第4章薄膜的制备

一、氧化膜的制备二、化学气相淀积三、外延生长四、物理汽相淀积第4章薄膜的制备1芯片加工过程包含在wafer表面生长多种膜层，导电膜层和绝缘膜层对于制作半导体芯片而言是非常重要的。制作膜层的方法有很多，不同作用、不同位置的薄膜制作方法也不同。常用的方法有氧化、化学气相淀积以及物理气相淀积等。2氧化二氧化硅具有阻止杂质侵入的作用，另外它还有极其稳定的化学性质和绝缘性。因为这些性质，二氧化硅层在硅集成电路中起着非常重要的作用。1.二氧化硅的结构二氧化硅由硅-氧四面体组合而成，有结晶型和无定型两种，两者都是由硅-氧四面体组成的，不同的是，结晶型是由硅-氧四面体在空间按照一定规则排列所组成，而无定型则是随机排列。氧化工艺生长成的是无定型的二氧化硅。32.二氧化硅的性质（1）物理性质二氧化硅的物理性质用各种物理参量来表征，如密度、折射率、电阻率、介电强度、介电常数以及热膨胀系数等。氧化方法密度（g/cm3）电阻率（Ω·CM）介电常数介电强度（106V/cm）干氧2.24～2.273×1015～2×10163.4(10KHz)9湿氧2.18～2.213.82(1MHz)水氧2.00～2.201015～10173.2(10KHz)6.8～9热分解淀积2.09～2.15107～108外延淀积2.37×1014～8×10143.54(1MHz)5～64（2）化学性质二氧化硅是硅最稳定的化合物，不溶于水，只能和氢氟酸发生反应。二氧化硅与氢氟酸作用发生如下化学反应：在生产中，光刻扩散窗口和引线孔窗口等，就是利用了二氧化硅的这种性质。53.二氧化硅的用途由于制备简单并且与硅之间接触良好，使得二氧化硅成为应用最普遍的膜材料。（1）掩蔽杂质半导体器件在制作各个区时最常采用的方法是先在wafer表面生长一层氧化膜，刻蚀掉需要掺杂区域的氧化膜形成掺杂窗口，杂质通过窗口进入wafer。离子注入时，也可用作阻挡层，以降低注入对wafer表面的损伤。6（2）栅氧层在MOS技术中，常用氧化膜作MOS管的绝缘栅介质，这是由于二氧化硅具有高的电阻率和高的介电强度，几乎不存在漏电流。

7（3）表面钝化和保护在wafer表面生长一层二氧化硅可以束缚硅的悬挂键，阻止wafer表面硅电子的各种活动，提高器件的稳定性和可靠性，起到钝化保护的作用。它能防止电性能退化，减少由于潮湿、离子或其它外部污染的原因导致漏电流的产生。在制造过程中，还可防止wafer受到机械擦伤。（4）绝缘介质二氧化硅是良好的绝缘体，可用于多层金属布线结构中上下两层金属间的绝缘层，防止短路。8（5）介质隔离芯片制作中的隔离方法PN结隔离、介质隔离，介质隔离通常选择的就是二氧化硅。例如，LOCOS工艺中，晶体管的隔离就是在晶体管之间生长厚的二氧化硅膜；CMOS工艺中的场氧就是用来隔离PMOS的有源区和NMOS的有源区的。94.热氧化法生长二氧化硅膜二氧化硅的生长方法有很多种，热氧化、热分解淀积、溅射、蒸发等。

由于热氧化的氧化反应发生在硅-二氧化硅交界面，接触到的杂质、污染比较少，形成的二氧化硅质量也就较高，所以，多采用热氧化法生长氧化膜。热氧化法包括干氧、水氧和湿氧三种方法，通常采用干湿干的氧化模式。10（1）干氧氧化干氧氧化是在高温下，氧分子与硅直接反应生成二氧化硅，反应为：氧化温度约为1000～1200℃，为了防止外部气体对氧化的影响，炉内的气压要高于炉外的气压。干氧生长的氧化膜表面干燥、结构致密，光刻时与光刻胶接触良好、不易产生浮胶，但氧化速率极慢。11干氧氧化系统12（2）水汽氧化水汽氧化是指在高温下，硅与高纯水蒸汽反应生成二氧化硅膜，反应式为：

