电子电工教程课件

陈龙老师QQ２８６４６４２６陈龙教学群QQ117281572<<电子技术>>课程概述一、电子技术的发展

电子技术的发展，推动计算机技术的发展，使之“无孔不入”，应用广泛！广播通信：发射机、接收机、扩音、录音、程控交换机、电话、手机网络：路由器、ATM交换机、收发器、调制解调器工业：钢铁、石油化工、机加工、数控机床交通：飞机、火车、轮船、汽车军事：雷达、电子导航航空航天：卫星定位、监测医学：γ刀、CT、B超、微创手术消费类电子：家电（空调、冰箱、电视、音响、摄像机、照相机、电子表）、电子玩具、各类报警器、保安系统电子系统收音机电子技术的发展很大程度上反映在元器件的发展上。从电子管→半导体管→集成电路1904年电子管问世1947年晶体管诞生1958年集成电路研制成功电子管、晶体管、集成电路比较值得纪念的几位科学家他们在1947年11月底发明了晶体管，并在12月16日正式宣布“晶体管”诞生。第一只晶体管的发明者（byJohnBardeen,WilliamSchockleyandWalterBrattaininBellLab）

1956年获诺贝尔物理学奖。巴因所做的超导研究于1972年第二次获得诺贝尔物理学奖。第一只晶体管的发明者（byJohnBardeen,WilliamSchockleyandWalterBrattaininBellLab）第一个集成电路及其发明者（JackKilbyfromTI

）1958年9月12日，在德州仪器公司的实验室里，实现了把电子器件集成在一块半导体材料上的构想。42年以后，2000年获诺贝尔物理学奖。“为现代信息技术奠定了基础”。

电子技术(ELCTRONICSTECHNOLOGY)：关于电子器件(DEVICES)与系统(SYSTEM)的科学研究与工程实用技术。在科学和工程应用上，把电子技术分为模拟电子技术和数字电子技术两大类。信号(SIGNAL)：载有信息的物理量。模拟(ANALOG)：连续变量。模拟信号(ANALOGSIGNAL)：以连续变量方式出现的物理信号。数字信号(DIGITALSIGNAL)：以数字或数据方式出现的物理信号。电子技术的基本内容介绍1)数字信号：离散性“1”的电压当量“1”的倍数介于K与K+1之间时需根据阈值确定为K或K+1任何瞬间的任何值均是有意义的2)模拟信号：连续性。电子电路中信号的分类电子电路中信号的分类数字信号模拟信号模拟信号：连续性。时间和数值上都是连续变化的物理量.大多数物理量为模拟信号。

模拟电路模拟电路是对模拟信号进行处理的电路。最基本的处理是对信号的放大，有功能和性能各异的放大电路。其它模拟电路多以放大电路为基础。“模拟电子技术”特点处理对象：模拟信号处理目的：放大、稳定、滤波、产生信号分析方法：工程分析方法（抓住主要因素，忽略次要因素）难点：交流、直流叠加，工程分析方法学习方法：认真听讲、多做练习模拟电子技术基础课的特点

1、工程性实际工程需要证明其可行性。强调定性分析。实际工程在满足基本性能指标的前提下总是容许存在一定的误差范围的。定量分析为“估算”。近似分析要“合理”。

抓主要矛盾和矛盾的主要方面。电子电路归根结底是电路。不同条件下构造不同模型。2、

实践性常用电子仪器的使用方法电子电路的测试方法故障的判断与排除方法

EDA软件的应用方法课程的目的1.掌握基本概念、基本电路、基本方法和基本实验技能。2.具有能够继续深入学习和接受电子技术新发展的能力，以及将所学知识用于本专业的能力。本课程通过对常用电子元器件、模拟电路及其系统的分析和设计的学习，使学生获得模拟电子技术方面的基础知识、基础理论和基本技能，为深入学习电子技术及其在专业中的应用打下基础。

注重培养系统的观念、工程的观念、科技进步的观念和创新意识，学习科学的思维方法。提倡快乐学习！课程设置的目的

电子技术基础的基本内容模拟电子技术(AnalogElectronicsTechnology)：处理模拟信号的电子技术。模拟电子技术的目的是，向工程实际提供各种模拟信号处理电子电路(系统)的分析(ANALYSIS)和设计(DESIGN)技术。模拟电路(ANALOGCIRCUITS)：处理模拟信号的电子器件组成的电子系统。数字电子技术(DigitalElectronicsTechnology)：处理数字信号的电子技术。数字电路(DIGITALCIRCUITS)：处理数字信号的电子器件组成的电子系统。数字电子技术的目的是，向工程技术提供各种数字信号处理电子电路(系统)的分析设计技术。考查方法1.会看：读图，定性分析2.会算：定量计算考查分析问题的能力3.会选：电路形式、器件、参数4.会调：仪器选用、测试方法、故障诊断、EDA考查解决问题的能力－－设计能力考查解决问题的能力－－实践能力综合应用所学知识的能力5.会模拟仿真:会使用EWB,MULTISM10等第14章二极管和晶体管本章要求：一、理解PN结的单向导电性，三极管的电流分配和电流放大作用；二、了解二极管、稳压管和三极管的基本构造、工作原理和特性曲线，理解主要参数的意义；三、会分析含有二极管的电路。四、会使用EWB,MULTISM10等

学会用工程观点分析问题，就是根据实际情况，对器件的数学模型和电路的工作条件进行合理的近似，以便用简便的分析方法获得具有实际意义的结果。

对电路进行分析计算时，只要能满足技术指标，就不要过分追究精确的数值。器件是非线性的、特性有分散性、RC的值有误差、工程上允许一定的误差、采用合理估算的方法。学会仿真方法。

对于元器件，重点放在特性、参数、技术指标和正确使用方法，不要过分追究其内部机理。讨论器件的目的在于应用。

导电性介于导体与绝缘体之间的物质称为半导体。半导体(semiconductor)

－－硅（Si或Silicon

）、锗（Ge或Germanium

），均为四价元素，它们原子的最外层电子受原子核的束缚力介于导体与绝缘体之间。还如硒、砷化镓和大多数金属硫化物、氧化物等都是半导体。电阻率大约2乘10的3次方Ω·cm1、什么是半导体(semiconductor)

？

导体(conductor)

