离子晶体结构_第1页
离子晶体结构_第2页
离子晶体结构_第3页
离子晶体结构_第4页
离子晶体结构_第5页
已阅读5页,还剩105页未读 继续免费阅读

下载本文档

版权说明:本文档由用户提供并上传,收益归属内容提供方,若内容存在侵权,请进行举报或认领

文档简介

离子晶体结构第1页/共110页21.3.3离子晶体结构典型的离子晶体是ⅠA族和ⅦA族的元素之间形成的化合物晶体。以正负离子为结合单元,依靠离子键结合。同时离子晶体中还存在与静电吸引力相平衡的近距排斥力(泡利原理引起的斥力)。第2页/共110页3一、离子晶体的结构规则鲍林(Pauling)应用离子键理论,总结出离子晶体的结构规则,称为鲍林(Pauling)规则。第3页/共110页Pauling第一规则——内容:在正离子周围,形成一个负离子配位多面体,正负离子间的距离取决于它们的半径之和,而配位数取决于它们的半径之比。说明:(1)晶体结构是以负离子作近似紧密堆积,正离子填入负离子堆积所形成的空隙中。正离子趋向于与尽可能多的负离子为邻(配位数尽可能大)。(2)在结构中正负离子之间是接触的,而负离子之间是不接触的,使得结构中吸引力大于斥力,处于稳定状态。

(3)配位数一定时,R+/R-有一下限值(临界离子半径比值)负离子配位多面体规则第4页/共110页如果阴离子作紧密堆积,当阳离子处于八面体空隙,考虑所有离子都正好两两相切的临界情况,6配位的临界半径比:

第5页/共110页立方体8配位的临界半径比

第6页/共110页离子半径比(R+/R-)、阳离子配位数及负离子配位多面体形状

第7页/共110页Pauling第二规则——

内容:在一个稳定的晶体结构中,每一个负离子的电价等于邻近的各正离子静电键强度的总和。

说明:在晶体结构中负离子的电价被正离子电价所平衡,即在晶体结构中正负离子电价的代数和为0。静电键强度为S,等于正离子电荷Z+除以正离子的配位数n,即S=Z+/n。以NaCl为例说明。电价规则第8页/共110页设阴离子电荷数Z-,阴离子配位数,则有

第9页/共110页应用:

(1)可以检验晶体结构是否是稳定的。晶体结构中负离子的电价是否被正离子电价所饱和,饱和就是稳定的,否则是不稳定的。(2)确定在硅酸盐结构中一个O2-同时连接几个多面体的问题。用镁橄榄石Mg2SiO4说明,Mg2SiO4结构中存在[SiO4]和[MgO6],

SMg=2/6=1/3SSi=4/4=1第10页/共110页Pauling第三规则——内容:在配位型的晶体结构中,配位多面体共用棱,特别共用面的存在会降低这个结构的稳定性,对于高电价低配位的正离子,这种效应特别大。说明:(1)在硅酸盐结构中的[SiO4]、[MgO6]、

[AlO6]

各个之间共顶、共棱、共面连接,那种连结方式稳定的问题。一般来说共顶连接最稳定,共棱、共面连接不大稳定,对于[SiO4]只能共顶连接,而[MgO6]、

[AlO6]

既可以共顶连接,也可以共棱连接,甚至还可以共面连接。负离子多面体共用顶、棱和面的规则第11页/共110页(2)说明理由

晶体结构的稳定性与配位多面体共顶、共棱和共面有关,涉及到两个正离子之间距离长短与稳定性的关系:

两个正离子之间距离长,斥力小,结构稳定。两个正离子之间距离短,斥力大,结构不稳定。

以四面体和八面体配位为例子:第12页/共110页

设R1、R2、R3分别为共顶、共棱、共面时,中心正离子之间距离;f1、f2、f3分别为共顶、共棱、共面时两个正离子之间斥力:四面体:R1:R2:R3=1:0.58:0.33

