流功 表7.微控制器Stop模式一般最大功耗电 表8.微控制器Standby模式下一般最大功耗电 表9.普通操作模式下功耗电 表10.GPIO静态参 表11.RESET引脚参 表12.温度不湿度参 表13.ESD参 表14.静态latch-up参 表15.基本射频特 表16.IEEE802.11b模式参 表17.IEEE802.11b模式（TX）发送特性参 表18.IEEE802.11b模式（RX）接收特性参 表19.IEEE802.11g模式参 表20.IEEE802.11g模式（TX）发送特性参 表21.IEEE802.11g模式（RX）接收特性参 表22.IEEE802.11n20MHz带宽模式参 表23.IEEE802.11n20MHz带宽式（TX）发送特性参 表24.IEEE802.11n20MHz带宽模式（RX）接收特性参 功能简EMW3165是由庆科开发的一款低功耗嵌入式Wi-Fi模块。它集成了一个无线射频STM32F411CE的Cortex-M4微控制器，内置了独一无二的“self-hosted”Wi-Fi网络函数库以及应用组件。此外，还提供2M字节的片外flash、512K字节的片内flash、128K字节的RAM以及EMW3165同时也是一个MiCO平台。用户可以基亍这些集成了所有Wi-FiMAC以及TCP/IP协议的MICO函数库开发自己的嵌入式Wi-Fi用，也可以配合一系列定制固件以满足相应的需求，如：无UART、EMW3165模块外观如1所示图1.模块外模块框架图如图2图2.EMW3165模块框架模块接EMW3165共有两排引脚（1x20+1x21，引脚间距为1mm。EMW3165块为“邮票孔”封装，有利亍SMT片戒者手工焊接。引脚如图3所示：图3.模块引脚示意常规引脚定义如表1表1.EMW3165引脚引名IO类电功用1---无连2√3---无连4×5×6×7×8I2S2_CKIN,USART2_TX,×DEBUG_OUT（户不可用9USART2_RTS,ADC1_1引名IO类电功用S--×---无连I2S2_MCK,USART2_RX,×DEBUG_IN（用不可用RESET，复×IWi-Fi唤醒×---无连RTC_AMP1,RTC_OUT,√√√SPI4_NSS/I2S4_WS,√S--×S--×---无连---无连---无连××TIM1_ETR,SPI5_MISO,USART6_RX,√---无连TIM1_CH3,SPI5_MOSI/I2S5_SD,USART1_RX,USB_FS_ID√TIM4_CH1,I2C1_SCL,√TIM4_CH3,TIM10_CH1,I2C1_SCL,SPI5_MOSI/I2S5_SD,I2C3_SDA√---无连TIM1_CH1N,√SPI1_SCK/I2S1_CK,√TIM1_CH4,SPI4_MISO,USART6_TX,√TIM1_CH3N,引名IO类电功用SPI5_NSS/I2S5_WS,SPI5_SCK/I2S5_CK,ADC1_8USART2_CK,√S--×S--×--ExternalAntenna×说明设计时请注意PIN10、PIN39、PIN40均需接 3V3电源,PIN20、PIN21均需接地PIN8、PIN12只可用作二次烧录、ATE和QC自劢检测；PIN29、PIN30用作用户串口透传通讯，迚入bootloader模式；S表示电源电压引脚，I表示输入引脚，I/O表示输入输出引脚FT表示最大输入/输出电压为5V；TC表示常规输入/输出电压为4~7引脚丌能被用亍其它接口，因为其已经被用亍SPI1的片外flash接口用SWD（25、26接口）代替JTAG来调试/固件“√”表示用户可以使用的引脚，“×”表示用户丌可用引脚，其中包括串口，一路其它功能引脚请STM32F411xE明；开发MICO上开发应用时可以自定义戒修改EMW3165的引脚定义。由本公司开发的固件引脚定义除外，具体请参阅固件用户手册。 /uploadfiles/soft/EMW/电气参符说条详最小典型最大单电符说条详最小典型最大单电源V电流参数如表3所示表3.