IC课设报告范文电流源负载共源极放大器的设计

IC课设报告范文电流源负载共源极放大器的设计题号：题目：电流源负载共源极放大器的设计指导老师：院系：专业班级：学号：同组成员：姓名：目录一．背景简介1.CMOS2.Hpice二．设计目标三．设计思路概述1.流程2.高频分析四．具体设计步骤1.选取W/L的值2.仿真单个MOS的特性3.相关参数计算口4.小信号等效电路及增益，带宽5.整体仿真增益和带宽结果五．电路相关曲线仿真1.直流特性仿真2.瞬态分析仿真3.功耗分析仿真4.相位仿真曲线5.幅值仿真曲线六．理论与实际的讨论1.数据2.继续思考七．课程小结1.收获和建议2.成员工作量一．背景简介1.CMOS当今世界,随着计算机、通讯、网络技术的迅猛发展和全球经济一体化进程的加快,发展微电子产业的重要性已日益为各国政府及有识之士所接受。当今社会进入到了一个崭新的信息化时代，微电子技术正是信息技术的核心技术。集成电路（IntegratedCircuit,简称IC）就是将有源元件（二极管、晶体管等）和无源元件（电阻、电容等）以及它们的连线一起制作在半导体衬底上形成一个独立的整体.集成电路的各个引出端就是该电路的输入，输出，电源和地。学习了解IC方面的知识已成为每一个当代大学生的基本要求。共源极放大器是CMOS电路中的基本增益级。它是典型的反向放大器，负载可以是有源负载或者电流源。共源极放大器需要得到比有源负载放大器更大的增益。设计电流源负载共源极放大器对学习了解IC有着本质的帮助和提高，这是理论与实践的相结合。下图是电流源负载共源放大器。这种结构采用电流源负载代替PMOS二极管连接的负载。电流源是共栅结构，采用栅极加直流电压偏置VGG2的P沟道管实现。小信号性能可由模型中用gm2vout=0（考虑M2的栅极交流接地）来求得。口小信号电压增益为：取决于器件尺寸、电流和使用的技术，这个电路的典型增益在一10〜－100的范围内。为了用电阻性负载得到类似的增益，必须使用远远高于5V的电源电压。电阻性负载方法还会大大提高功率损耗。但是，这里应该提到的是：对于低增益、高频率级，（如果不需要大量硅面积）用电阻负载会更理想，因为它们一般都有较小的寄生电容。它们通常还比有源负载噪声小。这是个有意义的结果：随着直流电流的减小，增益上升。这是因为输出电导正比于偏置电流，而跨导正比于偏置电流的平方根。增益随ID减小而增加可一直保持到电流接近亚阀值工作区，即弱反型层出现，此时跨导变为正比于偏置电流且小信号电压增益成为偏置电流函数的常数。如果我们假设亚阀区发生在电流近似为1hA的时候，又如果(W/L)1=(W/L)2=10,使用0.8um模型的参数值可给出图所示的电流负载CMOS共源放大器的最大增益近似为一521V/V。图示出了电流源负载作为直流偏置电流的函数的典型关系(假设亚区效应发生在近似等于1hA的时候)。口足指标值。接下来按题目所给的设计步骤完成相关参数的计算，即：(1).仿真单个MOS的特性，得到某W/L下的MOS管的小信号输出电阻和跨导。(2)．根据上述仿真得到的器件特性，推导上述电路中的器件参数。(3)．手工推导上述尺寸下的共源级放大器的直流工作点、小信号增益、带宽。(4)．如果增益和带宽不符合题目要求，则修改器件参数，并重复上述计算过程。(5).一旦计算结果达到题目要求，用Hpice仿真验证上述指标。口(6)．如果仿真得到的增益和带宽不符合要求，则返回步骤2，直至符合要求。2.高频分析为了进行高频分析，共源放大器的小信号等效电路如图2所示。这里，Cg1是M1的栅极一源极电容。注意，我们已经假设输入源极的输出电容可以忽略。电容C2由M1和M2的漏极一衬底电容与负载电容CL的并联组成。CL一般占主导地位。口在高频下分析电路可使用节点分析。在节点v1,我们把所有离开节点的电流相加并设置总和为零，得到其中：而且，在输出节点有其中：。得：有趣的是，―3dB频率下的结果与使用零值时间常数分析技术［Gray,1993］的结果相同。在这个技术中，通过假设其它所有电容器为零，计算出每个电容器的时间常数，在问题中用电压源代替电容器，再用电压源与从电压源流出的电流的比来计算出那个电容器看到的电阻。电容器看到的时间常数就是电容乘以那个电容看到的电阻。整个电路一3dB的频率为1除以单个电容时间常数的总和。对于共源放大器，Cg1看到的电阻是输入源极阻抗Rin,Cgd1看到的电阻。在较高频率下，当增益不比1大很多时，第二个极点和零点必须考虑。第二个极点的频率可通过假设极点是真实的并分隔很远,则分母可以表示为四．具体设计步骤.选取W/L的值口由指标手工倒推出来的W/L的值始终无法仿真满足所有的指标值，我也尝试了任意修改W/L的值，却始终找不到仿真后满足增益口指标和带宽指标的适当值。