八面体:R1:R2:R3=1:0.71:0.58

则f1<f2<f3,稳定性:共顶>共棱>共面。第13页/共110页Pauling第四规则——内容:在含有二种以上阳离子的离子晶体中,电价较高而配位数较低的阳离子所形成的配位多面体之间,有尽量互不结合的趋势。不同种类正离子配位多面体间连接规则说明:以镁橄榄石Mg2SiO4为例,氧作六方紧密堆积,Mg2+和Si4+分别填入四面体和八面体空隙中,形成[MgO6]和[SiO4]:

RSi-Mg>RSi-Si

所以[SiO4]之间不连接,而[SiO4]与[MgO6]共棱连接成岛状结构。第14页/共110页Pauling第五规则——说明:

(1)在晶体结构中正离子与负离子之间连接方式越少越好;

(2)每种连接方式要满足静电价规则。

内容:在同一晶体中,同种正离子与同种负离子的结合方式应最大限度地趋于一致。节约规则第15页/共110页16二、典型的离子晶体结构离子晶体按其化学组成分为:二元化合物和多元化合物。二元化合物有AB型、AB2型、A2B3型;多元化合物有ABO3型、AB2O4型。第16页/共110页主要内容:晶体的对称性,晶族晶系,离子紧密堆积原理,离子的配位数,晶体的键型,一个晶胞所占有正负离子的数目,质点所处的空间坐标,空间格子类型以及同型结构的化合物等。第17页/共110页181、AB型化合物结构CsCl型结构NaCl型结构立方ZnS结构六方ZnS结构第18页/共110页CsCl晶胞1)CsCl型结构

第19页/共110页(1)对称性:

点群3L44L36L29PC空间群Pm3m。

(2)晶族晶系和晶胞常数:

由于高次轴多于一个,有3个L4,属于高级晶族,立方晶系,a=b=c=0.411nm,α=β=γ=900。

(3)空间格子:属于原始立方格子。

(4)质点的空间坐标:Cl-:000,Cs+:½

½

½。第20页/共110页(5)正负离子堆积情况:以半径大的Cl-作立方紧密堆积,Cs+离子是填入全部的立方体空隙中。(6)离子的配位数:

r+=0.169nm,r-=0.181nm,r+/r-=0.933,属0.732~1.000之间,可确定Cs+配位数为8,根据化学式Cs+:Cl-=1:1,故Cl-的配位数也为8。(7)晶体的键型:CsCl属于离子键化合物,配位型离子晶体。第21页/共110页(8)一个晶胞占有正负离子的数目:

Cl-离子数目:8×1/8=1,

Cs+离子数目:1×1=1,一个晶胞占有1个CsCl(Z=4)。(9)堆积系数:

K=V/V0=(晶胞中正负离子所占体积)/(晶胞体积)=V/a3

a=2/31/2(r++r-)

K=(4/3r+3n++4/3r-3n-)/a3(10)同型结构的化合物:CsBr,CsI,TlCl,NH4Cl等。第22页/共110页NaCL晶胞2)NaCl型结构第23页/共110页(1)对称性:点群3L44L36L29PC,空间群Fm3m。

(2)晶族晶系和晶胞常数:

由于高次轴多于一个,有3个L4,属于高级晶族,立方晶系,a=b=c=0.563nm,α=β=γ=900。

(3)空间格子:

属于面心立方格子。

(4)质点的空间坐标:

Cl-:000,½

½0,½0½,0½

½

;Na+:00½

,½00,0½0,½

½

½。

第24页/共110页(5)正负离子堆积情况:

以半径大的Cl-作面心立方紧密堆积,形成n个八面体空隙和2n个四面体空隙,根据Na+离子半径大小以及正负离子之间结合的稳定性,Na+离子是填入全部的八面体空隙中。(6)离子的配位数:

r+=0.102nm,r-=0.181nm,r+/r-=0.52,属0.414~0.732之间,可确定Na+配位数为6,根据化学式Na+:Cl-=1:1,故Cl-的配位数也为6。(7)晶体的键型:NaCl属于离子键化合物,配位型离子晶体。第25页/共110页(8)一个晶胞占有正负离子的数目:

