PN结二极管工艺流程课件_第1页
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文档简介

PN结二极管的制备主要内容:PN结二极管的制备(0)准备p-Si1、制备单晶硅片2、硅片表面的化学清洗PN结二极管的制备(1)氧化问题:

1、为什么要双面氧化?

2、氧化层的厚度需要大于设计的厚度,为什么?PN结二极管的制备Mask1黑色部分都是不透光的,中间的白色部分是做扩散的位置。Mask的剖面图PN结二极管的制备(3)曝光问题:1、光刻的作用?2、图中使用的是正胶,如果用负胶如何修改工艺?PN结二极管的制备(4)显影问题:

1、什么是显影工艺?

2、显影液选择的注意事项。PN结二极管的制备(6)去胶1、通常用什么方法去胶?问题:PN结二极管的制备(7)杂质扩散1、硅片要经过适当的清洗后2、应该扩散什么杂质3、杂质扩散源有哪些4、以液态扩散源简要说一下扩散的化学原理5、这只是杂质的预淀积。问题:PN结二极管的制备(8)驱入在未被氧化层保护的区域形成了n+-p结。(n+中的“+”号表示高掺杂)问题:PN结二极管的制备(10)涂胶目的:通过光刻去除扩散结区域之外的多余的金属薄膜。PN结二极管的制备Mask2Mask黑色部分都是不透光的,四周的白色部分是刻蚀金属的位置。Mask的剖面图问题:可不可以用Mask1?PN结二极管的制备(11)曝光mask2板问题:如果采用负胶,如何修改掩膜板Mask2?PN结二极管的制备(13)腐蚀1、此次腐蚀的目的?2、腐蚀液的选择。PN结二极管

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