模电第三章三极管及放大电路

模电课件第三章三极管及放大电路第一页，共八十九页，2022年，8月28日BECNNP基极发射极集电极NPN型PNP集电极基极发射极BCEPNP型BECNPN型三极管BECPNP型三极管表示发射结正偏时流过发射结的电流方向第三章半导体三极管及放大电路基础

3.1半导体BJT

双极结型晶体管又称晶体管、三极管或BJT。一、结构及分类（P.67～69）1、结构（三层两结）第二页，共八十九页，2022年，8月28日基区（B区）：较薄（微米级）、掺杂浓度低集电区（C区）：面积较大发射区（E区）：掺杂浓度较高BECNNP基极发射极集电极ICIEIBIB：基极电流IC：集电极电流IE：发射极电流E区和C区不可互换结构特点

2、结构特点①基区很薄；②发射区掺杂浓度高；③集电区面积大。这三点决定了BJT具有独特的特点。第三页，共八十九页，2022年，8月28日发射结(JE)集电结(JC)BECNNP基极发射极集电极+++++++++++++__________________________+++++++++++++第四页，共八十九页，2022年，8月28日3、分类

按结构分：NPN型、PNP型按频率分：高频、中频、低频按功率分：大功率（＞3W）、中功率（0.5～3W）、小功率（＜0.5W）按材料分：硅（Si）、锗（Ge）按制造工艺分：平面型和合金型。二、BJT各电极电流分配关系及放大作用（P.69～73）

BJT具有放大作用的条件：内部条件：满足结构要求；外部条件：发射结（Je）正偏，集电结（Jc）反偏。三极管可组成三种不同组态的电路，分别称为：共基极电路、共集电极电路和共发射极电路，如图第五页，共八十九页，2022年，8月28日

①发射区向基区发射电子因浓度差，且在JE正偏下，电子扩散运动产生IE。电子在基区扩散与复合—复合的空穴产生IB（复合少扩散多），复合的空穴由VBB提供，形成基极电流IB，由基极流入、发射极流出，形成输入回路中的电流。同时从基区向发射区也有空穴的扩散运动，形成的电流为IEP。但其数量小，可忽略。所以发射极电流IE≈

IEN。

进入P区的电子少部分与基区的空穴合形成电流IB,基区很薄,多数电子很快扩散到集电结。1、BJT的电流分配的传输过程（以NPN型Si三极管共发射极电路为例）因复合少,扩散多;对于制成的三极管复合与扩散的比例就一定如:扩/复=100.复合的空穴由EB提供.按此原则接成电路:UB＞UEUC＞UBUCC约十几伏UBB约几伏第六页，共八十九页，2022年，8月28日(2)集电区收集电子，在JC反偏下收集多数扩散到集电结的电子,产生IC。由Vcc提供大量的空穴在集电区；形成输出回路中的电流。(3)根据KCL可知：流入BJT的电流为IB、Ic，流出的电流为IE，

IE＝IB+Ic。(4)集电结反向偏置，由于温度的影响，集电区的少子空穴与基区的少子电子也产生漂移运动，形成极小的穿透电流（又称反向饱和电流）ICBO，该电流虽不大，但对电路的性能影响极大。要尽量克服。β=IC(扩)/IB(复)IB变化引起IC按比例变化,小电流引出大电流,这就是电流放大的作用.β电流放大倍数.第七页，共八十九页，2022年，8月28日

2、BJT的电流分配关系（P.71）①有很小的IB，就可形成较大的Ic，IB与Ic都是从e极流出形成IE。IB+Ic＝IE，IB＝IE—Ic②集电极收集到的电子（Ic）是发射极发出来的电子（IE）的一部分，Ic占IE的比例是多少？用α来表示：α＝Ic/IE。称为共集电极电流放大系数。α＜1。③由上式可得：Ic

＝αIE，代入：

IB＝IE—Ic＝IE（1—α），又可得到基极电流与集电极电流的关系，用β来表示：β＝Ic/IB＝α/（1—α）Ic＝βIB

β称为共发射极电流放大系数，β＞＞1④Ic＝βIB，此式说明：电流IB能控制电流Ic，控制能力为β倍。（常称IB放大了β倍，形成Ic，此说法是错误的）。实际BJT是一个CCCS。第八页，共八十九页，2022年，8月28日3、BJT的放大作用（P.71～72）BJT具有“放大”的前提：集电结反向偏置，发射结正向偏置。Ⅰ为输入回路，V—I特性：Ⅱ为输出回路，V—I特性：IB=（VBB—VBE）/RBIC=βIBVBE=VBB—IB*RBVCE=VCC—IC*RC

=VCC—βIB*RC

输入回路和输出回路共接到发射极，故称为“共发射极”放大电路，简称“共射放大电路”。总结：P.72第九页，共八十九页，2022年，8月28日40死区电压，硅管Vth=0.5V工作压降:硅管:UBE0.7V输入特性方程:

iB=f(uBE)

uCE=constIB(A)UBE(V)2060800.5UCE1V0.7当uCE＞1V后，JE反偏内电场足够大,可将绝大部分电子拉入集电区再增大UCE,IB无明显变化。锗管:Vth=-0.1V锗管工作电压：UBE-0.3V当UCE=0时，为二极管的正向特性