Cl-离子数目:8×1/8+6×1/2=4,

Na+离子数目:12×1/4+1=4,一个晶胞占有4个NaCl(Z=4)。(9)堆积系数:

K=V/V0=V/a3

=(4/3r+3n++4/3r-3n-)/(2r+

+2r-)(10)同型结构的化合物:MgO,CaO,SrO,BaO,MnO,CoO,NiO等。第26页/共110页β-ZnS晶胞ZnS3)立方ZnS(-ZnS\闪锌矿)型结构005050502502500507575第27页/共110页(1)对称性:

点群3Li44L36LP,空间群F43m。

(2)晶族晶系和晶胞常数:

由于高次轴多于一个,有3个L4,属于高级晶族,立方晶系,a=b=c=0.540nm,α=β=γ=900。

(3)空间格子:

属于面心立方格子。

(4)质点的空间坐标:

S2-:000,0½

½,½0½,½

½0;Zn2+:¼

¼

¾

,¼

¾

¼,¾

¼

¼

,¾

¾

¾

。第28页/共110页(5)正负离子堆积情况:以一种离子(S2-或Zn2+)作面心立方紧密堆积,形成n个八面体空隙和2n个四面体空隙,另一种离子(Zn2+或S2-)填入1/2的四面体空隙中,剩余1/2四面体空隙和全部八面体空隙未被正离子占据(空着)。(6)离子的配位数:

理论上r+/r-=0.414,阳离子配位数应为6,但实际是4,这是由于离子极化结果,使正负离子之间距离缩短,配位数降低的原因。根据化学式S2-的配位数也为4。第29页/共110页(7)晶体的键型:由于极化结果,使得结构的共价键程度增加,所以该结构属于配位型的极性晶体。

(8)一个晶胞占有正负离子的数目:

S2-离子数目:8×1/8+6×1/2=4,

Zn2+离子数目:1×4=4,一个晶胞占有四个ZnS(Z=4)。第30页/共110页(9)堆积系数:

K=V/V0=V/a3

a用余弦定理确定

=(4/3r+3n++4/3r-3n-)/a3(10)同型结构的化合物:

-SiC,GaAs,AIP,InSb,BeS,CdS,HgS,硒化物和碲化物。

第31页/共110页4)六方ZnS(α-ZnS\纤锌矿)型结构第32页/共110页(1)对称性:

空间群P63mc。

(2)空间格子:

六方晶系(3)质点的空间坐标:S2-:(0,0,0),(2/3,1/3,1/2)Zn2+:(0,0,5/8),(2/3,1/3,1/8)S2-:(0,0,0),(1/3,2/3,1/2)Zn2+:(0,0,3/8),(1/3,2/3,7/8)第33页/共110页(5)正负离子堆积情况:以S2-作六方紧密堆积,形成n个八面体空隙和2n个四面体空隙,Zn2+离子是填入1/2的四面体空隙中,剩余1/2四面体空隙和全部八面体空隙未被正离子占据(空着)。(6)离子的配位数:

由于离子极化影响,配位数从6降至4,故每个S2-被4个[ZnS4]四面体共用,且4个四面体共顶连接。

第34页/共110页(7)晶体的键型:由于极化结果,使得结构的共价键程度增加,所以该结构属于配位型的极性晶体。

(8)一个晶胞占有正负离子的数目:

S2-离子数目:8×1/8+6×1/2=4,

Zn2+离子数目:1×4=4,一个晶胞占有四个ZnS(Z=4)。第35页/共110页(9)堆积系数:

K=V/V0=V/a3

a用余弦定理确定

=(4/3r+3n++4/3r-3n-)/a3(10)同型结构的化合物:

ZnO、ZnSe、AgI、BeO等

第36页/共110页

立方ZnS和六方ZnS是非常重要的两种晶体结构.已投入使用的半导体除Si、Ge单晶为金刚石型结构外,III-V族和II-VI族的半导体晶体都是ZnS型,且以立方ZnS型为主.例如:GaP,GaAs,GaSb,InP,InAs,InSb,CdS,CdTe,HgTe第37页/共110页38

2、AB2型化合物结构CaF2型结构TiO2(金红石)型结构

β-方石英(方晶石)型结构第38页/共110页1)CaF2(萤石)型结构CaF2晶胞第39页/共110页(1)对称性:点群,3L44L36L29PC空间群Fm3m。

(2)晶族晶系和晶格常数:

由于高次轴多于一个,有3个L4,属于高级晶族,立方晶系,a=b=c=0.545nm,α=β=γ=900。

(3)空间格子:

属于面心立方格子。

(4)质点的空间坐标:

Ca2+:000,½

½0,½0½,0½

½

;F-:¼

¼

¼,¾

¾

¼,¾

¼

¾,¼

¾

¾,

¾

¾

¾,¼

¼

¾

,¼

¾

¼

,¾

¼

¼

。第40页/共110页(5)正负离子堆积情况:以Ca2+作面心立方紧密堆积,形成n个八面体空隙和2n个四面体空隙,F-离子填入全部的四面体空隙中,全部的八面体空隙未被占据(空着)。(6)离子的配位数:

r+=0.112nm,r-=0.131nm,r+/r-=0.85,可确定Ca2+配位数为8,根据化学式Ca2+:F-1:2,故F-的配位数为4。第41页/共110页(7)晶体的键型:

CaF2属于离子键化合物,配位型离子晶体。(8)一个晶胞占有正负离子的数目:

Ca2+离子数目:8×1/8+6×1/2=4,F-离子数目:8×1=8,一个晶胞占有四个CaF2(Z=4)。第42页/共110页(9)堆积系数:

K=V/V0=V/a3

a用余弦定理确定

=(4/3r+3n++4/3r-3n-)/a3(10)同型结构的化合物:

BaF2,PbF2,SnF2,CeO2,ThO2,UO2

和低温型ZrO2等。第43页/共110页金红石晶体结构2)TiO2(金红石)型结构第44页/共110页(1)对称性:点群L44L25PC,空间群P4/mnm。

(2)晶族晶系和晶胞常数:

只有一个高次轴L4,属于中级晶族,四方晶系a=b=0.459nm,c=0.296nm,α=β=γ=900。

(3)空间格子:属于四方原始格子。

(4)质点的空间坐标:Ti4+:000,½

½

½

;O2-:uu0,(1-u)(1-u)0,(½+u)(½-u)½

,(½-u)(½+u)½

,其中u为一结构参数,

u=1/3

第45页/共110页(5)正负离子堆积情况:结构中以O2-作紧密堆积,形成n个八面体空隙和2n个四面体空隙,Ti4+填入1/2的八面体空隙中

。(6)离子的配位数:

r+=0.061nm,r-=0.140nm,r+/r-=0.44,可确定Ti4+配位数为6,据化学式Ti4+:O2-=2:1,故O2-的配位数为3。第46页/共110页(7)晶体的键型:

TiO2属于离子键化合物,配位型离子晶体。(8)一个晶胞占有正负离子的数目:

O2-离子数目:4×1/2+2=4,

Ti4+离子数目:8×1/8+1=2,一个晶胞占有二个TiO2(Z=2)。第47页/共110页(9)堆积系数:

K=V/V0==V/a2c

=(4/3r+3n++4/3r-3n-)/a2c(10)同型结构的化合物:

GeO2,SnO2,PbO2,MnO2,MoO2,NbO2,WO2,CoO2,MnF2和MgF2等。第48页/共110页493、A2B3型化合物结构-Al2O3(刚玉)型结构为典型结构第49页/共110页三方晶系空间群ao=0.514nm,=5517CN+=6CN-=4,O2-与4个Al3+形成静电键第50页/共110页O2-

