华师大微电子复试真题_第1页
华师大微电子复试真题_第2页
华师大微电子复试真题_第3页
全文预览已结束

下载本文档

版权说明：本文档由用户提供并上传，收益归属内容提供方，若内容存在侵权，请进行举报或认领

文档简介

经典word整理文档，仅参考，双击此处可删除页眉页脚。本资料属于网络整理，如有侵权，请联系删除，谢谢！年1234567895年1234k56789年，高K用？K，2011年复试真题一、填空题1、击穿除隧道击穿外，还有负）温度系数和和，且隧道击穿是属于（正/2、SOC是3MOSFET的主要结构参数是4、影响硅基材料的外界因素有，迁移率的单位是（快/慢）。5、有一n型半导体和金属，且金属的功函数大于n型半导体，则电子流动方向为。二、简答题1、双极型晶体管使用放大区的三个基本条件是什么？影响双极型晶体管的主要结构参数是什么？2、画出MOSFET的I-V工作曲线，并且虚线标出线性区，非线性区，饱和区。3、热生长SiO2有什么应用，并用器件举例。4、说明研究高K介电常数材料的前提和意义，并说明要突破什么问题。5、画出{（）E}的晶体管级电路MOS口为四端原件。6、CMOS电路功耗由什么组成，并降低功耗措施。7、标准单元CMOS数字集成电路设计流程。2012年复试真题’P

人人文库> 全部分类> 教育资料 > 考试试卷

温馨提示

  • 1. 本站所有资源如无特殊说明，都需要本地电脑安装OFFICE2007和PDF阅读器。图纸软件为CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.压缩文件请下载最新的WinRAR软件解压。
  • 2. 本站的文档不包含任何第三方提供的附件图纸等，如果需要附件，请联系上传者。文件的所有权益归上传用户所有。
  • 3. 本站RAR压缩包中若带图纸，网页内容里面会有图纸预览，若没有图纸预览就没有图纸。
  • 4. 未经权益所有人同意不得将文件中的内容挪作商业或盈利用途。
  • 5. 人人文库网仅提供信息存储空间，仅对用户上传内容的表现方式做保护处理，对用户上传分享的文档内容本身不做任何修改或编辑，并不能对任何下载内容负责。
  • 6. 下载文件中如有侵权或不适当内容，请与我们联系，我们立即纠正。
  • 7. 本站不保证下载资源的准确性、安全性和完整性, 同时也不承担用户因使用这些下载资源对自己和他人造成任何形式的伤害或损失。

最新文档

评论

0/150

提交评论