三、BJT的特性曲线（P.74～76）1、输入特性（P.74）BJT的输入回路只有一个PN结（发射结），当正向偏置时，就相当二极管的正向特性，所以输入特性如图.输入回路中的IB由式IB=（VBB—VBE）/RB决定。由式可知：改变RB，可以得到不同的IB。第十页，共八十九页，2022年，8月28日

2输出特性曲线iC=f(uCE)

iB=const

现以iB=60uA一条加以说明。

（1）当uCE=0

V时，因集电极无收集作用，iC=0。（2）uCE↑→Ic

↑

。（3）当uCE

＞1V后，收集电子的能力足够强。这时，发射到基区的电子都被集电极收集，形成iC。所以uCE再增加，iC基本保持不变。同理，可作出iB=其他值的曲线。

输出回路中的VCE由IC决定：VCE=VCC—IC*RC；IC又由式IC=βIB决定，所以不同的IB，就有不同的IC，也就有不同的VCE。输出回路的特性曲线是根据输入回路中的IB而定的。它是由一组IB组成的曲线第十一页，共八十九页，2022年，8月28日3.

输出特性曲线可以分为三个区域:饱和区——iC受uCE显著控制的区域，该区域内uCE＜0.7

V。此时发射结正偏，集电结也正偏。截止区——iC接近零的区域，相当iB=0的曲线的下方。此时，发射结反偏，集电结反偏。放大区——

曲线基本平行等距。此时，发射结正偏，集电结反偏。该区中有：饱和区放大区截止区第十二页，共八十九页，2022年，8月28日

怎样判断BJT电路处于什么工作状态？（以NPN型硅管为例）工作状态截止放大饱和条件偏置情况VBE＜0.5V，JE反偏VBC＜0.5V，JC反偏0.5V＜VBE＜0.7V，JE正偏，VBC＜0

JC反偏VBE≥0.7V，JE正偏VBC＞0，JC正偏基极电流IBIB≤0IBS＞IB＞0特点ICIC≈0IC≈βIBVCEVCE≈VCCVCE＝VCC—ICRC≈1/2VCCVCE＝VCES≤0.3VRCE很大（≈∞）受控电流源内阻（可变）很小（≈0）第十三页，共八十九页，2022年，8月28日思考题：根据测量三个管脚对地的电位可判断管子的工作情况。JC反偏JE正偏JC正偏JE正偏JC反偏JE反偏JC反偏JE正偏放大饱和截止放大第十四页，共八十九页，2022年，8月28日例1：测得各管子各极电位如图。判断管子类型，区分ebc解：依据1）UBE=0.7V(或UBE=0.2V)确定是硅管还是锗管。

2)UC最低是PNP管,UC最高是NPN管。3）NPN管：UC＞UB＞UE

PNP管：UC∠UB∠UENPN硅PNP硅PNP锗ebccbeebc第十五页，共八十九页，2022年，8月28日四、BJT的主要参数（P.76～81）

1、电流放大系数β（共射极）、α（共基极）直流工作状态下的电流放大系数；两者相差不大，常用β表示。一般β=50～150为好。交流工作状态下的电流放大系数，

2、极间反向电流（P.78）3、极限参数（P.79）ICM、PCM、击穿电压等是设计电路、选择BJT时必须要考虑的。例:判断管子类型.第十六页，共八十九页，2022年，8月28日

半导体三极管的型号第二位：A锗PNP管、B锗NPN管、

C硅PNP管、D硅NPN管

第三位：X低频小功率管、D低频大功率管、

G高频小功率管、A高频大功率管、K开关管用字母表示材料用字母表示器件的种类用数字表示同种器件型号的序号用字母表示同一型号中的不同规格三极管国家标准对半导体器件型号的命名举例如下：3DG110B作业预习：§3.3节第十七页，共八十九页，2022年，8月28日3/16/20233.2共射极放大器电路放大的条件是：1)发射结正向偏置，2)集电结反向偏置。一.电路的组成及各元件的作用放大要求:1)幅度放大,2)波形不失真放大对象:交流量.放大实质:实现能量的转换与控制.第十八页，共八十九页，2022年，8月28日二．三极管的放大原理三极管工作在放大区：发射结正偏，集电结反偏。→△UCE（-△IC×Rc）放大原理：→△UBE→△IB→△IC（b△IB）电压放大倍数：→uo

ui第十九页，共八十九页，2022年，8月28日1.各元件的作用：保证JC反偏，JE正偏。整个放大电路的能源UCCRC——集电极电阻，将变化的电流转变为变化的电压，以实现电压放大。RB——