密排六方堆积排列(ABAB二层重复型)Al3+填充于2/3八面体空隙。Al3+的分布规律:原则——从Pauling规则出发,在同一层和层与层之间,Al3+之间的距离应保持最远,宏观上呈现均匀分布,以减少Al3+之间的静电斥力,有利于结构的稳定性。

第51页/共110页因此每三个相邻的八面体空隙应有一个是有规则地空着的,这样六层构成一个完整周期。第52页/共110页结构与性质硬度高(莫氏9级)熔点高达2050C

力学性能颇佳同类型结构-Fe2O3、Cr2O3、Ti2O3、V2O3

第53页/共110页544、ABO3型化合物结构典型结构CaTiO3(钙钛矿)型结构方解石(CaCO3)型结构通式:ABO3A—

二价(或一价)B—

四价(或五价)第54页/共110页(高温时)立方晶系简单立方格子Pm3m空间群(<600C)正交晶系简单正交格子PCmm空间群1)CaTiO3(钙钛矿)型结构第55页/共110页CaTiO3晶体结构第56页/共110页Ca2+和O2-构成面心立方结构,Ca2+在立方体的顶角,O2-在立方体的六个面心上,Ti4+填于6个O2-构成的八面体[TiO6]空隙中,且只填满1/4的八面体空隙。第57页/共110页[TiO6]八面体群相互以顶点相接,Ca2+则填于[TiO6]八面体群的空隙中,并被12个O2-所包围,故:CNCa2+=12,CNO2-=6,CNTi4+=6第58页/共110页从鲍林规则知:Ti-O离子间的静电键强度S为2/3,Ca-O离子间的S为1/6,每个O2-被2个[TiO6]八面体和14个[CaO12]十四面体所共用,O2-的电价为2/3×2+1/6×4=2,电价饱和,结构稳定同类结构的有:BaTiO3,SrTiO3,PbTiO3,CaZrO3,PbZrO3,SrZrO3,SrSnO3等。第59页/共110页三方晶系

R3C

其结构可以归之为变了形的NaCl结构,将NaCl的三次轴竖立并加压,直至边间角变为101.55。。然后用Ca2+代替Na+,CO32-代替Cl-。2)CaCO3(方解石)型结构第60页/共110页每个晶胞中有4个Ca2+和4个CO32-络合离子;每个Ca2+被6个[CO3]2-所包围,配位数为6;

络合离子[CO3]2-中3个O2-作等边三角形排列,C4+在三角形的中心。同类型结构的有:MgCO3,CaMg(CO3)2第61页/共110页625、AB2O4型化合物结构典型结构MgAl2O4(尖晶石)型结构通式:AB2O4A—

二价离子B—

三价离子

两种正离子的总价数必须等于8第62页/共110页立方晶系立方面心格子Fd3m空间群ao=0.808nm一个晶胞中分子数为8,故有32个O2-,16个Al3+和8个Mg2+第63页/共110页O2-:面心立方紧密堆积;Mg2+:填充在1/8的氧四面体中心,配位数为4;Al3+:填充在1/2的氧八面体中心,配位数为6。这种结构可看成由8个亚晶胞组成,亚晶胞分两种类型。第64页/共110页甲型中Mg2+位于单元的中心和4个顶角,O2-位于各条体线对角上距临空顶角1/4处。乙型中Mg2+位于4个顶角上,O2-位于各条体对角线上距Mg2+顶角1/4处。Al3+位于4条体对角线上距临空顶角的1/4.第65页/共110页若把MgAl2O4晶格看作是O2-立方密排结构,八面体间隙有一半被Al3+所填,而四面体间隙只有1/8被Mg2+所填。同类型结构的有:ZnFe2O4,FeAl2O4,ZnAl2O4,CdFe2N4,MnAl2O4等。第66页/共110页67三、硅酸盐的晶体结构硅和氧是地壳中分布最广的两种元素,分布量各约占25%和50%。硅的主要存在形式是硅酸盐和硅石。硅酸盐的结构复杂,因为其中的正、负离子都可以被其它的离子全部或部分取代。第67页/共110页硅酸盐的化学式写法:1)把构成这些硅酸盐的氧化物写出来,按1价、2价、3价金属氧化物,最后是SiO2。如钾长石为K2O·Al2O3·6SiO22)如无机盐络合物的写法,先1价、2价金属离子,其次是Al3+和Si4+,最后是O2-,按一定离子数比例写出其化学式。如钾长石为KAlSi3O8第68页/共110页硅酸盐晶体结构结构特点:

1)硅酸盐结构中Si4+间不存在直接的键,键的联接是通过O2-来实现。每一个Si4+存在于四个O2-为顶点的四面体中心,构成[SiO4]4-四面体。2)每一个[SiO4]4-四面体的每一个顶点,即O2-最多只能为两个[SiO4]4-四面体所共用。若结构中只有一个Si4+与O2-相连接,则O2-有未饱和的电价,将由其它的正离子来与之相连,形成各种不同类型的硅酸盐。第69页/共110页3)[SiO4]4-四面体间只能共顶连接成单链、双链或成层状、网状的复杂结构,但不能共棱和共面连接。在同一类型硅酸盐中,[SiO4]4-四面体间的连接方式只有一种。4)[SiO4]4-四面体中的Si-O-Si结合键通常不是一条直线,而是呈键角145。的折线。第70页/共110页[SiO4]4-四面体Si—O平均距离0.160nm(<r++r-)电负性差

=1.7Si—O键并非纯离子键结合相当高共价键成分离子键和共价键约各占一半第71页/共110页桥氧第72页/共110页

活性氧(非桥氧):

[SiO4]4-四面体中与1个Si

相联结的O。惰性氧(桥氧):

[SiO4]4-四面体中与2个Si相联结的O,其电荷已中和。

第73页/共110页741、孤岛状硅酸盐SiO4四面体在结构中不直接连接,而靠MO6连接起来的,即SiO4四面体被MO6八面体隔离.络阴离子:

SiO44--

晶体代表:Mg2SiO4(镁橄榄石),

ZrSiO4(锆英石)、

(MgFe)2SiO4(橄榄石)

第74页/共110页孤立四面体第75页/共110页橄榄石

(Mg,Fe)2[SiO4]第76页/共110页特点:1)[SiO4]4-只通过O-Mg-O键连接在一起;2)Mg2+周围有6个O2-位于正八面体的顶角,故整个结构是由四面体和八面体构成的。3)O2-近似按照六方排列。4)二价离子Fe2+、Ca2+可以取代其中的Mg2+,形成(Mg,Fe)2[SiO4]或(Mg,Ca)2[SiO4]第77页/共110页782、组群状结构二个、三个、四个或六个SiO4四面体通过公共氧连接而成的四面体群体,这种群体看成一个结构单元。结构单元在结构中不直接连接,而靠MO6连接起来。络阴离子:

Si2O76-,

Si3O96-,Si4O126-,Si6O1812-绿柱石

Be3Al2Si6O18晶体代表:

第78页/共110页双四面体[Si2O7]6-第79页/共110页环状硅氧骨干[Si3O9]6-[Si4O12]8-[Si6O18]12-第80页/共110页组群状三方环第81页/共110页绿柱石Be3Al2[Si6O18]结构单元是6个硅氧四面体形成的六节环,环之间靠Al3+和Be2+离子连接。Al3+的配位数是6,与硅氧网络的非桥氧形成[AlO6]八面体;Be2+配位数是4,构成[BeO4]四面体。第82页/共110页绿柱石环与环相叠,上下两层错开30。。上下叠置的六节环内形成通道,可储有K+,Na+,Cs+及水分子,使绿柱石结构成为离子导电的载体。第83页/共110页结构与绿柱石相似,六节环中有一个[SiO4]四面体中的Si4+被Al3+所取代,环外的(Be3Al2)被(Mg2Al3)所取代。具有优良的抗热、抗振性能。堇青石Mg2Al3[AlSi5O18]第84页/共110页853、链状结构无数个[SiO4]4-间通过共用2或3个角顶,沿一维方向彼此相连,无限延伸成链。链间为其他金属阳离子联结。常见单链和双链。络阴离子:

单链Si2O64-

双链Si4O116-透辉石CaMgSi2O6

、透闪石Ca2Mg5Si4O112(OH)2

晶体代表:

第85页/共110页单链结构单元为[SiO3]n2n-由于Si-O键比链间M-O键强得多,故链状硅酸盐矿物易于沿链间结合较弱处裂成纤维。第86页/共110页同类结构:透辉石CaMg[Si2O6]顽辉石Mg[SiO3]锂辉石LiAl[Si2O6]等硅灰石蔷薇辉石辉石第87页/共110页双链结构单元为[Si4O11]n6n-同类结构:透闪石Ca2Mg5[Si4O11]2(OH)2斜方角闪石(Mg,Fe)7[Si4O11]2(OH)2硅线石Al[AlSiO5]莫来石Al[Al1+xSi1-XO5-X/2](X=0.25~0.4)等第88页/共110页894、层状结构

[SiO4]4-四面体的某一个面(由3个氧离子组成)在平面内以共用顶点的方式连接成六角对称的二维结构。络阴离子:

Si4O1012-晶体代表:

Mg3Si4O10(OH)2(滑石)、Al4Si4O10(OH)8(高岭石)、KAl2AlSi3O10(OH)2(白云母)第89页/共110页层状硅氧骨干多为二节单层,即以两个硅氧四面体的连接为一个重复周期,另外还有一个氧离子自由端,价态未饱和,称为活性氧。六元环状单层结构中,Si4+分布在同一高度,单元大小可在六元环层中取一个矩形,结构单元内氧/硅比为10:4,故其化学式可写成[Si4O10]4-第90页/共110页活性氧将与金属离子结合形成稳定结构。活性氧与其他负离子一起与金属正离子相边接时,构成[Me(O,OH)6]八面体;活性氧与四面体相连接构成双层结构;八面体层的两侧各与四面体层结合构成三层结构的硅酸盐结构层内Si-O键和Me-O键要比层与层之间分子键或氢键强得多,故这种结构易从层间剥离,形成片头解理。同类结构:高岭土Al4[Si4O10](OH)8滑石Mg[Si4O10](OH)2蒙脱石(MxnH2O)(Al2-xMgx)[Si4O10](OH)2第91页/共110页滑石第92页/共110页蛇文石

第93页/共110页945、架状结构硅氧四面体所有四个顶点均与相邻硅氧四面体的顶点相连,并向三维空间伸延的架状结构。络阴离子:

SiO2石英SiO2,KAlSi3O8(钾长石),NaAlSi

温馨提示

  • 1. 本站所有资源如无特殊说明,都需要本地电脑安装OFFICE2007和PDF阅读器。图纸软件为CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.压缩文件请下载最新的WinRAR软件解压。
  • 2. 本站的文档不包含任何第三方提供的附件图纸等,如果需要附件,请联系上传者。文件的所有权益归上传用户所有。
  • 3. 本站RAR压缩包中若带图纸,网页内容里面会有图纸预览,若没有图纸预览就没有图纸。
  • 4. 未经权益所有人同意不得将文件中的内容挪作商业或盈利用途。
  • 5. 人人文库网仅提供信息存储空间,仅对用户上传内容的表现方式做保护处理,对用户上传分享的文档内容本身不做任何修改或编辑,并不能对任何下载内容负责。
  • 6. 下载文件中如有侵权或不适当内容,请与我们联系,我们立即纠正。
  • 7. 本站不保证下载资源的准确性、安全性和完整性, 同时也不承担用户因使用这些下载资源对自己和他人造成任何形式的伤害或损失。

评论

0/150

提交评论