－－铁、铝、铜等金属元素等低价元素，其最外层电子在外电场作用下很容易产生定向移动，形成电流。电阻率小于10的-3方Ω·cm

绝缘体(insulator)－－惰性气体、橡胶、塑料、聚脂薄膜、陶瓷、特氟隆（聚四氟乙烯）和聚苯乙烯等，其原子的最外层电子受原子核的束缚力很强，只有在外电场强到一定程度时才可能导电。电阻率大于10的8次方Ω·cm第14章二极管和晶体管14.1半导体的导电特性绝缘体示例在一定电压范围内不会形成明显电流电阻很大当物质结构被破坏时，也会导电绝缘性受影响半导体示例导电能力介于导体和绝缘体之间导电性能易受影响由元素周期表中最外层为四个电子的元素所组成的物质构成。如：锗、硅。绝缘体、导体、半导体依据：物质在外电场作用下形成电子流能力的大小。绝缘体Insulator：由价电子为稳定结构的原子组成，不易产生自由电子。导体conductor：在外电场作用下很容易产生大量自由电子，形成电子流。半导体semiconductor：在自然状态下具有绝缘体特性，当满足一定条件时具有导电能力。14.1.1本征半导体(intrinsicsemiconductor)

完全纯净的、(晶体)结构完整的半导体(晶体)，称为本征半导体。本征半导体虽有大量的价电子，但没有自由电子，此时半导体是不导电的晶体中原子的排列方式硅单晶中的共价健结构共价健共价键(covalentbond)中的两个电子，称为价电子(Valenceelectron)

。

Si

Si

Si

Si价电子在硅(或锗)的晶体中,原子在空间排列成规则的晶格。本征半导体(intrinsicsemiconductor)本征半导体是纯净的晶体结构的半导体。什么是本征半导体？无杂质稳定的结构本征半导体：化学成分纯净的半导体,在物理结构上呈单晶体形态。绝对温度下没有自由电子的半导体.。用得最多的半导体是锗和硅,将锗或硅材料提纯(去掉无用杂质)并形成单晶体,都具有这种晶体结构,所以半导体也称为晶体,这就是晶体管名称的由来.本征半导体(intrinsicsemiconductors)纯净的、不含杂质的、结构完整、绝对温度下没有自由电子的半导体称为本征半导体。在本征半导体中，由于晶体中共价键的结合力很强，在热力学温度零度（即T=0K）时，价电子的能量不足以挣脱共价键的束缚，晶体中不存在能够导电的载流子，半导体不能导电，如同绝缘体一样。首页

Si

Si

Si

Si价电子

价电子在获得一定能量（温度升高或受光照）后，即可挣脱原子核的束缚，成为自由电子（带负电），同时共价键中留下一个空位，称为空穴（带正电）。本征半导体的导电机理这一现象称为本征激发(也称热激发)

。带正电的空穴hole温度愈高，晶体中产生的自由电子便愈多。带负电的自由电子freeelectron在外电场的作用下，空穴吸引相邻原子的价电子来填补，而在该原子中出现一个空穴，其结果相当于空穴的运动（相当于正电荷的移动）。本征半导体的导电机理当半导体两端加上外电压时，在半导体中将出现两部分电流

(1)自由电子作定向运动电子电流

(2)价电子递补空穴空穴电流在半导体中,同时存在着电子导电和空穴导电,这是半导体导电方式的最大特点,也是半导体和金属在导电原理上的本质差别.空穴的出现是半导体区别于导体的重要特征.注意：

(1)本征半导体中载流子数目极少,其导电性能很差；(2)温度愈高，载流子的数目愈多,半导体的导电性能也就愈好。热力学温度0K时不导电。所以，温度对半导体器件性能影响很大。自由电子和空穴都称为载流子。自由电子和空穴成对地产生的同时，又不断复合。在一定温度下，载流子的产生和复合达到动态平衡，半导体中载流子便维持一定的数目。复合：自由电子回到共价键结构中的现象。此时电子-空穴成对消失。或

自由电子与空穴相碰同时消失本征半导体不会在外电场作用下形成电流。半导体导电条件:有多余的电子或空穴+4+4+4+4+4+4+4+4+4半导体中存在两种载流子：带负电的自由电子和带正电的空穴。在一定温度下电子–空穴对的产生和复合达到动态平衡。在本征半导体中，两种载流子总是成对出现称为电子–空穴对本征载流子的浓度对温度十分敏感电子–空穴对两种载流子浓度相等14.1.2N型半导体和P型半导体

杂质半导体杂质半导体：在本征半导体中掺入微量其他元素而得到的半导体。杂质半导体可分为：

N(电子)型半导体和P(空穴)型半导体两类14.1.2N型半导体和P型半导体

掺杂后自由电子数目大量增加，自由电子导电成为这种半导体的主要导电方式，称为电子半导体或N型半导体(N-typesemiconductor)。掺入五价元素

Si

Si

Si

Sip+多余电子磷原子在常温下即可变为自由电子失去一个电子变为正离子在本征半导体中掺入微量的杂质（某种元素）,形成杂质半导体。

在N

型半导体中自由电子是多数载流子（多子），空穴是少数载流子（少子）

。动画(施主原子)+5+4+4+4+4+4+4+4+4失去自由电子的杂质原子固定在晶格上不能移动，并带有正电荷，称为正离子。在这种杂质半导体中，电子的浓度大大高于空穴的浓度。因主要依靠电子导电，故称为电子型半导体。多数载流子majoritycarrier少数载流子minoritycarrier5价的杂质原子可以提供电子，所以称为施主原子。简化模型：载流子数

电子数(电子为)(空穴为)杂质半导体

掺杂后，某些位置上的硅原子被五价杂质原子（如磷原子）取代。磷原子的5个价电子中，4个价电子与邻近硅原子的价电子形成共价键，剩余价电子只要获取较小能量即可成为自由电子。同时，提供电子的磷原子因带正电荷而成为正离子。电子和正离子成对产生。上述过程称为施主杂质电离。五价杂质原子又称施主杂质。常温下施主杂质已被全部电离。N型半导体14.1.2N型半导体和P型半导体

掺杂后空穴数目大量增加，空穴导电成为这种半导体的主要导电方式，称为空穴半导体或P型半导体(P-typesemiconductor).

