mosfet产品结构以及工艺流程简介

12023/3/21AllrightsreservedbySilanIC12023/3/21AllrightsreservedbySilanICMOSFET产品结构及工艺流程介绍HangzhouSilanIntegratedCircuitCo.,Ltd。No.10Road,EastHETZ,Hangzhou22023/3/21AllrightsreservedbySilanIC22023/3/21AllrightsreservedbySilanIC目录一、SilanMOSFET产品介绍二、MOSFET产品结构三、MOSFET产品流程四、MOSFET产品制造工艺RoadMapofSilanPlanarMOSFET<SVD*N*>40V-200V10A-200A<SVD*N*>400V-800V

0.5A-13A<SVF*N*>400V-900V

0.5A-25A<SVF*N*C*>500V-650V2A-13A<SVF*N*C*>700V-800V2A-13ADevelopingMP<S-RinSeries><F-CellSeries>Y2007-2011Y2012-2015Y2016RoadMapofSilanSuperJunctionMOSFETMPDevelopingPlanningY2012-2014Y2015Y2016Y2017<DPMOS

III>600-650V

2A-12A<DPMOS

II>600V-650V7A-13A<DPMOS

II>700V4A-12A<DPMOS

II>800-900V2A-12A<DPMOS

IV>600-900V2A-12A<DPMOS

III>700-900V

2A-12A<DPMOS

I>600V-650V2A-47AMulti-EpiTrenchSuperJuction:DPMOSI/II/III/IVPlanarProcess:S-Rin&F-CellRoadMapofSilanMOSFETA*RDSON62023/3/216AllrightsreservedbySilanIC二、MOSFET产品结构蓝色方框内是元胞区域，外面是分压环区域Gate端Source端72023/3/217AllrightsreservedbySilanICTopMetalBPSGPolygateGateOxideN-EpilayerSubstrateS:SourceG:GateD:DrainP-BodySourceN+F-CellTM

系列的元胞结构示意图82023/3/218AllrightsreservedbySilanIC氧化扩散多晶硅沉积BPSG沉积金屬膜淀积钝化层淀淀匀光刻胶曝光显影刻蚀离子注入光刻版硅片投入外延成长硅片清洗去胶金属热处理/电性能测试硅片减薄/背面金属化芯片测

試三、

MOSFET产品流程版图设计出厂检验92023/3/219AllrightsreservedbySilanIC三、MOSFET产品流程简易流程序号步骤相关工艺1外延生长外延2场氧化氧化3分压环形成光刻、刻蚀、注入、退火4有源区形成光刻、刻蚀5栅氧生长氧化6多晶淀积扩散7多晶栅形成光刻、刻蚀8P-BODY区形成注入、扩散9N+源区形成光刻、注入10BPSG淀积CVD、扩散11引线孔形成光刻、刻蚀12正面金属化CVD、光刻、刻蚀13减薄减薄14背面金属化蒸发15测试PCM16出厂检验外观检验，真空包装102023/3/2110AllrightsreservedbySilanIC外延成长控制点：外延层厚度，取样频率5点/片x2片/炉控制点：电阻，取样频率5点/片x1片/3炉四、MOSFET产品制造工艺112023/3/2111AllrightsreservedbySilanIC分压环形成-场氧化控制点：氧化层厚度，取样频率5点/片x2片/炉四、MOSFET产品制造工艺122023/3/2112AllrightsreservedbySilanIC分压环形成-光刻、刻蚀控制点：线宽（CD）取样频率：5点/片x1片/批四、MOSFET产品制造工艺132023/3/2113AllrightsreservedbySilanIC分压环形成-注入B+离子注入控制点：Rs(方块电阻），取样频率49点/片x1片/天控制点：方块电阻均匀性，取样频率49点/片x1片/天四、MOSFET产品制造工艺142023/3/2114AllrightsreservedbySilanIC分压环形成-退火P-控制点：氧化层厚度

取样频率：5点/片x2片/炉四、MOSFET产品制造工艺152023/3/2115AllrightsreservedbySilanIC有源区形成-光刻,SIO2刻蚀控制点：CD(线宽）取样频率：5点/片x1片/天四、MOSFET产品制造工艺162023/3/2116AllrightsreservedbySilanIC栅氧和多晶成长以及掺杂

P-控制点：栅氧厚度

取样频率：5点/片x2片/炉控制点：多晶厚度取样频率：5点/片x1片/炉控制点：多晶电阻取样频率：5点/片x1片/炉栅氧和多晶成长以及掺杂四、MOSFET产品制造工艺172023/3/2117AllrightsreservedbySilanIC多晶栅形成-光刻、刻蚀控制点：多晶CD取样频率：5点/片x1片/天控制点：刻蚀后氧化层厚度取样频率：5点/片x1片/批P-多晶栅形成-光刻、刻蚀四、MOSFET产品制造工艺182023/3/2118AllrightsreservedbySilanICP-Body形成B+离子注入高温退火形成P-BODYP-P-控制点：Rs(方块电阻），取样频率49点/片x1片/天控制点：方块电阻均匀性，取样频率49点/片x1片/天控制点：退火后样片氧化层厚度，取样频率：5点/片x1片/炉P-Body形成四、MOSFET产品制造工艺192023/3/2119AllrightsreservedbySilanICAs+离子注入光刻胶P-控制点：Rs(方块电阻），取样频率49点/片x1片/天控制点：方块电阻均匀性，取样频率49点/片x1片/天控制点：线宽（CD),取样频率：5点/片x1片/天N+源注入-光刻，注入四、MOSFET产品制造工艺202023/3/2120AllrightsreservedbySilanICN+BPSG介质膜引线孔P-控制点：BPSG淀积厚度，取样频率5点/片x1片/批控制点：方块电阻均匀性，取样频率49点/片x1片/天控制点：线宽（CD),取样频率：5点/片x1片/天N+区域、BPSG淀积、引线孔形成四、MOSFET产品制造工艺212023/3/2121AllrightsreservedbySilanIC铝金属连线金属场板N+分压环区域元胞区域P-控制点：铝淀积厚度，取样频率5点/片x1片/批控制点：反射率，取样频率5点/片x1片/批正面金属化-铝淀积，光刻，刻蚀四、MOSFET产品制造工艺222023/3/2122AllrightsreservedbySilanIC铝金属连线金属场板N+背面金属（Ti/Ni/Ag）控制点：圆片厚度取样频率：5点/片x1片/批控制点：背面金属厚度取样频率：2点/片x1片/天减薄、背面金属化四、MOSFET产品制造工艺232023/3/2123AllrightsreservedbySilanIC控制点：片良率控制