提供适当的基流，使放大器工作在放大区。晶体管T是放大电路的核心ui变化ib变化按比例ic变化icRc变化，ic受ui的控制。输入小能量信号，通过三极管的控制作用，去控制UCC所能提供的能量，以在输出端获得一个能量较大的信号。这就是放大作用的实质，晶体管是能量控制器，能量不能放大。只能守恒。C1、C2：耦合电容，对交流近似短路.信号可通过放大器。而对本级的直流电、信号源与负载相隔离。便于调整静态工作点。第二十页，共八十九页，2022年，8月28日单电源供电2.放大电路的习惯画法用电位表示:合为一个电源输入.输出与发射极有一个公共点,以它作为参考点,故此放大电路叫发射极放大电路规定:1)以公共端为地电位,其余各端为正.2)电流的参考方向:NPN:

iB

、ic

流入为正，iE流出为正。PNP:iB

、ic流出为正

，iE流入为正。3.组成原则：1）保证JC反偏，JE正偏2）交流信号畅通。第二十一页，共八十九页，2022年，8月28日1.静态工作点——Ui=0时电路的工作状态

三.静态工作点ui=0时由于电源的存在，电路中存在一组直流量。ICIEIB+UBE-+UCE-第二十二页，共八十九页，2022年，8月28日由于(IB,UBE)和(IC,UCE)分别对应于输入、输出特性曲线上的一个点，所以称为静态工作点。IBUBEQIBUBEQUCEICICUCEIB为什么要设置静态工作点？

放大电路建立正确的静态工作点，是为了使三极管工作在线性区，以保证信号不失真。第二十三页，共八十九页，2022年，8月28日不设置静态工作点的工作情况说明产生了非线性失真(钟形波)原因:1).输入特性存在死区2)负半周Je反偏只有交流通路的情况.第二十四页，共八十九页，2022年，8月28日输出波形失真第二十五页，共八十九页，2022年，8月28日

由此可见，在交流放大电路中，如果不设置合适的静态工作点，就不能正常放大交流信号（失真）。静态工作点的设置:当ui=0时预先给一个电流.2.静态计算直流通路:—C1和C2开路.

第二十六页，共八十九页，2022年，8月28日1)估算法RB称为偏置电阻，IB称为偏置电流。1)由基极回路求IBQ2)由IBQ求ICQ3)由集电极回路求:第二十七页，共八十九页，2022年，8月28日例：用估算法计算静态工作点。已知：VCC=12V，RC=4K，Rb=300K，=37.5。解：请注意电路中IB和IC的数量级第二十八页，共八十九页，2022年，8月28日

四、如何判断放大电路具有放大功能

1、必须具有静态工作点，即发射结正偏、集电结反偏。静态工作点必须学会计算：输入回路计算IB、VBE，硅管的VBE≈0.6～0.7V；锗管的VBE≈0.1～0.2V。

2、交流输入信号必须能够加入到放大器的输入回路中，而不被旁路（短路）。

3、放大后的交流输出信号必须能够送出去（加到负载上），而不被旁路（短路）。举例：作业：第二十九页，共八十九页，2022年，8月28日利用BJT的输入、输出特性曲线求放大电路的静态工作点Q。方法：①先由放大器的输入回路用估算法求出IB；②在BJT的输出特性曲线图中，用VCE=VCC—IC×RC直线，交坐标轴于M（VCC，0）、N（0，VCC/RC），连接M、N，这一直线称为“直流负载线”；③直流负载线交IB于Q点，该点称为“静态工作点”；④由Q点向坐标轴作垂线，分别得到IC、VCE。直流负载线静态工作点3.3图解分析法一.用图解法分析放大器的静态工作点第三十页，共八十九页，2022年，8月28日举例：

3.3.4若将图题3.3.1所示输出特性的BJT接成图题3.3.3所示的电路，并设VCC＝12V，RC＝1kΩ，在基极电路中用VBB＝2.2V和Rb＝50kΩ串联以代替电流源iB。求电路中的IB、IC和VCE的值，设VBE＝0.7V。

解：由已知条件可求出：IB＝（VBB－VBE）/Rb

＝（2.2－0.7）/50＝0.03mA＝30μA，在输出特性图中，作直流负载线M（12V，0）、N（0，12/1k），与IB＝30μA交于Q点，由Q点分别向坐标轴作垂线，得：VCE＝6V，IC＝6mA，见左图。第三十一页，共八十九页，2022年，8月28日iBuBEQuiibic假设在静态工作点的基础上，输入一微小的正弦信号uiib静态工作点二.放大电路动态分析iCiCEuce注意：uce与ui反相！1、不负载电阻的情况

在放大器的输入端加入微小正弦信号，放大器处于动态工作状态。用图解法分析动态的步骤是：P.87第三十二页，共八十九页，2022年，8月28日uiiBiCuCEuo各点波形uo比ui幅度放大且相位相反IBUCEIC第三十三页，共八十九页，2022年，8月28日结论：（1）放大电路中的信号是交直流共存，可表示成：虽然交流量可正负变化，但瞬时量方向始终不变（2）输出uo与输入ui相比，幅度被放大了，频率不变，但相位相反。uituBEtiBtiCtuCEtuot第三十四页，共八十九页，2022年，8月28日2、带负载电阻的情况电路图直流通路交流通路等效图交流通路①直流工作情况：求静态工作点，方法同前。也可画出直流通路求IB、IC、VBE。②交流工作情况：先画出电路的交流通路，原则是：耦合C、旁路C对交流信号相当于短路，直流电压源内阻很小，也视为短路。交流负载电阻为：③在输出特性图中画出交流负载线。过Q点作斜率为－1/RL’的直线，此线为交流负载线。按前述方法，可作出uce、ic的波形及动态范围。Uce的动态范围：负半周为VR，正半周为VF。

