GSM手机射频工作原理与电路分析 (2)课件

GSM手机射频工作原理与电路分析2023/2/61RFDBTEL2023/2/62RFDBTELOutline匹配网络（Matching）收发双工器（Diplexer）声表面波滤波器(SAW)平衡网络（Balance）锁相环（PLL）收发器（Transceiver）衰减网络（Attenuation）功率控制环路（APC）滤波网络（Filter）其它2023/2/63RFDBTEL天线匹配的举例返回2023/2/65RFDBTEL收发双工器（Diplexer）收发合用一路天线，因此使用天线收发双工器（AntennaSwitch）对发射为openTXRX为发射波长对接收为short2023/2/66RFDBTEL收发双工器的特性参数（TX/RX）FrequencyRange(MHz)InsertionLoss(dB)Attenuation(dB)V.S.W.R.Isolation(dB)Harmonics2xfo,3xfo(dBc)PowerCapacity(dBm)

详见LMC33DataSheet返回2023/2/67RFDBTEL平衡网络（Balance）Balance电路构成：UI分别经过低通、高通得到反相的UO1、UO2LCCLUIUO1UO2RdiffRsRsRs：特性阻抗Rdiff：输入阻抗2023/2/69RFDBTEL由计算可知UO1、UO2始终有180度相差（Differential）适合在Balance系统上传输。L、C的取值要求：f：系统中心频率Rs：特性阻抗Rdiff：输入阻抗该电路可能集成于SAW中2023/2/610RFDBTEL差模、共模在Balance系统上的传输差模（DifferentialMode）AB

B的传输量为A的一半共模（CommonMode）I/PO/PI/PO/PI/PO/PC返回2023/2/611RFDBTEL锁相环四个基本构成元素鉴相器（PD）鉴频器（FD）鉴相鉴频（PFD）：

PD/FD/PFD是一个相位/频率比较装置，用来检测输入信号与反馈信号之间的相位/频率差环路滤波器LoopFilter（LP）：

LP一般为N阶低通滤波器电压控制振荡器（VCO）：

VCO是一个电压--频率变换装置，输出振荡频率应随输入控制电压线性地变化参考信号源（Referencesignalsource）：

参考信号源提供与反馈信号鉴相鉴频用的对比输入信号2023/2/613RFDBTELPLLBlockDiagram返回2023/2/614RFDBTEL基本构成电路分析鉴相器（PhaseDetector）电荷泵——环路低通滤波器（ChargePump——LoopFilter）压控振荡器（VoltageControlledOscillator）分频器（DIV）2023/2/615RFDBTEL电荷泵——环路低通滤波器

（

ChargePump——LoopFilter）电荷泵的的作用主要是：给锁相环路提供理想恒定的电流源，保持良好的线性关系，使得频率范围易于控制

环路低通滤波器（LPF）

由PFD的输出信号需经过低通滤波器再去控制VCO。一般采用电阻、电容构成积分形式的低通滤波器，它可以为单阶或多阶滤波器。它的通频带由电阻、电容参数决定，它的截止速度取决于其阶数。2023/2/617RFDBTEL环路低通滤波器（LowPassFilter）phasedetectorRzCzCpVCOR4C4ToimportantthetransientcharacteristicsTheloopcantrackbetterachangeininputfrequencyTofurtherreducethephasenoiseofthechargepump2023/2/618RFDBTEL环路低通滤波器的应用举例返回2023/2/619RFDBTEL分频器（DIV）锁相环通常用于N倍参考频率的发生器：

其中N为分频比，它由环路中分频器DIV提供

参见《分频器》返回2023/2/621RFDBTEL锁相环在手机中应用举例RX（接收）频率合成器

2023/2/622RFDBTELTX-VCO锁相环路

2023/2/623RFDBTELTransceiverUAA3535（Philips）UAA3535是近零中频收发器，它最多可以作三频收发它内部有：三个PLL（包括一个内置VCO）、正交混频解调器、可控增益低噪放大器、混频调制器等它需外接：13MHz参考基准时钟、RXVCO、TXVCO、基带控制信号等详见UAA3535DataSheet

我们需要研究其内部各重要节点的频率、带宽，信号转换的流程等细节2023/2/625RFDBTEL返回2023/2/626RFDBTEL衰减网络（Attenuation）为了达到系统中对输入输出功率要求高的部分的功率适配，我们通常在输出端到输入端之间加上功率衰减网络通常衰减网络形式有：T型、Π

型衰减网络的计算

型衰减网络型衰减网络R1R2R3R1R2R32023/2/627RFDBTEL已知衰减系数A求网络参数（R0：特性阻抗）由求得K值：

则可得对T型：对Π型：

2023/2/629RFDBTEL衰减网络的作用衰减网络主要是为了使输出功率符合下级输入功率的要求利用衰减网络可以提高系统的信噪比利用50欧姆衰减网络可以缓和前级与后级的阻抗变化

2023/2/630RFDBTEL衰减网络的应用返回2023/2/631RFDBTEL功率控制环路（APC）功率控制环路构成：

功率放大器（PowerAmplifier）

功率耦合器（Power

Coupler）

功率检波器（Power

Detector）

功率比较、控制器（Power

Comparator&Controller）这样构成的环路可以将功率较稳定的控制在我们的设定值上，这个设定值可以随时间根据需要不断变化。2023/2/632RFDBTEL功率控制环路构成功率放大器功率耦合器检波器功率比较控制器PISourcefromVCOCouplingPowerPcPo比较信号用于用户设定功率值耦合检波信号差值功率控制信号功率控制环路返回2023/2/633RFDBTEL功率放大器（Power

