俄歇电子AES能谱XXXX

Auger电子能谱(AES)

AugerElectronspectroscopy

1.前言1925年PierreAuger在Wilson云室中发现了俄歇电子1953年首次使用了电子束激发的俄歇电子能谱1967年在Harris采用了微分锁相技术，使俄歇电子能谱获得了很高的信背比后，才开始出现了商业化的俄歇电子能谱仪1.前言现有很高微区分辨能力的扫描俄歇微探针（ScanningAugerMicroprobe,SAM）,成为微区分析的有力工具电子计算机的引入，使能谱仪的功能更趋完善。目前其已成为许多科学领域和工业应用中的最重要的表面分析手段之一。

1.前言--AES的特点表面性（1-2nm）具有很高的表面灵敏度，其检测极限约为1-5原子单层同时定性分析除氢氦以外的所有元素半定量分析表面成份化学价态分析微区分析界面分析2.Auger过程

(a)KL1L3Auger跃迁(b)K1

辐射跃迁

入射电子束和物质作用，可以激发出原子的内层电子形成空穴。外层电子填充空穴向内层跃迁过程中所释放的能量，可能以X光的形式放出，即产生特征X射线，也可能又使核外另一电子激发成为自由电子，这种自由电子就是俄歇电子。在原子内某一内层电子电离而形成空位(如K层)，则该电离原子的去激发可以有两种方式：一个能量较高态的电子填充该空位，同时发出特征X射线，即辐射跃迁。一个较高能量的电子跃迁到空位，同时另一个电子被激发发射，这是一无辐射跃迁过程，这一过程被称为Auger效应,被发射的电子称为Auger电子。

Auger跃迁的标记

Auger跃迁的标记以空位、跃迁电子、发射电子所在的能级为基础。如初态空位在K能级，L1能级上的一个电子向下跃迁填充K空位，同时激发L3上的一个电子发射出去便记为KL1L3。一般地说，任意一种Auger过程均可用WiXpYq来表示。此处，Wi,Xp和Yq代表所对应的电子轨道。2.2AES

Auger效应电子能级、X射线能级和电子数

3d5/23d3/23p3/23p1/23s1/22p3/22p1/22s1/21s1/2M5M4M3M2M1L3L2L1KAES

Auger效应电子能级、X射线能级和电子数

4f5/24f5/24d5/24d3/24p3/24p1/24s1/2N7N6N5N4N3N2N12.3EAES与XAES的比较用电子束作为激发源的优点是：电子束的强度大于X射线源多个数量级；电子束可以进行聚焦，具有很高的空间分辨率；电子束可以扫描，具有很强的图像分析功能；由于电子束束斑直径小，具有很强的深度分析能力。EAES与XAES的比较XAES也具有很多优点：（1）由于X射线引发的二次电子较弱，俄歇峰具有很高的信/背比；（2）X射线引发的俄歇电子具有较高的能量分辨率；（3）X射线束对样品的表面损伤小得多。2.4俄歇分析的选择对于Z≤14的元素，采用KLL俄歇电子分析；14<Z<42的元素，采用LMM俄歇电子较合适；Z>42时，以采用MNN和MNO俄歇电子为佳。2.5俄歇电子产额俄歇电子产额或跃迁几率决定俄歇谱峰强度，直接关系到元素的定量分析。俄歇电子与特征X射线是两个互相关联和竞争的发射过程。俄歇电子产额与原子序数的关系由图可知，Z<19，发射俄歇电子的几率在90％以上；随Z的增加，X射线荧光产额增加，而俄歇电子产额下降。Z<33时，俄歇发射占优势。2.6俄歇电子能谱的基本原理俄歇电子的能量和入射电子的能量无关，只依赖于原子的能级结构和俄歇电子发射前它所处的能级位置。

产生的俄歇电子动能：Ewxy=Ew-Ex-EyAuger电子能谱手册Perkin-Elmer公司的Auger电子能谱手册，其中给出了各种原子不同系列的Auger峰位置。每种元素的各种Auger电子的能量是识别该元素的重要依据。3.俄歇电子能谱仪的组成主要组成部分：电子枪、能量分析器、二次电子探测器、（样品）分析室、溅射离子枪和信号处理与记录系统等。样品和电子枪装置需置于超高真空分析室中。俄歇谱仪示意图3.1电子枪电子枪是用于激发Auger电子的装置。电子枪的电子束斑直径，决定着SAM的空间分辨率。目前，商品仪器中，最小的电子束斑直径为<15nm，最大加速电压为20keV。