由图看出：VR≠VF，负半周VR大于正半周VF。造成波形失真。

讨论：①

接入负载RL后，负载加重，输出波形减小；

②Q点应选在负载线的正中间，输出波形最大；③Q点过高或过低，会使波形进入饱和区或截止区，造成波形饱和失真或截止失真。第三十五页，共八十九页，2022年，8月28日交流负载线的作法：iCiCEVCCQIB交流负载线直流负载线①斜率为-1/R'L。（R'L=RL∥Rc

）②经过Q点。

注意：（1）交流负载线是有交流输入信号时工作点的运动轨迹。

（2）空载时，交流负载线与直流负载线重合。第三十六页，共八十九页，2022年，8月28日iCuCEuo可输出的最大不失真信号（1）合适的静态工作点ib三、静态工作点的选择对输出波形的影响不管是否接负载电阻RL，放大电路的交、直流负载线均过Q点，①要使输出波形不失真，整个波形必须工作在放大区，不能进入饱和区和截止区；②要使输出信号为最大（波形为最大且不失真），Q点必须设在负载线的正中部。各电路元件参数对Q点的影响：

1、基极偏置电阻Rb对Q点的影响：第三十七页，共八十九页，2022年，8月28日iCuCEuo（2）Q点过低→信号进入截止区称为截止失真波形上部失真∵IB＝（VCC－VBE）/Rb≈VCC/Rb

Rb大→IB小→IC＝βIB小，Q点↓（Q1），Q1Q第三十八页，共八十九页，2022年，8月28日iCuCEuo（3）Q点过高→信号进入饱和区称为饱和失真波形下部失真。截止失真和饱和失真统称“非线性失真”

同理：Rb小→IC大，Q（Q2）

，造成饱和失真QQ2第三十九页，共八十九页，2022年，8月28日2、直流负载电阻RC对Q点的影响：RC大→负载线斜→Q点左移（Q1），波形容易进入饱和区，造成饱和失真。同理：RC小→负载线陡→Q点右移，造成截止失真。3、其他参数对Q点的影响：VCC一般不变。VCC变化使负载线平移。

β太大，IC＝βIB，Q点上移，容易造成饱和失真。第四十页，共八十九页，2022年，8月28日三、电路参数确定之后，求输出最大波形（最大不失真幅度）

电路参数确定之后，Q点也就确定了。如果Q点不在放大区的正中间，就有可能出现失真（如图）。如要得到最大不失真波形，必须从输出特性图中分别求出VR、VF，然后取：VCE＝min｛VR、VF｝VF＝IC×RC（正半周幅值）VR＝VCE－VCES（负半周幅值）五、利用图解法对电路分析有什么优点？1、图解法直观形象地反映晶体管的工作情况（动态、静态）；2、便于分析输出波形失真情况和造成什么样的失真以及造成失真的原因；3、便于分析最大输出幅度以及最大输出功率：Pomax＝VcEmax×Icmax作业：.预习§3.4~3.5节第四十一页，共八十九页，2022年，8月28日3.4小信号模型分析法（P.92）用图解法分析放大电路的前提是：必须预先知道BJT的输入、输出特性曲线，先画出负载线，求出静态工作点Q，从图形中求出VCE、IC，根据△IB的变化，画出输出波形，比较直观、形象。缺点：不精确；不能定量分析电路的放大倍数A、输入电阻Ri、输出电阻Ro。BJT是非线性器件，如果输入ui是小信号，用图解法分析就无能为力了。此时应将BJT的非线性等效为线性元件，再利用所学过的电路知识去分析放大电路。在第二章中，曾将二极管PN结在小信号情况下等效为一个结电阻RD，而BJT是两个PN结，集电结是一个可控元件，不能简单地运用二极管等效模型。一、三极管小信号（微变信号）等效模型（P.93—97）BJT为一个二端口电路，命为输入口、输出口。从输入口看进去：可以看成一个电压源，内阻为hie，电压源大小为hreuce；

