小功率调频发射机设计

小功率调频发射机设计1第1页，共42页，2023年，2月20日，星期六

一、调频发射机及其主要技术指标

1.组成框图

2第2页，共42页，2023年，2月20日，星期六一、调频发射机及其主要技术指标2.主要技术指标发射功率

一般是指发射机输送到天线上的功率。

总效率

发射机发射的总功率与其消耗的总功率P’C之比，称为发射机的总效率。

非线性失真

要求调频发射机的非线性失真系数

应小于1%。

杂音电平

杂音电平应小于–65dB。

工作频率或波段

发射机的工作频率应根据调制方式，在国家或有关部门所规定的范围内选取。

3第3页，共42页，2023年，2月20日，星期六二、单元电路设计与调试

整机电路的设计计算顺序一般是从末级单元电路开始，向前逐级进行。而电路的装调顺序一般从前级单元电路开始，向后逐级进行。

4第4页，共42页，2023年，2月20日，星期六1-1、LC正弦波振荡器其中，晶体管T、L1、C1、C2、C3组成电容三点式振荡器的改进型电路即克拉泼电路，接成共基组态，CB为基极耦合电容，其静态工作点由RB1、RB2、RE及RC所决定，即由公式（4-2-1）~（4-2-4）决定。ICQ一般为(1~4)mA。ICQ偏大，振荡幅度增加，但波形失真加重，频率稳定性变差。L1、C1与C2、C3组成并联谐振回路，其中C3两端的电压构成振荡器的反馈电压，以满足相位平衡条件Sj=2np。

比值C2/C3=F，决定反馈电压的大小，反馈系数F一般取1/8~1/2。

为减小晶体管的极间电容对回路振荡频率的影响，C2、C3的取值要大。

如果选C1<<C2，C1<<C3，则回路的谐振频率fo主要由C1决定，即

5第5页，共42页，2023年，2月20日，星期六1-2、变容二极管调频

调频电路由变容二极管DC及耦合电容Cc组成，

R1与R2为变容二极管提供静态时的反向直流偏置电压VQ，电阻R3称为隔离电阻，常取R3>>R2，R3>>R1，以减小调制信号vΩ对VQ的影响。

C5与高频扼流圈L2给vΩ提供通路，C6起高频滤波作用。变容二极管DC通过Cc部分接入振荡回路，有利于提高主振频率fo的稳定性，减小调制失真。图4.2.2为变容二极管部分接入振荡回路的等效电路，接入系数p及回路总电容CS分别为Cj6第6页，共42页，2023年，2月20日，星期六变容二极管的Cj-v特性曲线

图4.2.3变容二极管的Cj-v特性曲线

变容二极管的Cj-v特性曲线如图4.2.3所示。设电路工作在线性调制状态，在静态工作点Q处，曲线的斜率为7第7页，共42页，2023年，2月20日，星期六1-3、LC调频振荡器主要性能参数及其测试方法