掺入三价元素

Si

Si

Si

Si

在P型半导体中空穴是多数载流子，自由电子是少数载流子。B–硼原子接受一个电子变为负离子空穴动画无论N型或P型半导体都是中性的，对外不显电性。载流子数

空穴数简化模型：杂质半导体

掺杂后，某些位置上的硅原子被三价杂质原子（如硼原子）取代。硼原子有3个价电子，与邻近硅原子的价电子构成共价键时会形成空穴，导致共价键中的电子很容易运动到这里来。同时，接受一个电子的硼原子因带负电荷而成为不能移动的负离子。空穴和负离子成对产生。上述过程称为受主杂质电离。三价杂质原子又称受主杂质。常温下受主杂质已被全部电离。P型半导体在杂质半导体中：杂质浓度不应破坏半导体的晶体结构，多数载流子的浓度主要取决于掺入杂质的浓度；而少数载流子的浓度主要取决于温度。杂质半导体的优点：掺入不同性质、不同浓度的杂质，并使P型半导体和N型半导体以不同方式组合，可以制造出形形色色、品种繁多、用途各异的半导体器件。总结1.在杂质半导体中多子的数量与

（a.掺杂浓度、b.温度）有关。2.在杂质半导体中少子的数量与（a.掺杂浓度、b.温度）有关。3.当温度升高时，少子的数量（a.减少、b.不变、c.增多）。abc4.在外加电压的作用下，P型半导体中的电流主要是

，N型半导体中的电流主要是。（a.电子电流、b.空穴电流）ba14.2PN结及其单向导电性14.2.1PN结的形成PNjunction多子的扩散运动内电场少子的漂移运动浓度差P型半导体N型半导体内电场越强，漂移运动越强，而漂移使空间电荷区变薄。扩散的结果使空间电荷区变宽。空间电荷区也称PN结扩散(diffusion)和漂移(drift)这一对相反的运动最终达到动态平衡，空间电荷区的厚度固定不变。－－－－－－－－－－－－－－－－++++++++++++++++++++++++－－－－－－－－动画形成空间电荷区PN结的形成(PNjunction)

物质因浓度差而产生的运动称为扩散运动。气体、液体、固体均有之。扩散运动P区空穴浓度远高于N区。N区自由电子浓度远高于P区。扩散运动使靠近接触面P区的空穴浓度降低、靠近接触面N区的自由电子浓度降低，产生内电场。PN结的形成

因电场作用所产生的运动称为漂移运动。

参与扩散运动和漂移运动的载流子数目相同，达到动态平衡，就形成了PN结。漂移运动

由于扩散运动使P区与N区的交界面缺少多数载流子，形成内电场，从而阻止扩散运动的进行。内电场使空穴从N区向P区、自由电子从P区向N区运动。1.PN结的形成

PN结的基本原理在一块本征半导体的两边掺以不同的杂质，使其一边形成P型半导体，另一边形成N型半导体，则在它们交界处就出现了电子和空穴的浓度差，于是P区空穴向N区扩散，N区电子向P区扩散。另一方面，随着扩散运动的进行，P区一边失去空穴留下负离子，N区一边失去电子留下正离子，形成空间电荷区，产生内建电场。电场方向由N区指向P区，有利于P区和N区的少子漂移运动，而阻止多子扩散运动。区区1.PN结的形成

扩散交界处的浓度差P区的空穴要向N区扩散N区的电子要向P区扩散P区留下带负电的受主离子N区留下带正电的施主离子内建电场漂移电流扩散电流PN结动态平衡PN结的基本原理PN结的基本原理小结（1）载流子的扩散运动和漂移运动既互相联系又互相矛盾。（2）漂移运动等于扩散运动时，PN结形成且处于动态平衡状态。PN结没有电流通过。（3）若P区和N区掺杂浓度相同，则；若为结，则。14.2.2PN结的单向导电性(uni-directconduction)1.PN结加正向电压（正向偏置forwardbias

）PN结变窄

P接正、N接负

外电场IF

内电场被削弱，多子的扩散加强，形成较大的扩散电流。扩散电流远大于漂移电流。

PN结加正向电压时，PN结变窄，PN结呈现低阻性，正向电阻很小,正向电流较大，PN结处于导通(ON)状态。内电场PN－－－－－－－－－－－－－－－－－－++++++++++++++++++动画+–PN结变宽2.PN结加反向电压（反向偏置）外电场内电场被加强，少子的漂移加强，由于少子数量很少，形成很小的反向电流。IRP接负、N接正温度越高少子的数目越多，反向电流将随温度增加。动画–+PN结加反向电压时，PN结变宽，反向电流较小，反向电阻较大，PN结处于截止(cut-off)状态。内电场PN+++－－－－－－+++++++++－－－－－－－－－++++++－－－PN结的单向导电性VVDVSVVDVS正向偏置，相当于开关闭合。反向偏置，相当于开关断开。外加反向偏置电压IVP区N区

PN结内电场-+

反向电压与PN结内电场方向相同，增强内电场(变宽)。漂移电流远大于扩散电流。PN结呈现高阻性，反向电阻很大。PN结不导电。漂移电流恒定，与反向电压大小无关，也称为反向饱和电流IS。VI0IS偏置电压Biasvoltage半导体的电流控制方式PNjunctionandcurrentcontrolPN结的单向导电性uni-directconduction

PN结内电场P区N区偏置bias：对半导体器件施加外界电压。正向偏置反向偏置PN结不导电PN结导电PNjunctionandcurrentcontrolPN结的反向击穿特性NegativebreakdownVBR电击穿____PN结反向偏置电压增大到一定值时，反向电流突然增加。热击穿____电击穿时间过长，器件上长时间有大反向电流而引起器件烧毁。雪崩击穿

在反向电压下产生碰撞电离并形成载流子倍增效应，形成较大反向电流。齐纳击穿

较高外电压破坏了共价键，形成大反向电流。VI0VDIS图为PN结正向输出特性，如果PN结的温度从25℃变化到45℃，试计算：1）当温度为25℃、偏置电压从0.7V变化到0.9V时，正向电流的变化是多少？2）电流为1mA时，如果PN结的温度从25℃变化到45℃，问正向电压的变化是多少？解：1）从所给的特性图估计出，正向电流从0变化到0.2mA。2）正向电压的变化大约为0.7V。PN结导电特性示例载流子运动方式及形成电流1.扩散运动及扩散电流扩散运动：载流子受扩散力的作用所作的运动称为扩散运动。扩散电流：载流子扩散运动所形成的电流称为扩散电流。浓度差扩散运动扩散电流扩散力扩散电流大小与载流子浓度梯度成正比2.漂移运动及漂移电流