从输出口看进去：可以看成一个电流源，内阻为1/hoe，电流源大小为hfeib；这种等效方法称为H参数等效法，各参数的定义：P.94一般情况下，反向电压传输比hre≈0；输出电导hoe≈0，1/hoe→∞，因此BJT的H参数可简化如下图。图中：rbe为发射结结电阻，大小：P.97；受控电流源大小为：ic＝βib。第四十二页，共八十九页，2022年，8月28日3.4小信号模型分析法思路：将非线性的BJT等效成一个线性电路条件：交流小信号第四十三页，共八十九页，2022年，8月28日1、三极管的h参数等效电路一.三极管的共射低频h参数模型根据网络参数理论：求变化量(全微分)在小信号(正弦波)情下：第四十四页，共八十九页，2022年，8月28日各h参数的物理意义：iBuBEuBEiB——输出端交流短路时的输入电阻，用rbe表示。——输入端开路时的电压反馈系数，用μr表示。iBuBEuBEuCE第四十五页，共八十九页，2022年，8月28日iCiBiCuCE——输出端交流短路时的电流放大系数，用β表示。——输入端开路时的输出电导，用1/rce表示。iCuCEiCuCE第四十六页，共八十九页，2022年，8月28日该式可写为：由此画出三极管的h参数等效电路：2、简化的h参数等效电路（1）μr＜10-3，忽略。（2）rce＞105，忽略。得三极管简化的h参数等效电路。第四十七页，共八十九页，2022年，8月28日3、rbe的计算：由PN结的电流公式：（常温下）其中：rbb’=200Ω所以：第四十八页，共八十九页，2022年，8月28日二、用H参数小信号模型分析共射极基本放大电路（P.97—101）

方法及步骤：1、画放大电路的直流通路，计算静态工作点2、画放大电路的交流通路和小信号等效图3、求放大电路的电压放大数：第四十九页，共八十九页，2022年，8月28日4、求放大电路的输入电阻Ri：

根据输入电阻的定义（P.16），输入电压与输出电压之比，定量分析时，断开信号源，人为外加一测试电压VT，得到测试电流IT，即可求出输入电阻Ri：Ri＝VT/IT5、求放大电路的输出电阻Ro：

定量分析输出电阻时（P.17），信号源短路，保留内阻，负载开路，在输出端人为外加一测试电压VT，得到测试电流IT，即可求出输出电阻Ro：Ro＝VT/IT注:(1)RI不包含RS(2)R0不包含RL第五十页，共八十九页，2022年，8月28日6、求放大电路的输出电压对信号源电压的放大倍数：

举例：P.145T3.4.1（c）第五十一页，共八十九页，2022年，8月28日例1:电路如下图所示，已知三极管的参数，

=40，VBE=0.7V，电路的其他参数VCC=12V，RS=500，RB

=300K，RC=4K，RL=4K，（1）求开关K断开和闭合两种情况下电路的电压放大倍数AV和源电压放大倍数AVS；（2）求输入电阻Ri和输出电阻RO；（3）求最大输出电压的有效值。解：（1）求电压放大倍数由电路的直流通路可得:

画小信号等效电路如图（b）所示。第五十二页，共八十九页，2022年，8月28日K断开：K闭合：接入RL后，电压放大倍数减小。由等效电路，Ri=Rb//rbe=200//0.8660.866KK断开：K闭合：（2）求输入电阻与输出电阻：Ri

=Rb//rbe

=200//0.8660.866KRO=RC=4K第五十三页，共八十九页，2022年，8月28日例3.4.5在图题3.4.5所示电路中，设电容C1、C2、C3对交流信号可视为短路。（1）写出静态电流IC及电压VCE的表达式；（2）写出电压增益AV、输入电阻Ri和输出电阻Ro的表达式；（3）若将电容C3开路，对电路将会产生什么影响？

解：（1）IC、VCE的表达式

（2）AV、Ri、Ro的表达式先画出图（a）的小信号等效图如图（b），即可写出：

rbe＝200＋（1＋β）×26mV/IE；RL’＝RL//RC；AV＝－βRL’/rbe；Ri＝R1//rbe；Ro≈R2。

（2）C3

开路，对电路静态工作无影响，对动态的影响是：∵RL’＝（R2＋R3）//

RL，（增加）∴AV＝－βRL’/rbe，（增加）Ro≈R2＋R3，（增加）Ri＝R1//rbe（不变）。作业：P.143：T3.4.2，T3.4.4，第五十四页，共八十九页，2022年，8月28日3.5放大电路的工作点稳定问题一、问题的提出从图解法分析，Q点的选择对放大器输出波形及幅度有极大的影响。要求Q点选择在放大区中间且不随外界因素而变动。1、温度对Q点的影响：①当温度t↑→ICBO↑→ICEO=（1+β）ICBO↑→IC↑。②当温度t↑，发射区电子↑，扩散到集电区的数量↑，使得IC↑。∵β=［（IC↑）/IB］↑，∴t↑→β↑→IC↑③当温度t↑，发射结结电阻rbe↓，使得VBE↓，

