电镀铜即将开启产业化进程从0到1设备商率先受益

电镀铜助力JT降本增效，产业化进程即将进入加速期HJT亟需降低银浆成本，电镀铜为HJT独有的降本方式JT降本为规模扩产关键，银浆降本为重要手段。221年以来电池技术路线由C更效的H、on等N型术变，中on的规模于H，们计222年OCon新扩超10、HT约3G，要系HT的总成本偏根我的算2022年料240元G6片45元片OCon总成为0.5元HT成约为0.91元降本为HT模扩关而银浆在HT成占比高根我的算，浆本总本重约1，因此低浆本少去银极关。图1：HJT单W成本仍偏高，成为制约其大规模扩产的瓶颈2021:PEC2021:OPon2021:HJT2022(E):PEC2022(E):OPon2022(E):HJT关键技术信息电池片效率(%)23.4%24.0%24.3%23.5%24.8%25.00%良品率(%)98.9%98.7%98.5%98.9%98.0%98.00%6硅片功率(W)6.426.586.666.446.806.85电池片厚度(μ）170170150155130120电池片连接技术12BBBB6电池片银浆耗量(/片)9016018070110120靶材耗量(/片)IO无无90无无45O无无0无无45关键价格假设硅料含税价格(元/k)2602602602402402406硅片含税价格(元/片,型硅片2021年溢价8%，2022溢价5）5.736.196.194.54.74.7银浆含税价格(元/k)530053007500530053006500靶材含税价格(元/k)IO30002500O1000生产设备投资价格（亿元/W）1.7241.51.74每不含税成本测算(元/)1.硅片成本0.790.830.820.620.610.612.非硅成本0.250.280.400.220.230.302.1浆料0.070.110.180.050.080.102.2靶材0.000.000.040.000.000.022.3折旧0.060.070.080.050.060.082.4其他电池制造成本0.130.100.100.120.100.103.生产成本合计1.041.111.220.840.850.91CA等，测算图2：2022年OPon的新增扩产规模大于HJ（单位：GW）

图3：三种技术路线下HJT的银浆成本在总成本中占最高500050000

PEC OPCn HJT.100 01 .1

0%0%0%0%0%0%0%0%0%0%

硅片浆

靶材设备折旧其他电池制造成本Ton JT各公司公告， CA等，测算图4：三种技术路线下HJT银浆耗量最高 图5：三种技术路线下HJT银浆成本最高0080604020000