漂移运动：载流子在电场力作用下所作的运动称为漂移运动。漂移电流：载流子漂移运动所形成的电流称为漂移电流。

电位差漂移运动漂移电流电场力漂移电流大小与电场强度成正比PN结的基本原理小结（1）PN结加正向电压时，正向扩散电流远大于漂移电流，

PN结导通；PN结加反向电压时，仅有很小的反向饱和电流IS，考虑到，则认为PN结截止。（2）PN结正向导通、反向截止的特性称为PN结的单向导电特性。PN结的特性击穿特性击穿：PN结外加反向电压且电压值超过一定限度时，反向电流急剧增加而PN结两端电压基本不变的现象。击穿不一定导致损坏。击穿电压UZ利用PN结击穿特性可以制作稳压管。PNjunctionandcurrentcontrolPN结的反向击穿特性NegativebreakdownVBR电击穿____PN结反向偏置电压增大到一定值时，反向电流突然增加。热击穿____电击穿时间过长，器件上长时间有大反向电流而引起器件烧毁。雪崩击穿

在反向电压下产生碰撞电离并形成载流子倍增效应，形成较大反向电流。齐纳击穿

较高外电压破坏了共价键，形成大反向电流。VI0VDIS击穿特性击穿分类雪崩击穿齐纳击穿雪崩击穿(碰撞击穿)反向电压足够高时，空间电荷区的合成电场较强，通过空间电荷区的电子在强电场的作用下加速获得很大的动能，于是有可能和晶体结构中的外层电子碰撞而使其脱离原子核的束缚。被撞出来的载流子在电场作用下获得能量之后，又可以去碰撞其他的外层电子，这种连锁反应就造成了载流子突然剧增的现象，犹如雪山发生雪崩那样，所以这种击穿称为雪崩击穿或碰撞击穿。齐纳击穿(电场击穿)

当反向电压足够高，空间电荷区中的电场强度达到10的5次方V／cm以上时，可把共价键中的电子拉出来，产生电子—空穴对，使载流子突然增多，产生击穿现象，称为齐纳击穿。掺入杂质浓度小的PN结中，雪崩击穿是主要的，击穿电压一般在6V以上；在掺杂很重的PN结中，齐纳击穿是主要的，击穿电压一般在6V以下。击穿电压在6V左右的PN结常兼有两种击穿现象。PN结的击穿特性|V反|

=V(BR)时，IR急剧，

PN结反向击穿。雪崩击穿齐纳击穿PN结掺杂浓度较低(l0较宽)发生条件外加反向电压较大(>6V)

形成原因：碰撞电离。V(BR)IDV形成原因：场致激发。

发生条件PN结掺杂浓度较高(l0较窄)外加反向电压较小(<6V)O因为T

载流子运动的平均自由路程V(BR)。击穿电压的温度特性雪崩击穿电压具有正温度系数。齐纳击穿电压具有负温度系数。因为T

价电子获得的能量V(BR)。PN结存在电容效应。这将限制器件工作频率。分类

势垒电容CT

扩散电容CD电容效应

PN结的特性

势垒电容CT由势垒区内电荷存储效应引起。势垒区相当于介质，它两边的P区和N区相当于金属。当外加电压改变时，势垒区的电荷量改变引起的电容效应，称为势垒电容。CT值随外加电压的改变而改变，为非线性电容。电容效应PN结的特性

CT0为外加电压为零时的势垒电容，U为PN结的外加电压（加反向电压时U<0）,为结变系数。扩散电容CDCD

值与PN结的正向电流I成正比。由势垒区两侧的P区和N区正负电荷混合储存所产生。PN结加正向电压时P区的空穴注入到N区，吸引N区带负电的电子到其附近；同时，N区的电子注入到P区，吸引P区里带正电的空穴到其附近。它们不会立即复合，而有一定的寿命，从而形成势垒区两侧正负电荷混合储存的现象。呈现出的电容效应称为扩散电容。电容效应

PN结的特性

tP：空穴寿命tN

：电子寿命UT：热电压I:正向电流小结（1）PN结正向运用时CT、CD同时存在，CD起主要作用（2）PN结反向运用时，只有CT

电容效应

PN结的特性

PN结的电容效应1.势垒电容PN结外加电压变化时，空间电荷区的宽度将发生变化，有电荷的积累和释放的过程，与电容的充放电相同，其等效电容称为势垒电容Cb。2.扩散电容PN结外加的正向电压变化时，在扩散路程中载流子的浓度及其梯度均有变化，也有电荷的积累和释放的过程，其等效电容称为扩散电容Cd。结电容不是常量！若PN结外加电压频率高到一定程度，则失去单向导电性！PN结的结电容PNjunctioncapacitor二极管的两极之间有电容，此电容由两部分组成：势垒电容CB和扩散电容CD。势垒电容：势垒区是积累空间电荷的区域，当电压变化时，就会引起积累在势垒区的空间电荷的变化，这样所表现出的电容是势垒电容。扩散电容：为了形成正向电流（扩散电流），注入P区的少子（电子）在P

区有浓度差，越靠近PN结浓度越大，即在P区有电子的积累。同理，在N区有空穴的积累。正向电流大，积累的电荷多。这样所产生的电容就是扩散电容CD。P+-NCB在正向和反向偏置时均不能忽略。而反向偏置时，由于载流子数目很少，扩散电容可忽略。PN结高频小信号时的等效电路：势垒电容和扩散电容的综合效应rd问题为什么将自然界导电性能中等的半导体材料制成本征半导体，导电性能极差，又将其掺杂，改善导电性能？为什么半导体器件的温度稳定性差？是多子还是少子是影响温度稳定性的主要因素？为什么半导体器件有最高工作频率？20090908(2)开始阴极引线阳极引线二氧化硅保护层P型硅N型硅(

c

)平面型金属触丝阳极引线N型锗片阴极引线外壳(

a)点接触型铝合金小球N型硅阳极引线PN结金锑合金底座阴极引线(

b)面接触型图半导体二极管的结构和符号(symbol)14.3二极管(Diode)结构示意图阴极(cathode)阳极(anode)(

d

)

D符号14.3.1基本结构(architecture)点接触型：结面积小，结电容小，故结允许的电流小，最高工作频率高。用于检波,小功率的整流和变频等高频电路。面接触型：结面积大，故结允许的电流大，结电容大，只能在较低频率下工作.用于工频大电流整流电路。平面型：结面积可小、可大，小的工作频率高，大的结允许的电流大。用于集成电路制作工艺中。用于高频整流和开关电路中。14.3.1基本结构(architecture)将PN结封装，引出两个电极，就构成了二极管。

