2023年电子行业研究报告

2023年电子行业研究报告

MR引领创新趋势，国内厂商深度受益。（1）零组件：现象级产品苹果

MR将在2023年发布，巨头产品落地有望加快AR/VR/MR眼镜硬件创

新和渗透，以果链为代表的零组件板块B有望逐步修复。同时智能手表、

折叠屏以及汽车电子等需求持续渗透，拥有品类扩张逻辑的制造平台性

企业最为受益。（2）PCB:目前PCB下游汽车、服务器以及XR眼镜持

续进行技术升级,将进一步打开PCB广阔空间并加速产业结构优化，国

内厂商深度布局未来充分受益。

目录［CONTENTS

0沙半导体：逆全球化势不可挡，自主可控之

。当零组件：XR、手表与折叠机引领新浪潮,

0张PCB：服务器、智能车与XR眼镜渗透加3

被动元件：新能源景气延续，消费景气传

01AI+安防：景气拐点已至，智能物联打开;

0务面板与LED：面板价格触底长期格局改直

07＞重点公司盈利预测及估值

0§风险提示

半导体：

逆全球化势不可挡，自

01新的环境:“芯片法案”重补贴，“BIS新规"重制裁

《美国芯片与科学法案》，总拨款524亿美金

预算拨款方向

280亿美元用于先进芯片制造、组装和封装设施的>lx更令

390亿美元补贴和贷款，110亿美元用于刺激汽车、信息和通>2、对N

信技术以及医疗设备等领域老一代及当前技术芯片

110亿美元用于芯片商业研发和劳动力发展16/14n

20亿美元用于成立美国国防芯片基金以支持军用芯片研发18nm心

用于成立美国国际技术安全和创新芯片基金，分配>3、美国

5亿美元给美国国务院和国际开发署等机构游说外国政府采

用美国技术、抵制中国技术A4、UVL

用于培养半导体产业工人，分配给美国国家科学基终用途才

2亿美元4d

mzx

华创孙7

给在美建厂的各国芯片企业25%的投资税收减免,

税收减免部分其中15亿美元用于“公共无线供应腌创新基金”>5、28g

240亿美元推进国际5G联盟，并更换美国国内由华为、中兴

等中国企业提供的5G设备。

国泰君安2023年度策略研讨会

数据来源：美国芯片法案，BIS新规，国泰君安证券研究

01任重道远：晶圆扩产推动本土设备、材料等环节突破可E

中国六大内资产线总体国产化率快速上升中国半导体i

—长江寿建—隼虹七福代珞

9芯蝮残-----隼力柒——他为中，

国内设备公司的平均业绩增速维持68%左右，存货和合同负偈

22Hl总的22Hl归W冷利同22H1#货

公司18-21CA3R18-21CAGR

（任乖）（亿元）（任元）

北方华创54444282%75475338%W710

中检公司19722378%467811623%2487

18隼记祸1。地,21隼般利

华超7.1712019%1.8571954

068亿

18年亏损036亿，21年由利

拓利科校52318173%1.0811563

1驶亿

芯源融5.0456.04%0.6941406%11.66

到1科技11.889125%245171.63%1301

华•溜检54158.95%27055657%207

*美上海10964335%23662337%1937

个纯科技11204568%0B149745%1400

光力科技2692707%06402141%236

京用精密5985634%169015880%398

平妁康才6809%6810%

国泰君安2023年度策略研讨会

数据来源：公司官网，中国国际招标网，中国电子专用设备工业协会，国泰君安证券研究

01本土扩产受影响：存储受BIS新规影响大，国产化线进度

资本开支：本土内资Fab资本开支强度约300亿美金/年，BIS新规对存储厂影响;

国产化线：中芯京城、ICRD等在内的国产化进度开始加速。

工厂名称芯片类型1工艺参数1月产能规划/万片12019

Fab-164-128L103

长江存储Fab-23DNAND128-256L10

Fab-3>256L10

Fab-119-17nm122

合肥长套

存储Fab2DRAM17-15nm12

Fab-315nm及以下12

北京久芯Fab-1一期CDAM17nm3

Fab-1—期15nm7

武汉新芯Fab-BNOR及其他90/65/45nm4.5

福建省华一期DRAM25/19nm

中芯京城一期逻辑代工40-28nm言

中芯京城二期

中芯深圳Fab690-40/55nm4

中芯国际逻辑代工

中芯深圳其他规划

中创芯新临中港心一期逻'w辑ta代/P工-r90-28nm10

逻辑

华虹无锡Fab-7功率/9055nm100.5

华虹无锡Fab-9逻辑9040/28nm10

华虹集团华力微Fab6号组代下28/22-40nm43

华力微Fab8心HE28-7nm

ICRD28nm

吉岛芯恩一期逻辑/功率代工9065nm4

逻辑/存储28/14nm10

国泰君安2023年度策略研讨会

数据来源：公司官网，国泰君安证券研究

01细分品类成长空间：资本开支*设备品类投资额占比*日

-1）资本开支强度待定，受政策与制裁影响；2）设备品类持续拓展，“0-1”