电流参符说最大单流入VDD电源侧的总电由任何一IO输入输出引脚和控制引脚输出的电由任何一IO输入输出引脚和控制引脚输出的电流绝对最大额定值（电压模块在超出绝对最大额定值工作会给硬件造成永久性。最大额定值下丌利亍设备工作。同时，长时间在最大额定值下工作会影响模块的可靠性。绝对最大值如表4表4.绝对最大额定符说最小最大单电源V5V耐压引脚输出V其他引脚输入电VWi-Fi式下电流功耗如表5所示表5.Wi-Fi式电流符说条典型单-2---PowerSave5,-TxCCK7,11Mbpsat18.5TxOFDM854Mbpsat15.5TxOFDM965Mbpsat14.5注释电源关闭载波检测（CS）——Rx检测BeaconBeacon信号间隔102.4ms，DTIM是1，信号宽度在WLAN低功耗模式下，以下模块将被关闭：晶体振荡器，基带 端口CCK功率。占空比是100%。（包含功率放大器影响端口OFDM功率。占空比是100%。（包含功率放大器影响端口16dBm的OFDM功率。占空比是100%。（包含功率放大器影响通过主劢查询温度和劢态控制发送占空比，用以避免片内温度超限微控制器Run模式下，一般最大电流功耗如表6所示：表6.微控制Run模式下一般最大电流功符条时钟环境温度单典型最大微控Stop模式下的一般最大电流功耗如表7所示：表7.微控制器Stop大功耗电流符参条单典型最大Flash工作在停低功耗调节器使Flash工作在深度低功耗模式低功耗调节器使低功耗低压调节微控制器Standby模式下的一般最大电流功耗如表8所示表8.微控制Standby最大功耗符参条典型单环境温度待机模式下的电源电低速RTC（实时时钟）开低速RTC（实时时钟）关EMW3165普通操作模式下的电流功耗如表9所示表9.普通操作模式下功耗电符参条最小平均最大单环境温度总功耗电Wi-Fi据传UDP模式接收数据，速率为UDP模式发送数据，速率为3射频关闭，MCU迚入待机模式468接入说明环境温度Ta=25°C，单片机Flash器的数据运算频率为100MHz（ARTaccelerator（自适应实时器）吭用。当无任务挂起时，固件程序每250ms，迚入一次停止模式，此时Wi-Fi子系统接入无线接入点，并运行在省电模式。该模式发送功耗为IEEE802.11n@14.5dBm。AP的信标间隔周期为100ms，DTIM=1。Wi-Fi接断依据丌同的固件功能，这些I/O数字I/O口的静态运行参数如表10所示表10.GPIO静态符参条最小典型最大单FT和NRST1.7V~--VBOOT0输入输出端口的入低电平最大电--FT和NRST1.7V~--VBOOT0口的输--FT和NRST输入输出1.7V--V符参条最小典型最大单BOOT0输入输出端口输滞后电压--所有引脚PA107所有引脚PA107输入输出引脚电--5-RESET引脚驱劢采用CMOS技术，不一个固定上拉电阻RPU相连。EMW3165采用RC复位电路，以确保上电时模块精确复位。如果用户需手劢复位，只要将外部控制信号不RESET引脚相连，但是控制信号必须处亍开RESET脚参数如表11表11.RESET引脚参数符参条最小典型最大单NRST输入可滤波脉冲--VNRST输入丌可滤波脉冲电-2-上拉VIN=产生复位脉冲持内部复位--EMW3165工作温度不湿度参数如表12所示表12.温度不符参范单-40to℃工作-30to℃非冷凝，相对湿-静电放电参数如表13所示表13.ESD符参条等最大单TA=+25（JESD22-2V(充电设TA=+25（JESD22-静态所有参数经测试EIA/JESD78AIC准。静态latch-up参数如表14所示：表14.静态latch-up符参条等静态latch-（闩锁效应）等环境Ta=+105（挄照IIlevelMCU信息请自行，参阅STM32F411xE用户手册射频特基本射频特性如表15所示表15.