对高纯水加热产生高纯水蒸气，水汽进入氧化炉与硅片反应生成二氧化硅膜。水汽氧化氧化速率较快，但膜层不致密，质量很差，特别是对杂质扩散的掩蔽作用较差，所以这种方法基本不采用。13水氧氧化系统14（3）湿氧氧化湿氧氧化中，用携带水蒸气的氧气代替干氧。氧化剂是氧气和水的混合物，反应过程如下：氧气通过95℃的高纯水；氧气携带水汽一起进入氧化炉在高温下与硅反应。湿氧氧化相当于干氧氧化和水汽氧化的综合，其速率也介于两者之间。具体的氧化速率取决于氧气的流量、水汽的含量。氧气流量越大，水温越高，则水汽含量越大，氧化膜的生长速率和质量越接近于水汽氧化的情况。反之，就越接近于干氧氧化。155.氧化生长模式（1）硅消耗无论是湿氧还是干氧，在氧化过程中，硅-二氧化硅的界面都会由硅表面移向内部，即氧化过程要消耗硅。16（2）硅-二氧化硅界面在界面处，有的硅原子没有和氧原子键合，累积了大量正电荷。界面处还存在一些陷阱电荷、可动电荷等，这些电荷会使MOS器件的开启电压变化不定。氧化工艺，通常采用在氢气或氢-氮混合气氛中低温退火的方式降低界面电荷的密度。（100）晶面的界面电荷密度最低，这是常选择（100）晶面硅衬底的原因。17（3）影响氧化物生长的因素除了温度和氧化剂外，还有其它一些因素会影响氧化物的生长。压力效应，氧化的速率与氧化剂运动到硅表面的速率有关，而压力可以强迫氧分子更快的通过正在生长的氧化层，所以压力越高，氧化速率越快。高压氧化的优点是：缩短氧化时间或者降低氧化温度。在氧化速率不变的前提下，每增加一个大气压的压力，氧化炉内的温度可降低30℃。高压氧化比较适合生长厚的场氧层。18杂质浓度，III-V族杂质可以提高氧化剂在二氧化硅中的扩散速率，所以重掺杂硅的氧化速率高于轻掺杂硅。通常在氧化炉中，都会先通入含氯气体来清洗石英管以及wafer表面，加入氯气也会提高氧化速率。晶面方向，（111）晶面的原子密度比（100）晶面的大，因此，硅-二氧化硅界面处的反应速率也较快。但从氧化质量的角度来看，（100）晶面的缺陷密度较低，这也是生产制造中采用（100）晶面的原因。196.氧化诱生堆垛层错氧化诱生堆垛层错（OISF），是一种插入到晶格中的、在有限范围内的、额外的原子平面，通常位于{111}晶面内，靠近Si-SiO2界面处。OISF会造成双极晶体管中管道的短路，使MOS器件漏电。掺入氯气的氧化会大大减少OISF的密度，所以，经常采用掺氯氧化的方法。掺氯氧化不但可以降低OISF的密度，还可以减少钠离子的沾污，提高少数载流子的寿命，也就提高了器件的电性能和可靠性。207.热分解淀积氧化膜将含硅的化合物进行热分解，在wafer表面淀积一层二氧化硅膜，就是热分解淀积工艺。这种工艺中，硅不参加反应，只起到衬底的作用。而且氧化温度很低，又称为“低温淀积”工艺。含硅的化合物有两种：烷氧基硅烷和硅烷。21（1）烷氧基硅烷热分解法烷氧基硅烷分解的反应如下：

