第三章无源器件

第三章无源器件第1页，共40页，2023年，2月20日，星期三一、集成电路电阻：1、电阻结构基区扩散电阻发射区扩散电阻基区沟道电阻外延层电阻外延层沟道电阻离子注入电阻多晶硅电阻N阱电阻MOS电阻第2页，共40页，2023年，2月20日，星期三集成电路中电阻1ALSiO2R+PP+P-SUBN+R-VCCN+-BLN-epiP+基区扩散电阻第3页，共40页，2023年，2月20日，星期三集成电路中电阻2SiO2RN+P+P-SUBRN+-BLN-epiP+发射区扩散电阻第4页，共40页，2023年，2月20日，星期三集成电路中电阻3基区沟道电阻第5页，共40页，2023年，2月20日，星期三集成电路中电阻4外延层沟道电阻SiO2RP+P-SUBRN-epiP+PN+第6页，共40页，2023年，2月20日，星期三集成电路中电阻5MOS中多晶硅电阻SiO2Si多晶硅氧化层第7页，共40页，2023年，2月20日，星期三集成电路中电阻6第8页，共40页，2023年，2月20日，星期三第9页，共40页，2023年，2月20日，星期三2、电阻修正电阻端头修正拐角的修正横向扩散修正薄层电阻值修正第10页，共40页，2023年，2月20日，星期三第11页，共40页，2023年，2月20日，星期三第12页，共40页，2023年，2月20日，星期三3、电阻版图尺寸的确定第13页，共40页，2023年，2月20日，星期三提高电阻的比值精度第14页，共40页，2023年，2月20日，星期三用标准电阻组合实现不同阻值第15页，共40页，2023年，2月20日，星期三电阻的寄生效应第16页，共40页，2023年，2月20日，星期三第17页，共40页，2023年，2月20日，星期三二、集成电路中的电容1、电容结构

pn结电容

MOS电容

MOS感应沟道电容

金属电容

多晶硅电容

第18页，共40页，2023年，2月20日，星期三集成电路中电容1SiO2A-P+P-SUBB+N+-BLN+EP+NP+-IA-B+Cjs发射区扩散层—隔离层—隐埋层扩散层PN电容第19页，共40页，2023年，2月20日，星期三集成电路中电容MOS电容AlSiO2ALP+P-SUBN-epiP+N+N+第20页，共40页，2023年，2月20日，星期三第21页，共40页，2023年，2月20日，星期三2、电容器的寄生效应第22页，共40页，2023年，2月20日，星期三第23页，共40页，2023年，2月20日，星期三第24页，共40页，2023年，2月20日，星期三三、集成电路中的连线第25页，共40页，2023年，2月20日，星期三1、连线的寄生电容第26页，共40页，2023年，2月20日，星期三第27页，共40页，2023年，2月20日，星期三第28页，共40页，2023年，2月20日，星期三第29页，共40页，2023年，2月20日，星期三第30页，共40页，2023年，2月20日，星期三2、连线的寄生电阻第31页，共40页，2023年，2月20日，星期三第32页，共40页，2023年，2月20日，星期三第33页，共40页，2023年，2月20日，星期三4、互连线寄生效应的影响第34页，共40页，2023年，2月20日，星期三第35页，共40页，2023年，2月20日，星期三第36页，共40页，2023年，2月20日，星期三第37页，共40页，2023年，2月20日