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文档简介

熔盐生长法3.生长速率（BCF理论）

<<1：tanh1/≈1,>>1：tanh1/≈1/

V＝C∝

二、助熔剂的选择

1.有足够大的溶解度，一般应为10～50wt%，同时在生长温度范围内，还应有适度的溶解度的温度系数；2.所生成的晶体是唯一稳定的物相（不反应），助溶剂与参与结晶的成分最好不要形成多种稳定的化合物；3.固溶度应尽可能小，尽可能选用同离子助熔剂；4.小粘滞性,使扩散速率↗,生长速率↗,完整性↗;5.低熔点，高沸点，才有较宽的生长温区；6.很小的挥发性、腐蚀性和毒性，避免对人体、坩埚和环境造成损害和污染；7.

易溶于对晶体无腐蚀作用的液体溶剂中，如水、酸或碱性溶液等，以便于生长结束时晶体与母液的分离。

8.很难找到一种能同时满足上述条件要求的助熔剂。在实际使用中，一般采用复合助熔剂来尽量满足这些要求。

例如：PbO和PbF2

表7.5给出了一些常用的助熔剂和所生长的晶体。

P166

三、生长设备及操作方法

1.设备

1)生长炉：要求保温性能好，坩埚进出方便，耐腐蚀；

2)坩埚材料：Pt,避免铅、铋、铁的影响（会与铂生成低共熔物）。使用铅基助熔剂时，加入少量PbO2可以增加坩埚的寿命。2.生长工艺：1）按比例配料，装炉；2）生长过程中，精确控温；3）分离残余溶液（1）直接倾倒，再回炉缓冷；（2）直接冷却，溶解余液；（3）坩埚底部开孔；（4）特殊装置a.倒转法：fig.7.4.2b.倾斜法：fig.7.4.3图7.4.2倒转法示意图（a）冷却到液相线温度以下；（b）生长阶段；（c）重新转回来，把晶体助熔剂分开

图7.4.3坩埚倾斜法示意图

四、优缺点1.适应性强；2.生长温度低；3.晶体应力小，均匀完整；4.设备简单。1.速率慢，周期长，小晶体；2.助溶剂有毒，污染炉体和环境。

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