∵IB=［（VCC-VBE↓）/Rb］↑→IC↑综上所述：t↑→（ICBO↑，β↑，VBE↓→IC↑→VCE=（VCC－IC×RC）↓→Q点上移，容易造成饱和失真。反之，t↓→容易造成截止失真。2、管子（BJT）工作时间长，老化，造成管子参数变化，引起Q点变化；3、大批量生产时，各管子的β等参数不可能完全一致，Q点就不一致，产品调试困难。4、维修时更换的BJT不可能和原来的完全一致。5、产品工作的环境温度等不一样，（如哈尔滨、海南）造成Q点不一致，引起产品性能差异很大。第五十五页，共八十九页，2022年，8月28日解：（1）T＝25℃时IB＝（VCC－VBE）/Rb＝（12－0.7）/750≈15μAIC＝βIB＝60×15＝0.9mAVCE＝VCC－ICRC＝1－0.9×6.8＝5.88V（2）T＝75℃时β75℃＝β＋△β＝60＋60×(75－25)×0.5%＝75VBE（75℃）＝VBE＋△VBE＝0.7＋（－2mV/℃）×(75－25)℃＝0.6VIB（75℃）＝（VCC－VBE75℃）/Rb＝（12－0.6）/750≈15.2μAIC（75℃）＝β(75℃)IB(75℃)＝75×15.2＝1.14mAVCE(75℃)＝VCC—IC(75℃)RC＝12—1.14×6.8≈4.25V（3）T＝25℃，β＝115时，Rb不变，IB不变，换用β＝115，则：IC＝βIB＝115×15＝1.725mAVCE＝VCC—ICRC＝12—1.725×6.8＝0.27V，放大电路进入饱和区。

从上分析，最后都导致IC不稳定，使得VCE不稳定，在电路中如何使IC不受温度和管子的影响呢？

例1:P.145:3.5.1对固定偏流电路，如VCC＝12V，Rb＝750kΩ，RC＝6.8kΩ，采用3DG6型的BJT：（1）当T＝25℃时，β＝60，VBE＝0.6V，求Q点；（2）如β随温度的变化为0.5%/℃，而VBE随温度的变化为－2mV/℃，当温度升高至75℃时，估算Q点的变化情况；（3）如温度维持在25℃不变，只是换用一个β＝115的管子，Q点将如何变化，此时放大电路的工作状态是否正常？

第五十六页，共八十九页，2022年，8月28日二、解决的办法出发点：P.103（1）、（2）

电路设计为“分压式射极偏置放大电路”。P.103。稳定Q点的原理是：1、流过Rb1中的电流为（I1+IB），流过Rb2中的电流为I1，如果使I1＞＞IB，则：（I1+IB）≈I1。此时B点的电位为：2、又∵VB＝VE＋VBE→VE＝VB－VBE，如果VB＞＞VBE，则：VE受BJT的VBE的影响就明显减小。电路设计时：Si：I1＝（5～10）IBGe：I1＝（10～20）IB

VB＝（3～5）VVB＝（1～3）V3、求Q、AV、Ri、Ro的方法：由直流通路求Q点；画交流通路和小信号等效图，分步求出AV、Ri、Ro。①求Q点。由直流通路可得：由（1）可知：IC只与外界因素有关，受BJT参数影响较小，只要保证外界线性元件稳定，Q点也就稳定。T

IC

IE

VE(=IERE)

VBE(=VB-VE)

IB

IC

稳Q的自动调节过程:第五十七页，共八十九页，2022年，8月28日②求图中：如果接入负载RL，则交流负载为：RL’＝RC//RL，此时的电压放大倍数为：如果求对信号源的电压放大倍数，则：第五十八页，共八十九页，2022年，8月28日③求输入电阻Ri特点：☆固定偏置电路的Ri＝Rb//rbe，可见分压式偏置电路的Ri↑；☆射极电阻Re反映到输入端，其阻值增加了（1+β）倍。④求输出电阻Ro在输出端加入测试电压VT，因为电流源βib内阻很大，可视为开路，从输出端向放大器内部看去，仅Rc起作用，所以：

Ro≈Rc第五十九页，共八十九页，2022年，8月28日三、固定偏置与分压式偏置共射放大电路比较比较内容固定偏置分压式偏置比较结果Ri↑，对信号源索取有利Ro基本不便↓，用牺牲放大倍数来提高电路的稳定性。是否有办法既能保证电路的稳定又不使放大倍数下降？举例：第六十页，共八十九页，2022年，8月28日例2:

射极偏置电路如图所示，已知

=100，VBE=0.7（1）估算静态工作点的值；（2）求电压放大倍数AV、输入电阻Ri及输出电阻RO；（3）当vS＝20mv时，vO为多少？（4）若将射极旁路电容CE断开，重求电压放大倍数AV、输入电阻Ri及输出电阻RO。解：（1）用估算法计算静态工作点的值：

（2）求电压放大倍数AV、输入电阻Ri及输出电阻RO求动态参数时，应先画微变等效电路，如图（a）所示。则有：第六十一页，共八十九页，2022年，8月28日电压放大倍数为：输入电阻为：输出电阻为：（3）当vS=20mV时，源电压放大倍数为：

第六十二页，共八十九页，2022年，8月28日（4）当旁路电容CE开路后，微变等效电路如图（b）所示。由于ICIE没变，则仍有rbe=1.94K，所以电压放大倍数为：求输入电阻：可见，去掉旁路电容后，输入电阻提高了，这是因为流过RE电流是，它是流过rbe的电流的（1+）倍，把RE折合到基极回路后，等效于一个（1+）RE的电阻。

输出电阻为：

RO

=RC=3K

由以上分析计算可见，去掉旁路电容CE后，使电压放大倍数大大降低，影响放大作用，但输入电阻增加，输出电阻不变。因此，为了得到较大的电压放大倍数，一般都在发射极电阻RE上并联旁路电容CE。第六十三页，共八十九页，2022年，8月28日例3:P.146

