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模拟电子技术基放频率特性第一页，共十一页，2022年，8月28日第3章晶体管放大电路(2)3.4基本共射放大电路频率特性总第八次课3.4.1频率特性函数

1.低频特性及低频渐进线2.中频特性3.高频特性及高频渐进线3.4.2频带参数与耦合电容

1.已知耦合电容计算下限频率2.已知下限频率计算耦合电容3.上限频率3.4.3对数频率特性-波德图

1.对数幅频特性曲线2.半对数相频特性曲线作业:3.8，3.9第二页，共十一页，2022年，8月28日第三页，共十一页，2022年，8月28日

第四页，共十一页，2022年，8月28日第五页，共十一页，2022年，8月28日第六页，共十一页，2022年，8月28日第七页，共十一页，2022年，8月28日第八页，共十一页，2022年，8月28日第九页，共十一页，2022年，8月28日第十页，共十一页，2022年，8月28日基本共射放大电路设计步骤(1)根据输出范围、效率和负载最大功率综合要求确定安伏变换器与负载电阻比Rc/RL，通常可取Rc/RL=1~2，即取Rc=(1~2)RL。(2)根据RL、Rc及晶体管β值和输出范围最大要求确定基极临界偏置电阻Rb。(3)根据频带上限要求确定晶体管型号，根据频带下限要求确定耦合电容C1、C2。(4)计算BJT集电极临界偏置电流、集-射临界偏置压降以备检查。(5)确认放

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