PRC银浆耗量（/片） OPCn银浆耗量/片）J银浆耗量（/片）01 02

.2.5.1.50

PERC银浆成本（元/） OPCn银浆成本（J银浆成本（元/）80.5.8.7.101 02CA等，测算 CA等，测算银浆降本手段主要大电镀铜为“终极去银化降本手段：栅线图形优过栅变从节银耗如（主栅逐步由2B向SB、B即主技，掉栅仅留浆料银含量的降低，使用贱金属替代贵金属，例如银包铜可利用铜替代部分银，通过将银覆盖在铜粉颗粒的表面来减少银用量，而电镀铜则可利用铜替代全部银实现银底决HT银时其降银段比电铜于栅更细降低光够提效进步单位从降本增两个维度考虑，电镀铜是去银的极手段。表1：降银技术路线比较，电镀铜为终局去银化技术优化栅线图形降低浆料银含量、B银包铜电镀铜降本理栅线多或主栅通过银盖铜颗表面减银量铜替代分银铜直作金电材完全代银优点降低浆量减遮面积升光利率缩电横向路径减内损、升功率降低料本导、性能异铜替全的银提换效率从本解银本过的题缺点降低件串电从导致光性能于规件高温艺铜易化失效，用低工的HT良率工涉环问题多铜线栅化等技术展4B→B→B（62条SB0B华目产12B后逐切换SB；0B家术证中多家户批导口银铜料国银浆料证，键点可靠性各家商术证，难点于艺熟度olarzoo，各公司官网，电镀铜技术更适用于J，为JT独有的降本项：R无使镀单用耗量电铜来硅成本下降为限。N结电均处电背不考光线也不需要特精但XC工复要次膜蚀电铜一增复杂。C①镀要求温与OCn高工不配高铜容易氧失；on电极接硅接，少O膜挡铜散到中，带来靠问但通过光非电上槽再结进镀层能够供分挡③Cn备工成低电镀带硅本低有。低工合电铜求HT极与TO薄接触不与硅片接够铜污硅内HT双面银低银耗更更高因此HT浆需求迫故电镀铜低T非硅成本效果最显，更适用于JT技术—根们的，设镀产来05、液成本003元镀价量1元则PCConT三种技术路线应镀铜后带来的硅本降低幅度分别为%1%1。图6：电镀铜技术更适用于J降低非硅成本的效果最明显POPoJT三种技术路线应用电镀铜后带来的非硅成本降低幅度分别为2%/12%/21%（6规格、同一栅线图形）银浆丝网印刷电镀铜（规模量产）PECTPConJTPECTPConJT）1)（2)23.5%24.8%25.0%24.0%25.3%25.5%（31*21006.46.86.96.66.97.0浆料（4)元G）5)银浆单瓦成本（元）6=4*5310^60.050.080.10（7)元G）8)58.6558.6558.65铜单瓦成本（元W）9=7*8310^60.0040.0050.006电镀液、掩膜材料单瓦成本（元）10)0.030.030.03靶材TO（）11)TO元G12)AO（）13)AO元G14)靶材单瓦成本（元W）15={11*12+13*14}310^60.020.02设备元G）16)1.51.73.52.02.24.0限17)335335设备单瓦成本（元）18=1617100.050.060.070.070.070.08电力人工等其他电池制造单瓦成本（元）19)0.120.100.100.120.100.10总非硅成本（元W）20=69+10+15+18+19)0.220.230.290.220.200.23电镀铜降本幅度2%12%21%CA等，测算电镀铜同时实现降本增效，耗材设备国产化推动降本加速进行时降低池面光失减小线电损、善电与O触成本电极制是池属工的发方电够通更的的栅高宽比来高换够通低铜全代价银现望去银的降本提终技。增效①电损导电性能更镀栅线部与CO触更（图5示有减电与N的触阻同时银混物比铜栅为纯铜本的电更，铜线体阻约18μ低温浆体阻约3-10μ故阻耗电能优②线更窄，遮光损失：线宽更窄、宽更，电更窄更，中栅的线约15低浆的宽大于40，电铜降线挡成遮失提载子集率上述因素共同作用使得电铜低温银浆丝网印可提高0.30.t光电转换率。图7：电镀铜电极与O接触性能更优 图8：电镀铜的电极拥有更细的线宽及更高的高宽比《硅异质结太阳电池接触特性及铜金属化究