3.2电子能量分析器

在表面分析技术中使用的电子能量分析器都是静电型的。最常用的为筒镜型能量分析器(CMA）。

电子能量分析器CMA的原理结构

-VElectronGunSampleSelectedEnergyAugerElectronsElectronMultiplier3.3真空系统

Auger电子谱仪都带有超高真空系统。系统的真空度一般优于6.710-8Pa。

3.4离子枪和暂预处理室离子枪是价进行样品粮表面剖离晋的装置，富主要用于论样品的清粮洗和样品禽表层成分险的深度剖闪层分析。常用Ar作为剖离以离子，能土量在1~5拢KeV。样品的慈预处理线室是对导样品表葱面进行诊预处理炕的单元贷。一般可罚完成清猫洗、断蒙裂、镀见膜、退创火等一督系列预询处理工旅作。3.5其它附泼件目前，一凡般都配有SAM功能，爬可以对态样品表煎面进行二维AES成像。还可在帖样品室码上安装加脸热、冷耕却等功崭能，研究影样品在坑特殊环扛境下的努状态。还可根据祸用户的要躁求配置EDX等辅助惕功能。3.6俄歇谱商仪的分衣辨率和太灵敏度谱仪的能量分垃辨率由CMA决定，通粪常CMA的分辨吵率<0.隔5%，所以ΔE约为5~10环eV。谱仪的空间分辨垃率与电子束仿的最小束该斑直径有例关。目前谣商品的最款小束斑直梯径>500埃。检测极限（灵敏度捆）。一般烧认为俄歇炒谱仪典型倒的检测极编限为0.1猴%。4.Auge凳r电子能谱傍的测量在Auge捆r电子能创谱仪中乡丰，所采金集的Aug田er电子谱中哗，不仅有Auge般r电子信知号，同税时也存坝在其它斥的二次相电子。用于分析巩的Auge响r电子的钳能量一教般在0~2读000巴eV，它所穗对应的窄平均自之由程为0.5~电3nm，即1~5个原子创层左右览。因此，Auge惜r电子的信斥号强度在禽整个电子油信号中所既占的比例望是相当小拦的，即AES中有强大槐的背底。俄歇电盈子能谱俄歇电子趁数目N(E)随其能量E的分布曲先线称为俄牵歇电子能趋谱。一般锐情况下，咬俄歇电子纸能谱是迭跪加在缓慢彼变化的，勿非弹性散压射电子形掏成的背底蜘上。俄歇搬电子峰有古很高的背闸底，有的刷峰还不明轮显，不易身探测和分誉辩。为此次通常采用斗电子能量胃分布的一羊次微分谱酷，即N’(菌E)=台dN(僚E)/农dE来显示促俄歇电乡丰子峰。伤这时俄漆歇电子猜峰形成绵正负两捞个峰，卸一般负齿值大于酒正峰。牧微分谱慨的特点策是灵敏拔，背底庆扣除问巷题自动尘得到解妙决，峰睡明锐且棍易辨识恨，特别布是如图虫中的碳贸和钙峰嗓。习惯代上将原裹先的N(E街)谱称为芬积分谱哑。定性分析主要是轻利用俄边歇电子层的特征路能量值义来确定葵固体表悲面的元车素组成酸。能量水的确定盐在积分磨谱中是扒指扣除舰背底后蛮谱峰的饿最大值指，在微甘分谱中馆通常规好定负峰魂对应的晚能量值拾。习惯涉上用微足分谱进巾行定性辩分析。定量分秘析：以绿峰-峰值（帆正负峰毛高度差哲）代表崭俄歇峰宪强度，叔用于定茫量分析昨。俄歇电常子像若调整电盆子能量分瓶析器，使夜其仅检测联制定元素筐的俄歇能卡量范围，匆让细聚焦白的入射电络子束在试定样表面沿程指定直线河或区域扫梨描，同步锄探测俄歇蜘电子信号芝，就能获而得俄歇线师扫描图或指俄歇电子越图像。利滔用俄歇图员像和电子辜显微图像细相比较，枝亦可得到弄元素分布侨与表面形取貌的相关赴性。。4.1直接谱直接谱盲根据能恼量分辨棋率的不脖同设置责方式，忙也有两觉种形式涂，即EN(E)~E和N(E)~E。直接谱控的信噪杰比优于待微分谱脆，但信介背比却扩低于微宾分谱。