淀积时，系统的真空度要达到标准，密封性要好；氧基硅烷的温度要适当，流速控制要好，温度太高，生长速率过快，质量不好，流速太大，生长速率快，质量也不好；时间不能太长，一旦氧基硅烷变成黄色就不能使用。22（2）硅烷热分解法硅烷热分解淀积是将硅烷在氧气气氛中加热，反应生成二氧化硅，淀积在wafer上，这种方法生成的氧化膜质量较好，生长温度也较低。反应如下淀积时，反应室内气流要均匀，流量控制也要适当；反应温度要严加控制；注意安全，硅烷是易燃易爆气体，使用前应稀释至3%～5%的体积浓度。23制备氧化膜的方法还有反应溅射法、真空蒸发法和外延法等。下表是二氧化硅的常见用途及其相应的制备方法。作用目的生长方法栅氧层MOS管的栅极绝缘层干氧氧化生长至20～几百Å场氧层MOS器件中起隔离作用湿氧氧化至2500～15000Å杂质掩蔽层选择性掺杂干-湿-干氧化法垫氧化层在氮化硅与硅之间起缓冲作用热氧化法注入阻挡层减小注入损伤热氧化法绝缘层多层金属之间的绝缘层淀积法248.热处理在Wafer加工过程中的很多工序都需要高温加热，加热过程会产生很多负效应，需要进行热处理来降低这些负效应的影响。（1）退火退火的目的是消除材料内因缺陷而累积的应力。方法是将待退火的材料在适当的温度下搁置一段时间，利用热能，使材料内的原子有能力进行晶格位置的重新排列，降低缺陷密度。25（2）快速热处理进行氧化、扩散等工序时，炉温很高，退火时的温度虽然较低，但时间又很长，这样，已经形成的区域内的杂质有可能会继续扩散，改变了器件的结深、杂质浓度，影响器件性能。快速热处理（RTP）是在非常短的时间内，将单个wafer加热至400～1300℃的一种热处理方法。它的优点有：杂质扩散长度最短；沾污少；加工时间短。269.二氧化硅膜质量检测氧化膜的质量主要表现在表面无斑点、裂纹、白雾和针孔等缺陷；厚度达到规定标准，薄厚均匀；可动离子含量低，符合要求等。二氧化硅膜的质量，直接关系到半导体芯片的性能。因此，其质量必须达到预定的要求。（1）氧化膜厚度的测量比色法，膜的厚度不同，在光的照射下，由于光的干涉，会呈现出不同的颜色。根据干涉次数与颜色，就27能估测出膜的厚度。但误差太大，且当膜厚超过7500Å时，色彩变化不明显，因此仅限于测量1000～7000Å之间的氧化膜厚度。氧化膜颜色氧化膜厚度（Å）1次干涉2次干涉3次干涉4次干涉灰色100黄褐色300棕色500蓝色800紫色1000275046506500深蓝色1500300049006850绿色1850330052007200黄色2100370056007500橙色225040006000红色25004300625028光干涉法，光干涉法需要将氧化膜腐蚀出一个斜面，用短波长的单色光垂直入射至斜面处，用显微镜观察斜面处的干涉条纹。根据条纹的个数即可计算出膜的厚度：，式中，D为二氧化硅膜的厚度，N为干涉条纹数，λ为入射光波长，n为二氧化硅的折射率。光干涉法比较适合测量厚度在200nm以上的氧化膜。29椭偏光法的测量精度高达10Å，且可同时测出薄膜的折射率，它还是一种非破坏性测量方法。椭偏光法是用椭圆偏振光照射被测样品，观察反射光偏振状态的改变，从而测出样品上膜的厚度或光学常数。光源发出自然光，经过起偏器后成为线偏振光，其偏振30方向由起偏器决定，转动起偏器可改变偏振光的偏振方向。此线偏振光经过四分之一波长片后变为椭圆偏振光，该偏振光经过样品反射后通常仍为椭圆偏振光，但椭圆率和长短轴的方位变了。对于厚度一定的薄膜，转动起偏器可使发射后的光变为线偏振光。这时，转动检偏器，可找到消光状态。在消光状态下，一定的膜厚对应一定的起偏器方位角P和检偏器方位角A。测量时，只要读出P和A的值，就可以计算出膜厚和折射率，椭偏光仪还可以用来检验膜厚均匀性、鉴别膜层的成分，测量材料的消光系数等。31（2）氧化膜缺陷的检测膜厚不均匀，膜层表面颜色一致就说明膜厚均匀，若颜色有较明显的变化，则说明膜厚不均。二氧化硅膜厚度不均匀会影响其杂质掩蔽功能、使绝缘性变差等。氧化炉内的氧气或水汽不均匀、炉温变化不定以及恒温区太短等都是造成膜厚不均的原因。要得到厚度均匀的氧化层，必须有长而温度的恒温区，对氧化气体的流量、炉温都要严格控制。