3.5.3射极偏置电路和BJT的输出特性曲线如图题3.5.3所示，已知β＝60。（1）分别用估算公式和图解法求Q点；（2）求输入电阻rbe；（3）用小信号模型分析法求电压增益AV；（4）求输出电压最大不失真幅度；（5）若电路其他参数不变，如果要使VCE＝4V，问上偏置电阻为多大？

解：（1）估算法：VB＝VCCRb2/(Rb1＋Rb2)＝16×20÷(60＋20)＝4VVE＝VB－VBE＝4－0.7＝3.3VIE＝VE/Re＝3.3÷2kΩ＝1.65mA≈ICIB＝IC/β＝1.65÷60＝27.5μAVCE＝VCC－（RC+Re）IC＝16－（3+2）×1.65＝7.75V（2）rbe＝200＋（1＋β）×26mV/IE＝200＋（1＋60）×26mV÷1.65≈1.2kΩ第六十四页，共八十九页，2022年，8月28日作图法见图（b）。作直流负载线A（0，16V），B（16/5，0），过IC＝1.65mA作水平线交AB于Q点，过Q点作垂线，得VCE＝7.8V，IB≈28μA。（2）小信号等效图见图（c），（3）求电压增益AVRL’＝RC//RL＝3×6÷(3＋6)≈2kΩ；AV＝－βRL’/rbe＝－60×2÷1.2≈－100（4）求输出电压最大不失真幅度过Q点作斜率为－1/RL’的直线MN，OP＝VCE＝4V＞PN＝Vom∵QP／PN＝tg（180°－θ）＝－tgθ＝－（－1/RL’）＝1/RL’∴Vom＝PN＝QP×RL’

＝IC×RL’＝1.65×2＝3.3V（5）求偏置电阻IC＝（

VCC—VCE）/（RC＋Re）＝（16—4）/（3＋2）＝2.4mAIB＝IC/β＝2.4/60＝0.04mA；IE＝IC＋IB＝2.44mA；VE＝IERe＝2.44×2＝4.88V；VB＝VE＋VBE＝4.88＋0.7＝5.58V；IRb2＝VB/Rb2＝5.58÷20＝0.275mA；∴Rb1＝（VCC－VB）/（IRb2＋IB）＝（16－5.58）/(0.275＋0.04)≈32kΩ第六十五页，共八十九页，2022年，8月28日例

3.5.5在图题3.5.5所示的电路中，VS为正弦波小信号，其平均值为0，BJT的β＝100。（1）为使发射极电流IE约为1mA，求Re的值；（2）如需建立集电极电压VC约为+5V，求RC的值；（3）设RL＝5KΩ，求AVS。电路中的Cb1和Cb2的容抗可忽略，取RS＝500Ω。

I解：（1）求Re：∵IB≈IE/β＝1÷100＝0.01mA；VB＝0－IBRS≈0V；∴VE＝VB－VBE＝－0.7V；∴Re＝(VE－VEE)/IE＝－0.7－(－15)/1mA＝14.3kΩ。（2）求RCRC＝（VCC－VC）/IC＝（15－5）/1mA＝10kΩ。（3）求AVS电路的小信号等效图如图（b）所示。

rbe＝rbb′＋（1＋β）×26mV/IE＝200＋（1＋100）×26/1mA≈2.8kΩ；RL’＝RC//RL＝10×5÷（10＋5）≈3.3kΩ；AVS＝VO/VS＝－β/（Rs＋rbe）＝－100×3.3÷（0.5＋2.8）≈－100作业：P.146T3.5.3(1).(2).(3).(5)预习：§3.6第六十六页，共八十九页，2022年，8月28日3.6共集电极电路和共基极电路一、共集电极放大电路（P.106～110）1、电路形式（P.107）固定偏置型分压偏置型2、静态工作点分析第六十七页，共八十九页，2022年，8月28日

(2)求输入电阻Ri(3)求输出电阻Ro（P.109）特点：（１）Ｖ０与ＶＩ同相；（２）ＡV≈1；（3）RI大，R0小。第六十八页，共八十九页，2022年，8月28日3、动态分析

①画交流通路和小信号等效图，求AV。特点：（1）AV≤1；（2）uoui同相。共集电极放大电路又称为“电压跟随器”。（3）RI大，R0小。第六十九页，共八十九页，2022年，8月28日例1：电路如图题（a）所示，已知VBE