主振频率

LC振荡器的输出频率fo称为主振频率或载波频率。用数字频率计测量回路的谐振频率fo，高频电压表测量谐振电压vo，示波器监测振荡波形。

频率稳定度

主振频率fo的相对稳定性用频率稳定

度表示。

最大频偏

指在一定的调制电压作用下所能达到的最大频率偏移值。将

称为相对频偏。

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变容二极管特性曲线

特性曲线Cj-v如图4.2.3示。

性能参数VQ、Cj0、

及Q点处的斜率kc等可以通过Cj-v特性曲线估算。

图4.2.4是变容二极管2CC1C的Cj-v曲线。由图可得

VQ=

–4V时

CQ=75pF，

9第9页，共42页，2023年，2月20日，星期六

调制灵敏度

单位调制电压所引起的最大频偏称为调制灵敏度，以

表示，单位为

kHz/V，即

为调制信号的幅度；

为变容管的结电容变化

时引起的最大频偏。

∵回路总电容的变化量为在频偏较小时，

与

的关系可采用下面近似公式，即∴

p↑-△f↑，↑-△f↑。10第10页，共42页，2023年，2月20日，星期六

为静态时谐振回路的总电容，

即∴C1↓-↑-△f↑调制灵敏度

为回路总电容的变化量；式中，

调制灵敏度

可以由变容二极管Cj-v特性曲线上VQ处的斜率kc及式(4-2-15)计算。

越大，说明调制信号的控制作用越强，产生的频偏越大。

11第11页，共42页，2023年，2月20日，星期六

1-4、设计举例

例

设计一LC高频振荡器与变容二极管调频电路。振荡器的静态工作点取

，

，测得三极管的

由式(4-2-1)~式(4-2-4)计算出各电阻值。

。

主要技术指标

主振频率

fo=5MHz，频率稳定度≤5×10–4/小时，主振级的输出电压Vo≥1V，最大频偏

。

已知条件

+VCC=+12V，高频三极管3DG100，变容二极管2CC1C。

(1)确定电路形式，设置静态工作点12第12页，共42页，2023年，2月20日，星期六

(2)计算主振回路元件值

由式(4-2-5)得

，若取C1=100pF，则L1≈10H实验中可适当调整L1的圈数或C1的值。电容C2、C3由反馈系数

F及电路条件C1<<C2，C1<<C3所决定，若取C2=510pF，

由

，则

取

C3=3000pF，取耦合电容

Cb=0.01F。13第13页，共42页，2023年，2月20日，星期六

(3)测变容二极管的Cj-v特性曲线，设置变容管的静态工

作点VQ本题给定变容二极管的型号为

2CC1C，已测量出其Cj-v曲线如图4.2.4所示。取变容管静态反向偏压VQ=4V，由特性曲线可得变容管的静态电容CQ=75pF。14第14页，共42页，2023年，2月20日，星期六

(4)计算调频电路元件值变容管的静态反向偏压VQ由电阻

R1与R2分压决定，已知

VQ=4V，若取

R2=10k

，隔离电阻R3=150kΩ。为减小振荡回路高频电压对变容管的影响，应取小，但过小又会使频偏达不到指标要求。可以先取，然后在实验中调试。当VQ=-4V时，对应CQ=75pF，

则

CC18.8pf.

取标称值20pF∵15第15页，共42页，2023年，2月20日，星期六(5)计算调制信号的幅度为达到最大频偏的要求，调制信号的幅度VΩm，可由下列关系式求出。由式(4-2-14)得由Cj-v曲线得变容管

2CC1C在VQ=–4V处的斜率pF/V，

由式(4-2-9)得调制信号的幅度VΩm=ΔCj/kc=0.92V。

由式(4-2-12)得调制灵敏度Sf为kHz/V16第16页，共42页，2023年，2月20日，星期六1-5、调频振荡器的装调与测试A。安装要点

电路元件不要排得太松，引线尽量不要平行，否

则会引起寄生反馈。

多级放大器应排成一条直线，尽量减小末级与前级之间的耦合。

地线应尽可能粗，以减小分布电感引起的高频损耗。

为减小电源内阻形成的寄生反馈，应采用滤波电容

Cφ及滤波电感Lφ组成的π型或Γ型滤波电路。

安装时应合理布局，减小分布参数的影响。17第17页，共42页，2023年，2月20日，星期六b。

测试点选择

正确选择测试点，减小仪器对被测电路的影响。在高频情况下，测量仪器的输入阻抗(包含电阻和电容)及连接电缆的分布参数都有可能影响被测电路的谐振频率及谐振回路的Q值，为减小这种影响，应使仪器的输入阻抗远大于电路测试点的输出阻抗。

所有测量仪器如高频电压表、示波器、扫频仪、数字频率计等的地线及输入电缆的地线都要与被测电路的地线连接好，接线尽量短。18第18页，共42页，2023年，2月20日，星期六C。

调试方法（1）先调整静态工作点。（3）测量频偏加入幅度为VΩ的调制信号以后，可以采用频偏仪测量频偏。也可以用示波器测量C点的波形，观察波形在X方向的相移。（2）观测动态波形并测量电路的性能参数。与低频电路的调试基本相同，所不同的是按照理论公式计算的电路参数与实际参数可能相差较大，电路的调试要复杂一些。19第19页，共42页，2023年，2月20日，星期六2、高频功率放大器设计

利用宽带变压器作耦合回路的功率放大器称为宽带功率放大器。它不需要调谐回路，可在很宽的频率范围内获得线性放大。但效率

较低，一般只有20%左右。它通常作为发射机的中间级，以提供较大的激励功率。

利用选频网络作为负载回路的功率放大器称为谐振功率放大器。根据放大器电流导通角θ的范围，可以分为甲类、乙类、丙类和丁类等功率放大器。丙类功放的电流导通角θ<90，效率可达到80%。它通常作为发射机的末级，以获得较大的输出功率和较高的效率。一、电路的基本原理20第20页，共42页，2023年，2月20日，星期六

