模电第单元自测题解答

0/71.N型半导体是在本征半导体中掺入极微量的五价元素构成。这种半导体内的多数载流子为自由电子，少数载流子为空穴，定域的杂质离子带正电。3.PN结正向偏置时，内、外电场方向相反，电阻很小，多子扩散形成N。截止区和反向击穿区。5.用指针式万用表检测二极管极性时，需选用欧姆挡的R×1k档位，检测中若指针转都很大，已经被击穿；两表棒位置调换前后万用表指针偏转都极小时，说明该二极管已经老化不通。6.BJT中，由于集电极大电流ic受基极小电流ib控制，属于电流控制型器件；FET8.稳压管正常工作时应在反向击穿区；发光二极管正常工作时应在正向导通区；光电二极管正常工作应在反向截止区。正加正电压时，门控极也要有正向触发电压，关断的条件是晶闸管反偏或电流小于维持电流。二.判断下列说法的正确与错误：中自由电子是带负电的离子，空穴是带正电的离子。(错)4.温度升高后，本征半导体内自由电子和空穴数目都增多，且增量相等。(对)5.无论在任何情况下，三极管都具有电流放大能力。(错)PN能体现出来。(对)1/77.二极管只要工作在反向击穿区，一定会被击穿而造成永久损坏。(错)9.场效应管若出厂前衬底与源极相连，则漏极和源极就不能互换使用。(对)相同，因此可以互换使用。(错)(错)(错)1.单极型半导体器件是(C)。A、二极管B、双极型三极管C、场效应管D、稳压管2.P型半导体是在本征半导体中加入微量的(A)元素构成的。A、三价B、四价C、五价D、六价3.特殊二极管中，正常工作时是在反向击穿区的是(A)。A、稳压二极管B、发光二极管C、光电二极管D、变容二极管5.PN结两端加正向电压时，其正向电流是(A)而成。明此三极管处在(A)。缘栅型场效应管的输入电流(C)。C)。9.在掺杂半导体中，多子的浓度主要取决于(B)；少子的浓度则受(A)的影响很大。A、温度B、掺杂浓度C、掺杂工艺D、晶体缺陷10.若使三极管具有电流放大能力，必须满足的外部条件是(B)A、发射结正偏、集电结正偏C、发射结正偏、集电结反偏B、发射结反偏、集电结反偏D、发射结反偏、集电结正偏1.N型半导体中的多子是带负电的自由电子载流子，P型半导体中的多子是带正电的答：这种说法是错误的。因为，晶体在掺入杂质后，只是共价键上多出了电子或少了2/7P2.某人用测电位的方法测出放大电路中晶体管三个管脚的对地电位分别为管脚①12V、管脚②3V、管脚③3.7V，试判断管子的类型以及各管脚所属电极。V显然一个硅管，其中管脚③电位高于管脚，管脚O电位最高，符合NPN管的放大电路中集电极电位最高，发射极电位最低的原则，因此判断该管是NPN型硅管。其中管脚是基极，管脚是发射极，管脚①是集电极。答：齐纳击穿和雪崩击穿都属于电击穿，其过程可逆，只要控制使其不发生质变引起热击穿，一般不会造成二极管的永久损坏。iiEVDu/Vuo0iui的内部结构条件，基区很薄，只能是几个微米，若将两个二极管背靠背连接在一起，其基区太厚，即使是发射区能向基区发射电子，到基区后也都会被基区中大量的空穴复合掉，极管会损坏吗？为什么？答：集电极和发射极对调使用，三极管不会损坏，但是其电流放大能力大大降低。因答：二极管在外加相同的正向电压下电流越大，其正向电阻越小；反向电流越小，其单向导电性能越好，所以综合来看，B管的性能最好。就会导通，发射结反向偏置或正向电压小于死区电压时均可截止；晶闸管加正向电压且门极有同步触发时导通，当晶闸管承受反向阳极电压时，不管门极承受多大电压，晶闸管都处于阻断状态，或者晶闸管在导通情况下，其主回路电压(或电流)减小到小于维持电流HI时，晶闸管也会自动关断。H答：实际应用的晶闸管触发电路是可控“触发”。只有当触发脉冲与主电路电压同步时，在晶闸管承受的正半周电压范围内，门控极才能获得一个时刻相同的正向触发脉冲，晶闸管也才可能“触发”起到可控导通作用。因此，晶闸管可控整流电路中必须采用同步触发，否则由于每个正半周的控制角不同，输出电压就会忽大忽小发生波动，从而产生失控现象。五.计算分析题：iVDVDRVDEEuiRuouEEE(a)(a)u/u/50uoouo5ωtωt0tiiutii(b)图(a)(b)图uVuo5ω0tiui(c)(c)图3/74/7II abc(d)VDVDVDVDIUUUUUUUIVDIVDIVDIVD(d)图中，VD截止，U钳位在-5V，I=0。VD1UVDU2II(a)1kΩIUVDU1VDVD(b)VDu~－US＋解：图(a)中，输入端+3V与电源-5V之间电位差大首先使VD2导通，U被钳位在RDRDV50uiuRωtuDZ5.稳压管的稳压电路如图1.49所示。已知稳压管的稳定电压U=6V，最小稳定电流Z解：由题可计算出稳压管的最大稳定电流RUVDUI=ZM==UVDUOIzmaxU6OIZ流过稳压管的电流应满足I<I<I，又zminzzmaxRkzRRV1231237.测得电路中三极管的各极电位如图1.50所示，试判断各管的工作状态(截止、放(a)(b)(c)(d)(e)(f)PN管，发射结正偏，集电结正偏，饱和状态。各区域名称并根据所给出的参数进行分析计算。(1)UCE=3V，IB=60μA，IC=？(2)IC=4mA，UCE=4V，IB=？(3)UCE=3V，IB由40~60μA时，β=？IC(mA)54A354A3ω21CCBUCE(V)223456785/76/7BECEC(1)U=0.7V，U=6VBECEC(2)IB=50μA，UCE=5V，IC=？IB(μA)IC(mA)86428642BUCE123(a)输入特性曲线(b)输出特性曲线解：(1)由(a)所示输入特性曲线查得UBE=0.7V时，对应IB=30μA，由(b)输出特(2)由(b)输出特性曲线可查得此时IC≈5mA；BE