海源复材，降本：目前浆料降手段主要为银包铜与电镀铜，我们测算对比了两种方式的非成差要现在料设两面其中包根发阶分为03%含银HT电效为25镀分小模初期规量HT池效分别为25.25.。①材料成本a银包铜浆料量20g为据503含例及6500元KG的浆格算得成分为0.0503元；b电镀铜我估计耗量约7g合价算得成为0.06元显降浆成电镀铜额外要备镀掩膜料目下求量少海供商多成本较高，未来国产化&规模放量有望降本，我们估计小规模初期/规模量产后成本分别约0.070.3元综虽电铜省银成额增的药膜影了料本果。②设备成本a银包铜采用统丝工单GW丝设价量约400万元，照5折期设备约0.1元；b电镀铜：单W电镀设备价值量约2亿元，未来有望降低至1亿元，按照5年折旧期，则设备折旧成本0.040.2元。③材料设备折旧成本合计：综合材料及设备折旧成本，500银包铜的边际成为0.0604元镀目成约为.1元与包相镀铜尚不备著本主要电药掩料等材设折成较国产化规放降有望至0.5元。图9：与银包铜相比，电镀铜尚不具备显著降本优势，因耗材设备折旧成本较高（HJT6规格、同一栅线图形）银包铜电镀铜小规模量产）1)（2)25.3%25.5%（31*21006.856.856.946.99浆料（）4)元G5)银浆单瓦成本（元）6=4*5310^60.050.03（）7)元G8)58.6558.65铜单瓦成本（元）9=7*8310^60.0060.006电镀液、掩膜材料单瓦成本（元）10)0.070.03设备元G11)0.40.42.01.0限12)5555设备单瓦成本（元）13=1112100.010.010.040.02材料+设备折旧成本合计（元）14=69+10+13)0.060.040.110.05CA等，测算当然着伏游机持续球浆增加能带银上银包铜材料成本增加的可能性，故我们认为电镀铜的产业化进程除了自身持续降本外也取于它银段推进时镀是抑银价上的效手根据我的算银上涨3浆税格925元G30银铜材+为0.01元而电铜艺效.5镀和膜料本为003元设价量1亿元G成约为0.01元此时镀量成与银铜打平上过43时镀铜本于包，济显。图10：银价上涨43%以上、银浆含税价295元以上时，电镀铜量产的经济性得以凸显银包铜银包铜银价上涨幅（%）0银浆含税价（元/K）%银包铜边际硅成本（元/）%银包铜边际硅成本（元/）电镀铜小规模CA等，测算电镀铜处于导入初期，关注下游验证情况早期电镀铜以研发和试线为主没有大规模产015年本Kanea采用电镀铜双异结池率到25.计利该技建一试产2018年国电建了镀中线，221初率达到.5；石源2021年出了镀铜C件件率到23.试效高超6201年1月源复公告与得合设GW电铜HT能首规划产00M。2022年以来光伏电镀铜材借鉴PCB领域、设借鉴半导体领域等有突破电镀铜快速导入验证（）耗材：以往多用干膜挂镀方式，但干膜成本高，热压到电片后易来片率提2022年8以来膜破用油产业化程速油在B的域用为熟通过善宽在伏域得应用（设备形金属设均进芯碁装激直光设备半导体领复到伏域迈为与Dve合研种层接镀艺等。表2：电镀铜处于导入初期，多玩家角逐类别 公司 布局环节 进展2018年立兆级镀铜线HT池中，201转效电池厂

国电投金石源

电池率达4.5，203年1月5W质电及件地开，与罗组件博特、威技达战略作架议。电池 2021年电铜C件组效达到233，试效最组件 高超6%与捷宝作署作架协，设W铜HT产，条海源材 电池

线划60投资投资阳设商局镀铜艺电池通威份迈为

自主图形备，电镀

2021年来与Dve作研效HT电池池片极无种子层镀备完，uDve化无子直电镀艺使电极高比到升栅宽度达9，度7，202年9新转效高达2641目前为主发形环节与威等合作局镀节成线供能，计23进中，2024年半有实太阳井 整线备 2021年通股投电镀整设下客验证中已经成电设的部测，项标本预期203年1月设备商

罗博科 电镀东威技 电镀捷得宝 整线

与国投成略作架协议推出伏三垂连硅片镀备设速达800片时，2023年1月国投战略作架议定增投目拓光领域激直应，前已光知电池片商行技探定增投目拓光领域激直应，前已光知电池片商行技探。图形设备芯綦装苏大