表面斑点，斑点一般肉眼无法看到，要通过显微镜观察。产生表面斑点的原因一般有：wafer表面清洗不32彻底，残留了一些杂质颗粒，这些杂质在高温下粘附在二氧化硅膜表面形成斑点；石英管在高温下工作时间过长，脱落的颗粒落在wafer表面，出现斑点；wafer清洗后水迹未干、湿氧过程中有水滴落在wafer上，都会使二氧化硅膜表面出现斑点。为了避免斑点的出现，要仔细清洁wafer表面、清洗石英管、严格控制水温以及氧气流量。

针孔，针孔会破坏氧化膜的杂质掩蔽能力，会造成器件漏电流增大，甚者会使器件击穿而失效。由于wafer抛光效果不好，存在严重位错，在位错处不能形成二氧33化硅，于是产生针孔。针孔对器件的危害很大，且不易发现，因此要采用化学腐蚀法、电解染色法、阳极氧化法以及电解镀铜法等方法检验它。为了消除针孔，应严格选择衬底材料，表面应平整、光亮，而且要加强清洁。

钠离子污染，钠离子主要来源于生产环境。去离子水直接接触晶圆，水质直接影响表面质量。钠离子的含量可由水的电阻率来表征，要求25℃时水的电阻率高于18MΩ。在高温下，钠离子会穿过石英管管壁进入氧化炉内，影响氧化膜的质量，因此生产上用的都是双层管壁的石英管。34化学气相淀积淀积是指在wafer上淀积一层膜的工艺，淀积薄膜的工艺有很多种，化学气相淀积、物理气相淀积、蒸发等很多。化学气相淀积（CVD）是通过气态物质的化学反应在wafer表面淀积一层固态薄膜的工艺。CVD法淀积薄膜可用以下几个步骤解释薄膜的生长过程：参加反应的气体传输到wafer表面；反应物扩散至wafer表面并吸附在其上；wafer表面发生化学反应，生成膜分子和副产物；膜分子沿wafer表面向膜生长区扩散并与晶格结合成膜；反应副产物随气流流动至排气口，被排出淀积区。35化学气相淀积根据反应气体压力可分为常压化学气相淀积（简称APCVD）、次大气压化学气相淀积（简称SACVD）、低压化学气相淀积（简称LPCVD）、超低压化学气相淀积（简称ULPCVD）。若按反应激活方式来分，有热活化式CVD、等离子体增强CVD以及光量子CVD。361.常压化学气相淀积系统APCVD是指在大气压下进行的一种化学气相淀积的方法，这种工艺所需的系统简单，反应速度快，并且淀积速率可超过10000埃/min，特别适于介质积，但是它的缺点是均匀性较差，气体消耗量大，且台阶覆盖能力差，所以，APCVD一般用在厚的介质淀积，常用来淀积用于层间绝缘、表面平坦化等功能的氧化膜。372.低压化学气相淀积系统（LPCVD）低压CVD就是将反应室内的压强降至0.1～5Torr，反应温度介于300～900℃。相对APCVD来讲，LPCVD系统成本更低、产量更高、淀积的薄膜性能更好，因此应用更广泛。