在实际的蠢工作中，剃应针对具桐体的问题蛾，结合微验分谱和直穗接谱而进乐行分析。直接谱Fe经轻微臭氧化的EN(E)~E和N(E)~E谱4.2微分谱用锁定虽放大技盘术和微眠分电路毒获取Aug久er电子微寒分谱，棍是人们匀解决强嫁大背底岸所选用漂的重要化方法之船一。从拳而使Aug歌er电子能谱昆成为今天匪的重要表穷面分析技稼术之一。俄歇电子励有很强的乡丰背底噪音.微分法俄歇图逐谱采用猾微分后臂曲线的暴负峰能超量作为俄歇圈动能进行封标定微分谱Fe经轻微筋氧化的d[EN(E)]/dE谱和dN(E)/dE谱5.AES分析方法5.1定性分传析定性分析奴是进行AES分析的迫首要内闲容，是根据研测得的Aug躁er电子谱祥峰的位亡置和形柿状识别侄分析区旋域内所碧存在的查元素。方法是将寒采集到的Auge续r电子谱与贩标准谱图篮进行对比，来识泼别分析斜区域内布的未知艘元素。由于微针分谱具繁有比较等好的信肤背比，风利于元链素的识获别，因劈燕此，在定性创分析中病，一般著用微分凭谱。定性分客析的一蛾般步骤岂：1）根据最蛾强的俄歇腹峰能量，蛾查《俄歇电湿子能谱标手册》，确定智元素。2）标注炕所有此令元素的祥峰。3）微量役元素的红峰，可塔能只有饼主峰才获能在图狐谱上观包测到。4）未标识司峰可能是央能量损失太峰。通过塌改变入射捐电子能量酿辨别。注意：化学环难境对俄歇粪谱的影响啦造成定性竖分析的困笛难(但又为研自究样品表竭面状况提邪供了有益桶的信息)，应注狗意识别盗。定性分析Al的标准AES谱Al2O3的标准AES谱定性分董析TiN的Auge烟r电子谱俄歇电子止能谱定性分析总结任务：根据实或测的直接遵谱(俄歇峰)或微分谱上疯的负峰的羞位置识别结元素。方法：与标漆准谱进步行对比酸。注意：由于电往子轨道之皇间可实现梢不同的俄江歇跃迁过昆程，所以哈每种元素截都有丰富赞的俄歇谱偶，由此导徐致不同元雪素俄歇峰均的干扰。对于原盈子序数唤为3~1歉4的元素注，最显活著的俄未歇峰是祖由KLL跃迁形师成的；适对于原岁子序数14~涂40的元素，寸最显著的堡俄歇峰则算是由LMM跃迁形残成的。5.2．半定章量分析基本上挨是半定量的水平(常规情况拿下，相对蠢精度仅为30%左右)常用的定龄量分析方溪法是相对灵敏档度因子法。该法尖准确性私较低，振但不需挺标样，熟因而应叮用较广核。AES定量分德析的主姨要困难试样的复蕉杂性，即留试样的非琴均匀性、匠表面成分块的未知性戏、试样表蚀面的粗糙墙度的影响南，多晶样训品表面取坚向不同的透影响。仪器性华能对分忆析结果众的影响蓬。基体效叔应对分洪析结果盏的影响弄。5.3.扫描Auge状r显微探针(SAM娃)：微区分旷析SAM是利用Aug斩er电子能谱秆研究表面肯二维元素轿分布的一勇项技术。惜它是将很砍细的初级编电子束在切样品表面久扫描，同攻时选取某销一元素Aug显er电子峰的课能量，使拍该元素的Auge梳r电子成烧像。这索样，它不仅织可以知沙道样品狸表面的乓元素种侵类、含舞量，还邪可以得秆知各元途素在表燃面的分丽布情况遣。扫描Aug服er显微探针(SA洒M)目前，姻最好的SAM的初级电歪子束直径头为<15衡nm，其空间奖分辨能力傲很高。在实际菊的分析粥过程中扰，可用只的最小啦束径一姑般大于虾电子枪姐的最小法束径。饶因为：(1)束径越张细，使沸得信噪床比下降捏。(2)样品的抗描辐照损伤碍的能力对冤束径的大类小有限制菜。(3)束斑漂移养对束径也丢有限制。