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经典word整理文档，仅参考，双击此处可删除页眉页脚。本资料属于网络整理，如有侵权，请联系删除，谢谢！Xθ,-2而X,。4故xxX3个）XXXXIλSWLXXII特连特连X为K）αXKXXXKKaa。Xθ,-2而X,。XXX程XXXX、、、多晶电子衍射花样及其标定对于多晶薄膜、纳米晶体，当电子束照射时，被照射区域*零层特征0电子束照射多晶、纳米晶体时，衍射成像原理与多晶线衍射相似。如图所示。锥）OC1/）PC至PKO点P=λOOOλ。以B’B’S0/λ=OB，OOBxO)和）?）XX°8ab）晶4个4个LK22+f+)+f+)+f+)+f+)+f++)+f)K2H2+f)+f)=f+e++]+f+++πi(L)]=++++f]））当L=+f]+f+)+f+)+f+)+f++)CC++]+feC001|2=−f−f|=−−=922C002|2=++f|=+3∗+=22C011|2=−f+f|=−+=22C）1N）1ddd尝试-核算（校核）法12R，R341d124111122221hhkkll121212hk2l2h2kl112RRR3127)31312312312[]hkl22111222uvwhklhkl111111hklhkl222222123KL1KL)2KL1231112223331）a=λ=a=dλ经11dR1kl111kl222又Rkl12111由1(hkl)(hkl)2222211222得213。O12311122233a=a==RdÅ1）XXX5.5度原理及其应用5.5.1二次电子成像原理SE信号主要用于分析样品表面形貌。（5－10nm范围）二次电子产额对微区表面的几何形状十分敏感，如图所增大，二次电子产额
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