半导体制造技术知到章节答案智慧树2023年上海工程技术大学

半导体制造技术知到章节测试答案智慧树2023年最新上海工程技术大学第一章测试“摩尔定律”是（）提出的？

参考答案:

1965年第一个晶体管是（）材料晶体管？

参考答案:

锗戈登摩尔是（）科学家。

参考答案:

美国第一个集成电路在（）被研制。

参考答案:

1958（）被称为中国“芯片之父”。1、

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邓中翰第二章测试硅在地壳中的储量为（）。

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第二脱氧后的沙子主要以（）的形式。

参考答案:

二氧化硅半导体级硅的纯度（）。

参考答案:

99.9999999％西门子工艺制备得到的硅为单晶硅。（）

参考答案:

错一片硅片只有一个定位边。（）

参考答案:

错晶面指数（m1m2m3）：m1、m2、m3分别为晶面在X、Y、Z轴上截距的倒数。（）

参考答案:

对第三章测试通过薄膜淀积方法生长薄膜不消耗衬底的材料。（）

参考答案:

对热氧化法在硅衬底上制备二氧化硅需要消耗硅衬底。（）

参考答案:

对二氧化硅可以与氢氟酸发生反应。（）

参考答案:

对薄膜的密度越大，表明致密性越低。（）

参考答案:

错电阻率，表征导电能力的参数，同一种物质的电阻率在任何情况下都是不变的。（）

参考答案:

错第四章测试光刻本质上是光刻胶的光化学反应。（）

参考答案:

对一个透镜的数值孔径越大就能把更少的衍射光会聚到一点。（）

参考答案:

错使用正胶进行光刻时，晶片上所得到的图形与掩膜版图形相同。（）

参考答案:

对使用负胶进行光刻时，晶片上得到的图形与掩膜版上的图形相反。（）

参考答案:

对正性光刻胶经过曝光后，可以溶解于显影液。（）

参考答案:

对负性光刻胶经过曝光后，可以溶解于显影液。（）

参考答案:

错第五章测试刻蚀是用化学方法有选择地从硅片表面去除不需要的材料的过程。（）

参考答案:

错湿法刻蚀是各向同性腐蚀。（）

参考答案:

对干法刻蚀有各向同性腐蚀，也有各向异性腐蚀。（）

参考答案:

对选择比指在不同刻蚀条件下，刻蚀一种材料对另一种材料的刻蚀速率之比。（）

参考答案:

错同一晶体不同晶面的原子键密度不一样，导致刻蚀速率不一样。（）

参考答案:

对第六章测试杂质掺杂只能改变半导体的类型，不能改变其电阻率。（）

参考答案:

错扩散是一种人为现象，是微观粒子热运动的形式，结果使其浓度趋于均匀。（）

参考答案:

错菲克第一扩散定律中的负号代表从高浓度向低浓度运动。（）

参考答案:

对半导体常用的掺杂方式有扩散和离子注入。（）

参考答案:

对离子注入掺杂是物理过程。（）

参考答案:

对第七章测试选择比指在同样的条件下对两种无图形覆盖材料抛光速率的比值。（）

参考答案:

对尖楔现象是铝硅接触时，较多的铝溶解到硅中形成尖刺的现象。（）

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错双大马士革中采用CMP，铜需要被刻蚀。（）

参考答案:

错高温回流：一般是在高温下进行，可适用于所有金属层间介质。（）

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错肖特基接触在某种条件下可以转变为欧姆接触（高掺杂）。（）

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对第八章测试物质有三种形态。（）

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错霜是有水汽直接在地面或近地面的物体上凝华形成的。（）

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对半导体制造工艺中用的气体可以随便运输。（）

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错工艺腔是指一个受控的常压环境。（）

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错等离子体是不导电的。（）

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错第九章测试芯片测试完成时，合格的芯片用墨水标出。（）

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错芯片成品率等于合格芯片数占总芯片数的百分比。（）

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对半导体制造工艺中不同硅片之间测试数据差别过大是可以接受的。（）

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错泊松模型是假设缺陷密度为均匀