电工电子技术基础练习题

经典word整理文档，仅参考，双击此处可删除页眉页脚。本资料属于网络整理，如有侵权，请联系删除，谢谢！U，晶体管的电流放CCBEI，的阻值。CCEBCU+++T+uo--be1R3kΩ270kΩ+CC+2+ui－－路如图所示，已知晶体管I，I，U。算电路的静态值BC5、晶体管放大电路如下图所示：已知＝100，=1kΩ，Vcc=24V，Rcr输出电阻Ro；电压放大倍数A。u，BER=10，RC=6k，RE=400，RL＝6k，求：(1)计算静态工作点；(2)画出微变等效电路；B1+CB++E1uouB2iR－E－1k画出两个电路的微变等效电路；(2)计算输入电阻，输出电阻。9、单相桥式整流电路中，U1为变压器原边电压，U2为变压器副边电压，Q4、硅管和锗管的伏安特性主要区别在哪里？5、图中的1—5分别代表伏安特性曲线的什么？9、共发射极放大电路元件参数的选择要满足什么条件？10、确定静态值有哪些方法？12、解释什么叫截止失真。15、根据下面的输入波形A、B，画出异或门输出Y。18、画出下图的直流通路触发器的初态QQQ。RSRS触发器的初态QQQ。24、根据电路图和U的波形画出R的电压波形图。L25、如图当B端为正时电流的通路是什么？时所产生的后果？27、根据下图所示电路，分析V击穿所产生的后果？YABC（2）YABABC（3）YABBC（4）YAB+BC=ABC+ABC+ABC+BCA=ABC+ABC+ACB=ABC+ABC+ACB=ABC+ABC+AC+ACBB=ABC+ABC+ABC+BC+AC+ACABB=AC+AC+ABC+BC+AC+ACBBABB下载可编辑=AC+BC+ABC+AABBCY电工电子技术基础练习题（3）B2、当温度升高时，半导体的导电能力将（A）(B4、半导体二极管的主要特点是具有（C）B．C．5、理想二极管的正向电阻为（C）6、如果把一个小功率二极管直接同一个电源电压为1.5V、内阻为零的电池实行正向连接，电路如图所示，则后果是该管（D+D-穿B．电流为零电流正常D．电流过大使管子烧坏7、电路如图所示,所有二极管均为理想元件，则D的工作状态为（A312R13V0V导截止3D截止，D3导通1212截止，D导通2D．D均截止12313(B(C倍倍(D.专业.整理.下载可编辑11、稳压管反向击穿后，其后果为（BA．永久性损坏B．只要流过稳压管电流不超过规定值允许范围，管子无损由于击穿而导致性能下降A(D14、已知放大电路中某晶体管三个极的电位分别为E=C=5V，则该管类型为（A型锗管型锗管型硅管型硅管15、图示的三极管接在放大电路中，该管工作正常，测得BE=0.3V，则此管的类型为（ACBE型锗管锗管型硅管型硅管16、如果改变晶体管基极电压的极性，使发射结由正偏导通改为反偏，则集电极电流（B向B．近似等于零变大17、已知某晶体管处于放大状态，测得其三个极的电位分别为6V、9V和6.3V，则6V所对应的电极为（A极D18、晶体管的穿透电流ICEO是表明（A．该管温度稳定性好坏的参数B．该管允许通过最大电流的极限参数C．该管放大能力的参数19、所谓晶体管输出特性曲线中的线性区域是指（AD20、如果接在电路中某晶体管的基极与发射极短路，则（BA．管子深度饱和B．管子截止C．管子工作在放大状态D21、测得某一PNP硅管三个极的电位是：VB=AA．线性放大状态C．截止工作状态B．饱和工作状态B.专业.整理.DD(D&YA）ABBAAABDBN8D。。是和。、。，。下载可编辑。。与静=。=。=。。。。。10。有0出1、全1出0、。。有1出0，全0出1、有1出1、全0出0、、。有