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人工宝石及宝石优化处理教育部职业教育宝玉石鉴定与加工专业教学资源库GemsandJadeIdentificationandProcessingTeachingResourceLibrary冷坩埚法晶体生长工艺冷坩埚法晶体生长工艺晶体生长完毕后，慢慢降温退火一段时间，然后停止加热，冷却到室温后，取出结晶块，用小锤轻轻拍打，一颗颗合成立方氧化锆单晶体便分离出来。冷坩埚法晶体生长工艺整个生长过程约为2O小时。每一炉最多可生长6Okg晶体，未形成单晶体的粉料及壳体可回收再次用于晶体生长。生长出的晶块呈不规则柱状体，无色透明，肉眼见不到包裹体和气泡。冷坩埚法晶体生长工艺

合成立方氧化锆晶体易于着色，对于彩色立方氧化锆晶体的生长，需要在氧化锆和稳定剂的混合料中加入着色剂。将无色合成立方氧化锆晶体放在真空下加热到2000℃进行还原处理，还能得到深黑色的合成立方氧化锆晶体。冷坩埚法晶体生长工艺掺质

成

分占总重量百分比晶体颜色Ce2O30.15红色Pr2O30.1黄色Nd2O32.0紫色Ho2O30.13淡黄色Er2O30.1粉红色V2O50.1黄绿色Cr2O30.3橄榄绿色Co2O30.3深紫色CuO0.15淡绿色Nd2O3+Ce2O30.09+0.15攻瑰红色Nd2O3+CuO1.1+1.1淡蓝色Co2O3+CuO0.15+1.0紫蓝色Co2O3+V2O5

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