LPCVD经常用于多晶硅和氮化硅膜的淀积。383.等离子体增强型淀积（PECVD）PECVD是一种射频辉光放电的物理过程和化学反应相结合的技术，是在LPCVD的基础上增加了高频电场，使气体电离形成由光子、电子、受激分子和原子构成的等离子体。带电粒子在电场的作用下能量提高加速运动，与反应气体不断碰撞，使反应气体电离或被激活成为活泼的活性基团，很容易成膜。等离子体带来的好处有：工艺温度低；对深宽比高的沟槽填充好；制备的薄膜与硅片之间粘附性好；淀积39速率高；膜的致密性高等。所以，比较适合淀积热稳定性差的材料。PECVD主要生长用于钝化和多层布线电介质的氮化硅和二氧化硅。40外延生长外延是指在硅单晶衬底（wafer）上生长一层硅单晶薄膜的工艺，新生的单晶薄膜即外延层。外延生长具有以下几个优点：外延层的厚度、电阻率、均匀性、晶格完整性等可控性较强，对器件的、可靠性以及稳定性都有很好的影响；可在外延层及衬底之间得到突变型杂质分布；杂质含量较衬底材料低；尤其正外延式生长方式应用非常广泛，应用于双极晶体管时可同时提高集电结的击穿电压和降低集电极的串联电阻，应用于MOS晶体管时防止闩锁效应。411.外延分类根据外延层与衬底的材料可以将外延生长分为同质外延和异质外延，同质外延又可分为真同质外延和准同质外延，异质外延亦可分为真异质外延以及准异质外延；根据掺杂浓度的不同可分为正外延和反外延；根据生长方式的不同有间接外延和直接外延。422.硅气相外延生长（1）清洁硅外延生长的目的是得到一层缺陷少、厚度及杂质浓度均可以控制的单晶薄膜，它的先决条件是衬底必须干净、无缺陷，而且衬底的表面温度够高，或者可提供非热能能量，使吸附原子有足够的动能移动到适当的位置，达到外延生长的目的。所以，要对硅衬底进行清洁。43常用的的清洁方法有两种：将衬底置于温度高于1000℃的氢气气氛中，使硅表面的自然氧化层与氢气反应生成一氧化硅和水气，反应如下：将衬底置于温度高于850℃的超高真空中，使氧化层自然脱附，用等离子体刻蚀去除二氧化硅。44（2）装炉装炉就是将清洁好的wafer放在已处理好的石墨基座上，装入反应炉内。装炉之前，应先通入氮气或氢气净化反应炉，接着再通入氯化氢气体。反应炉有立式、桶式、卧式三种，都使用射频加热方式，生产上大多采用卧式反应炉。卧式反应炉45桶式反应炉立式反应炉46（3）换气将氢气通入反应室以排除室内的空气。氢气的流速不能太大，否则，会将炉壁上的杂质吹落到wafer上。（4）升温将反应室内的空气完全排除才可升温，升温速度很快，只需几分钟的时间，温度就可达到1200℃左右。（5）气相抛光气相抛光就是用化学腐蚀的方法除掉wafer表面的氧化层和晶格损伤。气相抛光包括氯化氢抛光、水汽抛47光以及氯气抛光三种，通常采用氯化氢抛光。（6）外延生长抛光结束排空室内气体后，通入反应气体，确定好温度、气体流量，即可开始生长。生长过程中，温度、流量不应波动，否则，生长速率会发生变化，继而影响外延层的厚度均匀性、掺杂均匀性。48反应物生长气压温度（℃）生长速率（μm/min）常压1150～13000.2～2.0低压1100～12500.1～0.6常压1100～12500.2～2.0低压1050～12000.1～0.8常压1050～11500.1～1.0低压1000～11000.1～0.6常压900～11000.1～0.5反应气体通常是氢气和硅氯化物，上表列出了几种硅氯化物外延生长的生长条件及对外延层性质的影响，可以看出气体中Cl的含量越高，生长速率越快，但所需的反应温度也就越高，同时生成更多的氯化氢气体，对wafer造成腐蚀，严重影响掺杂效果。气体中H的含量越高，反应温度越低，但生长速率却越慢，另外会生成多晶，且易氧化形成硅粉，外延层的缺陷密度也比使用其它反应物生长时要高。所以目前最普遍使用的是。49反应物生长气压温度（℃）生长速率（μm/min）常压1150～13000.2～2.0低压1100～12500.1～0.6常压1100～12500.2～2.0低压1050～12000.1～0.8常压1050～11500.1～1.0低压1000～11000.1～0.6常压900～11000.1～0.5反应气体通常是氢气和硅氯化物，上表列出了几种硅氯化物外延生长的生长条件及对外延层性质的影响。50外延生长的温度很高，这是因为，只有在足够的温度下，硅原子才能在wafer表面扩散，找到合适的位置固定下来形成单晶薄膜。但不同的反应气体，反应过程也不同。51在高倍电子显微镜下，可观察到外延生长的过程，生长过程可分解为以下步骤：反应气体分子从气相转移到到生长层表面；反应气体分子被生长层表面吸附；在生长层表面，反应物完成化学反应，生成硅原子和其它副产物；副产物从生长层表面脱离；副产物排出反应室；硅原子在生长层表面扩散；硅原子扩散至晶格形成处，与其它硅原子结合形成晶核；晶核生长成单晶外延层。5253外延层有P型、N型之分，也有重掺杂与轻掺杂之分。掺杂是通过对硅氯化物的掺杂来完成的，通常的做法是加入磷化氢、砷化氢或硼化氢，使得硅中含有P、As或B杂质。也可在外延结束后，采用离子注入、扩散的方式掺入杂质。（7）闭源降温、取片外延生长结束，停止提供反应气体及掺杂源，通入高纯氢气保持恒温片刻，再缓慢降温，温度降至室温后，将氮气通入室内排空氢气，打开反应器，取出生长好外延层的wafer。543.外延层检测（1）外延层电阻率的测量半导体器件大多制作在外延层上，外延层电阻率对器件有很大的影响。常用的测量电阻率的方法有三探针、四探针以及电容-电压法。三探针测量速度快、无破坏性，可精确测量电阻率为0.1～5Ω·cm的外延层。55测量步骤如下：确定测量点，先在样品中心位置确定一点作为参考点，在对角线上平均选择四点，共五个测量位置作为测量点。