=0.6V，

=50，RB1=75K，RB2=33K，RC=3K，RE=2K，RL

=2K，RS=1K，VCC

=15V，估算静态工作点，并求源电压放大倍数AVS、输入电阻Ri及输出电阻RO。解：（1）求静态工作点：

第七十页，共八十九页，2022年，8月28日（2）画小信号等效电路如图（b）所示。则（3）求电压放大倍数AV及源电压放大倍数AVS：（4）求输入电阻Ri和输出电阻RO：第七十一页，共八十九页，2022年，8月28日二、复合管（P.110～111）在第一章曾提到：输入电阻大，对信号源索取功率小，影响也就小；输出电阻小，带负载能力强。要使Ri大、Ro小，由下式可知，均与β有关，要求β越大越好。如何提高BJT的β值。→采用复合管即“达林顿”管。1、什么是复合管把两个或两个以上的三极管按一定规律组合在一起，形成一个BJT，并符合BJT的电流关系：复合管必须满足BJT的电流关系；复合后相当于一个BJT；这个BJT的极性决定于第一个BJT的极性。第七十二页，共八十九页，2022年，8月28日2、复合管的β值和rbe↑↑↑↑第七十三页，共八十九页，2022年，8月28日三、共基极放大电路（P.111～113）共基极放大电路直流通路1、共基极放大电路形式及静态工作点分析射极偏置电路的直流通路相同，所以静态分析也一样，即：

第七十四页，共八十九页，2022年，8月28日

2、利用小信号等效图求电压增益AV、输入电阻Ri、输出电阻Ro（P.112～113）

（1）电压放大倍数：

（2）输入电阻式中输入电阻，用reb表示，它比共射极接法时的输入电阻减小了（1+）倍。Ri很小，只有几十欧姆~几百欧姆。可见，共基极电路与共射极电路一样，具有足够大的电压放大能力，且输出电压与输入电压同相位。

第七十五页，共八十九页，2022年，8月28日（3）输出电阻由放大电路输出端看过去的电阻为：RO=RC

由以上分析可知，由于共基极电路的电流放大系数小于1且接近于1，所以共基极电路又称为电流跟随器。虽然共基极电路不能放大电流，但电压放大倍数较大，故同样可实现功率放大。共基极电路的特点：（1）电压放大作用强，V0与VI同相位；（2）无电流放大作用，称电流跟随器；（3）输入电阻很小。第七十六页，共八十九页，2022年，8月28日例2:由PNP管构成的共基极电路如下图（a）所示，已知，VBE=-0.2V，

=80，RB1=22K，RB2=8K，RC=3.1K，RE

=1.9K，RL=6.2K，-VCC=-15V。估算静态工作点Q，并求电压放大倍数AV、输入电阻Ri及输出电阻RO。解：（1）估算工作点由图（b）所示的画直流通路，有：第七十七页，共八十九页，2022年，8月28日（2）求电压放大倍数

画出图（a）的微变等效电路如图（c）所示(3）求输入电阻（4）求输出电阻

RO

=RC

=3.1K

第七十八页，共八十九页，2022年，8月28日例3:3.6.4电路如图题3.6.4（a）所示。BJT电流放大系数为β，输入电阻为rbe，略去了偏置电路。试求下列三种情况下的电压增益AV、输入电阻Ri和输出电阻Ro：①uS2＝0，从集电极输出；②uS1＝0，从集电极输出；③uS2＝0，从发射极输出。并指出上述①、②两种情况的相位关系能否用图（b）来表示？符号“+”表示同相输入端，即uC与ue同相，而符号“－”表示反相输入端，即uC与ub反相。

解：（1）实为射极偏置共射放大电路。能用图（b）来表示，如图（c）所示。AV＝－βRC/［rbe＋（1＋β）Re］Ri＝rbe＋（1＋β）Re

RO≈Rc（2）实为共基放大电路。能用图（b）来表示，如图（d）所示。AV＝βRC/［rbe＋（1＋β）Re］Ri＝Re＋rbe／（1＋β）RO≈Rc（3）实为射极输出器（共集放大电路）。不能用图（b）来表示。AV＝（1＋β）Re/［rbe＋（1＋β）Re］Ri＝rbe＋（1＋β）ReRO≈Re//［rbe/（1＋β）］第七十九页，共八十九页，2022年，8月28日四、三种基本放大电路组态的比较（P.113～115）见P.114根据前面的分析，现对共射极、共集电极和共基极三种电路的特点进行比较。其主要特点和应用大致可归纳如下：（1）共射极电路的电压、电流及功率放大倍数都较大，但输入电阻较低，输出电阻较大，频带较窄，常用作低频电压放大电路中的单元电路，或在多极放大电路中作中间放大级。（2）共集电极电路只能放大电流不能放大电压，电压放大倍数小于且接近于1，具有电压跟随的特点，其输入电阻大，输出电阻小，常用于多级放大电路的输入级和输出极，或作为隔离用的中间级。（3）共基极电路只能放大电压不能放大电流，且输入电阻很低，这使三极管的的结电容影响不明显，所以其频率特性好，常用于宽频带放大电路中。作业：P.148第八十页，共八十九页，2022年，8月28日3.7放大电路的频率响应

在放大电路中，由于电抗元件（如电容）及晶体管极间电容的存在，当输入信号的频率过高或过低时，不但放大倍数的数值会变小，而且还将产生超前或滞后的相移。说明放大倍数是信号频率的函数，这种函数关系称为频率响应或频率特性。在放大电路中，由于半导体管的极间电容的存在，对信号构成了低通电路，即对于频率足够低的信号相当于开路，对电路不产生影响；而当频率高到一定程度时，极间电容将分流，从而导致放大倍数的数值减小且产生相移。在放大电路中，