大功率二极管稳压二极管发光二极管小功率二极管半导体二极管分类(classification)按结构分：点接触型、面接触型和平面型按材料分：硅二极管、锗二极管按功能分：普通二极管、整流二极管、稳压二极管（也叫齐纳二极管）Zenerdiode、开关二极管、发光二极管、高频二极管RFdiode、功率二极管powerdiode、肖特基二极管Schottkybarrierdiode、隧道二极管tunneldiode等二极管的表示符号symbol研究符号电路分析符号工程设计符号PN二极管的电路符号二极管的工作原理workprinciple工作原理：

正向电压：导通，电阻很小。反向电压：截止，电阻很大。二极管的基本结构是一个PN结，具有单向导电性。VBRVI0VDIS输入端输出端PN结的单向导电性VVDVSVVDVS正向偏置，相当于开关闭合。反向偏置，相当于开关断开。14.3.2伏安特性硅管0.5V,锗管0.1V。反向击穿电压U(BR)导通压降

外加电压大于死区电压二极管才能导通。外加电压大于反向击穿电压二极管被击穿，失去单向导电性。正向特性反向特性特点：非线性硅0.6~0.8V锗0.2~0.3VUI死区电压PN+–PN–+反向电流在一定电压范围内保持常数。二极管的伏安特性及电流方程材料开启电压导通电压反向饱和电流硅Si0.5V0.5~0.8V1µA以下锗Ge0.1V0.1~0.3V几十µA开启电压反向饱和电流击穿电压温度的电压当量二极管的电流与其端电压的关系称为伏安特性。2010090241/42/54/51/52/53开始二极管的特性曲线二极管特性比电阻复杂得多，它特性曲线不能通过简单的线性方程得到。数学上可以用下式近似表达：当uD

≥100mV时，近似为：其中IS称反向饱和电流，硅管10－12/10-9A，uD为二极管端电压，T为绝对温度,，k是玻尔兹曼常数（8.63×10-5eV/K=1.38×10-23J/K,J为焦耳，式中e电子电荷1.6×10－19库仑），q是电子电荷数。通常二极管的电流也写成，其中，称为热电压（ThermalVoltage）单位为伏。室温即T=300K时，这是一个重要的数值，今后会经常用到它。

正向特性近似反向特性近似伏安特性数学表达式

伏安特性式中VD(on)=0.7VIS=(10-9~10-16)A硅PN结VD(on)=0.25V锗PN结IS=(10-6~10-8)A从二极管的伏安特性可以反映出：

1.单向导电性2.伏安特性受温度影响T（℃）↑→在电流不变情况下管压降u↓→反向饱和电流IS↑，U(BR)↓T（℃）↑→正向特性左移，反向特性下移正向特性为指数曲线反向特性为横轴的平行线增大1倍/10℃伏安特性的温度特性(c)击穿特性

(b)反向特性(a)正向特性T­则Ur¯T­则IS

­T­则UZ­(雪崩击穿)T­则UZ¯(齐纳击穿)

伏安特性图示为雪崩击穿二极管的等效电路理想二极管近似分析中最常用理想开关导通时UD＝0截止时IS＝0导通时UD＝Uon截止时IS＝0导通时△i与△u成线性关系应根据不同情况选择不同的等效电路！1.将伏安特性折线化？100V？5V？1V？直流电路模型建立条件：在二极管两端施加直流电压，二极管工作在直流状态。使用条件：二极管工作在线性区，Rr和Rf为常数。RrED+-RfRr：漏电阻Rf：导通电阻D：理想二极管IdVdV-I特性曲线VBR微变等效电路Q越高，rd越小。

当二极管在静态基础上有一动态信号作用时，则可将二极管等效为一个电阻，称为动态电阻，也就是微变等效电路。ui=0时直流电源作用小信号作用静态电流表征性能性能参数——表征安全工作范围极限参数——

14.3.3晶体二极管主要参数参数直流电阻RD定义:

RD是u或i的函数

（1）性能参数

主要参数晶体二极管交流电阻rd定义:计算:（1）性能参数主要参数晶体二极管势垒电容CT

影响器件最高工作频率最大允许整流电流IOM(IF)二极管长期使用时，允许流过二极管的最大正向平均电流.工作电流>IOM易导致二极管过热失效。最高反向工作电压URM(UR)允许加到二极管(非稳压二极管)的最高反向电压。手册上给出的最高反向工作电压UWRM一般是UBR的一半。最大允许功耗PDM

实际功耗大于PDM时易导致二极管过热损坏。（2）极限参数

14.3.3主要参数反向工作峰值电压URWM是保证二极管不被击穿而给出的反向峰值电压，一般是二极管反向击穿电压UBR的一半或三分之二。二极管击穿后单向导电性被破坏，甚至过热而烧坏。反向峰值电流IRM指二极管加最高反向工作电压时的反向电流。反向电流大，说明管子的单向导电性差，IRM受温度的影响，温度越高反向电流越大。硅管的反向电流较小，锗管的反向电流较大，为硅管的几十到几百倍。最高工作频率

fMfM值主要决定于PN结结电容的大小。结电容愈大，则二极管允许的最高工作频率愈低。二极管的单向导电性1.二极管加正向电压（正向偏置，阳极接正、阴极接负）时，二极管处于正向导通状态，二极管正向电阻较小，正向电流较大。2.二极管加反向电压（反向偏置，阳极接负、阴极接正）时，二极管处于反向截止状态，二极管反向电阻较大，反向电流很小。

3.外加电压大于反向击穿电压二极管被击穿，失去单向导电性。4.二极管的反向电流受温度的影响，温度愈高反向电流愈大。二极管电路分析举例定性分析：判断二极管的工作状态导通截止否则，正向管压降硅0.6~0.7V锗0.2~0.3V分析方法：将二极管断开，分析二极管两端电位的高低或所加电压UD的正负。若V阳>V阴或UD为正(正向偏置)，二极管导通若V阳<V阴或UD为负(反向偏置)，二极管截止若二极管是理想的，正向导通时正向管压降为零，反向截止时二极管相当于断开。电路如图，求：UABV阳=－6VV阴=－12VV阳>V阴二极管导通若忽略管压降，二极管可看作短路，UAB=－6V否则，UAB低于－6V一个管压降，为－6.3Ｖ或－6.7V例1：