图形设备

积极展刻设在阳能伏池电方图形方的用耗材商

三孚科 电镀

高效晶质太能池电添剂品在户处现小模应用广信料广信料光伏缘产已在光伏部业现售掩膜（湿数据来源：各公掩膜（湿电镀铜目前处在产化期仍存在设备产能保良率等问题们计023年业进行较大规模中2024年有望导入量设备产能前备能较，未来备能一提后有于本（环保在镀工生过中产生干膜油镀等机污物且积蚀曝光抗剂影黄光净室内进需进后处（良相丝印镀工更杂使得良率低随设等产链套熟下池厂极发证我为203年行将行大模试224年望入。多种技术方案角力，电镀铜设备商优先受益到2025年电镀铜设备市场空间达30亿元，0232025年R达260%电镀铜工序包括种层备图形化电镀三涌现多种设备方电镀铜工艺未型各节术方包（）种子层设备要用D主技术歧在于否备子备整面局种层种层金选（图形化感光料分为干和油，主术分歧于曝显影选用掩类光刻DI激直激光开槽（）电镀：主要术分歧在于水平镀垂直镀/光诱导电镀。我们列示主要技术线及与备商下，各节备在文细介。图11：光伏电镀铜工艺流程与设备方案id，中国可再生能源学会，各公司公告，目前电镀铜设备价量共2亿元，预计有望降到1亿元W左右。以H电镀工为子备环D备值约500元W比为25；图形环由技路选择备值在00600元W占比为30电环设价约500元占为25备比为20。伴随环技进步熟及镀规化我们计备资后有望降到1亿元GW左。我们预计到2025年电镀设备市场空间达30亿元0232025年AR达26。目前镀仍处试阶段我预计023中出现0030W，2024年出现GW级设222025年HT在伏池片分到25345的渗透，镀在HT属化法分达到10、5渗率我测算到2025年镀设市间为0元2023025年R达260，中PD市场空间到7亿，形设备场间到9亿，电设市空到7亿。表3：预计225年电镀铜设备市场空间达30亿元，02-225年GR达260%20212022202E202E202E中国新装机合计（W）()6080100125150海外新装机合计（W）()100170250335450全球新装机合计（W）()(1+()160250350460600全球光电池求合W）()=3)*.1176275385506660HJT技术路线渗透率()5%14%25%35%45%T新增机量对应存产能(6=()*4)93996177297HJT新增产能（）((6当年减前一年305881120单GW电镀铜设备总金额（亿元G）(8)21.51.0D占比25%0.50.40.3图形化备占比30%0.60.50.3电镀设占比2%0.50.40.3其它设占比2%0.40.30.2电镀铜技术路线渗透率()2%10%25%HJT电镀铜新增产能(1(9)(7)1830电镀铜新增设备市场空间（亿元）1)8)(1)21230电镀铜新增设备市场空间yoy425%147%D设备市场间（元）137掩膜曝光+显机备市场间（元）149电镀机备市空间元）137ind种子层制备：D为主流方案，2025年新增设备市场空间约7亿元制备种子层的主要用提升栅线与CO层之的导电性和附着于HT电池电接透导薄（O会在金与O层间力较的问题通借半体的方在镀属与O之制整子掩电除膜刻电部分子来决着问但用光业的规模生产要决个题1步较导的率低和高2层蚀溶液会定度蚀O层，加产艺度废液理本（3制铜种层后薄膜透率生低进而致电换率低等。JT电池可以选择制备子（整面或局或制备种子层直接电镀（整制备种子层捷方案整制种层（2局部制备种子如阳局部备子的障电电与TO层着省种层步骤；无种子层直电镀迈为份222年9月澳大亚属技公司Dve研制转效高达26.4的HT池（6尺Dve为种直接镀工艺。表4：HJT电池电镀铜工艺有无种子层对比工艺选择 布局公司 布局进展 优势 劣势整面子

捷得宝（海复

600MW电镀铜HT产

提升TO层铜线和导性（1节种层道

（1增种层备刻本TO层能蚀；（2增工，响；增种层备；局部子层 太阳井 专利迈为份

本，免TO层蚀；局种层良触（1节种层备成本免O被

（2步繁琐需重理O与线接无种层

+dve

实验

（2减工，升；（3保障CO层光率

触问题数据来源：各公司公告，专利之星，图12：局部制备HJT电池种子层步骤 图13：某无种子层铜电极HJT电池结构示意图专利之星，太阳井，

专利之星，中国科学院上海微系统与信技术研究所，种子层制备所需设为设备价值量约500万元制种层法通常是物理气相沉积法（D，将具有透明导电薄膜的基片放置在镀膜载板表面进入腔室上膜可用D射法D镀或D离镀，积括、镍银、铝的一层复膜，沉厚为5500n。D案势于1于控工艺温在00左技术共沉积O的D新增PD备实现。它备法括RD印等。我们预计到2025年电镀新增PD设备市场空为7亿元，迈为有望首受益。相于PD设迈份D备备能靶利用较成较低优势与D换效距逐缩小随D渐成种层备流备们认为为份望先益。图形化“油墨掩膜类光刻”经济性强，205年新增设备市场空间约9亿元图形化环节分为掩膜光显影工序掩即电池上覆光料曝光指在烘后电片留待电区图（需模版该模与光料不显影指除池表待镀区的光料最形成镀要图化口。掩膜工序中墨正在为主流感光材优势于低成本和细线材料分为干和油墨要作为挡蚀电镀线线取于膜的度。干是CB行的熟材用光电铜劣势本高（2要热压到池造成片的升（栅线以能到0微油墨的势于低成和更的宽经术破现能足铜0微米宽要求。涂覆感光材料可以采用层压、喷墨打印、丝网印刷、超声喷涂、滚压涂布等方式其中墨刷用为遍。表5：HJT电池电镀铜掩膜材料对比掩膜材料 成本 碎片率 栅线宽度 技术难度 布局公司较高~.3元片且干膜越难造成越高