2-1、电路的基本原理

晶体管T1与高频变压器Tr1组成宽带功率放大器，晶体管T2与选频网络L2、C2组成丙类谐振功率放器。

21第21页，共42页，2023年，2月20日，星期六

1.宽带功率放大器

(1)静态工作点晶体管T1与RB1、RB2、RE1、RF组成的宽带功率放大器工作在甲类状态。其特点是：晶体管工作在线性放大

区。其静态工作点的计算方法与低频电路相同。由关系式(4-3-1)~(4-3-4)确定。

宽带功率放大器集电极的输出功率PC为

PC=PH/T

式中，PH为输出负载上的实际功率；T为变压器的传输效率，一般

T=0.75~0.85。

(2)高频变压器22第22页，共42页，2023年，2月20日，星期六

1.宽带功率放大器

图4.3.2甲类功放的负载特性图4.3.2是宽带功率放大器的负载特性。为获得最大不失真输出功率，静态工作点Q应选在交流负载线AB的中点。

集电极的输出功率PC的表达式为式中，R'H

为集电极等效负载电阻；Vcm为集电极交流电压的振幅，其表达式为23第23页，共42页，2023年，2月20日，星期六

1.宽带功率放大器(3)功率增益

与电压放大器不同的是，功放应有一定的功率增益，对于图4.3.1所示电路，宽带功放要为下一级丙类功放提供一定的激励功率，必须将前级输入的信号进行功率放大，功率增益

为

AP=PC/Pi

式中，Pi为功放的输入功率，它与功放的输入电压Vim及输入电阻Ri的关系为

24第24页，共42页，2023年，2月20日，星期六

2.丙类功率放大器

(1)基本关系式丙类功放的基极偏置电压–VBE是利用发射极电流的直流分量IE0(IE0Ic0)在射极电阻RE2上产生的压降来提供的，故称为自给偏压电路。当放大器的输入信号vi为正弦波时，集电极的输出电流iC为余弦脉冲波。利用谐振回路L2C2的选频作用可输出基波谐振电压vC1、电流iC1。集电极基波电压的振幅式中，IC1m为集电极基波电流的振幅；Rp为集电极负载阻抗。25第25页，共42页，2023年，2月20日，星期六

2.丙类功率放大器

集电极输出功率

直流电源VCC供给的直流功率式中，IC0为集电极电流脉冲

iC的直流分量。电流脉冲iC经傅立叶级数分解，可得峰值

与分解系数n(θ)的关系式26第26页，共42页，2023年，2月20日，星期六

2.丙类功率放大器分解系数n(θ)与θ的关系如图4.3.3所示。α2（

θ）的值，在θ=60o时最大，即二次谐波的电流脉冲

Icm2

为

最大值，而且效率η也比较高。27第27页，共42页，2023年，2月20日，星期六

2.丙类功率放大器图4.3.4为功放管输入电压VBE与集电极电流脉冲iC的波形关系。

由图可得：式中,Vj为晶体管导通电压(硅管约0.6V，锗管约0.3V)；VBm为输入电压(或激励电压)的振幅；VB为基极直流偏压。

VB=-IC0

•RE

当输入电压VBE大于导通电压

时，晶体管导通，并工作在放大状态，则基极电流脉冲

与集电极电流脉

成线性关系，即满足28第28页，共42页，2023年，2月20日，星期六

2.丙类功率放大器

功放的功率增益或

如图4.3.1所示，丙类功放的输出回路采用变压器耦合方式。其作用一是实现阻抗匹配，将集电极的输出功率送至负载；二是与谐振回路配合，滤除谐波分量。

集电极谐振回路为部分接入，谐振频率或

29第29页，共42页，2023年，2月20日，星期六

2.丙类功率放大器

(2)负载特性当功放处于临界工作状态A点时，管子的集电极电压正好等于管子的饱和压降VCES，集电极电流脉冲接近最大值ICm。此时集电极输出的功率PC和效率

都较高，对应的等效负载电阻

判断功放是否为临界工作状态的条件是：Vcc-Vcm=Vces30第30页，共42页，2023年，2月20日，星期六

2-2、高频变压器的绕制

高频变压器的磁芯应采用镍锌(NXO)铁氧体，当用

NXO-100环形铁氧体作高频变压器磁芯时，工作频率可达十几兆赫。其结构如图4.3.6所示，尺寸为外径×内径×高度，电感量L由下式计算[2]：

(4-3-30)