取B点作参考点，断开二极管，分析二极管阳极和阴极的电位。在这里，二极管起钳位作用。D6V12V3kBAUAB+–两个二极管的阴极接在一起取B点作参考点，断开二极管，分析二极管阳极和阴极的电位。V1阳=－6V，V2阳=0V，V1阴=V2阴=－12VUD1=6V，UD2=12V

∵

UD2>UD1

∴D2优先导通，D1截止。若忽略管压降，二极管可看作短路，UAB

=0V例2:D1承受反向电压为－6V流过D2

的电流为求：UAB在这里，D2起钳位作用，D1起隔离作用。BD16V12V3kAD2UAB+–作业设二极管是理想的，求VAO值。VAO=?+-DV2V1+-AOVAO+-12V-6V3k(a)+--+D1D2V2V1+-AOVAO3k6V9V(b)VAO=?例设二极管是理想的，求VAO值。图(a)，假设D开路，则D两端电压：VD=V1–V2=(–6–12)V=–18V<0V，解：故D截止。VAO=12V。+-DV2V1+-AOVAO+-12V-6V3k(a)+--+D1D2V2V1+-AOVAO3k6V9V(b)图(b)，假设D1、D2开路，则D两端电压：VD1=V2–0=9V>0V，VD2=V2–(–V1)=15V>0V。

由于VD2>VD1，则D2优先导通。此时VD1

=–6V<0V，故D1截止。VAO=–V1=–6V。ui>8V，二极管导通，可看作短路uo=8V

ui<8V，二极管截止，可看作开路uo=ui已知：二极管是理想的，试画出uo

波形。8V例3：二极管的用途：

整流、检波、限幅、钳位、开关、元件保护、温度补偿等。ui18V参考点二极管阴极电位为8VD8VRuoui++––动画[例]已知uI=

Umsinωt，画出uO和uD的波形VDR+-+-uIuO+-uDiOUmωtuoOωtuDOuI＞0

时二极管导通，uO=

uIuD

=

0uI

＜0

时二极管截止，uD

=

uIuO=

0-UmioUmωtuIO画输出信号波形方法根据输入信号大小判断二极管的导通与截止找出vo与vi关系画输出信号波形。例设二极管是理想的，vi

=6sint(V)，试画vo波形。解：+-DV+-+-2V100Rvovit62OVi/V画输出信号波形方法根据输入信号大小判断二极管的导通与截止找出vo与vi关系画输出信号波形。例设二极管是理想的，vi

=6sint(V)，试画vo波形。解：vi>2V时，D导通，则vO=vivi

2V时，D截止，则vO=2V由此可画出vO的波形。

+-DV+-+-2V100Rvovit62OVi/VVo/VtO2620090915(3)开始限幅电路(或削波电路)V2<vi

<V1时，D1、D2截止，vo=vitOvitOvoVi

V1时，D1导通、D2截止，vo=V1

Vi

V2时，D2导通、D1截止，vo=V2

由此

，电路实现双向限幅功能。vovi+-D1+-+-RD2V1-V2+-其中：V1为上限幅电平，V2为下限幅电平。V1-V2-V2V1[例]二极管可用作开关VVDVSVVDVS正向偏置，相当于开关闭合。反向偏置，相当于开关断开。（b）（a）结合图中给定的参数分析：VD1、VD2开路时，阳极对地电位为+5V，阴极对地电位分别为+1V、0V，例：如图所示二极管门电路（VD1、VD2为理想二极管）求：uO。解：门电路门电路的分析关键是判断电路中二极管的通、断。采用的方法是比较各二极管的正向开路电压，正向开路电压最大的一只二极管抢先导通。可见VD2导通。uO=0

晶体二极管电路应用举例实例example例1判断图示电路中的二极管能否导通。

结果：

VA=1V

VB=1+2.5=3.5V则VA<

VB二极管为截止状态。14.4稳压二极管（齐纳二极管Zenerdiode）1.符号UZIZIZMUZIZ2.伏安特性稳压管正常工作时加反向电压使用时要加限流电阻稳压管反向击穿后，电流变化很大，但其两端电压变化很小，利用此特性，稳压管在电路中可起稳压作用。_+UIO稳压管稳压管是一种面接触型二极管，与二极管不同之处：1.采用特殊工艺，击穿状态不致损坏；2.击穿是可逆的。符号及特性曲线如下图所示：ΔUΔI+-IUO

稳压管的伏安特性和符号ΔUΔI值很小有稳压特性阴极阳极进入稳压区的最小电流不至于损坏的最大电流3.主要参数(1)稳定电压UZ

稳压管正常工作(反向击穿)时管子两端的电压。(2)电压温度系数ｕ环境温度每变化1C引起稳压值变化的百分数。(3)动态电阻(4)稳定电流IZ、最大稳定电流IZM(5)最大允许耗散功率PZM=UZIZMrZ愈小，曲线愈陡，稳压性能愈好。使用稳压管组成稳压电路时的注意事项：UORLVDZRUIIRIOIZ++--

稳压管电路稳压管必须工作在反向击穿区。稳压管应与负载RL并联。必须限制流过稳压管的电流IZ。限流电阻

若稳压管的电流太小则不稳压，若稳压管的电流太大则会因功耗过大而损坏，因而稳压管电路中必需有限制稳压管电流的限流电阻！负载电阻。要求当输入电压由正常值发生20%波动时，负载电压基本不变。稳压二极管的应用举例uoiZDZRiLiuiRL稳压管的技术参数:解：令输入电压达到上限时，流过稳压管的电流为Izmax。求：电阻R和输入电压ui的正常值。——方程1令输入电压降到下限时，流过稳压管的电流为Izmin。——方程2uoiZDZRiLiuiRL联立方程1、2，可解得：[例]电路如图所示，已知UImax=15V，UImin=10VIZmax=50mA，IZmin=5mA，RLmax=1kΩ，RLmin=600ΩUZ=6V,

对应ΔUZ=0.3V。求rZ，选择限流电阻ROUORLVDZRUIIRIOIZ++--+-UZ解：IZ=IR

-IO=UI-UZR-UZRLIZmax＞UImax-UZR-UZRLmaxIZmin

＜UImin-UZR-UZRLminrZ

=ΔIZΔUZ=6.7Ω15

-

650

+61kΩ=161ΩR＞R＜10

-

65

+60.6kΩ=267ΩΔIZ=IZmax-IZmin=45mAUORLVDZRUIIRIOIZ++--+-UZ+-VD1VD2U+-U+-U+-UVD1VD2VD1VD2VD1VD2[例]有两个稳压管