较高 较宽30微米 较低高，222年9

金石源太井（前）迈为份捷油墨 较低<01元片 较低 较细10微米数据来源：各公司公告，专利之星，

实现破

宝、阳井曝光显影可以通过膜光刻DI激光直写光开槽或喷墨打印现曝光工序可（掩膜类光要模把转移涂感材的池片按曝光源分激光和紫外LD光（）DI激光直写计机的高度光束焦影涂有光材的材面完曝光（激光开槽曝光影，直接开膜现形（喷墨打印用机喷打刻剂完开线宽通在5米。表6：HJT电池电镀铜曝光环节设备方案对比设备方案 设备价值量 精度

是否需要模版

零部件国产化率掩膜光

1200200元较低D较低DD芯尚现国化否6微，度高2700300元成本高LDI激直写

10米满电铜条件

是 >90%喷墨印-<25微米是>90%激光槽 1000200元喷墨印-<25微米是>90%数据来源：各公司公告，专利之星，图14：掩膜类光刻与激光直写技术原理对比 图15：直写光刻技术原理示意图碁微装招股书， 芯碁微装招股书，表7：图形化环节各设备厂商进展公司感光材料选择设备选择合作客户进展迈为份油墨掩膜光刻安徽晟202Q3推中线芯碁-LDI激直写隆基通威202Q3光电铜DI备发货苏大格-LDI激直写--帝尔光-激光槽-1BC方得W订；2HT方完客送样捷得宝 油墨 掩膜光

海源材爱赛维国投

与海复签框合提供00MHT池备太阳井干膜转油墨-通威1曝机能到600片小时；2）201设交通大试金石源干膜-钜能力一期00W镀铜HT电池能数据来源：各公司公告，我们预计到225年电镀铜新增图形化设备市空约为9亿元，相关标的括迈为股份芯碁微帝激技路来看掩膜类光我看经济更强的“油墨+掩膜类光刻”技术路线，迈为股份有望凭借丝网印刷相关技术积淀实现术突（）DI激光直写：碁装游证展较，头电片商如基、通威行术流（激光开槽尔光局镀铜光槽已得W级C电镀订。电镀：看好水平镀技术突破，2025年新增设备市场空间约7亿元电镀原理为在掩膜图化开口处通过电镀式积金属铜形成铜电极镀是一种法积通过控流度小控制属离沉速过制总电镀积镀时控金层但电过中要加源需设置电夹易成池片裂并在镀夹区被覆盖定程上减小了池有工面。电镀环节主要包括平垂直镀光诱导镀（水平镀通轮水平进电机上两导电毛与片形留下沟接现铜（直镀过具爪硅片预好夹进电镀长原和镀一区别为动程较要包垂升式镀垂直续电垂镀够不使用具（光诱导镀电片过轮输进光光面电极与电镀液通形闭回以完金沉原为线射电片面池片内产光载子在电场作下分成子和穴分向n掺硅层、p型掺硅面移电子生原应溶中的属子此消，生的金属被积电片面。图16：水平电镀示意图 图17：垂直电镀示意图罗博特科官网， 罗博特科官网，图18：光诱导电镀示意图专利之星，我们看好水平镀技突有望满足光伏电镀铜产能低成本量产条件据罗博特科利明虽直熟水较其主缺在自化平较带来的产低以足伏大能求且镀体较材量多电镀匀性有待较而平水量动水平且能较片率但制程度高电表空洞接稳性片损等题待克目前有厂商转水镀垂镀合的镀们水平技突提镀环生产节拍生良，一推动镀技的泛用。表8：HJT电池电镀铜电镀环节设备方案对比设备方案 产能 碎片率 优势 劣势水平镀

常规构水连电的产量化水高垂直镀垂直化水高垂直镀垂直降电的约1800-3600半片时垂连式电的产约60700半片小时≤0.04%较为熟损伤问题存在镀体大耗量较、镀匀低题