绕制高频变压器的漆包线一般选用线径为f0.31mm的漆包线。为减小线圈漏感与分布电容的影响，匝数应尽可能少，匝间距离尽可能大（绕稀一些，并绕得紧一些）。31第31页，共42页，2023年，2月20日，星期六

2-3、主要技术指标及实验测试方法

输出功率高频功放的输出功率是指放大器的负载RL上得到的最大不失真功率。也就是集电极的输出功率，即

效率常将集电极的效率视为高频功放的效率，用h表示，当集电极回路谐振时，h的值由下式计算：

功率增益

功放的输出功率Po与输入功率Pi之比称为功率增益，用AP(单位：dB)表示(见式4-3-10)。32第32页，共42页，2023年，2月20日，星期六

2-4、主要技术指标及实验测试方法

高频功放的测试电路高频信号发生器提供激励信号电压与谐振频率

示波器监测波形失真直流毫安表mA测量集电极的直流电流高频电压表V测量负载RL的端电压在集电极回路处于谐振状态时，放大器的输出功率可以由下式计算：

PO=

RLVL2=Vom22RL33第33页，共42页，2023年，2月20日，星期六

2-5、设计举例

（P145）

例

设计一高频功放。

已知条件

+VCC=+12V，晶体管3DG130，晶体

管3DA1。

主要技术指标

输出功率Po≥500mW，工作中心频率

，效率η>50%，负载

RL=51Ω。34第34页，共42页，2023年，2月20日，星期六

2-6、高频谐振功率放大器的调整

1.谐振状态的调整当出现回路

失谐

状态时，回路的等效阻抗将下降。这时集电极电压减小，集电极电流增大，集电极的耗散功率增加，严重时将损坏晶体管。为保证晶体管安全工作，调谐时，可以先将电源电压

降低到规定值的

，待找到谐振点后，再

将

升到规定值，然后微调回路参数。如图4.3.7所示，在回路谐振时，高频电压表的读数应达到最大值，直流毫安表的读数为最小值，示波器监测的波形为不失真基波。

35第35页，共42页，2023年，2月20日，星期六2-6、高频谐振功率放大器的调整2.寄生振荡及其消除(1)参量自激型寄生振荡

当功放的输出电压

足够大时，晶体管的许多参数

（如集电结电容

）将随着工作状态的变化而变化，产生许多新的频率分量存在于晶体管的输出和输入端，而形成自激振荡。图

(a)为1/2基波的影响，图

(b)为3倍频的影响。参量自激的特点是：必须在外加信号激励下才产生，因此断开激励信号观察振荡是否继续存在，是判断自激型寄生振荡的有效方法。参量寄生振荡使输出电压的峰值可能显著增加(比正常值大5倍～6倍)，回路可能处于失谐状态，集电极的耗散功率会很大，有可能导致晶体管损坏。

消除参量寄生振荡的常用办法是：在基极或发射极接入防振电阻(几欧姆至几十欧姆)，或引入适当的高频电压负反馈，或降低回路的QL值，如果可能的话，减小激励信号电平。

36第36页，共42页，2023年，2月20日，星期六2-7、高频谐振功率放大器的调整

(2)反馈型寄生振荡

反馈型寄生振荡又分为低频寄生振荡与高频或超高频寄生振荡。图4.3.10分别为叠加有低频自激与高频自激信号的输出波形。

低频寄生振荡一般是由功放输入输出回路中的分布电容引起的。

消除低频寄生振荡的办法是设法破坏它的正反馈支路，例如减少基极回路线圈的电感量或串入电阻RF，降低线圈的Q值。高频寄生振荡一般是由电路的分布参数(分布电容、引线电感等)的影响所造成的。例如引线较长时，其产生的分布电感(使放大器原有的电感相当于开路)与电路中的分布电容构成了振荡回路。消除高频寄生振荡的有效办法是：尽量减少引线的长度、合理布局元器件或在基极回路接入防振电阻。37第37页，共42页，2023年，2月20日，星期六三、整机设计举例

例设计一小功率调频发射机

已知

，晶体管3DG100，

b=60。

主要技术指标

发射功率，负载电阻(天线)，工作中心频率f0=5MHz

，最大频偏，总效率。38第38页，共42页，2023年，2月20日，星期六

三、整机设计举例

LC振荡与调频电路

产生频率的高频振荡信号。变容二极管线性调频，最大频偏。发射机的频率稳定度由该级决定。

缓冲隔离级

将振荡级与功放级隔离，以减小功放级对振荡级的影响。缓冲隔离级常采用射极跟随器电