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中科院半导体所科技成果一ni-V化合物半导体磷化锢（InP）、睇化镂（GaSb）和碑化锢（InAs）单晶生长和晶片加工技术项目成熟阶段成熟期成果简介InP单晶片主要作为衬底材料外延生长各种微波器件用微结构外延材料（如HEMT、HBT）和大功率激光器等的多量子阱材料，主要应用领域包括移动通信、卫星通信、导航、光纤通信、高效太阳能电池等。InAs单晶片主要作为衬底材料，制造波长2-14^m的红外发光管、激光器等，GaSb单晶片衬底用于制造2-5pm波长的室温连续波激光器。这些红外器件在气体监测、低损耗光纤通信、红外成像探测技术等领域有良好的应用前景。GaSb单晶还是制造热光伏器件的抱负材料，已应用在工业余热发电、便携发电设施等。InAs单晶还用于制造霍耳器件、产生太赫兹波等。2英寸和3英寸直径（100）InP单晶2英寸和3英寸直径（100）GaSb单晶2英寸和3英寸直径（100）InAs单晶照片技术特点InP、GaAs、GaSb和InAs单晶的生长方法为液封直拉法（LEC1生长出的单晶需要经过定向切割成为厚度为毫米左右的标准圆片（直径2英寸、3英寸等），然后进行抛光、腐蚀和清洗后，在超净条件下包装密封，即可作为商品供应应用户使用。主要生产工艺流程晶体生长T晶锭滚圆分定向切割今晶片研磨今抛光分清洗腐蚀分超净封装1用户。市场分析目前市场价格为：2英寸片1000-1500元/片，3英寸片2000-3000元/片。合作方式技术服务产业化所需条件主要生产加工设施：高压单晶炉：主要用于InP和InAs的多晶合成和单晶生长；常压单晶炉（相当于40型或更大的Si单晶炉）：用于GaSb单晶、InAs单晶和InSb单晶的生长；内圆切割福口多线切割机：用于单晶的定向和晶片切割；研磨机：晶片研磨；抛光机：晶片的单面和双面抛光；其它配套条件：超净厂房、晶片的清洗腐蚀设施、表面检测分析和常规电学测试设施等。年产2万片（以2-3英寸晶片为例），需要主要的单晶生长设施3-4台，切割设施2台，抛光

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