集成电路应用3课件

第三章CMOS集成电路使用特点由于CMOS电路抗浪涌电压和大电流冲击的能力较TTL电路为低；输入端具有高阻抗；阈值电平与TTL电路不同等特点基于上述几点原因，在应用CMOS集成电路时，电路设计应注意以下几个方面的问题：输入端和输出端保护；电源；线路板设计；抗干扰与抗静电；温度；与TTL电路的接口等这些问题有的是基于安全原因，有的是基于信号处理或二者兼而有之。输入端与输出端保护输入端处理：（防浪涌与抗干扰）由于CMOS电路输入阻抗高，当输入端处于悬空状态时，易受各种干扰信号的影响使其输出端的逻辑状态不稳定，甚至会导致可控硅效应的产生。因此，对不使用的输入端要通过电阻（数十K）接地或接电源。从其他电子装置向CMOS电路输入信号时，为保险起见，可在CMOS输入端加限流电阻（K级或百）。在输出端加限流电阻基于同样原因当电源电压VDD≤5V时，限流电阻可以省略对于有效的电源去耦，去耦电容器对最小的电压变化必须提供电流尖峰在持续时间所需要的电荷。可由下式确定去耦电容器的近似值。最小的去耦电容取决于可能允许的电压尖峰脉冲，通常限制在400mV。用陶瓷电容器去耦是最理想的，因为它的串联电感非常低。线路板设计（一）1、电源分配电源分配网络的印刷电路板上必须有良好的接地线，通常使用的梳形地线可能产生问题。在图2-7中，IC1的输出端驱动IC2的输入端，IC3的输出端驱动IC4的输入端，两个驱动电路没有耦合，相互之间应该不存在串音。但是由于IC1和IC3共同地线（图中画斜线的区域），当IC1的输出状态转换时，在IC3的地线上可能产生尖峰信号。该尖峰信号经过IC3和IC4的信号连接传输到IC4，使IC4的输出产生错误的转换。应避免使用如图的跳线把器件的地线或VDD管脚连接到印刷电路板，因为连线电感会在输出端之间产生耦合。一个稳妥的解决办法是用多层印刷电路板，可以用单独的一层作为VDD面或GND面，使电源可以直接接到集成电路的电源脚。在VDD层和GND层之间固有的电容将会降低高频噪声的振幅，这种电容耦合具有不存在电感效应的明显优点，其作用像一个分立的去耦电容器。线路板设计（二）对于热插拔设备，CMOS电路要求：连接时必须先接通电源后输入信号；断开时必须先断开信号后断开电源。以防止CMOS电路损坏。数据信号VDDGND插拔方向抗干扰与防静电对于使用同样电源电压来说，CMOS的抗干扰容限电压范围比任何的IC都优。但CMOS输入阻抗高，这是易接受电磁干扰的主要原因。因此，可采取如下措施解决干扰故障，对任何IC应用也适用。1、采取抗干扰措施（1）实际所需工作速度不高（如机电控制等应用），可在输入端、输出端各加接地积分电容器50～200pF，降低开关速度，低速低频工作还有利于减小耗电。（2）输入端并接电阻1MΩ以下来降低输入阻抗，该电阻值越小则抗电磁干扰性越高。（3）强化电源去耦，去耦电容器用钽电容器或钛电容器等。（4）消除机械开关、继电器抖动产生的振荡振铃干扰，采取屏蔽隔离、远距离安装等措施。（5）输入级加接施密特整形电路，可去除振幅不太大的干扰。有些CMOSIC输入内部没有施密特整形电路，就不宜直接输入变化过慢的波形，否则不仅输入级功耗电流增大，而且在电平过渡区易受小幅度脉冲干扰。（6）电源进线安装滤波器，却除通过电源线串入的干扰。（7）远离大电流机械开关接点，这类接点常会产生强大的干扰脉冲，常以无线辐射形式产生干扰。应同时采用隔离屏蔽，采用绞合线或屏蔽线作为连接线。（8）避免输入线与输出线平行、靠近，连线尽量短。（9）注意地线布局，尽量采用多根地线将各部分分别独立连接至一点电源低阻接地点（即一点接地法），尤其是大电流接地线更必须单独引至电源滤波去耦接地点。（10）设计组合逻辑电路时，应注意组合各路信号的各自开关延时。不同的开关延时会在组合结果中产生不希望有的杂波干扰，以致引起误动作。（组合冒险）CMOS集成电路的接口

