模拟电子电路基础11课件

第一章半导体基本器件及应用电路§1.1半导体材料及导电特性§1.2PN结原理§1.4双极型晶体管§1.3晶体二极管及应用返回1.1半导体材料及导电特性1.1.1本征半导体1.1.2杂质半导体1.1.3漂移电流与扩散电流引言返回1.1半导体材料及导电特性返回1.1.1本征半导体（intrinsicsemiconductor）返回E

g（二）本征激发和两种载流子a:空穴带正电量b：空穴是半导体中所特有的带单位正电荷的粒子，与电子电量相等，符号相反c：空穴在价带内运动，也是一种载流子。在外电场作用下可在晶体内定向移动空穴：自由电子载流子：带单位负电空穴载流子：带单位正电返回（三）本征载流子（intrinsiccarrier）浓度

本征激发电子空穴E

g1电子空穴随机碰撞复合（自由电子释放能量）电子空穴对消失23本征激发动态平衡复合是电子空穴对的两种矛盾运动形式。返回（一）N型半导体（NTypesemiconductor）

室温T=300k+++++5返回（二）P型半导体（Ptypesemiconductor）----返回（三）杂质半导体中的载流子浓度本征半导体中载流子由本征激发产生：ni=pi掺杂半导体中（NorP）→掺杂越多→多子浓度↑→少子浓度↓杂质半导体载流子由两个过程产生：杂质电离→多子

本征激发→少子由半导体理论可以证明，两种载流子的浓度满足以下关系：1热平衡条件：温度一定时，两种载流子浓度积之，等于本征浓度的平方。N型半导体：若以nn表示电子（多子），pn表示空穴（少子）则有nn.pn=ni2P型半导体：pp表示空穴（多子），np表示电子浓度（少子）

Pp.np=ni22

电中性条件：整块半导体的正电荷量与负电荷量恒等。N型：No表示施主杂质浓度，则：nn=No+pnP型：NA表示受主杂质浓度，

Pp=NA+np由于一般总有No>>pnNA>>np所以有N型：nn≈No

且：pn≈ni2/ND

P型：pp≈NA

np≈ni2/NA

多子浓度等于掺杂浓度少子浓度与本征浓度ni2有关，与温度无关

随温度升高而增加，是半导体 元件温度漂移的主要原因多子浓度少子浓度返回(二）扩散电流（diffusioncurrent）光照N型半导体x●●●●●●●○○○○○●●●n

(x)p

(x)载流子浓度热平衡值热平衡值x●●●●●●●○○○○○●●●●●●●●●●○○○○○●●●●●●●●●●○○○○○●●●返回§1.2PN结原理1.2.2空间电荷区特点：1.2.1PN结的形成及特点返回NP++++++++++++++++----------------§1.2PN结原理ENP++++++++++++++++----------------返回1.2.1PN结的形成及特点1.2.2空间电荷区特点：NP++++++++++++++++----------------Eρ电荷密度E电场强度φ电位qUФ内建电位势垒（电子势能）qUФPN返回1.3晶体二极管及应用1．3．2二极管的电阻1．3．3二极管的交流小信号等效模型1.3.4二极管应用电路1．3．1晶体二极管的伏安特性引言返回1．3．5稳压管1．3．6PN结电容1．3．7PN结的温度特性1．3．8二极管主要参数1.3晶体二极管及应用NP++++++++++++++++----------------E1.3.1晶体二极管的伏安特性返回NP++++++++++++++++----------------2.反向偏置，反向电流RUUiRNP++++++++++++++++----------------UФUФ+UiRiRiRiR++__返回Si（二）伏安特性Ge1.0iDuD●UON●UON返回Si（二）伏安特性iR=-IsGeSiGeU(BR)U(BR)1.0iDuD返回IDQ●UDiDuDuD（忽略R上的电压）1．3．2二极管的电阻返回rdCJSi1.0iDuD●●在低频工作时，CJ可忽略。电路仿真1．3．3二极管的交流小信号等效模型返回IZminIZmax●UZIZΔUZ1．3．5稳压管返回UiUZUDIZminIZmax●UZIZΔUZ电路仿真返回IZminIZmax●UZIZΔUZrzIzUZUZ返回返回1．3．6PN结电容++++++++++++++++----------------RUU++__iR++++++++++++++++----------------C·CTUDuDrTCT返回载流子浓度。。。。。。。。。。。。。。。。ΔQpΔQn.................

PNU+ΔU⊕⊕⊕⊕⊕⊕------。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。.............