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器器 挥发 非挥发 不挥 浮栅结构浮栅结构（雪崩注入式）(FAMOSFET）叠栅结构雪崩注入式(SAMOSFET)双介质结构 加大的VDS，使漏结区耗尽层表面处雪崩击穿，产生电子－空穴对。浮栅相对漏区为正电位，故电子越过SiO2-Si界面只有当VDS较大时，横向p+np+晶体管起作用，才有紫外线辐照，电子获及能量，经SiO2进入衬底（紫外线光子能量4.9eV,多晶硅－SiO2势垒高4.3eV）。XSiO2中产生电子－空穴对，其中空穴进入浮栅与电子中和（x射线能量>SiO2的Eg（8eV)。 当当J1>J2（E1>E2)，则Q(t)E1>E2，即要求21。定理D1=D2，1E1＝利用漏结雪崩击穿向浮栅注入电子，表面栅加+VG以tQ(t)[J1(E1)J2(E20电流传输机构Qd2Qd2 VT Q很小，E1基本不变，使J1基本不变，故Q随t而；当Q增大到E1时，J1，使Q(t)+VGE1J1+VGE1J1QVT但当Q致使E1时，E2明显J2QVT当存入电子后（负电荷），即需VT。若加一定加VG，使电子从控制极流出（而此时从衬底隧穿进或：加VG，使电子隧穿进入衬底（效果较差）

位，衬底加VB<0 所需VT；无Q时，VT低。加适当VR，可判断“1”和“0”3.叠栅沟道注入结构入停止；G，注入速率。b将浮栅的电子发射到漏（或源）区（隧穿效应） 器目的：防止过擦除时，因浮栅荷正电荷而出现反型层，破坏增强型工作；部分覆盖时，即使过擦除而出现反型层，但在沟道区外的源区有一个用于擦除的小覆盖区（浮栅和双介质不挥 使漏（或源）结反偏压，表面雪崩击穿。雪崩电流使衬底电 SiO2Si3N4，在SiO2-Si3N4界面及Si3N4体内的陷 （当G也可用隧穿效应，使电子从衬底隧穿进入SiO2Si3N4，但效让电子从Si3N4发射到衬底。（G极负电位，B极地电位IIVT的绝对值，VT向正方向移动；放出电子后，VT的绝对值，即VT向负方向移动。：SiO2（F-：SiO2厚，写入电压高，速度慢，但保持时间在两介质界面处掺杂（如钨），界面陷阱密度，速 电子从SiO2（及两介质界面）Si3N4层场助热发射（F-P发射）

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