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功率放大器（PA）行业技术路线格局及国内厂商汇总分析

3/4G时期以横向扩散金属氧化物半导体（LDMOS）工艺为主，LDMOS有局限性，氮化镓（GaN）成为中高频段主要技术方向。LDMOS功率放大器的带宽会随着频率的增加而大幅减少，5G基站AAU功率大幅提升，单扇区功率从4G时期的50W左右提升到5G时期的200W左右，传统的LDMOS制程将很难满足性能要求。随着半导体材料工艺的进步，氮化镓（GaN）正成为中高频频段PA主要技术路线，GaN技术优势包括能源效率提高、带宽更宽、功率密度更大、体积更小，使之成为LDMOS的天然继承者。GaN技术虽然性能出众，但考虑到GaN昂贵的成本，预计初期5G功率放大器可能会以LDMOS与GaN混合为主，随着成本的不断下降，后续逐渐被GaN完全取代。基站射频PA技术路线比较资料来源：公开资料整理，立鼎产业研究中心传统基站功率放大器领域，主要由恩智浦（NXP）、飞思卡尔（Freescale）和英飞凌（Infineon）三家公司垄断，2015年NXP完成收购Freescale，为了规避反垄断调查，NXP便将自己的RFPower部门以18亿美元的价格出售给国内的北京建广资本，改组为Ampleon公司。2018年6月，国内A股上市公司旋极信息发布公告，与合肥瑞成股东之一北京嘉广资产管理中心签订《合作意向书》，拟购买其持有的合肥瑞成股权，从而间接收购Ampleon股权。此外，A股上市公司中，提供化合物半导体制造服务的--三安光电，作为国家大基金重点扶持的化合物半导体制造企业，是国家在半导体制造领域取得战略突破的重要布局

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