扫描Aug秧er显微探捧针(SA菜M)Meas锹ure芦Auge萄rsi真gnal尺at德many墓poi粒nts傍ont漏hes炎urfa碌ce.Crea难tes有3De崖leme穴ntal窃map比of羽surf具ace.Req扶uir驻es境ah游igh详ly编foc彻use峡de蛛lec类tro没nb脚eam巨.Spat魔ial斩reso借luti愧oni崇sab幕out慨0.1μmGen颤era庙lly骨us荣ea叠co甚nce尸ntr创ic愚hem丧isp尖her翼ica纤la禾nal播yze村r(轻CHA灾)i杀nst条ead渣of扎CM聋A.When汗use旗dwi惨tha微nAr+sput练ter留beam比,co剃mpos吩itio博nde码pth斤prof邮ilin政gma穴ybe工don稀e.5.3微区分池析可以分慎为选点澡分析，洞线扫描孤分析和膀面扫描晃分析三逆个方面静。这种功且能是俄福歇电子卷能谱在航微电子迟器件研然究中最协常用的兼方法，烤也是纳呢米材料槽研究的谊主要手燃段。5.3佳.1微区分析(点分析)在正常样灾品区，表怎面主要有Si,系N,C和O元素存盯在。而勺在损伤究点，表驳面的C,O含量很高斩，而Si,洽N元素的含仆量却比较鞠低。这宇结果说明城在损伤区据发生了Si3N4薄膜的柴分解。图Si3章N4薄膜表祖面损伤颂点的俄表歇定性滤分析谱5.3仆.1点分析图19S后i3N4薄膜表蛛面损伤晴点的俄垂歇深度辞分析图18S服i3N4薄膜表面未正常点的蔬俄歇深度京分析5.3.惊2线扫描分茄析线扫描闸分析可太以在微猫观和宏宜观的范怎围内进郊行（1～600叫0微米）送。俄歇抢电子能丹谱的线突扫描分突析常应充用于表清面扩散璃研究，液界面分朋析研究腥等方面乌。对于膜造层较厚煤的多层条膜，也钞可以通祝过对截讽面的线惩扫描获飘得各层遣间的扩扮散情况属。5.3.斯2线扫描床分析Ag-A镜u合金超薄墨膜在单晶台硅(11摩1)面上的狮电迁移缴后的样搜品表面痕的Ag和Au元素的些线扫描窝分布图5.3.吃2线扫描沃分析Al-忘Si合金的俄歇线狱扫描分絮布图5.3但.3面扫描分寄布图它可以疮把某个香元素在碧某一区累域内的市分布以挂图像的识方式表练示出来毫。把面扫描连与俄歇化宜学效应相幻玉结合，还环可以获得橡元素的化侨学价态分唇布图。俄歇电子朽能谱的面翁分布分析壮适合于微宗型材料和爷技术的研童究，也适涌合表面扩算散等领域弹的研究。修在常规分闷析中，由打于该分析料方法耗时半非常长，线一般很少柴使用。5.3随.3面扫描分平布图半导体稀器件测尾试模板地的C,校Si,膛O的SAM和SEM5.3.渴3面扫描分慈布图SEM税S的SAM深度剖面荐分析是利暮用具有一菜定能量的压离子束对聪样品表面居进行剥离遭，同时采柏集各元素放的Aug缠er电子能谱停，从而获并得元素含染量与刻蚀呼时间(深度)的分布情爽况。离子枪引控出的一般越是具有500e点V~5k御eV的Ar离子，束萌径则根据殿离子枪的总种类不同底而有较大锯的差异。5.4虫.深度剖桃面分析离子束刻圾蚀对界面醋也有宽化深度剖面糠分析离子的滋溅射过剪程非常锁复杂，逃不仅会诊改变样斤品表面家的成分缎和形貌芒，有时萝还会引碌起元素渴化学价毕态的变水化。此外，塑溅射产勉生的表猴面粗糙缠也会大汗大降低鸡深度剖丹析的深信度分辨静率。一陪般随着逗溅射时霜间的增扬加，表禽面粗糙求度也随于之增加抹，使得央界面变饼宽。目前解决摔该问题的俩方法是采粗用旋转样凝品的方法衣，以增加涛离子束的北均匀性。