高速CMOS与LSTTL集成电路在速度、逻辑功能、管脚排列和扇出等许多方面的一致性，使高速CMOS集成电路成为LSTTL最佳的代用品。高速CMOS逻辑系列的问世也给电子系统设计人员提供了更大的选择余地，可以根据系统设计的需要，从速度、复杂性和功能等方面选择某一种合适的逻辑系列，或者从几种逻辑系列中取出最好的器件，再把它们组装在一起。在这种不同逻辑系列器件混合使用的系统中，就会出现不同逻辑系列的接口问题。因此，高速CMOS集成电路与其他逻辑系列接口或者与非标准电平接口，就成为应用中一个重要的问题。逻辑器件接口时主要应注意电平匹配和扇出能力两个问题，但是这两者都必须与器件的电源电压结合起来考虑才有意义。因此通常根据器件工作的电源电压把逻辑接口分为两类：电源电压相同的接口和电源电压不同的接口。一、电源电压相同的接口1、高速CMOS与TTL的接口高速CMOS集成电路的HC型，其工作电源电压为2～6V，HCT型为5V，而TTL的电源电压也是5V，因而两种系列可以在相同的5V电源电压下接口。连接时，又可分为以下两种具体情况：(1)TTL输出驱动高速CMOS在电源电压为5V时，TTL输出高电平也不会超过3.5V。如果在TTL的输出端有负载，或者晶体管Q2的集电极有漏电，在电阻R1上将会产生压降，使输出高电平降低。在最坏情况下标准TTL输出高电平的

最小值为2.4V，LSTTL输出高电平的最小值为2.7V。因此标准TTL输出高电平的范围为2.4～3.5V，LSTTL为2.7～3.5V。TTL、CMOS电路的输入、输出特性参数A.在TTL输出端与VCC之间加接上拉电阻，如图2-29所示。这样可以使TTL的输出高电平升高到接近电源电压，以实现与74HC电路兼容。电阻值要由下式求出：式中n是TTL驱动74HC的门数（扇动数）。