VD1和

VD2，它们的稳压值为UZ1=6V，UZ2=8V，正向导通压降均为

UD=0.6

V，将它们串联可得到几种稳压值?U=UD+UD=1.2VU=UZ1+UD=6.6VU=UZ1+UZ2=14VU=UD+UZ2=8.6V14.6光电器件

14.6.1发光二极管(LED)当发光二极管加上正向电压并有足够大的正向电流时，就能发出一定波长范围的光。目前的发光管可以发出从红外到可见波段的光，它的电特性与一般二极管类似。常用的有2EF等系列。发光二极管的工作电压为1.5~3V，工作电流为几~十几mA。符号光电子器件发光二极管符号光电传输系统光电子器件激光二极管（a）物理结构（b）符号14.6.2光电二极管

光电二极管在反向电压作用下工作。当无光照时,和普通二极管一样,其反向电流很小,称为暗电流。当有光照时,产生的反向电流称为光电流。照度E越强，光电流也越大。常用的光电二极管有2AU,2CU等系列。光电流很小,一般只有几十微安,应用时必须放大。I/AU/VE=0E1E2光电二极管（a）符号（b）电路模型（c）特性曲线14.6.3光电晶体管

光电晶体管用入射光照度E的强弱来控制集电极电流。当无光照时,集电极电流ICEO很小,称为暗电流。当有光照时,集电极电流称为光电流。一般约为零点几毫安到几毫安。常用的光电晶体管有3AU,3DU等系列。CE(a)符号E=0E1E3E4iCuCEOE2ICEOPCM(b)输出特性曲线光电二极管反向电流随光照强度的增加而上升。IU照度增加符号发光二极管有正向电流流过时，发出一定波长范围的光，目前的发光管可以发出从红外到可见波段的光，它的电特性与一般二极管类似，正向电压较一般二极管高，电流为几~几十mA光电二极管发光二极管变容二极管

变容二极管利用PN结的势垒电容效应制作。并采用特殊工艺使节电容随反向电压变化比较灵敏的一种特殊二极管。变容二极管必须工作于反偏状态。（纵坐标为对数刻度）

肖特基二极管（a）符号（b）正向V-I特性肖特基二极管肖特基二极管使用了一块N型硅晶片结合铂金而成的。半导体金属势垒使得二极管开或关，较PN结快得多。在肖特基二极管处于正偏压条件下，N型阴极的电子获得能量穿过势垒到达金属阳极。有时称“热载流子二极管”。

“热载流子”到达金属与大量的自由电子混合，很快就释放它们的额外能量。在反偏压条件下，二极管马上就能停止导通，由于电子已经失去了额外能量，以至于电子没有足够的能量越过势垒返回到阴极。

Diodeclassification1-2-1二极管肖特基二极管Schottkybarrierdiode利用金属与半导体接触所形成的势垒来对电流进行控制的。主要特点：

具有较低的正向压降（0.3V至0.6V）。

比其他二极管有更快的反应速度。用途：

用于门电路中作为三极管集电极的箝位二极管，以防止三极管因进入饱和状态而降低开关速度。隧道二极管tunneldiode利用金属与半导体接触所形成的势垒来对电流进行控制的。主要特点：比齐纳二极管具有更大的电压降，可以实现快速击穿。具有一段负电阻区，可用在高频电路。

Diodeclassification14.5晶体管(transistor)

14.5.1基本结构(architecture)NNP基极发射极集电极NPN型BECBECPNP型PPN基极发射极集电极符号(Symbol)BECIBIEICBECIBIEICNPN型三极管PNP型三极管半导体三极管(BipolarTransistor)NNP发射极E基极B集电极C发射结集电结—基区—发射区—集电区emitterbasecollectorNPN型PPNEBCPNP型ECBECB半导体三极管BipolarTransistor分类classification按材料分：硅管、锗管按结构分：NPN、PNP按使用频率分：低频管、高频管按功率分：小功率管<500mW中功率管0.51W大功率管>1W三极管分类通用三极管达林顿管daringtonRF三极管多管阵列用于一般场合。例：3DG系列，2N系列。功率管，也叫复合管，具有高电流放大系数，用于功率放大和驱动电路，例如2N6427等。用于VHF/UHF小信号放大，频率可达400MHz到2GHz，例：BF224,MPS6595。多个独立的三极管封装在一起，类似集成电路。小功率管中功率管大功率管为什么有孔？半导体三极管外形基区：最薄，掺杂浓度最低发射区：掺杂浓度最高发射结集电结BECNNP基极发射极集电极结构特点：集电区：面积最大半导体三极管BipolarTransistor电流放大原理三极管放大的条件内部条件发射区掺杂浓度高基区薄且掺杂浓度低集电结面积大外部条件发射结正偏集电结反偏14.5.2电流分配和放大原理1.三极管放大的外部条件BECNNPEBRBECRC发射结正偏、集电结反偏PNP发射结正偏VB<VE集电结反偏VC<VB从电位的角度看：

NPN

发射结正偏VB>VE集电结反偏VC>VB

2.各电极电流关系及电流放大作用IB(mA)IC(mA)IE(mA)00.020.040.060.080.10<0.0010.701.502.303.103.95<0.0010.721.542.363.184.05结论:1）三电极电流关系IE=IB+IC2）IC

IB

，

IC

IE

3）IC

IB

把基极电流的微小变化能够引起集电极电流较大变化的特性称为晶体管的电流放大作用。

实质:用一个微小电流的变化去控制一个较大电流的变化，是CCCS器件。3.三极管内部载流子的运动规律BECNNPEBRBECIEIBEICEICBO

基区空穴向发射区的扩散可忽略。发射结正偏，发射区电子不断向基区扩散，形成发射极电流IE。

进入P区的电子少部分与基区的空穴复合，形成电流IBE，多数扩散到集电结。从基区扩散来的电子作为集电结的少子，漂移进入集电结而被收集，形成ICE。集电结反偏，有少子形成的反向电流ICBO。3.三极管内部载流子的运动规律IC=ICE+ICBOICEICIBBECNNPEBRBECIEIBEICEICBOIB=IBE-ICBOIBEICE与IBE之比称为共发射极电流放大倍数集－射极穿透电流,温度ICEO(常用公式)若IB=0,则

