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文档简介
晶圆的反面研磨工艺会产生应力并传导到晶圆本体上导致晶圆变脆。这种晶圆变脆的效应可以用等离子应力去除工艺来去除。反面研磨带在减薄工艺〔725µm75µm〕时用以保护晶圆高活性的一面。之后，用远程等离子对3µm70°C例如30μm50µm3D4刀片切割就是用机械的方式对晶圆进展切割1:使用一般磨粒的磨轮刀片(#2023)2:使用微细磨粒的磨轮刀片(#4800)1、21:使用一般磨粒的磨轮刀片(#2023)2:使用微细磨粒的磨轮刀片(#4800)(Low-k)膜及铜质材料，由于难以使用一般的金刚石磨轮刀片进展切割加工，所以有时无法到达电子元件厂家所要求的加工标准。为此，迪思科公司的工程师开发了可解决这种问题的加工应用技术。激光开槽加工工艺2全切割加工。通过承受该项加工工艺，能够提高生产效率，削减甚至解决因崩裂、分层(薄膜剥离)等不良因素造成的加工质量问题。例如π象。激光切割加工质量DFL7160将短脉冲激光聚焦到晶片外表后进展照耀。激光脉冲被Low-k膜连续吸取，当会消耗掉晶片的热能，所以可以进展热影响极少的加工。设备DEL7160上承受了非发热加工方式即短Low-kLCD屏和图形化用户界面(GUI)，使操作更为便利。激光全切割工艺1胶带实现晶片全切割的切割方法。由于激光全切割可以加快进给速度，从而可以提高生产效率。加工实例GaAs片切割的进给速度。假设利用激光全切割技术，加工进给速度可以到达磨轮刀片切割10工晶片的不同会有所差异。)1◆薄型化硅晶片的全切割加工随着晶片的薄型化，切割时的崩裂和裂缝对芯片强度的影响也越来越大，切割的难度DAF(DieAttachFilmDAF抑制毛边等现象发生的高质量切割，也成为一个重要的课题。UPHDAFDAFDBG＋DAFDBG(DicingBeforeGrinding)*1工艺利用研削来分割芯片，故能够降低反面崩裂，并能因此提高芯片抗折强度。另外，由于是在研削完毕阶段分割成芯片，所以有望在加工薄形芯片时减小晶片破损的风险。今后如能在这种DBG工艺中承受DAF(DieAttachinPackage〕等薄型芯片的叠层封装制造方面DBGDAFDBG(DicingBeforeGrinding):这种技术将传统的“反面研削→晶片切断”的工艺倒过来，先将晶片半切割，然后利用反面研削进展芯片分割。DAF(DieAttachFilm):这是一种薄膜状的接合材料，用于薄型芯片叠层等。DBGDAF进展全切割。晶片已经分别成了芯片，所以就可以从芯片间照耀激光，只将DAFDAF1DAF承受激光切割技术可以抑制承受磨轮刀片切割DAF时产生的毛边。1.SEMDAF〔70µmSi+20µmDAF〕2、能够进展高速切割，提高生产效率与磨轮刀片切割相比，可以提高DAF全自动切割时的加工速度。加工实例： 加工进给速度100mm/sec～300mm/sec，以1pass进展DAF切割〔加工条件因DAF的种类、DAF〕3、利用特别校准，可以解决芯片错位问题DBG错位
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