图LSTTL与HC器件接口B.用HCT型器件接口.HCT作为ＴＴＬ和HC的接口器件开发74HCT型器件的目的之一是把它作为高速CMOS和TTL的接口器件使用。HCT型的输入结构和HC型有一些差别，两者的输入电平范围也不同。当电源电压为5V时，HCT器件输入高电平的最小值为2V，输入低电平最大值为0.8V，与TTL输出电平完全兼容，因此TTL输出可以直接和HCT器件的输入连接而不需要外接上拉电阻，然后再由HCT器件的输出驱动HC器件的输入，如图2-21所示。用HCT器件接口避免了上拉电阻的缺点，是TTL与HC器件接口的最佳选择。(2)高速CMOS输出驱动TTL输入在5V电源电压下，74HC/HCT的输出电平和LSTTL的输入电平如下：74HC/HCT（输出）LSTTL（输入）Volmax=0.1VVilmax=0.8VVohmin=4.9VVihmin=2V可见这些电平是兼容的，高速CMOS可以直接驱动TTL。这种接口的唯一限制是高速CMOS的扇出能力。如图2-22所示，当LSTTL的输入为低电平时，从VCC通过R1和D2向高速CMOS的输出电流为Iil，从表2-1可知LSTTL的Iilmax=400μA，74HC标准电路的Iolmax=4mA，可求得扇出数n为：2、高速CMOS与4000系列CMOS电路接口由于这两个系列都是CMOS电路，在使用同一电源时，输入和输出完全兼容，不需要任何接口电路，可以直接连接。又由于两者的输入电流都很小，都不存在扇出限制的问题。3、高速CMOS与NMOS器件接口高速CMOS集成电路的速度与LSTTL电路相仿，因而在以NMOS工艺制作的微处理器、存储器以及其他大规模集成电路的系统中，高速CMOS可能取代双极型外围电路，就会出现高速CMOS与NMOS器件的接口问题。对于微处理器和存储器等大规模集成电路，目前还没有确定的输入、输出规范，大多数采用TTL的规范，因此高速CMOS和NMOS器件接口时可产参考高速CMOS与TTL接口原则。和CMOS器件一样，NMOS器件的输入电流也很小，当用高速CMOS输出驱动NMOS时也没有扇动能力的限制。二、电源电压不同的接口在很多情况下，需要将工作在不同电源电压下的几种集成电路进行接口，这时必须有电平转换电路实现电平由低到高或高到低的转换。下面讨论几种常用的情况。TTL的工作电压总是在5V.而CMOS的工作电压范围为：2－6V。1、高速CMOS与LSTTL接口74HC集成电路的电源电压范围为2～6V，当它在低于5V的电压下工作时（例如4V），与工作于5V的LSTTL的电源电压就不同。在这种情况下，当LSTTL输出驱动74HC器件的输入时，就要使用逻辑电平变换电路74HC4049和4050，它们在低电源电压下将高电压转换成低电压，接口电路如图2-23所示。图2-23LSTTL至低压HCMOS2、高速CMOS与4000系列电路接口4000系列CMOS电路有很宽的电源电压范围，为3～18V。这时讨论的是指4000系列CMOS电路在高于74HC电源电压下工作时与高速CMOS接口的问题。（1）高速CMOS输出驱动4000CMOS输入如图2-25（a）所示，使用HEF4104B低至高电平变换器接口。（2）4000系列CMOS输出驱动高速CMOS输入一种接口电路如图2-25（b）所示，采用4049/4050或74HC4049/4050实现4000系列CMOS系列与高速CMOS器件接口。由于高速CMOS有高输入阻抗，另一种接口方法是采用图2-25（c）所示的电阻分压器实现高至低电平转换。当然，电阻分压器要消耗一些功率。4104：低至高电平变换器4049/4050:高至低电平变换器图2-25高速CMOS与4000系列接口方法

3、高速CMOS与ECL10K系列接口为了实现高速CMOS与ECL10K系列接口，要采用10124—ECL转换器实现从ECL输出到高速CMOS输入的连接，用10125—TTL转换器将CMOS输出连接至ECL的输入端，接口电路如图2-26所示。要注意这两种转换器是以TTL电平工作的，当用10125对74HC型电路接口时，必须使用上拉电阻R1才能达到由TTL驱动HC器件的电平要求。另一种方法是使高速CMOS集成电路也在ECL的-5.2V电源下工作。如图2-27所示。这时高速CMOS的输出可以直接连接到ECL的输入。CMOS与非标准电平接口

除了与各种逻辑系列的接口之外，在很多应用中，高速CMOS集成电路需要与非标准输入和输出电平接口，例如工作电源为12～24V的工业和汽车系统。图2-28（a）和(b)的电路表示了这些接口的基本方法，（a）为非标准逻辑电平与HC/HCT电路接口，图中电阻分压器R1和R2的阻值取决于驱动电路的输出电压，而C1取决于噪声和速度。（b）为HC/HCT器件与非标准逻辑电平接口，图中R1和R2的阻值由电源电压及晶体管类型决定。（c）为HC/HCT器件与大于VCC的输入电压接口，表示高速CMOS器件与大于VCC的输入电压接口的输入电路结构。图2-28高速CMOS与非标准电平接口高速CMOS集成电路较高的输出驱动电流使之可能直接驱动某些外接负载。但是有一些器件，如