测量击穿电压，将标准样品经过研磨、抛光去除掉表面的沾污、缺陷，置于氟化氢溶液中浸泡15min后，用去离子水冲洗至中性。用三探针测试仪分别测出五个测量点的击穿电压，求平均值；求电阻率，每台测试仪都有专用的-ρ关系曲线，根据曲线查出对应的电阻率。5657（2）厚度测量外延层厚度的测量方法有称重法、层错法、磨角法以及红外干涉法等。

红外干涉法，由于红外入射光束直径小，可逐点测量，所以红外干涉法的测量结果比较精确。但只限于测量衬底电阻率低于，外延层电阻率高于的外延层的厚度。

58层错法，层错法利用了不同层错形状的边长与外延层厚度的关系。测量步骤如下：用腐蚀液腐蚀wafer，显示出层错形状；用显微镜测层错边长，计算外延层厚度。59物理气相淀积物理气相淀积（PVD）是以物理方式进行薄膜淀积的一种技术，金属薄膜一般都是用这种方法淀积的。PVD主要有三种技术：蒸镀、溅镀以及分子束外延生长。1.蒸发在早期，金属薄膜都是通过物理蒸发淀积形成的。但由于蒸发的淀积速率低，台阶覆盖能力、沟槽填充能力都较差，上个世纪70年代，就已逐渐被溅射所代替。蒸发按加热源的不同分为真空蒸发和电子束蒸发两种。60（1）真空蒸发真空蒸发就是在真空室中，把所要蒸发的金属加热到相当高的温度，使其原子或分子获得足够的能量，脱离金属材料表面的束缚而蒸发到真空中，淀积在基片表面形成一层薄的金属膜。61蒸发流程如下：选择金属源、清洁处理、打开机械泵阀门、真空室阀门、电源、机械泵开关，开启钟罩、挂铝丝、抽真空、基片加热、蒸发、取片。通常铝层的厚度为1～2μm，太薄，不易键合；太厚，不易光刻。铝层的厚度取决于蒸发源与基片之间的距离、基片温度、真空室内的真空度以及蒸发时间，控制好这些参数，就可以得到厚度理想的膜层。62（2）电子束蒸发电子束蒸发是利用高电压加速并聚焦电子束，直接打到源表面使金属熔化并蒸发到基片表面形成薄膜。电子束蒸发的优点：膜层纯度高、钠离子含量低；膜层均匀；膜层晶粒致密均匀；原料节省；应用广泛。63电子束蒸发的核心是偏转电子枪，电子枪的工作过程如下：①灯丝加热后发射出大量电子，电子在阳极作用下加速（加速电场是可调的）飞入磁场；②电子在磁场中受到洛仑兹力的作用发生偏转，调节磁场的强度或电子速度可改变电子的运动半径，使之准确的击中蒸发源；③击中蒸发源的电子的动能转化为热能，使铝蒸发。

642.溅射溅射是利用等离子体轰击被溅射物质使其原子或分子逸出，淀积到基片表面形成薄膜的一种物理气相淀积方法。溅射具有以下优点：可实现大面积基片膜层的均匀淀积；膜的厚度、台阶覆盖能力等特性的可控性好；可不改变合金成分进行薄膜淀积；可通过原位溅射刻蚀清除掉基片表面的沾污的自然氧化层。65（1）溅射的步骤向高真空室内通入放电所需的惰性气体；在高空电场作用下使气体放电，产生大量离子；离子在电场作用下加速能量升高，以高速去轰击靶材料；离子的动能高于材料的原子、分子结合能，使靶材料的原子或分子逸出；逸出的原子或分子飞向基片，在基片表面淀积成膜。（