深度剖面啦分析Ni-熟Cu合金的择昼优溅射效跟应深度剖面记分析在经过界注面反应后乡丰，在PZT薄膜与炎硅基底窑间形成铜了稳定蚀的SiO2界面层。PZT/夕Si薄膜界面淋反应后的狭俄歇深度延分析谱5.6狡.化学效脾应由于原浅子内部舌外层电塌子的屏悄蔽效应混，芯能尾级轨道厕和次外明层轨道执上的电尽子的结吵合能在金不同的历化学环只境中是枣不一样糊的，有乡丰一些微烘小的差劈燕异。这归种轨道很结合能挽上的微吗小差异促可以导惠致俄歇女电子能里量的变理化，这钞种变化洒就称作元素的俄辱歇化学位段移。利用这魂种俄歇事化学位档移可以毒分析元危素在该剃物种中孩的化学扩价态和侄存在形从式。Aug鸟er电子的暑化学效犬应的特宫点：与XPS相比，猴俄歇电离子能谱唐虽然存时在能量监分辨率芝较低的粱缺点，辜但其化托学位移昂要比XPS的化学怕位移大裳得多。雁所以俄耳歇电子姥能谱更线适合于怪表征化关学环境相的作用等。化学效应Na2S2O3中S原子AES峰化学效应图9不同价踏态的镍请氧化物陡的Ni速MVV俄歇谱足图10不同价态恰的镍氧化皮物的Ni爱LMM俄歇谱830840850860KineticEnergy/eVCounts/a.u.pureNiNiONi2O35.7样品制取备在通常情筒况下只能横分析固体宝导电样品第。经过特衔殊处理，桑绝缘体固胸体也可以铁进行分析泥。粉体样绿品原则映上不能络进行俄培歇电子字能谱分澡析，但便经特殊灾制样处稀理也可值以进行违一定的林分析。由于涉及闹到样品在惭真空中的鞭传递和放枣置，待分鱼析的样品脱一般都需逆要经过一粒定的预处闭理。主要包糖括样品赚大小，会挥发性五样品的钥处理，哑表面污蕉染样品请及带有晋微弱磁混性的样改品等的是处理。6.俄歇电熟子能谱填的应用研究固歇体表面萝的能带咱结构、净态密度捆等。研究表面动的物理化讨学性质的仿变化。如柜表面吸附倚、脱附以纸及表面化辆学反应。在材料帮科学领粪域，主渣要应用危于材料凉组分的拘确定，舱纯度的吩检测，态材料特锄别是薄乎膜材料蚂的生长渠。研究表塑面化学殖吸附以扰及表面浙化学反烫应。在物理穗学，化葡学，材蓝料科学剂以及微博电子学铲等方面培有着重击要的应虑用。6.1固体表聚面清洁宁程度的居测定一般对于程金属样品蛮可以通过翁加热氧化出除去有机绘物污染，春再通过真走空热退火斯除去氧化券物而得到员清洁表面寄。而最简单唱的方法则峰是离子枪惧溅射样品种表面来除胸去表面污警染物。样品的表茎面清洁程晕度可以用件俄歇电子饥能谱来实勺时监测。固体表面暴清洁程度推的测定图23表面清洁前后的俄歇电子能谱检测6.2表面吸捎附和化纽奉学反应公的研究由于俄趋歇电子劝能谱具裙有很高破的表面黎灵敏度发，可以尾检测到1~5原子单弯层，因懂此可以佳很方便防和有效庄地用来必研究固津体表面任的化学劳吸附和叼化学反注应。表面吸监附和化兼学反应浪的研究表面初壶始氧化普过程的Zn哈LVV谱6.3薄膜厚迹度测定通过俄歇乓电子能谱愁的深度剖蜂析，可以狭获得多层腿膜的厚度馅。由于溅蓝射速率与凶材料的性拘质有关，紫这种方法紫获得的薄乱膜厚度一姨般是一种筐相对厚度谈。这种方法席对于薄膜偷以及多层仙膜比较有蓬效。对于策厚度较厚堡的薄膜可扭以通过横戏截面的线毁扫描或通睁过扫描电买镜测量获屑得。薄膜厚度盘测定从图上东可见，TiO2薄膜层的沟溅射时间励约为6分钟，由辉离子枪的锈溅射速率隙（30n烈m/m认in）,可以获臂得TiO2薄膜光催旅化剂的厚辽度约为180辜nm。AES测定TiO2薄膜光辛催化剂冶的厚度6.4薄膜的界渴面扩散反熔应研究在薄膜杀材料的巾制备和瓦使用过袭程中，愧不可避解免会产唉生薄膜壮层间的仇界面扩就散反应林。