ICICE0半导体三极管电流放大原理电流分配关系IE=IC+IB由于三极管内有两种载流子(自由电子和空穴)参与导电，故称为双极型三极管或BJT(BipolarJunctionTransistor)。

晶体管的放大原理

扩散运动形成发射极电流IE，复合运动形成基极电流IB，漂移运动形成集电极电流IC。少数载流子的运动因发射区多子浓度高使大量电子从发射区扩散到基区因基区薄且多子浓度低，使极少数扩散到基区的电子与空穴复合因集电区面积大，在外电场作用下大部分扩散到基区的电子漂移到集电区基区空穴的扩散电流分配：

IE＝IB＋IC

IE－扩散运动形成的电流

IB－复合运动形成的电流IC－漂移运动形成的电流穿透电流集电结反向电流直流电流放大系数交流电流放大系数为什么基极开路集电极回路会有穿透电流？bceNNP三极管的工作原理workprinciple

工作原理workprinciple：发射区向基区注入电子电子在基区扩散和复合集电结收集电子be结扩散VCCVEEIEICIBbc结漂移结论conclusion：

具有电流放大作用currentamplify是有源器件activedevice正常工作条件：

发射结正向偏置集电结反向偏置IE、IB、IC间有确定的分配关系diffusedrift14.5.3特性曲线即管子各电极电压与电流的关系曲线，是管子内部载流子运动的外部表现，反映了晶体管的性能，是分析放大电路的依据。为什么要研究特性曲线：1）直观地分析管子的工作状态2）合理地选择偏置电路的参数，设计性能良好的电路重点讨论应用最广泛的共发射极接法的特性曲线发射极是输入回路、输出回路的公共端共发射极电路输入回路输出回路测量晶体管特性的实验线路ICEBmAAVUCEUBERBIBECV++––––++1.输入特性特点:非线性死区电压：硅管0.5V，锗管0.1V。正常工作时发射结电压：NPN型硅管

UBE0.6~0.7VPNP型锗管

UBE0.2~0.3VIB(A)UBE(V)204060800.40.8UCE1VO晶体管的共射输入特性和输出特性为什么UCE增大曲线右移？

对于小功率晶体管，UCE大于1V的一条输入特性曲线可以取代UCE大于1V的所有输入特性曲线。为什么像PN结的伏安特性？为什么UCE增大到一定值曲线右移就不明显了？1.输入特性20100907/41/42/54/51/52/53开始模拟信号：时间和数值上都是连续变化的物理量.数字信号:时间和数值上都是离散的信号模拟电子技术(AnalogElectronicsTechnology)：处理模拟信号的电子技术。模拟电子技术的目的是，向工程实际提供各种模拟信号处理电子电路(系统)的分析(ANALYSIS)和设计(DESIGN)技术。模拟电路(ANALOGCIRCUITS)：处理模拟信号的电子器件组成的电子系统。数字电子技术(DigitalElectronicsTechnology)：处理数字信号的电子技术。数字电路(DIGITALCIRCUITS)：处理数字信号的电子器件组成的电子系统。数字电子技术的目的是，向工程技术提供各种数字信号处理电子电路(系统)的分析设计技术。

导电性介于导体与绝缘体之间的物质称为半导体。什么是半导体(semiconductor)

？

半导体(semiconductor)

－－硅（Si或Silicon

）、锗（Ge或Germanium

），均为四价元素，它们原子的最外层电子受原子核的束缚力介于导体与绝缘体之间。还如硒、砷化镓和大多数金属硫化物、氧化物等都是半导体。半导体的导电特性半导体的导电特性：对温度反映特别灵敏,可做成温度敏感元件，如热敏电阻)。掺杂性：往纯净的半导体中掺入某些杂质()，导电能力明显改变(如硼和磷等可做成各种不同用途的半导体器件，如二极管、三极管、场效晶体管和晶闸管等）。光敏性：当受到光照时，导电能力明显变化(如镉、铅的硫化物与硒化物可做成各种光敏元件，如光敏电阻、光敏二极管、光敏三极管等)。热敏性：当环境温度升高时，导电能力显著增强(如钴、镍、锰等的氧化物Impurity本征半导体是纯净的晶体结构的半导体。什么是本征半导体？无杂质稳定的结构本征半导体：化学成分纯净的半导体,在物理结构上呈单晶体形态。完全纯净的、晶体结构完整的半导体，称为本征半导体。本征半导体虽有大量的价电子，但没有自由电子，此时半导体是不导电的.N型半导体和P型半导体在本征半导体中掺入三价元素后空穴数目大量增加，空穴导电成为这种半导体的主要导电方式，称为空穴半导体或P型半导体.在P型半导体中空穴是多数载流子，自由电子是少数载流子。

无论N型或P型半导体都是中性的，对外不显电性。在本征半导体中掺入五价元素后自由电子数目大量增加，自由电子导电成为这种半导体的主要导电方式，称为电子半导体或N型半导体。在N

型半导体中自由电子是多数载流子（多子），空穴是少数载流子（少子）

。偏置电压PN结的单向导电性

PN结内电场P区N区正向偏置反向偏置PN结不导电PN结导电14.3.2伏安特性硅管0.5V,锗管0.1V。反向击穿电压U(BR)导通压降

外加电压大于死区电压二极管才能导通。外加电压大于反向击穿电压二极管被击穿，失去单向导电性。正向特性反向特性特点：非线性硅0.6~0.8V锗0.2~0.3VUI死区电压PN+–PN–+反向电流在一定电压范围内保持常数。半导体三极管(BipolarTransistor)NNP发射极E基极B集电极C发射结集电结—基区—发射区—集电区emitterbasecollectorNPN型PPNEBCPNP型ECBECB基区：最薄，掺杂浓度最低发射区：掺杂浓度最高发射结集电结BECNNP基极发射极集电极结构特点：集电区：面积最大晶体管的放大原理

扩散运动形成发射极电流IE，复合运动形成基极电流IB，漂移运动形成集电极电流IC。少数载流子的运动因发射区多子浓度高使大量电子从发射区扩散到基区因基区薄且多子浓度低，使极少数扩散到基区的电子与空穴复合因集电区面积大，在外电场作用下大部分扩散到基区的电子漂移到集电区基区空穴的扩散发射极是输入回路、输出回路的公共端共发射极电路输入回路输出回路测量晶体管特性的实验线路ICEBmAAVUCEUBERBIBECV++––––++1.输入