Amplifier）目前手机用PA一般是厚膜模拟电路制成，它要求将低功率射频信号线性无失真的放大到一定功率值。它的主要参数有：工作频率、带宽最大线性输出功率（压缩点）线性放大对输入功率要求输入、输出需要的匹配阻抗工作电源及电压、电流的要求控制信号的形式及要求噪声特性等等详见PA-BGY280DataSheet返回2023/2/634RFDBTEL功率耦合器（Power

Coupler）为了达到功率控制，我们需要使用到的功率传感器就是功率耦合器，一般为DirectionalCoupler。它的主要参数有：详见LDCDataSheet耦合量（Coupling）插入损耗（InsertionLoss）隔离度（Isolation）方向性（Directivity）[单位（dB）]

返回2023/2/635RFDBTEL功率检波器（Power

Detector）功率检波器对Coupler的耦合高频信号进行包络检波进而得到一个体现耦合信号幅值大小的检波电压。我们采用二极管负包络检波电路，后级常为低通积分电路。例如：Coupler输出耦合电容Cc检波二极管D检波电压输出低通积分电路2023/2/636RFDBTEL负包络检波的对二极管要求：

检波二极管D以P极为输入端检波二极管的极电容要求较小的肖特基二极管，若极电容过大，将会使负包络过多的耦合流失到低，导致检波效果变差

返回2023/2/637RFDBTEL功率比较、控制器

Power

Comparator&Controller功率比较、控制器的功能：功率比较器将功率检波信号与设定功率信号相比较得到一个功率控制信号给功率控制器，由功率控制器产生控制电压给功率放大器（PA）

它的具体参数详见PCF5078DataSheet

2023/2/638RFDBTEL功率控制环路（APC）的应用返回2023/2/639RFDBTEL滤波网络（Filter）通用滤波网络电源滤波去耦网络2023/2/640RFDBTEL通用滤波网络滤波器是抑制除特定带宽以外信号及噪声的装置。按照不同标准它可分为：低通、高通、带通、带阻滤波器；一阶、二阶、高阶滤波器；无源滤波器、有源滤波器以下我们以单阶无源滤波器为例做一些简介2023/2/641RFDBTEL3dB3dBRRLLCCUUfffHfL单阶无源低通（LP）单阶无源高通（HP）高频截止频率fH与L、C参数有关低频截止频率fL与L、C参数有关2023/2/642RFDBTEL低通滤波器的3dB衰减点的频率为高频截止频率fH，它截止的斜率与其阶数相关高通滤波器的3dB衰减点的频率为低频截止频率fL，它截止的斜率与其阶数相关如果将低通滤波器和高通滤波器串联，而且fH>fL

就能构成带通滤波器，其通频带为fL~fH。如果将低通滤波器和高通滤波器并联，而且fH<fL

就能构成带阻滤波器，其阻频带为fH

~

fL。滤波特性返回2023/2/643RFDBTEL电源滤波去耦网络对于射频电路而言，电源稳定由特别重要的意义，不仅它自身不稳定会影响电路性能，而且各用电单元也会以电源为途径互相传递干扰造成很大的不稳定因数，去耦即去除电源与用电单元之间的交流耦合。实际电路中电源去耦电路无论在电源输出端还是在用电输入端都需要，而且去耦电路离用电模块越近达到的去耦效果越好。2023/2/644RFDBTEL电源滤波去耦网络基本理论我们一般希望电源供电除了开/关时间以外是直流稳定的，不希望它的端电压出现纹波、抖动、跳变等不稳定因数存在，电源去耦网络正是为这些交流成分提供了短路到地的通路。去耦电阻、去耦电容及去耦电感构成的低通网络为电源的交流成分提供一个到地的通路，它们的参数与电源提供的电流量、需要特别滤除的频率成分等相关。2023/2/645RFDBTEL电源滤波去耦网络基本构成电源去耦低通滤波网络如右图：去耦电阻或电感---R/L（DecouplingResistor/Inductor）去耦电容---C1、C2（DecouplingCapacitor）

以上部分部不要求全部具备，去耦电阻及去耦电感有时就可不用去耦电阻R在电路中将缓和电源上升、下降沿的速度，从而抑制高频噪声的形成；用电单元PowerBatteryDecouplingResistor/InductorDecouplingCapacitorR/LC1C22023/2/646RFDBTEL去耦电感L在回路中必然阻碍高频交流成分达到隔离效果；

有时，我们还使用扼流磁珠来获得更强的隔离效果。去耦电容由C1、C2并联分别承担低频、高频交流成分滤波的任务。

电解电容C1一般容量较大在低频时能提供好的通路，而在高频时由于其寄生电感的存在阻抗将变大无法提供滤波通路；

陶瓷电容C2由于其容量一般较小，所以在低频时阻抗较大无法提供滤波通路，而在高频时阻抗变小则会有很好的滤波特性；这样可以看出C1、C2的滤波特性是互补的，需要同时利用才能得到较宽频的有效滤波范围。当然，如果需要更宽的滤波频段还可用更多不同类型的电容并联得到。

详见《高速电路板设计技术》2023/2/647RFDBTEL电源滤波去耦网络的应用2023/2/648RFDBTEL电源去耦电路参数的选择C1的选择：假设电源提供电流为I，则

K取10是经验比例

一般应用时取电容标称值在计算值附近就可以了C2的选择：

C2位高频陶瓷电容，一般在0.1uF以下取值

trUBurst返回2023/2/649RFDBTEL其它上拉、下拉电阻数字控制信号的高频抑制措施隔直（Block）电容2023/2/650RFDBTEL上拉、下拉电阻

上、下拉电阻是为了防止扰动引入输入端，保持开关状态的稳定性而设置的：上拉电阻RH（PullHigh）下拉电阻RL（PullLow）常开

常闭