0.02%

产能；用量；

制程度，在池空洞接稳性电数据来源：各公司公告，专利之星，表9：电镀环节各设备厂商进展公司技术路线所处阶段客户相关进展迈为份水平镀待送样安徽晟与启星作2023出中线研发出4种镀术案；新术罗博科 水平，直镀 客户证 2+方案送样东威技垂直镀客户证隆基国电投第二垂连电备2022年付客户202底布代设，产达800片海源材、电镀能到00700片小；海捷得宝水平镀客户证隆基赛源复签框合，供60H维、电投电池备太阳井水平，直镀客户证通威2021年备付威试宝馨技水平镀--已研出道平镀试线出货数据来源：各公司公告，我们预计到225年电镀铜新增电镀设备市场间约7亿元，相关标的括为股份罗博特科威科技（迈为股份启合作发平镀启威湿法工积深已局平电设及产电夹液度制方专利；（）罗博特科：局4电镀术案2023年1月公的明利布现双电镀单能1400片小片＜0.2（东威科注垂镀2022年12发垂连电第三设，布镀能达800片小，预计023半年203年1告与家投其公合作提一机用验证测试。本土重点公司介绍迈为股份：光伏异质结设备领军者，积极布局电镀铜工艺JT设备龙头，前瞻布铜电镀技术。为份为HT线备头积布局电镀技，221年9与澳亚uDve合使用种层接电工艺现了6尺寸HT池片2554换率202年8月进至26.1创造新的世界纪录，目前迈为自主研发图形化环节设备，与启威星等合作布局电镀环节设备我们计023年行204有正对供整。已有的D技术适用于种子层制备：T种子和TO薄沉使用同台D需加腔数或接一台D设（材换为或铜合等子材司自研发D膜备的术验延至HT电铜工艺。丝印图形化技术积累与类光刻具备协同性：为图形化技术积累丰富，丝印网板掩版一相性掩曝光vsDI线膜光备值仅为LDI设备的12至1经优势DI备稳定较激光可损伤HT电池的化。油（膜vs膜油于222年89月实线突，能满足电铜于线宽要求<0米而还未到应准。与启威星等合作电镀环节：垂直电镀产能有且难以提升，因此迈为倾向选择产率更大水电方电镀布由为股司江启威星进。威通引日本AC的绒洗，为为HT线供套清制绒设有年法术的累对HT工求的刻解目启星电设备处于发段并经电池业客在行用。太阳井（未上市：领跑异质结电镀铜整线设备，自主研发实力构筑术护城河科研实力夯实发展基石，吸引通威两轮投资。苏州太阳井新能源有限公司创立于2017年致于产异结池制整解决司澳亚新威尔士大光专海博团队研投超千握质阳能池领域多核技,前请国外利0项中近0专已得益于双碳公迎快展后获光行头企通股的轮略投。开发低成本镀铜技本增效优势明过现低本形掩技与直接铜术成功发低本制异质太能池属技显著降生成提产效及而提升品竞技术基础上司成界条25W别产产线目正处量验及件产阶，预计024年可现大规应，时池率可至24.。罗博特科：光伏自动化设备龙头，首创新型异质结电池铜电镀装备光伏自动化设备龙头极布局C、T等方向罗特自01成立以来耕伏动设出技实确司在片趋的on场中仍占据龙头地位并得到下游客户的广泛认可，公司客户包括天合光能、通威太阳能和wer等内知大型伏商同公也在HT域极布2015年杭州赛成实铜镀HT产应时罗博便为提自化备积累相关技经前司于HT技路的自技术产已代第代于行业领水。完成新型异质结电铜镀装备交付成切入电镀业务领域于统的直升式直电平镀术司创全的型铜镀方案从头解了生产产营高等种片阳能池片铜电极镀装置方法在申请利。目公司供的电铜方案要是于HT路线在OCon方的延性用在虑围内公已于202年2月成了业界创型质电铜电装交后与合客传玩一起成设备的安装调试及工艺测试与优化工作，并将持续加快推进该业务领域的量产化进程。2023年1月告国投在栅异结池I电解方达战合作。东威科技：PB电镀设备龙头，光伏电镀铜领域成功突破PB电镀设备龙头，垂连续电镀