通过俄歇己电子能谱墙的深度剖糊析，可以与研究各元佩素沿深度限方向的分术布，因此达可以研究赏薄膜的界吉面扩散动未力学。同时，通浆过对界面蒜上各元素忙的俄歇线部形研究，授可以获得管界面产物锻的化学信眠息，鉴定遗界面反应笑产物。薄膜的萝界面扩灶散反应晓研究从图上酬可见，那薄膜样耍品在经挽过热处镜理后，小已有稳铸定的金棕属硅化陪物层形丈成。同惕样，从样深度分彼析图上坐还可见差，Cr表面层中已被氧饭化以及宴有C元素存亚在。这两主要是良由热处眠理过程娱中真空巴度不够姜以及残词余有机垂物所引探起的。复此外，川界面扩假散反应君的产物积还可以厕通过俄步歇线形妇来鉴定墙。AES研究Cr/贷Si的界面扩通散反应6.5固体表面瓦离子注入婆分布及化化学状态的捧研究通过俄膏歇电子毅能谱的毯深度剖机析，不辟仅可以常研究离谅子注入血元素沿登深度方殃向的分楼布，还厚可以研她究注入德元素的琴化学状途态。注入Sb元素后，Sn元素MNN俄歇动严能发生燃变化，粮介于Sn和SnO2之间。络说明Sn外层获得谢部分电子盯。6.5固体表扫面离子直注入分药布及化况学状态乔的研究从图上辉可见，代离子注叨入层的率厚度大棵约35nm，而注什入元素牺的浓度头达到12%。仅从Sb离子的注爸入量和分剂布很难解两释离子注错入薄膜的谦电阻率的储大幅度降注低。离子注入Sb的SnO2气敏薄岁膜的俄钻歇深度拉分析图6.6薄膜制结备的研面究俄歇电渠子能谱膀也是薄漏膜制备燥质量控骆制的重青要分析伯手段。由于制备连条件的不翁同，制备负出的薄膜甚质量有很笋大差别。叨利用俄歇鹅电子能谱席的深度分挣析和线形盲分析可以激判断薄膜咏的质量。薄膜制香备研究从图上可悄见，所有吉方法制备附的薄膜层扁中均有两自种化学状直态的Si存在（单抵质硅和Si3N方4）。其帜中，APCV写D法制备的于薄膜质量巧最好，单淹质硅的含蜜量较低。皱而PEC令VD法制备薄卫膜的质量倒最差。不同方洗法制备勿的Si3交N4薄膜的SiL肯VV俄歇线形亿分析薄膜制贫备研究从图上台可见，厌等离子透体增强谱化学气池相沉积崖法制备铲的Si3N谎4薄膜N/S钳i比较低驶，约为0.5抚3。PECV钳D制备的Si3N丈4薄膜的俄窑歇深度分开析6.7失效分堤析俄歇电子业能谱也是政材料失效臂分析的有择力工具。肯如金属材扁料的断裂梳一般多表虽现为有害攻元素在晶搭界的偏析雷。6.8材料的元员素偏析研富究元素偏析自经常是材挖料失效的宏重要原因夹。利用俄趁歇电子能纤谱可以很塌好地研究去材料中的权元素偏析丑问题。从图上可窝见，除表拦面有氧化恰层外，在戏基底合金劳材料中，沟主要是Fe,训Ni，Cr合金，成顽分分布还蹄是很均匀盏的。彩电阳极敞帽在氧化前处理前的牵俄歇深度博分析材料的元举素偏析研躲究在热氧化僵处理后，保合金材料修不仅被氧止化，并发甜生了元素燃的偏析作移用。本察底合金中虏含量很低闻的Cr元素发生乖了表面偏鸭析，在样岸品表面获诉得富集，秋形成了Cr2O3致密氧化滤层。大大峡改善了彩由电阳极帽荷与玻璃的麻真空封接营性能。彩电阳极塘帽在氧化僵处理后的伞俄歇深度狗分析6.9固体化学霜反应研究俄歇电子让能谱在薄屿膜的固体居化学反应杜研究上也伟有着重要题的作用。固体化学万反应研究从图上问可见，辈在金刚幸石表面鸡形成了饰很好的卵金属Cr层。Cr层与金痰刚石的哨界面虽纺有一定愉程度的巩界面扩党散，但属并没有景形成稳企定的金夫属化合依物相出省现。在恢高真空冤中经高奏温热处都理后，维其俄歇克深度