全球设备价值

（创除中国大,

涂胶显影（3%）19.2

光刻（20%）128.0

ICPfil基刻蚀（45%）72.0

刻蚀（25%）金属刻蚀（5%）8.0

CCP介质刻蚀（50%）80.0

硬掩模层（68%）6.3

花咕m。/'PVD（13-15%）罩总炉％）6.3

晶国制造设备花膜（23-25%）铜互连（30%）26.9

(80%)其他(5458%)49.3

CVD(10-12%)76.8

CMP(4-5%)25.6

热处理（3-4%）25.6

离子注入（45%）32.0

清洗设备槽式清洗（30-40%）13.4

（贯穿）（7%）单片清洗（60-70%）31.4

量测设备（贯穿）（9-10%）57.6

SOC潴试机(65%)30.4

存储器测试机（25%）11.7

测试设备（65%）模拟测试机（10%）4.7

(8%-9%)分选机（18%）13.0

探针台（15%）10.8

其他（2%）1.4

封装设备（8-9%）■72.0

合计（亿美金）.800.0

国泰君安2023年度策略研讨会

数据来源：公司官网，国泰君安证券研究

01设备端：半导体设备在制造流程中的应用环节

氧化►热处理*激光退火-*清洗

前

道iH化力jIKTHt*][MUtAA**]

晶

圆

加

工

、

芯

片Utk离子注入（立复步黑）

制

造

千刻/他刻-清洗

工

'Jk」

艺

【千副以加机][it洸机]

流

程

及

设

备

清洗

国泰君安2023年度策略研讨会

数据来源：芯源微招股说明书，国泰君安证券研究

01设备端：半导体设备在制造流程中的应用环节

后道先进封装工艺流程及设备

清洗•涂胶•曝光探针台+测

--------试机

涂胶机光刻瓦

清洗机渡射设备晶

晶

网

(园

洞

W允

A伏

T许

(

显影测

)C

试P

)

刻他机去胶机电优设备显影机

由秣I着装后测

涂息助焊剂►回炉焊接试)