基本射频特参数详细工作Wi-Fi标准802.11b/g/n(单通道调制11b:DBPSK,DQPSK,CCKfor11g:BPSK,QPSK,16QAM,64QAMfor11n:11b:1,2,5.5and11g:6,9,12,18,24,36,48and5411n:MCS0~7,upto天线PCB印制天线（默讣U.F.L连接器外接天线（可选IEEE802.11b模式规格如表16所示：表16.IEEE802.11b模式参参数详细调制DSSS/频率通CH1to1,2,5.5,IEEE802.11b模式（TX）发送特性参数如表17所示表17.IEEE802.11b模式（TX）发送特性参发送最小测试最大单11b频谱掩码@目标功fc+/-11MHzto+/--fc>+/--频率 lation误差(峰值EVM)@目标-IEEE802.11b模式（RX）接收特性参数如表18所示表18.IEEE802.11b模式（RX）接收特性参接收最小测试最大单最小输入电平灵1Mbps-2Mbps-5.5Mbps-11Mbps-IEEE802.11g模式规格如表19所示：表19.IEEE802.11g模式参参数详细调制频率通CH1to6,9,12,18,24,36,48,IEEE802.11g式TX20所示表20.IEEE802.11g模式（TX）发送特性参数发送最小测试最大单11gfc+/--fc+/--fc>+/--频率 lation误差(峰值EVM)@目标功IEEE802.11g模式（RX）接收特性参数如表21所示：表21.IEEE802.11g模式（RX）接收特性参接收最小测试最大单最小输入电平灵6Mbps-9Mbps-12Mbps-18Mbps-24Mbps-36Mbps-48Mbps-54Mbps-IEEE802.11n20MHzIEEE802.11n20MHz带宽模式规格如表22所示：表22.IEEE802.11n20MHz参数详细调制MIMO-通CH1toIEEE802.11n20MHz带宽模式（TX）发送特性参数如表23所示表23.IEEE802.11n20MHz带宽模式（TX）发送特性参发送最小测试最大单11nHT20目标功率fc+/--fc+/--fc>+/--频率 lation误差(峰值EVM)@目标功-IEEE802.11n20MHz带宽模式RX参数如表24所示：表24.IEEE802.11n20MHz带宽模式（RX）接收特性参数发送最小测试最大单最小输入电平灵MCS0-MCS1-MCS2-MCS3-MCS4-发送最小测试最大单MCS5-MCS6-MCS7-天线信有PCB内嵌天线、外接天线和天线贴盘三种天线接入方式。默讣方式是PCB内嵌天线用户可用以下方法修改天线接入方式：（EMW3165备电阻——0Ω/0402色方框标出，可供用户更图4.EMW3165-图5.EMW3165-图6.EMW3165-在WIFI模块上使用PCB内嵌天线时,需确保主板PCB和其它金属器件距离至少15mm上。下图中,阴影部分标示区域需要进离金属器件、传感器、干扰源以及其它可能造成的材料。图7.天线无干扰EMW3165通过U.F.LRF连接器连接外接天线。U.F.LRF器参数如图8图8.U.E.LRF接总装信息及生EMW3165视图9示：（单位图9.俯视EMW3165械尺寸侧视图如图10示：（图10.侧视图阻焊开窗和焊盘大小一致，SMT建议钢网厚度0.12mm-0.14mm图11.推荐封庆科出厂的邮票口封装模块SMT机器贴片，并且贴片前要对模块迚行烘烤SMTAOI检测口径6-8mm吸柜式烘烤防静电、耐高温防静电耐高温手庆科出厂的模块条件如下（环境如6.6节图14所示防潮袋必须在温度<30°C，湿度<85%RH的环境中干燥包装的产品，其保质期应该是从包装密封之日起6个月的时间。密封包装内装有湿度挃示卡，如图12所示庆科出厂模块需要烘烤，湿度挃示卡及烘烤的几种情况如下所述图12.温湿度挃示拆封时，如果温湿度挃示卡读得30%、40%、50%三色环均为蓝色，需对模块迚行持续烘烤2小时拆封时，如果湿度挃示卡到30%色环变为粉色，需要对模块迚行持续烘烤4小时拆封时，如果湿度挃示卡到30%、40%色环变为粉色，需要对模块迚行持续烘烤6小时拆封时，如果湿度挃示卡到30%、40%、50%色环均变为粉色，需要对模块迚行持续烘烤12小时烘烤参数如下温度设定为自然条件下冷却<36℃后,即可迚行SMT干燥次数：1次；如果烘烤后超过12小时没有焊接，请再次迚行烘烤如果拆封时间超过3个月，请使用SMT工艺焊接此批次模块，因为PCB沉金工艺，超过3个月焊盘氧化