场效应管教程课件

1.4.1结型场效应管1.4.3场效应管的主要参数1.4.4场效应管与晶体管的比较1.4.2绝缘栅型场效应管1.4场效应管

场效应半导体三极管是仅由一种载流子参与导电的半导体器件，是一种用输入电压控制输出电流的的半导体器件。从参与导电的载流子来划分，它有电子作为载流子的N沟道器件和空穴作为载流子的P沟道器件。

从场效应三极管的结构来划分，它有两大类。1.结型场效应三极管JFET

(JunctiontypeFieldEffectTransister)2.绝缘栅型场效应三极管IGFET(InsulatedGateFieldEffectTransister)IGFET也称金属氧化物半导体三极管MOSFET（MetalOxideSemiconductorFET）电子技术论坛电子发烧友1.4场效应管N沟道P沟道增强型耗尽型N沟道P沟道N沟道P沟道（耗尽型）FET场效应管JFET结型MOSFET绝缘栅型(IGFET)分类：1.4.1结型场效应三极管结构它是在N型半导体硅片的两侧扩散高浓度P离子区，形成两个PN结夹着一个N型沟道的结构。P区即为栅极，N型硅的一端是漏极，另一端是源极。

导电沟道：漏源之间的非耗尽层区域。

源极，用S或s表示N型导电沟道漏极，用D或d表示

P型区P型区栅极，用G或g表示栅极，用G或g表示符号符号JFET的结构和工作原理结构：#

符号中的箭头方向表示什么？一、结型场效应三极管的工作原理

根据结型场效应三极管的结构，只能工作在反偏的条件下，

N沟道结型场效应三极管只能工作在负栅压（uGS<0）区，

P沟道的只能工作在正栅压区，否则将会出现栅流。同时uDS>0，实现栅源电压对漏极电流的控制。现以N沟道为例说明其工作原理。

2、漏源电压对沟道的控制作用

uGS=固定值（UGS(off)～0），uDS对iD的影响：

uDS=0，iD＝0

漏源电压uDS>0，漏、源间将形成多子的漂移运动，产生漏极电流iD，（负值）uGD=uGS-uDS将随之变化（减小）。

靠近漏极处的耗尽层加宽，沟道变窄，从左至右呈楔形分布，如图所示。当uDS增加，uGD反偏电压增加，沟道电阻取决于（栅源电压一定）uGS，iD随uDS线性增大，漏源间呈电阻特性。（负值）uGD=（负值）UGS(off)时，靠漏极处出现预夹断，如图

(b)所示。当uDS继续增加，漏极处的夹断继续向源极方向生长延长。（负值）uGD<（负值）UGS(off)时，沟道夹断使iD减小；漏源间电场使iD增大。则uDS变化iD几乎不变，只与uGS有关。恒流特性。综上分析可知沟道中只有一种类型的多数载流子参与导电，

所以场效应管也称为单极型三极管。JFET是电压控制电流器件，iD受uGS控制预夹断前iD与uDS呈近似线性关系；预夹断后，iD趋于饱和。#

为什么JFET的输入电阻比BJT高得多？

JFET栅极与沟道间的PN结是反向偏置的，因

此iG0，输入电阻很高。

JFET的特性曲线有两条，一是转移特性曲线，二是输出特性曲线。它与MOSFET的特性曲线基本相同，MOSFET的栅压可正、可负，结型场效应三极管的栅压只能是P沟道