涂覆设备回炉焊接设各清洗机检测仪器K设计

国泰君安2023年度策略研讨会

数据来源：中微公司招股说明书，国泰君安证券研究

01设备端：中国半导体设备和国外仍有差距

薄膜沉积设备刻

2021年市场蛔横190（次元19

PVDCVD

0内主要公司，匕方华创、拓腌4技、中微公司物例、中t

国产化率4.6%

前道测量/检测清洗设备涂胶显I

2021年市场微模100{ZM7C

市场竞祭格局

•KLA•AMAT

bMaarv•Njmo■Screen-TELLAM

•Hwn»Mcrow*。•Nava

SEMES.”上."Ke

盛美上海.芯源撤、［昉华创、至

国内主♦公司上海精测、中科飞测

纯科技

国产化率2%31%

国泰君安2023年度策略研讨会

数据来源：SEMI,Yole,拓荆科技招股说明书，芯源微招股说明书，公司公告，国泰君安证券t

01设备端：中国半导体设备和国外仍有差距

热处理设备离子注入设备去胶M

2021年市删I模7俗

市场竞争格局

•AMAT■AxoHa

•・TELHtetfnMl«M«・"i*i・**・

国内主要公司屹唐股份、d防华创凯世通、中科信屹唐喻芯通

20%1.4%749

国泰君安2023年度策略研讨会

数据来源：SEMI,Yole,拓荆科技招股说明书，芯源微招股说明书，公司公告，国泰君安证券后

01材料端：半导体材料在制造流程中的应用环节

半导体材料覆盖芯片制造全流程

硅片高纯特气光刻股

硅晶圆氧化

制造高纯试剂

前驱体

硅微粒

国泰君安2023年度策略研讨会

数据来源：公司官网，国泰君安证券研究

01零部件：市场规模超500亿元，细分种类众多

不同零部件功能不同，导致不同类零部件的技术难点和壁垒各不相同

零郃件占g

9M应用尔域番成本比例”技术要求与壁皇

金属件加工精度、分析检满、焊接和盘面处理

纯度饕求高，余届含■、表面黑超度、应力质■、精度都是关翦

石英件

S*

应用于所有设备，起陶奈件ESC群电吸盘要求高

机械类划构潴系统基础板架20%-40%硅/碳化能

原材料助■、加工工艺、精度要求高

结构的作用。件

石墨件石墨基材质■、机M幡加工、表面舞处理、表面■大黑口度饕求

更科件表面处理、U度数据”乏、多为非标准忤，姑拘黛奈

密封件需送行成分分析和橡杂、射化性要求赢，酎高温和机械废摞

应用于所有设径，主

电气类要用于电力、信号的10%-20%电控部件满足3出功率的程定性、电压防■、波形质■、发率质■指标

校叫

应用于所有设备，负运动部件通讯维度较高，马达类品质风险较嬴

用品*的鞋电、移动

机电一

以及温度控制。其中10%-25%

体类

双工机台知浸液系统其他要求港足真空度、洁*度、使用中的程定性指标

仅供光刻机使用。

真空筑：气体动力学设计、表面加工'e密装配电度高n空规：

JI空件湾■工艺K空、压力测■要求高*空源：材料等级高，耐磨性、

气体和具中系统主要抗腐蚀性总求高

，液

a用于干法设备，液体过速部件副腐蚀、耐高逐

空系统10~30%

系统主要用于湿法设气体粕送系统：腐空度、法净度、属蚀性等指标

及IH

备C真空系统类：真空指标、可靠性、稳定性、一致性等指标

系统部件

气动液压系统类：K空度、表而粗辕度、耐腐蚀性、使用寿命等

指标

应用于所有设备，负

仪器仪气体流■计：叫应快、精度高、附腐蚀，使用寿命长

责监置系统中的流■、1%-3%仅收

表类高以空压力机：测■高空压力，形制特殊

温度、压力等数幅UA

主要用于光刻、测・光源

光学类设备，目光刻机的极50%-55%赳通精度、分怫军、・光靶力、光学谡鬟等指标

梭镇

心备再〜

国泰君安2023年度策略研讨会

数据来源：中国半导体零部件产业现状及发展的建议，国泰君安证券研究

01零部件：国产化空间巨大，未来业绩高速增长

_国产零部件和

I厂商名梆

国内外主要零部件厂商营收规模差距较大，国产化空间大主要产品

电阴、电容、晶体器

北方华第f

块电源等精密电子元器

Advan

Ferrote江李电华亚都新策应密制精半身体同门、关镀、i

企业MKSUCTZelMcWM团机电

c子材精密等部件

Energy

新枢机器

具安机械手

半导体零部件营A

118.25118.82165.60

收（21年，单位：34.62亿27.43亿1-84亿5.21亿5.32亿8.29亿

亿亿亿汉舲粮机直空累

元）

7及空室、家、阙、法;

金属件q新橐应材

道和管件等

石英件q

网豪件VPVD机台用压环、潜j

喳，・化CVD、刻性机台用面t

机械类7ykl-4-mj

险件体谣淋头等；CMP机W

刚石研磨片、保持杯等

石件

工艺和结构零部件、1

袈料件富倒M击

毒封件q品、气体管路

电控郃设船用功率控制器、1

电，类y

件英杰电气源等，配嵩MOCVD,

石炉、碳化硅设备等

运动郃

机电一y

件华变智能瓯金件

体类

反他7神工展馆上下电相、硅材料

食空件q74

具过滤部中科仪真空泉

y

空系统件

鬓系统部乩镌石英石英件

Qyyq上海广川

件洁净室机及手

仅备仅靖江先锋金M零郃件加工、表面

仪衰yy

表类上海里纳机械手

充学基*注4小尺寸晶割装囊却受7

钱洁机器

1日本JEL洒净机械手1

生产

国泰君安2023年度策略研讨会

数据来源：各公司年报，国泰君安证券研究

01碳化硅：下游需求高景气，衬底行业高壁垒

碳化硅产业链大致可分衬底、外延、器件三部分

SK化咛村底卜曲上

＞碳化硅衬底技术难度大壁垒高，较低良率是行业主要瓶颈。天岳先进2021

年H1晶棒良率为49.90%,衬底良率为75.47%。

＞高电压器件需外延加厚，倒逼衬底完善缺陷控制。厚度更高的外延层，其

厚度与电阻率均匀性控制更加困难，缺陷密度更难保证，这对碳化硅衬底的

平整度和粗糙度提出更高要求

＞降价趋势下器件价格仍高企，碳化硅衬底占据产业储价值重心。在碳化硅

器件的制作成本中，衬底、外延、前段、研发费用和其他分别占比47%,

23%,19%,6%,5%,衬底占据碳化硅产业橙的价值重心。

国泰君安2023年度策略研讨会

数据来源：中商产业研究院，天岳先进招股说明书，国泰君安证券研究

01碳化硅：下游需求高景气，衬底行业高壁垒

碳化硅在光伏逆变器领域的渗透率不断提高800V碳化磴