无奈之下，只好记下了以下几组较接近指标的W/L的值(优先保证增益为30dB)。口NMOSW/L70u/10u80u/10u90u/10u100u/10u60u/5u90u/5u90u/3uPMOSW/L55u/10u50u/10u55u/10u60u/10u80u/10u60u/5u90u/3uIREF/A491u559u629u699u819u1.23m1.99m增益/dB30.130.330.130.030.230.430.7带宽/hz8.45k9.12k1.02m1.21m1.37m2.12m3.15m综合考虑增益和带宽指标且考虑到IREF应尽可能小，所以选取NMOSW/L：90u/3u；PMOSW/L：90u/3u这一组数据进行设计。.仿真单个MOS的特性口先仿真NMOS(W/L=90u/3u)的特性：口网表：E某2.1uepicetoimulationMOSoutput口.lib\.optionpot=2numdgt=7tnom=27M12100N_33W=90UL=3UVDS20VGS101.6.DCVDS030.1.PRINTDCi(m1).END仿真曲线：口再仿真单个PMOS(W/L=90u/3u)管的特性：口5.幅值仿真曲线输出的幅值曲线图，未转化为dB前的幅值曲线图：口六．理论与实际的讨论1.数据指标的数据：指标值理论值实际值MOS管及电流源的数据：口NMOSW=90ul=3uCMOSW=90ul=3uIREF=1.98M增益/dB303830.7带宽/MHZ2023.152.继续思考口本组进行了很多次理论值的计算，也进行了很多次修改参数后的仿真，不停的计算，不停的仿真，不停的修改，不停的仿真，如此循环。可是，在保证增益达到指标的情况下，却始终不能满足带宽的要求，而且与带宽的要求差距不小。在我组成员的不断努力下，最终在保证增益的指标下，带宽调到了3.15MHZ,不知道这个结果能不能令老师满意，但是我们真的尽力了，也无能为力了。增益与带宽本来就是两个相矛盾的量，相互制约着大小，调节使增益变大，带宽就会适当变小；调节使带宽变大，增益就会适当变小。3.15MHZ不是我们组得出的最大带宽，继续增大W/L,并继续增大口电流源电流，就可以保证增益指标的前提下，继续增大带宽，但是想了一下，很可能这种方法最多也就只能增大到5MHZ，已然远不及20MHZ，也没有其他思路同时达到增益带宽两个指标，而且时间有限，不能总是去不停的调参数，所以也就做到这里为止了。题目中给出的VDD为3.3V,这也是限制指标增长的一个因素，如果可以增大VDD，那么相同参数下的增益必然将增加，这样就可以适当减小增益至指标值，借此来增大带宽，总有一个适当大的VDD值，能使增益为30db,带宽为20MHz同时满足。口七．课程小结.收获和建议开始拿到这个题目时，我毫无头绪，根本不知道要做些什么，最重要的是脑海中始终无法建立一个与之相关的模型，而这门课程又安排在一学期的最后时刻，正值各种考试来临，初始实在没有时间来思考盘算这门IC课设。长达两个星期的考试期间这门课设就像一块石头一样始终堵在我的胸口，吐不出来，也咽不下去，很是烦心。终于，考试结束了，但是也只剩下两三天的时间来完成这门课程设计了。以前用过很多仿真软件，这次又学会YHpice这款软件的用法，感觉这款软件功能十分强大，关键是这款软件很专业，IC集成电路等知识的仿真离不开这款软件，它是IC设计中最常使用的工业级电路仿真工具，用以对电子电路的稳态、瞬态及频域的仿真和分析，可以精确的仿真、分析、优化从直流到高于100GHz频率的微波电路。口理论与实践应该是互相促进，互相依赖的。但是我读书十几年来，学的理论太多太多，进行的实践太少太少。因此对于如何将理论运用于实践这一环节，我可以说是严重脱钩。这次课程设计就是一个将理论与实际相结合的好机会。然而，由理论算出来的值，在实践仿真中却完全不对头，这一方面体现了个人在理论与实践结合方面的缺陷，令一方面也说明了理论与实践存在一定的差异性，并且有时这种差异会很大。这也提醒我们不要忽略实践学习，学理论是为了更好的实践，而不是忽略实践，逃避实践。我们必须要相信自己。刚开始，最后两个星期，那么多考试，还有一门什么也不懂IC课设，别提心里多着急。但是一切都走过来了，甚至有几门课都是一天复习完，感觉考得还可以吧。随着两个星期的逐渐了解，课程设计完成了，不论结果，至少思路是清晰的。相信自己，半个月前，看似不可能的事情，如今都已完成。很遗憾本组没有得出符合所有指标的结果，但这并不代表本组偷懒了，恰恰相反，本组成员都十分辛苦，刚刚考试完，并没有放松，而是连续