电子功能材料与元器件习题答案

-第一章作业答：马氏体相变过程如右图。将形状记忆合金从高温母相〔a〕冷却，在低于室温附近的*一温度时，母相〔a〕变为在加温时，又能返回母相〔a〕，从而恢复形状，马氏体相〔b〕在温度高于一定程度逆相变一般来说，高温母相只有温度冷却到马氏体相变温度Ms以下时，才开场向马氏体相转变，但在外力作用下，即使温度高于逆相变点〔Af〕，也能形成马氏体相，但此时仅能形成综上可知，形状记忆合金具有形状记忆功能。2〕Si〔半导体〕：温度升高晶格散射加剧会使μ减小，但激发产生的载流子增nfff-f具备哪些特征？如何理解c2〕迈斯纳效应〔T<T，B=0〕c3〕临界磁场效应〔T<T，H>H超导态破坏〕cc4〕临界电流效应〔T<T，I>I超导态破坏〕cccc4..解释超导机理的BCS理论的主要容是什么？并讨论超能量低的在费米球形成常导电子，能量高的在费3〕常导电子和超导电子可以温度而相互转化T>T，全部为常导电子。ccp.198.电介质常会产生那几种极化方式，简要说明。p.249.分析外电场对晶界势垒及材料的宏观电导率的影响。p.32-p.32第二章作业MO因i*MMM*i难生成1〕具有弗朗克〔FrenKel〕缺陷的整比化合物2〕反弗朗克缺陷的整比化合物3〕肖特基〔Schottky〕缺陷1-yM7〕V*空位的产生：M*1-y8〕非整比化合物M*〔M产生〕1+yi9〕产生*i缺陷M*1+y2.写出处理金属氧化物〔MO〕晶体中缺陷平衡问题的方法步骤；假设真空热处理的MO中主要缺陷为间导率与氧分压〔PO2〕的关系式4〕利用简化的电中性方程和质量作用定律求出缺陷的浓度表达式5〕讨论缺陷浓度与T,P关系。O22iO2eeM]iO2nnOnnO2-o2oO2O22nnO22oO2o2nnO2金属间隙型氧化物MO，和金属缺位型氧化物MO的高价和低价掺杂情况(四种1+y1-y情况)。6.写出对M2O3体系中分别进展高价、低价掺杂的缺-第三章作业p7.试说明由A,B两种导体组成的热电偶的工作原理并推导出其总热电势的表达式。A.BenBe(Te(T)=0lnAA.B0eenA.BA.B0e0nBA0AA0AT0B0BB0BT0A0B0AB0A0B0ABT0AB0AB0A0B0-BAB0ABABB=K(T-T)lnnA-e0n第四章作业0AB0AB0ABABA0AW将由半导体外表向气体转移，形成sA<W的气体吸附sP电荷吸附在晶界处，空气中的氧的吸附很难形成，所以晶界处势垒即接触势垒，电阻增大，即电导下降。度减小，电阻下降，即电导上升。多，能带向上弯曲。电导增大。体外表空穴减少，能带向下弯曲。电导下降。AW将由气体向半导体外表转移，形成sE(T.T)=e(T)–AB0AB-2〕外表氧的负离子吸附〔O-、O2-〕adsads3.试分析说明SnO2气敏元件检测H2气的工作机理。222H=2H2(g)adsads2使器件的R↓，σt，且与H浓度成正比。2法2O2O2Pt(+):O+4e→2O2-2Pt(-):2O2-→O+4e222O2E=4Fln[O2PO222汽车尾气净化：1〕尾气排出